Diode Zener

assemblage de deux semi-conducteurs

Une diode Zener est un assemblage de deux semi-conduct eurs dont les propriét és élect riques ont ét é découvert es
par le physicien américain Clarence Zener. Cont rairement à une diode convent ionnelle qui ne laisse passer le courant
élect rique que dans un seul sens, le sens direct , les diodes Zener sont conçues de façon à laisser également passer le
courant inverse, mais ceci uniquement si la t ension à ses bornes est plus élevée que le seuil de l'effet d'avalanche. Ce
seuil en t ension inverse (t ension Zener) est de valeur dét erminée pouvant aller de 1,2 V à plusieurs cent aines de
volt s[1]. Cert aines diodes Zener comport ent une t roisième broche qui permet de régler cet effet d'avalanche.

Symbole de la diode Zener

Diode Zener de puissance

Histoire
La diode Zener est nommée d'après le physicien Clarence Zener qui est le premier à décrire l'effet Zener en 1934 dans
ses ét udes essent iellement t héoriques sur la dégradat ion des propriét és des isolant s élect riques. Plus t ard, ses
t ravaux ont conduit à la mise en œuvre de cet effet par Bell Labs sous la forme d'un disposit if élect ronique, la diode
Zener[2].
Principe

Caractéristique de la diode Zener :

courbe de I(Ud).

Caractéristique idéale de la diode

Zener : courbe de I(Ud).

Une diode est le contact de deux t ypes de semi-conducteurs , l'un de t ype P et l'aut re de t ype N. Soumise à une
t ension inverse, elle conduit un courant inverse t rès faible, que l'on considère nul dans la prat ique. L'énergie des bandes
de valence des at omes dans le mat ériau de t ype P ont souvent un recoupement avec les bandes de conduct ions du
mat ériau de t ype N. Si la jonct ion P-N d'une diode est fort ement dopée, la zone de charge d'espace est t rès mince et
des élect rons peuvent t raverser la jonct ion dans la bande d'énergie commune par l'effet t unnel. Ainsi, la diode soumise
à une t ension inverse peut conduire un courant par l'effet t unnel[3]. La t ension d'apparit ion de l'effet t unnel est t rès
faible si le dopage est t rès grand. Cet effet dépend du niveau de dopage et de la t ension inverse.

D'aut re part , lorsque la t ension inverse devient suffisamment grande, le champ élect rique int erne à la jonct ion P-N est
t el que cert aines charges élect riques minorit aires t rès énergét iques génèrent de nouvelles charges élect riques par
processus d'ionisat ion par chocs[3]. Il y a augment at ion du courant inverse par effet d'avalanche, et dest ruct ion de la
diode si cet effet n'est pas limit é par disposit if de limit at ion de courant en série. La diode peut ainsi laisser passer un
courant import ant en inverse.

Ces deux mécanismes de conduct ion en t ension inverse peuvent coexist er pour des valeurs int ermédiaires de t ension
Uz. Par exemple, la diode silicium de t ension Uz de 5,6 volt s est souvent ut ilisée car l'effet t unnel et le processus
d'ionisat ion par chocs ont une dépendance cont raire avec la t empérat ure. Ainsi dans ce cas, la t ension Uz rest e
const ant e à 5,6 V pour une gamme de t empérat ure assez ét endue, servant ainsi de référence de t ension.
 Zone d'utilisation de la diode Zener.

Construction
Le fonct ionnement de la diode Zener dépend du fort dopage de sa jonct ion p-n. La région de déplét ion formée dans la
diode est t rès mince (<1 µm) et le champ élect rique est par conséquent t rès élevé (environ 500 kV/m) même pour une
pet it e t ension de polarisat ion inverse d'environ 5 V, permet t ant aux élect rons de passer par effet t unnel de la bande
de valence du mat ériau de t ype p à la bande de conduct ion du mat ériau de t ype n.

À l'échelle at omique, cet effet t unnel correspond au t ransport d'élect rons de la bande de valence vers les ét at s vides
de la bande de conduct ion ; en raison de la réduct ion de la barrière ent re ces bandes et des champs élect riques élevés
qui sont induit s en raison des niveaux élevés de dopage des deux côt és[4]. La t ension de claquage peut êt re cont rôlée
de manière assez précise lors du processus de dopage. Bien que des t olérances de 0,07 % soient disponibles, les
t olérances les plus couramment ut ilisées sont de 5 % et 10 %. La t ension de claquage des diodes Zener courant es
peut varier considérablement , de 1,2 V à 200 V.

