Avant-propos

ENSA Kénitra S5 Génie électrique / Génie réseaux et télécommunications

Electronique analogique et numérique

Exercices et problèmes pour se préparer à l’examen final

R1 RE

C1
T1 T2

Rg C2

Ve R2
RC
vg RS Vs RL

Electronique analogique :
Transistors bipolaires (23 exercices)
Transistor à effet de champ (15 exercices)
Electronique numérique :
Les bascules et les compteurs (20 exercices)

Tous les exercices seront corrigés pendant les séances de soutien

Ali CHERKAOUI

1
 Avant-propos

Avant-propos

Cet ouvrage a été conçu en premier lieu à l’usage des élèves ingénieurs de l’école
nationale des sciences appliquées de Kénitra (S5 GE/GRST).
Chaque chapitre comporte des exercices et problèmes, et présentant une étude générale
de certains composants et circuits électriques et logiques.

Nous espérons que ce travail permettra aux étudiants d’acquérir un savoir-faire dans la
résolution de problèmes de conception électronique et de mieux préparer ainsi leurs
contrôles continus et examens.

Nous tenons à remercier tous les étudiants et profs qui nous ont aidé dans la préparation
de ce livre.
Prof. Ali Cherkaoui

2
 Table des matières

Table des matières

AVANT-PROPOS ........................................................................................................................................................................ 2
TABLE DES MATIERES ........................................................................................................................................................... 3
CHAPITRE 1 : LES TRANSISTORS BIPOLAIRES .............................................................................................................. 4
CHAPITRE 2 : LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP .................................................................................................. 19
CHAPITRE 2 : LES BASCULES ET LES COMPTEURS .................................................................................................... 30
CHAPITRE 3 : LES REGISTRES ..................................................................................... ERREUR ! SIGNET NON DEFINI.

3
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°1 :
Etant donné le circuit du schéma de la figure ci-dessous :

Rc
RB1
Ic

IB
VCE Vcc

IE
VBE
RB2

Q1- Montrer que ce circuit, où le transistor est polarisé avec une seule source, est équivalent au circuit
utilisant une polarisation avec deux sources.
Q2- Donner l’équation de la droite d’attaque statique et de charge statique et en déduire le point de
blocage et de saturation.
Q3- Sachant qu’au point de fonctionnement le courant de base et la tension collecteur-émetteur sont
IB = 100μA et VCE = 6V, déterminer la valeur des autres paramètres (d’entrée et de sortie). La jonction
base-collecteur est-elle polarisée en inverse ? si oui justifier. Calculer la valeur de α et β.
On donne : VCC = 12V ; RB1 = 16KΩ ; RB2 = 1KΩ et RC = 240Ω.

Exercice n°2 :
On considère le montage de la figure (a) où la polarisation est réalisée par la résistance entre collecteur
et base. Le transistor est caractérisé par le réseau de courbes de la figure (b). En régime continu, on a :
β = 65 >> 1. On donne : U0 = 10V, RB = 17kΩ, RC = 1kΩ, RE = 100Ω.
RC

RB

A
U0
)

RE

Figure (a) Figure (b)

Q1- Donner l’équation de la droite de charge statique.
Q2- Donner l’équation de la droite d’attaque statique. En déduire le point de repos du montage.
Q3- Tracer la droite de charge statique sur le réseau de courbes de la figure (b).
Q4- Calculer la valeur à donner à RB pour que VCE = 5V en conservant la valeur des autres données.

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 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°3 :
Soit le circuit de la figure ci-dessous où l’émetteur est branché à la masse par l’intermédiaire de la
résistance RE.

RC
RB1

VCC

RB2
RE

Q1- Donner l’équation de la droite d’attaque statique et de charge statique et en déduire le point de
blocage et de saturation.
Q2- Les caractéristiques étant rectilignes, le courant collecteur IC = 4,95mA et la tension VBE = 0,7V.
Calculer :
Q2.1- Les courants base et émetteur.
Q2.2- La tension entre la base et la masse.
Q2.3- Le courant I1 qui traverse RB1.
Q2.4- La valeur de RB1.
On donne VCC = 12V ; RE = 180Ω ; RB2 = 2kΩ ; RC = 2kΩ et β = 99.

Exercice n°4 :
Etant donné le circuit du schéma de la figure ci-dessous :

RC
RB

T VCC = 12V

RE

Le transistor T est caractérisé par un gain statique en courant β = 150 >> 1 et une tension VBE = 0,7V.
On désire obtenir pour le point de polarisation IC = 2,5mA, VCE = 6V et VE = 2V.
Q1- Calculer les valeurs des résistances RB, RC et RE.
Q2- On remplace le transistor T par un transistor T’ de la même famille mais dont le gain statique en
courant vaut β = 200 >> 1. Calculer le nouveau point de fonctionnement du transistor en conservant la
valeur des résistances calculées précédemment. Conclure.

5
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°5 :
Etant donné le circuit du schéma de la figure ci-dessous :

R1

VCC

R2
RE

Q1- Calculer les valeurs des résistances RE et R2.

Q2- Quel est le point de fonctionnement du montage ?
On donne : VCC = 9V ; β = 150 >> 1 ; VBE = 0,6V ; R1 = 90kΩ ; IB = 20μA ; VCE = 6V.

