TRAVAUX_DIRIGES_2023

EXERCICE 1 REDRESSEMENT
Les diodes du circuit redresseur de la
figure ci-contre sont supposées idéales. D4 D1
1.) La valeur moyenne (Vmoy) de la
RL
tension redressée est égale à 15V. Quelle I

est la valeur efficace de la tension

vi

sinusoïdale Vi ? D3 D2
2.) La résistance RL est égale à 10Ω.
Déterminer : Figure n° 1
a.) l’intensité moyenne (Imoy) du courant
débité par le montage dans la résistance
RL ;
b.) l’intensité maximale (IM) du courant qui
traverse une diode ;
c.) l’intensité efficace (Ieff) du courant qui
traverse la résistance de charge RL.

EXERCICE II

Il s’agit ici d’un régulateur Zener (voir figure n°2 ci-dessous).

La diode Zener utilisée présente les caractéristiques suivantes : VZ =
10V et rZ = 0. La tension continue d’entrée Vi varie entre 15 et 20V.
la résistance de charge RL est fixée à 200Ω. Le courant dans la
diode Zener doit être d’intensité supérieure ou égale à 5mA.

1.- Calculer la valeur de la résistance série RS.

2.- On garde la valeur ainsi obtenue de la résistance RS et on

suppose maintenant que la résistance de charge RL est une résistance
qui varie de 200Ω à 2kΩ. Calculer les valeurs limites (ISmin et ISmax ;)
du courant IS.

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 IS RS IL

IZ

Vi VZ v0 RL

rZ
Figure n°2

EXERCICE 3

On considère le circuit de la + VEE

polarisation par diviseur de tension de
RE
la figure 3 ci-contre. R2
Calculer d’après ce circuit, les
βcc =150
tensions émetteur (VE) et collecteur
(VC) par rapport à la masse sachant
que : VEE = 10V ; VBE = 0,7V. on donne : R1 RC

R1 = 22 kΩ ; R2 = 10 kΩ ; RE = 1kΩ ;
βCC = 150 ; RC = 2,2 kΩ. Figure 3

EXERCICE 4

La figure n° 4 ci-dessous représente le

circuit de polarisation par diviseur de tension du + VCC
transistor NPN.
On suppose β =100, VCC = 12 V, RC = 5 kΩ, R2 RC
R1 = 10 kΩ et VBE = 0,7 V
1- On désire avoir un point de fonctionnement
(VCEQ = 5 V, ICQ = 1mA).
R1
Calculer la valeur des résistances RE et R2. RE
2- On garde les mêmes valeurs des résistances que
précédemment et on change le transistor par un
autre qui possède un gain en courant β = 300. Figure 4
Déterminer le nouveau point de repos Q. Conclure.

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EXERCICE 3

Dans le montage amplificateur de la figure ci-dessous, les

coordonnées du point de repos du transistor ont pour valeurs: ICQ = 2
mA, IBQ = 20 µA, VCEQ = 5 V et VBEQ = 0,7 V. En ce point, les
paramètres du transistor sont : hie (ou r) = 2 KΩ, 𝜌 = ∞. On donne :
Vcc = 15 V ; R2 = 10 KΩ ; RE = 1 KΩ et RL = 4 KΩ.

A-) Etude statique.

1.- Calculer les résistances Rc et R1.

2.- Ecrire l’équation de la droite de charge statique, la tracer et

préciser les coordonnées de ses points d’intersection avec les axes
de coordonnées.

B-) Etude dynamique.

3.- Dessiner le circuit équivalent ca de ce circuit.

vi v0
4.- Calculer les valeurs des quantités suivantes : Z i  ; AV 
ii vi

i0
et Ai  IC + VCC
ii I1
RC
R1
ii IB

I2
VBE RL v0

vi VB RE
Zi R2 
Z0

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