Pour les diodes faiblement dopées, le claquage est dominé par l'effet d'avalanche plut ôt que par l'effet Zener. Par
conséquent , la t ension de claquage est plus élevée (plus de 5,6 V) pour ces disposit ifs.

Zener de surface

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La jonct ion émet t eur-base d'un t ransist or bipolaire NPN se comport e comme une diode Zener, avec une t ension de
claquage d'environ 6,8 V pour les procédés bipolaires courant s et d'environ 10 V pour les régions de base légèrement
dopées dans les procédés BiCMOS. Les procédés plus anciens, avec un mauvais cont rôle des caract érist iques de
dopage, permet t aient de faire varier la t ension Zener jusqu'à ±1 V. Les procédés plus récent s ut ilisant l'implant at ion
ionique ne permet t ent pas d'at t eindre plus de ±0,25 V. La st ruct ure du t ransist or NPN peut êt re ut ilisée comme une
diode Zener de surface, avec le collect eur et l'émet t eur connect és ensemble comme cat hode et la région de base
comme anode. Dans cet t e approche, le profil de dopage de la base se rét récit généralement vers la surface, créant
une région avec un champ élect rique int ensifié où se produit le claquage par avalanche. Les port eurs chauds produit
par l'accélérat ion dans le champ int ense peut parfois se propager dans la couche d'oxyde au-dessus de la jonct ion et y
êt re piégée. L'accumulat ion de charges piégées peut alors provoquer une « Zener walkout » (sort ie de Zener), une
modificat ion correspondant e de la t ension de Zener de la jonct ion.

Les diodes Zener émet t eur-base ne peuvent support er que des courant s plus faibles car l'énergie est dissipée dans la
région de déplét ion de la base qui est t rès pet it e [pas clair]. Une quant it é plus import ant e d'énergie dissipée (un courant
plus élevé pendant un t emps plus long, ou un court pic de courant t rès élevé) provoque des dommages t hermiques à
la jonct ion et /ou à ses cont act s. Un dommage part iel de la jonct ion peut déplacer sa t ension Zener. La dest ruct ion
t ot ale de la jonct ion Zener en la surchauffant et en provoquant la migrat ion de la mét allisat ion à t ravers la jonct ion
(« spiking ») peut êt re ut ilisée int ent ionnellement comme un ant ifusible « Zener zap » [5].

Zener de subsurface

structure de la Zener enterrée

Une diode Zener de subsurface, également appelée « Zener ent errée », est un disposit if similaire à la Zener de surface,
mais dont la région d'avalanche est sit uée plus profondément dans la st ruct ure, généralement plusieurs micromèt res
sous l'oxyde. Les port eurs chauds perdent alors de l'énergie par collisions avec le réseau semi-conduct eur avant
d'at t eindre la couche d'oxyde et ne peuvent pas y êt re piégés. Le phénomène de marche de Zener ne se produit donc
pas ici, et les Zeners ent errés ont une t ension const ant e pendant t out e leur durée de vie. La plupart des Zeners
ent errés ont une t ension de claquage de cinq à sept volt s. Plusieurs st ruct ures de jonct ion différent es sont
ut ilisées[6].
Utilisation

Symbole de la diode
Zener et formes
courantes du
composant. Le courant
inverse est indiqué
sur le schéma.

On l'ut ilise comme référence de t ension dans les aliment at ions st abilisées par exemple. Elle permet également la
prot ect ion en surt ension, t out efois la diode Transil lui est largement supérieure en puissance absorbable.

Les diodes Zener sont fréquemment ut ilisées pour réguler la t ension dans un circuit . Lorsqu'on la connect e en inverse
en parallèle avec une source de t ension variable, une diode Zener devient conduct rice lorsque la t ension at t eint la
t ension d'avalanche de la diode. Elle maint ient ensuit e la t ension à cet t e valeur.