Exercice n°6 :
Calculer les résistances nécessaires à la polarisation d’un transistor NPN au silicium pour lequel β =
100 dans chacun des deux montages ci-dessous. On prend pour la tension continue VCC = 10V et on
désire que le point de repos soit fixé à VCE0 = 5V, IC0 = 1mA et VBE0 = 0,7V.
+VCC +VCC

RC2
RB1 RC1

RB2

Figure (a) Figure (b)

Exercice n°7 :
On considère le montage schématisé par la figure ci-dessous, où les deux transistors T et T’ sont
identiques. On donne VCC = 12V et on prendra VBE = 0,7V.
I

R Charge

I’C VCC
IC

T T’

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 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Q1- Exprimer I’C en fonction de I.

Q2- Que devient I’C si β >> 1 ?
Q3- Déterminer la valeur de R pour que le courant I’C dans la charge soit de 1,5mA.

Exercice n°8 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
Vcc

RC
R1 C2

C1

Rg
Vs RL
R2 RE1
Ve
E1 CE
eg
RE2

On notera RE = RE1 + RE2 et RB = R1// R2.

Le transistor a les paramètres suivants : h11 = 1kΩ, h21 = 100 et h12 = h22 = 0.
Les résistances ont les valeurs suivantes : RE = 1kΩ, R1 = 180kΩ, R2 = 15kΩ et RC = RL = 4,7kΩ .
On donne : Vcc = 20V, CE = 220μF et C1 = C2 = 100 μF.
Q1- Représenter le schéma équivalent du transistor seul.
Q2- La fréquence d’étude étant f0 = 1KHz. Calculer les modules des impédances des condensateurs C1,
C2 et CE à cette fréquence.
Q3- Etablir le schéma équivalent à petits signaux basses fréquences de l’étage complet.
Q4- Calculer l’amplification en tension Av, l’amplification en courant Ai ainsi que la résistance
d’entrée Re et de sortie Rs.
Q5- Le condensateur CE est à présent branché au point E1.
Q5.1- Donner le nouveau schéma équivalent de l’étage complet.
Q5.2- Comment peut-on choisir RE1 et RE2 pour obtenir une amplification en tension égale à -10.

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 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°9 :
Soit le transistor monté en émetteur commun du circuit de la figure ci-dessous. Le transistor a les
paramètres suivants : h11 = 1kΩ, h22 = 10-4Ω-1, h21 = 200, h12 = 0. L’amplificateur étant attaqué par un
générateur de petits signaux sinusoïdaux. On donne : R1 = R2 = 40kΩ, RC = RE = 2kΩ.
Vcc

RC
R1

CL

Vs
R2
eg Ve
RE CE

Q1- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q2- Calculer l’amplification en courant Ai.
Q3- Calculer l’amplification en tension Av.
Q4- Calculer la résistance d’entrée Re.
Q5- Calculer la résistance de sortie Rs.

Exercice n°10 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
E

RC
RB C2

C1

Rg
Vs RU
Ve RE1

CE
eg
RE2

Le transistor a les paramètres suivants : h11 = 1kΩ, h21 = 100 et h12 = h22 = 0.
On donne : RB = 20kΩ, RC = RE = RU = 2kΩ et E = 15V.
Q1- Expliquer le rôle des trois capacités.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Donner l’expression et calculer la valeur de :
Q3.1- L’amplification en tension du montage.
Q3.2- L’amplification en courant du montage.

8
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Q3.3- La résistance d’entrée du montage.

Q3.4- La résistance de sortie du montage.
Q4- Le condensateur CE est à présent débranché et Rg = 0Ω.
Q4.1- Donner le nouveau schéma équivalent du montage.
Q4.2- Donner l’expression et la valeur de l’amplification en tension et en courant du montage.

Exercice n°11 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
E

RC
RB C2

C1

Rg
Vs RL

Ve
RE CE
eg

Le transistor a les paramètres suivants : h11 = 1kΩ, h21 = 100, h22 = 10-4Ω-1 et h12 = 0.
On donne : RB = 20kΩ, RC = RE = RU = 2kΩ et E = 15V.
Q1- Préciser le type du montage. Justifier votre réponse.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Donner l’expression et calculer la valeur de :
Q3.1- L’amplification en tension du montage.
Q3.2- L’amplification en courant du montage.
Q3.3- La résistance d’entrée du montage.
Q3.4- La résistance de sortie du montage.
Q4- Le condensateur CE est à présent débranché.
Q4.1- Donner le nouveau schéma équivalent du montage.
Q4.2- Donner l’expression et la valeur de l’amplification en tension et en courant du montage.

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 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°12 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
Vcc=15V
Ip
RC
R1 C2

C1

Vs
R2
Ve
RE CE

I- Etude statique :
Le point de repos pour le transistor est : IC0 = 2mA, VCE0 = 6V et VBE0 = 0,6V.
Le gain statique est β = 200. Le courant dans le pont est Ip = 400μA.
On suppose que RC = RE.
Calculer les valeurs des résistances RC, R1 et R2.
II- Etude dynamique :
Le circuit de la figure ci-dessus est un amplificateur fonctionnant à basse fréquence. Les impédances
des capacités de couplage et de liaison sont faibles aux fréquences considérées.
On donne : RC = RE = 2,2kΩ, R1 = 27kΩ, R2 = 15kΩ, h11 = 2kΩ, h21 = 200 et h12 = h22 = 0.
Q1- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q2- Calculer la résistance d’entrée du montage.
Q3- Calculer la résistance de sortie du montage.
Q4- Calculer le gain en tension du montage.
Q5- On charge l’amplificateur avec une résistance Ru. Calculer le gain en courant du montage.
Q6- On débranche la capacité de découplage. Calculer le gain en tension du montage.

Exercice n°13 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
Vcc

R1

C1

C2
Rg

R2
Ve
RE Vs RL
eg

10
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Le transistor a les paramètres suivants : h11 = 3,5kΩ, h21 = 120, h22 = 8,5.10-6Ω-1 et h12 = 0.
On donne : RE = 4,3kΩ, R1 = R2 = 10kΩ, Rg = 3,6kΩ, RL = 620Ω et Vcc = 10V.
Q1- Préciser le type du montage. Justifier votre réponse.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en tension du montage.
Q4- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance d’entrée du montage.
Q5- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance de sortie du montage.
Q6- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en courant du montage.

Exercice n°14 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
Vcc

RB

Ve
RE
Vs

I- Etude statique :
La tension d’alimentation est Vcc = 20V. Le point de repos choisi est défini par : VCE = 7V, Ic = 10mA,
VBE = 0,6V et IB = 0,1mA. On négligera IB devant IC.
Q1- Quelle est l’équation de la droite de charge statique ?
Q2- Déduire la valeur de RE et RB.
II- Etude dynamique :
Les paramètres hybrides du transistor sont : h11 = 1kΩ, h21 = β = 100 et h12 = h22 = 0.
On suppose que : h11 << (β+1)RE.
Q1- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q2- Calculer le gain en tension du montage.
Q3- Calculer la résistance de sortie du montage.
Q4- Calculer la résistance d’entrée du montage.
Q5- A partir des éléments calculés précédemment, proposer un schéma équivalent simplifié du
montage.
Q6- Donner le schéma équivalent du montage en charge. Quelle est son amplification en courant ?

11
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°15 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
Vcc
Ip
RC
RB1 C3

C2 Rg
Vs RU
C1 RB2

RE
Ve eg

I- Etude statique :
On donne : β = 100, VBE = 0,6V, VCC = 15V, RC = 1,2kΩ, RE = 1kΩ, Ip = 10IB.
Quelle valeur doit-on donner aux résistances RB1 et RB2 pour polariser correctement le transistor avec
un courant de repos de collecteur IC = 4mA ?
II- Etude dynamique :
Les paramètres hybrides du transistor sont : h11 = 1,6kΩ, 1/h22 = 26,5kΩ, h12 = h21 = 0.
Q1- Préciser le type du montage. Justifier votre réponse.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Calculer le gain en tension du montage en charge et à vide.
Q4- Calculer la résistance d’entrée du montage.
Q5- Calculer la résistance de sortie du montage.
Q6- Calculer le gain en courant du montage en charge et à vide.

Exercice n°16 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
Vcc

CB RC
RB CS

Ce
Vs

RE
Ve

Q1- Donner les expressions des paramètres hybrides hijb du transistor en base commune en fonction de

12
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

ses paramètres hybrides en émetteur commun hije. On donne h12e = 0.

Q2- Comparer les paramètres hybrides du transistor en base commune hijb à ses paramètres hybrides en
émetteur commun hije.
Q3- On considère le montage représenté dans la figure ci-dessus. On suppose que le transistor est
caractérisé par ses paramètres hybrides en base commune : h11b = rb, h12b = 0, h21b, h22b = 1/ρ.
Q3.1- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses
fréquences.
Q3.2- Donner l’expression de la résistance d’entrée du montage.
Q3.3- Donner l’expression de la résistance de sortie du montage en supposant la résistance interne du
générateur d’attaque nulle.
Q3.4- Donner l’expression du gain en tension.

Exercice n°17 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
Vcc=15V

RC R’C
R1 R’1 C3
C2

C1

Rg VS RL
R2 R’2
Ve
RE CE R’E C’E
eg

Les paramètres hybrides des deux transistors sont : h11 = 4,5kΩ, h12 = 0, h21 = 120, h22 = 8μS.
On donne : Rg = 600Ω, R1 = 22kΩ, R2 = 3,9kΩ, R’1 = 2,2kΩ, R’2 = 2kΩ, RC = R’C = 8,2kΩ, RE = R’E =
2kΩ et RL = 51kΩ.
Q1- Préciser le type du montage de chaque étage. Justifier votre réponse.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Calculer le gain en tension du 1e étage.
Q4- Calculer le gain en tension du montage.

13
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°18 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
Vcc

RE1
R2

C1
T1
T2
C2
Rg
R1
Ve
RC CE
RE2 Vs RU
eg

Les paramètres des deux transistors sont tels que :

 Pour T1 : h11 = 1,7kΩ, h21 = 100, h12 = 0, h22 = 0.
 Pour T2 : h’11 = 2,4kΩ, h’21 = 60, h’12 = 0, h’22 = 0.
I- Etude statique :
Q1- On donne R1 = 22kΩ, R2 = 4,7kΩ, RC = 3,3kΩ, IC1 = -2mA, Vcc = 12V et VBE1 = -0,115V.
Q1.1- Calculer la résistance RE1.
Q1.2- Calculer la tension continue VCE1.
Q2- On donne RE2 = 1,6kΩ, IC2 = 4mA.
Q2.1- Calculer la tension continue VCE2.
Q2.2- Calculer la tension continue VBE2.
II- Etude dynamique :
On applique à l’entrée un générateur de tension de force électromotrice eg(t) = 0,01.sin(ωt) et de
résistance interne Rg = 1kΩ. L’amplificateur débite à la sortie sur une résistance RU = 1kΩ.
Q1- Préciser le type du montage de chaque étage. Justifier votre réponse.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance d’entrée du montage.
Q4- Donner l’expression de la tension Ve.
Q5- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance de sortie du montage avec Ru enlevée.
Q6- Donner l’expression de la tension Vs aux bornes de la résistance de charge Ru.

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 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°19 :
On considère le montage représenté dans la figure ci-dessous utilisant deux transistors identiques NPN
où les capacités présentent des impédances faibles aux fréquences de travail. Les paramètres hybrides
des deux transistors sont tels que : h11 = 11,6kΩ, h21 = β = 200, h12 = 0, h22 = 0.
On donne : RE1 = 4,7kΩ, RE2 = 1,8kΩ, RC1 = 6,8kΩ, RC2 = 75Ω, Ru = 75Ω, VCC = 5V, VBE = 0,6V et RG
= 75Ω.
+VCC

RC1 RC2

T2
C2

T1
C1
Rg

VS RU
Cd
eg RE1 RE2
Ve

I- Etude statique :
Q1- Donner le schéma d’étude en régime statique.
Q2- Expliquer le rôle des résistances RE1 et RE2.
Q3- Sachant que les courants de bases de T1 et T2 sont négligeables devant les courants de collecteur,
calculer la tension VCE1 et le courant IC1.
Q4- Calculer le courant IC2 du transistor T2 et la valeur du potentiel VCE2.
II- Etude dynamique :
Q1- Préciser le type du montage de chaque étage. Justifier votre réponse.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en tension à vide du montage.
Q4- En déduire l’expression et calculer la valeur de l’amplification en tension avec charge du montage.
Q5- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance d’entrée du montage.
Q6- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance de sortie du montage.

15
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°20 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
+Vcc

RC
R3 C2

CB
T2

R2

C1
Vs
T1

R1
Ve
RE CE

I- Etude statique :
Le point de repos aux deux transistors est défini par : VCE = 5V, IC = 2mA, VBE = 0,15V, IB = 18μA.
On donne : RE = 1kΩ, RC = 2,2kΩ, R1 = 22kΩ.
Q1- En considérant comme égaux les courants d’émetteur et de collecteur de chaque transistor, calculer
Vcc.
Q2- Calculer, en tenant compte des courants de base, les intensités des courants qui parcourent les trois
résistances R1, R2 et R3 et la valeur des résistances R2 et R3.
II- Etude dynamique :
Les paramètres des deux transistors identiques sont tels que : h11 = 1,5kΩ, h21 = 120, h12 = 0, h22 = 0.
Q1- Préciser le type de montage du transistor T1 et celui du transistor T2. Justifier votre réponse.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Déterminer vue du transistor T1 la résistance d’entrée Re2.
Q4- Déterminer l’amplification en tension Av2.
Q5- Déterminer la résistance d’entrée du premier étage Re1.
Q6- Déterminer l’amplification en tension Av1.
Q7- Déterminer l’amplification en tension totale Av.

16
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

Exercice n°21 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
+Vcc

R3

C1
T

Rg
T’
C2
Ve

eg
RE RL
Vs

Les paramètres des deux transistors sont tels que :

 Pour T : h11, h21, h12 = 0, h22 = 0.
 Pour T’ : h’11, h’21, h’12 = 0, h’22 = 0.
Q1- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
V
Q2- Déterminer la résistance d’entrée Re  e .
ib
V
Q3- Déterminer la résistance d’entrée Re1  e .
ie
Q4- Déterminer l’amplification en tension totale Av.

Exercice n°22 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
E

R3
R1 CL

CL

R4 Vs
R
Ve
R2 R5 CD

Les deux transistors sont supposés identiques, ils ont une tension VBE de 0,6V. Leur gain en courant est

17
 Chapitre 1 : Les transistors bipolaires

de 100. Les condensateurs de liaison et de découplage sont supposés idéaux.

On donne : R1 = 20kΩ, R2 = 3kΩ, R3 = 10kΩ, R4 = 1kΩ, R5 = 4kΩ.
I- Etude statique :
Déterminer la valeur de la résistance R pour que les tensions émetteur-collecteur des transistors soient :
VCE1 = 5V et VCE2 = 6 V (on néglige les courants de base devant les courants collecteur).
II- Etude dynamique :
Les paramètres des deux transistors identiques sont tels que : h11 = 1kΩ, h21 = 100, h12 = 0, h22 = 0,4mS.
Q1- Préciser le type de montage du transistor T1 et celui du transistor T2. Justifier votre réponse.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en tension du montage.
Q4- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance d’entrée du montage.
Q5- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance de sortie du montage.

Exercice n°23 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
E

T2
R2
C2

C1
T1 R

Rg
VS RL
R1
Ve

R3
eg

Les paramètres des deux transistors sont tels que :

 Pour T1 : h11 = 2kΩ, h21 = 120, h12 = 0, h22 = 0.
 Pour T2 : h’11 = 0,3kΩ, h’21 = 80, h’12 = 0, h’22 = 0.
R est une résistance variable de valeur maximale Rmax = 4,7kΩ.
On donne : Rg = 1kΩ, R1 = 27kΩ, R2 = 32kΩ, R3 = 0,1kΩ et RL = 0,4kΩ.
Q1- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q2- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance d’entrée du montage.
Q3- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en tension à vide du montage.
Q4- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance de sortie du montage.
Q5- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en tension en charge du montage.
Q6- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en courant en charge du montage.
Q7- En déduire le gain en puissance. Commenter les résultats obtenus et envisager une application à ce
montage.

18
 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Exercice n°1 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
VDD

RD

Rg

RS

Déterminer le point de fonctionnement du montage sachant que : IDSS = 4mA, VGSoff = 2V.
On donne : RD = 4,7kΩ, VDD = -10V et RS = 1kΩ.

Exercice n°2 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :
VDD

RS

Rg

RD

Q1- Sachant que IDSS = 5mA, VGS0 = – 2V, déterminer le point de fonctionnement du montage si :
Q1.1- RS = 100Ω.
Q1.2- RS = 1kΩ.
Q2- Déterminer la valeur de RS pour avoir ID = 2mA.

19
 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Exercice n°3 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :

VDD

R1 RD

RG

R2 RS

Déterminer le point de fonctionnement du montage si on impose VGS = –2V.

On donne : VDD = 30V, RG = 10MΩ, RD = 8,2kΩ, RS = 10kΩ, R1 = 33MΩ, R2 = 15kΩ.

Exercice n°4 :
On considère le circuit électrique de la figure ci-dessous :

On utilise un transistor dont les caractéristiques sont : IDSS 0,49 mA, VGSoff = -3,6V, 1/ρ = 0. Le point
de fonctionnement est donné par : ID = 0,25mA, VDS = 7V, RG = 1MΩ. On note : RS = RS1 + RS2.
Q1- Déterminer RS et RD.
Q2- Déterminer RS1 et RS2 si AV0 = -5.

20
 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Exercice n°5 :
On propose d’étudier le montage de la figure ci-dessous qui constitue un amplificateur à transistor à
effet de champ à jonctions ou JFET. En plus des capacités de liaison C e et Cs, on doit tenir compte de la
présence de découplage en parallèle avec RS et qui n’apparait pas sur le montage.

RD
R1
CE D
G
CS VCC
S

Ve R2
~ RS RL VL

I- Etude statique :
On donne IDSS = 7mA et VGSoff = -4V (tension de blocage du transistor) et VDD = 15V. Désignons par
RG = R1//R2 = 1MΩ.
Q1- Le transistor utilisé est-il à canal N ou à canal P ? Justifier.
Q2- Donner le montage en régime statique et déterminer l’équation de la droite de charge.
Q3- Pour VGS = -1V et VDS = VDD/2 (point de fonctionnement au milieu de la droite de charge), en
déduire la valeur RD + RS et par conséquent celles de RD et RS.
II- Etude dynamique :
On suppose que le transistor est caractérisé par les paramètres gms = 6mA/V (pente du transistor) et par
ρDS = 20kΩ (résistance de sortie du transistor). On suppose que les fréquences de travail sont de telle
sorte qu’on peut considérer tous les condensateurs du montage comme des courts-circuits. On suppose
de même que le montage fonctionne en régime linéaire ou petits signaux.
Q1- Rappeler le schéma équivalent du JFET en régime linéaire.
Q2- Donner le schéma équivalent du montage entier en régime dynamique petits signaux.
Q3- Calculer sur ce schéma :
 L’amplification en tension Av.
 L’amplification en courant Ai.
 La résistance d’entrée Re.
 La résistance de sortie Rs.
Q4- Commenter les résultats obtenus.

21
 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Exercice n°6 :
Un transistor à effet de champ à jonction à canal N est utilisé pour amplifier des signaux sinusoïdaux à
une fréquence de 1KHz (Figure ci-dessous).
VDD

R1 RD

C2

C1
R

Vs RU
eg
Ve
R2 RS

On note : Rg = R1//R2, RL = Ru//RD avec RU = RD = RS = 3,3kΩ, Rg = 2,7MΩ et R = 50Ω. On a : gm =

3mA/V et 1/ρ = 0.
Q1- Les condensateurs C1 et C2 ont des impédances négligeables aux fréquences utilisées. Tracer dans
ce cas le schéma équivalent électrique de l’amplificateur.
Q2- Calculer l’amplification en tension AV = Vs/Ve ainsi que A’V = Vs/eg.
Q3- Calculer l’amplification en courant Ai = is/ie.
Q4- Calculer l’impédance d’entrée de l’étage.
Q5- Calculer l’impédance de sortie de l’étage.

Exercice n°7 :
On considère le montage amplificateur représenté dans la figure ci-dessous utilisant deux transistors à
effet de champ, identiques. Le point de fonctionnement des transistors est fixé par V DS = 8,5V, ID =
4mA et VGS = -1V. Les paramètres dynamiques sont gm = 2,4mA/V et 1/ρ = 0. On donne : R3 = 10 kΩ,
R = 1MΩ et VDD = 24V.

I- Etude statique :
Q1- Donner le schéma équivalent du montage en régime statique, préciser le sens des courants sur le
schéma.
Q2- Déterminer et calculer la valeur des résistances R1, R2, R4 et R5.

22
 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

II- Etude dynamique :

Q1- Préciser le type de montage des transistors T1 et T2 ?
Q2- Dessiner le schéma équivalent en régime dynamique du montage complet. Que peut-on dire du
signe du gain du montage complet ?
Q3- Déterminer l’expression et la valeur numérique de la résistance d’entrée du montage complet.
Q4- Déterminer l’expression et la valeur numérique du gain en tension à vide du montage complet.
Q5- Déterminer l’expression et la valeur numérique de la résistance de sortie Rs du montage complet.
Dessiner le schéma qui permet de déterminer Rs.

Exercice n°8 :
On considère le montage de la figure ci-dessous utilisant deux TEC identiques :

Le point de fonctionnement des transistors est fixé par VDS = 8,5V, ID = 4mA et VGS = -0,9V. Les
paramètres dynamiques sont gm = 2,4mA/V et ρ = 20kΩ. On donne E = 24V, Rp = 1MΩ et R2 = 120kΩ.
I- Etude statique :
Q1- Calculer les valeurs de Rs et R.
Q2- Déterminer la valeur du potentiel aux bornes de R2 puis calculer R1.
II- Etude dynamique :
Q1- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q2- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en tension du montage.
Q3- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance de sortie du montage.
Q4- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance d’entrée du montage.
Q5- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en courant du montage.

23
 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Exercice n°9 :
On considère le montage de la figure ci-dessous utilisant deux TEC identiques :

On donne : RD = 4,7kΩ, gm = 3.10-3Ω-1, ρ = 30kΩ.

Les deux condensateurs C1 et C2 ont des impédances négligeables aux fréquences de travail.
Q1- Préciser le type de montage pour chaque transistor.
Q2- Etablir le schéma équivalent du montage en régime dynamique à petits signaux basses fréquences.
Q3- Calculer l’amplification AV2 = v2/v1 et la résistance d’entrée Re2 du 2ème étage.
Q4- Calculer l’amplification AV1 = v1/ve du 1er étage ainsi que sa résistance de sortie. Déduire
l’amplification globale AV du montage complet.
Q5- Donner l’expression et calculer la valeur de la résistance d’entrée du montage.
Q6- Donner l’expression et calculer la valeur de l’amplification en courant du montage.

Exercice n°10 :
Soit le montage de la figure ci-dessous :

R1 RE

C1
T1 T2

Rg C2

Ve R2
RC
vg RS Vs RL

Les transistors T1 et T2 sont caractérisés par :

 Pour T1 : h11e = 3,6kΩ, h21e = β = 200, h12e = h22e = 0.
 Pour T2 : gm = 13,57 mA.V-1, rd = 0.
Q1- Analyser le montage de la figure.

24
 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Q2- Déterminer les circuits équivalents en dynamique (régime variable petits signaux) de chacun des
transistors.
Q3- Etablir le schéma en dynamique de l’amplificateur.
Q4- Calculer l’amplification en tension du montage Av.
Q5- Calculer l’impédance d’entrée du montage Ze.
Q6- Calculer l’amplification en courant du montage Ai.
Q7- Calculer l’impédance de sortie du montage Zs.
Q8- En déduire le gain Az = Vs / ie .
A.N :
Vcc = 12V, Rg = 2kΩ, R1 = 2kΩ, R2 = 10kΩ, RE = 1kΩ, RC = 4kΩ, RS = 1kΩ, RL = 2kΩ.

Exercice n°11 :
Soit le montage de la figure ci-dessous :
VCC

RD

T2
C3
C1
T1

RE

Ve Vs
RG RS C2

I- Analyser le montage de la figure :

II- Etude statique :
On désire les valeurs de repos suivantes, avec : VCC = 20V, VGS = -1V pour T1 et IE = 5mA, VCE = 10V
pour T2.
En se basant sur les caractéristiques des transistors on a : ID = 3mA pour T1 et VBE = 0,2V, IB = 60μA.
Calculer les résistances de polarisation RD, RS et RE.
III- Etude dynamique :
Les paramètres des transistors, mesurés au point de repos, valent :
 Pour T1 : gm = 2.10-3S et rD = 6.106Ω.
 Pour T2 : h11e = 1,5KΩ, h12e = 0, h21e = 150, h22e = 125.10-6S.
Q1- Etablir le schéma équivalent du montage pour l’alternatif.
Q2- Calculer sur ce schéma :
 La résistance d’entrée du deuxième étage.
 L’amplification en tension du deuxième étage.
 Les amplifications en tension du premier étage et du montage complet.
 La résistance de sortie du montage.
Q3- Choisir la valeur de RG pour que la résistance d’entrée du montage soit 2MΩ.

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 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Exercice n°12 :
Soit le montage de la figure ci-dessous :
Vcc

RD RE
C2

T2
C1
T1

Vs RL
Rg

Ve RGG
RS CE
vg

I- Analyser le montage de la figure :

II- Etude statique :
En se basant sur les caractéristiques des transistors, on a :
VDS = 6,8V, ID = 3mA, IDSS = 12mA et VGSoff = -2V pour T1 supposé parfait.
IC = 2mA, VEC = 7,4V et β = 200 pour T2 avec VCC = 15V, RGG = 100kΩ et RL = 2kΩ.
Q1- Calculer la valeur de la tension VGS.
Q2- Calculer la valeur des résistances de polarisation RS, RD et RE.
III- Etude dynamique :
Les paramètres des transistors, mesurés au point de repos, valent :
 Pour T1 : gm = 2.10-3S et rD = 0.
 Pour T2 : h11e = 1,5KΩ, h12e = 0, h21e = 150 et h22e = 0.
Q1- Etablir le schéma équivalent du montage pour l’alternatif.
Q2- Calculer sur ce schéma :
 La résistance d’entrée du montage.
 L’amplification en tension du montage.
 L’amplification en courant du montage.
 La résistance de sortie du montage.
Q3- Commenter les résultats obtenus et envisager une application à ce montage.

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 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Exercice n°13 :
Soit le montage de la figure ci-dessous :

RD

T2
C1 C2
T1
R

Ve RG Vs
RS

Q1- Donner le schéma équivalent du transistor T1 supposé parfait avec 1/ρ = 0.

Q2- Donner le schéma équivalent du transistor T2 avec h12e = 0 et h22e = 0.
Q3- Donner le schéma équivalent du montage de la figure.
Q4- Donner l’expression de la résistance d’entrée du montage Re.
Q5- Donner l’expression de la résistance de sortie du montage R0.
Q6- Donner l’expression du gain de tension du montage A0.
Q7- Calculer Re, R0 et A0.
Q8- Donner l’expression de A0 lorsque R << RS et lorsque R >> RS. En déduire le type et l’utilisation
probable de ce montage.
N.B :
On peut utiliser le fait que :
h21e/(1+h11e/RD) >> 1.
RD = 2.7KΩ, RS = 1.2KΩ, R = 120Ω, RG = 2.2MΩ, gm = 4.10-3A/V, h21e = 200, h11e = 2KΩ.

27
 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Exercice n°14 :
Soit le montage de la figure ci-dessous :

T2
T1

Q1- Analyser le montage de la figure.

Q2- Donner le schéma équivalent du transistor T1 supposé parfait avec 1/ρ = 0.
Q3- Donner le schéma équivalent du transistor T2 avec h12e = 0 et h22e = 0.
Q4- Donner le schéma équivalent du montage de la figure.
Q5- Calculer le gain en tension du montage.
Q6- Calculer la résistance d’entrée du montage.
Q7- Calculer la résistance de sortie du montage.
Q8- Calculer le gain en courant du montage.
A.N :
On donne : gm = 4mA/V, h21e = β = 200, h11e = 1kΩ, RD = 1kΩ, RS = 3,3kΩ, RG = 2MΩ et RU = 1kΩ.

Exercice n°15 :
Soit le montage de la figure ci-dessous :

T1

T2

Q1- Analyser le montage de la figure.

Q2- Donner le schéma équivalent du transistor T1 supposé parfait avec 1/ρ = 0.
Q3- Donner le schéma équivalent du transistor T2 avec h12e = 0 et h22e = 0.
Q4- Donner le schéma équivalent du montage de la figure.
Q5- Calculer le gain en tension du montage.
Q6- Calculer la résistance d’entrée du montage.

28
 Chapitre 2 : Le transistor à effet de champ

Q7- Calculer la résistance de sortie du montage.

Q8- Calculer le gain en courant du montage.
A.N :
On donne : E = 15V, gm = 2,5mA/V, h21e = β = 150, h11e = 4,4kΩ, RS = 330Ω, R1 = 10kΩ, R2 = 20kΩ,
RC = 5kΩ et RE = 5kΩ.

29
 Chapitre 3 : Les bascules et les compteurs

Chapitre 3 : Les bascules et les compteurs

Exercice n°1 :
Q1- Effectuer la synthèse d’un compteur synchrone modulo 10 en utilisant les bascules D.
Q2- Effectuer la synthèse d’un compteur synchrone modulo 10 en utilisant les bascules JK.
Q3- Effectuer la synthèse d’un compteur asynchrone modulo 10 en utilisant les bascules JK.

Exercice n°2 :
Q1- Effectuer la synthèse d’un compteur synchrone modulo 11 en utilisant les bascules D.
Q2- Effectuer la synthèse d’un compteur synchrone modulo 11 en utilisant les bascules JK.
Q3- Effectuer la synthèse d’un compteur synchrone modulo 12 en utilisant les bascules JK.
Q4- Effectuer la synthèse d’un compteur asynchrone modulo 13 en utilisant les bascules JK.

Exercice n°3 :
On souhaite concevoir un compteur synchrone, qui fait la séquence (1, 2, 4, 8) par la méthode de
Marcus sans interruption par les entrées « Clear », en utilisant les bascules JK.
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse. (On notera Qi-1 … Q0 les sorties de
ces bascules, Qi-1 représente la sortie de l’étage de poids le plus fort et Q0 la sortie de l’étage de poids le
plus faible).
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations d’entrées Ji et Ki de chaque étage.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.
Q6- Etablir le schéma logique de ce compteur avec les bascules D.

Exercice n°4 :
On souhaite concevoir un compteur synchrone, qui fait la séquence (6, 8, 9, 10, 11) par la méthode de
Marcus sans interruption par les entrées « Clear », en utilisant les bascules JK.
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse. (On notera Qi-1 … Q0 les sorties de
ces bascules, Qi-1 représente la sortie de l’étage de poids le plus fort et Q0 la sortie de l’étage de poids le
plus faible).
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations d’entrées Ji et Ki de chaque étage.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.

Exercice n°5 :
On souhaite concevoir un compteur synchrone, qui fait la séquence (7, 8, 9, 10, 11, 12) par la méthode
de Marcus sans interruption par les entrées « Clear », en utilisant les bascules JK.
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse. (On notera Qi-1 … Q0 les sorties de
ces bascules, Qi-1 représente la sortie de l’étage de poids le plus fort et Q0 la sortie de l’étage de poids le
plus faible).
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations d’entrées Ji et Ki de chaque étage.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.

30
 Chapitre 3 : Les bascules et les compteurs

Exercice n°6 :
On souhaite concevoir un compteur synchrone, qui fait la séquence (0, 8, 4, 12, 2, 7, 9) par la méthode
de Marcus sans interruption par les entrées « Clear », en utilisant les bascules JK.
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse. (On notera Qi-1 … Q0 les sorties de
ces bascules, Qi-1 représente la sortie de l’étage de poids le plus fort et Q0 la sortie de l’étage de poids le
plus faible).
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations d’entrées Ji et Ki de chaque étage.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.

Exercice n°7 :
On souhaite concevoir un compteur synchrone, qui fait la séquence (0, 4, 6, 7, 3, 1) par la méthode de
Marcus sans interruption par les entrées « Clear », en utilisant les bascules D.
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse.
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations d’entrées de chaque étage.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.

Exercice n°8 :
On souhaite concevoir un compteur synchrone à l’aide des bascules D, qui fait la séquence (3, 4, 5, 6, 7,
8).
Q1- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse. (On notera Qi-1 … Q0 les sorties de
ces bascules, Qi-1 représente la sortie de l’étage de poids le plus fort et Q0 la sortie de l’étage de poids le
plus faible).
Q2- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q3- Déterminer les équations d’entrées Ji et Ki de chaque étage.
Q4- Etablir le schéma logique de ce compteur.

Exercice n°9 :
On souhaite concevoir un compteur synchrone, qui fait la séquence (0, 8, 4, 12, 2, 7, 9, 13, 6, 15) par la
méthode de Marcus sans interruption par les entrées « Clear », en utilisant les bascules JK.
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse. (On notera Qi-1 … Q0 les sorties de
ces bascules, Qi-1 représente la sortie de l’étage de poids le plus fort et Q0 la sortie de l’étage de poids le
plus faible).
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations d’entrées Ji et Ki de chaque étage.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.

Exercice n°10 :
On souhaite concevoir un compteur asynchrone à l’aide des bascules JK, qui fait la séquence (0, 1, 2, 3,
7, 8, 9, 10, 15) par la méthode des interruptions par les entrées « Clear ».
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse.
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations logiques.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.

31
 Chapitre 3 : Les bascules et les compteurs

Exercice n°11 :
On souhaite concevoir un compteur asynchrone à l’aide des bascules JK, qui fait la séquence (0, 1, 2, 3,
4, 5, 7, 8, 9, 11, 13) par la méthode des interruptions par les entrées « Clear ».
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse.
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations logiques.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.

Exercice n°12 :
On souhaite concevoir un compteur asynchrone à l’aide des bascules D, qui fait la séquence (0, 3, 4, 7,
8, 11) par la méthode des interruptions par les entrées « Clear ».
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse.
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations logiques.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.

Exercice n°13 :
On souhaite concevoir un compteur asynchrone à l’aide des bascules D, qui fait la séquence (0, 1, 2, 3,
8, 9, 10, 11) par la méthode des interruptions par les entrées « Clear ».
Q1- Donner le type du compteur en question.
Q2- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse.
Q3- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q4- Déterminer les équations logiques.
Q5- Etablir le schéma logique de ce compteur.
On souhaite maintenant concevoir un compteur synchrone à l’aide des bascules JK, qui fait la même
séquence, mais cette fois-ci, par la méthode de Marcus.
Q6- Donner le type du compteur en question.
Q7- Combien de bascules sont nécessaires ? Justifiez votre réponse.
Q8- Dresser la table de vérité de ce compteur.
Q9- Déterminer les équations logiques.
Q10- Etablir le schéma logique de ce compteur.

Exercice n°14 :
Analysez le fonctionnement du circuit présenté ci-dessous :

32
 Chapitre 3 : Les bascules et les compteurs

Exercice n°15 :
Analysez le fonctionnement du circuit présenté ci-dessous :

Exercice n°16 :
Analysez le fonctionnement du circuit présenté ci-dessous :

Exercice n°17 :
Analysez le fonctionnement du circuit présenté ci-dessous suivant l’entrée de commande K.

Exercice n°18 :
Analysez le fonctionnement du circuit présenté ci-dessous :

33
 Chapitre 3 : Les bascules et les compteurs

Exercice n°19 :
Analysez le fonctionnement du circuit présenté ci-dessous :

Exercice n°20 :
Analysez le fonctionnement du circuit présenté ci-dessous :

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