Dans ce circuit , la résist ance R est responsable de la chut e de t ension ent re UIN et UOUT . La valeur de R doit sat isfaire
deux condit ions :

1. R doit être suffisamment petite pour que le

courant qui passe dans D la maintienne en
mode d'avalanche. La valeur de ce courant est
 donnée dans la data sheet de D. Par exemple,
la diode Zener classique BZX79C5V6[7] (5,6 V /
0,5 W) possède un courant inverse
recommandé de 5 mA. Si le courant qui
traverse D n'est pas suffisant, alors UOUT n'est
pas régulé, et vaut moins que la tension
d'avalanche (ce comportement est différent de
celui des tubes régulateurs de tension pour
lesquels la tension de sortie serait supérieure à
la tension nominale, et pourrait atteindre UIN).
Lors du calcul de R, on doit tenir compte du
courant qui circule dans la charge externe
connectée sur UOUT (qui ne figure pas dans ce
diagramme) ;
2. R doit être assez grande pour que le courant
qui traverse D ne la détruise pas. En notant ID le
courant dans D, la tension d'avalanche VZ et la
puissance absorbable maximum Pmax, alors on
doit avoir .
Une diode Zener est un régulateur shunt (shunt désigne la connexion en parallèle). En effet , une part ie du courant qui
t raverse la résist ance est déviée dans la diode Zener, et le rest e t raverse la charge. Ainsi on cont rôle la t ension que
voit la charge en faisant passer une part ie du courant issu de la source dans la diode au lieu de la charge.
Écrêtage d'ondes

Exemples d'écrétage d'ondes

Deux diodes Zener se faisant face en série écrêt ent les deux moit iés d'un signal d'ent rée. L' écrêt age d'ondes peuvent
êt re ut ilisés non seulement pour remodeler un signal, mais aussi pour évit er que les pics de t ension n'affect ent les
circuit s connect és à l'aliment at ion[8].

Décalage de tension
Exemple de décalage de tension

Une diode Zener peut êt re appliquée à un circuit avec une résist ance pour agir comme un décalage de t ension. Ce
circuit abaisse la t ension de sort ie d'une quant it é égale à la t ension de claquage de la diode Zener.

Régulateur de tension

Exemple des régulateur de tension

Une diode Zener peut êt re ut ilisée comme régulat eur de t ension pour réguler la t ension appliquée à une charge,
comme dans un régulat eur linéaire.
Notes et références

1. SMAJ530 & SMAJ550 datasheet, Vishay (http://

www.vishay.com/docs/88391/88391.pd
f) [archive]

2. Wolfgang Saxon, « Clarence M. Zener, 87,

Physicist And Professor at Carnegie Mellon »,
The New York Times,‎6 juillet 1993 (lire en ligne (ht
tps://www.nytimes.com/1993/07/06/obituaries/clarence-

m-zener-87-physicist-and-professor-at-carnegie-mellon.ht

ml) [archive])

3. « Les diodes Zener (http://www.epsic.ch/cours/

electronique/techn99/elnthcomp/CMPTHZENR.
html) [archive] », Les composantes
électroniques, sur Technique électronique, 2000
(consulté le 12 novembre 2012).

4. The Electrical Engineering Handbook, Boca

Raton, CRC Press, 1993 (ISBN 0-8493-0185-8),
 p. 457

5. Donald T. Comer, « Zener Zap Anti-Fuse Trim in

VLSI Circuits », VLSI Design, vol. 5,‎1996, p. 89
(DOI

10.1155/1996/23706 (https://dx.doi.org/10.1155/1996/23706)

).

6. Alan Hastings, The Art of Analog Layout,

Prentice Hall, 2005, Second éd.
(ISBN 9780131464100).

7. BZX79C5V6 data sheet, Fairchild Semiconductor

(http://www.fairchildsemi.com/pf/BZ/BZX79C5
V6.html) [archive]

8. Robert Diffenderfer, Electronic Devices: Systems

and Applications, Thomas Delmar Learning,
2005, 95–100 p. (ISBN 1401835147, lire en ligne (http
s://books.google.com/books?id=Bs6sz1TlfaIC&q=wavefo

rm+clipper+zener+diode&pg=PA94) [archive])

(en) Cet article est partiellement ou en totalité issu

de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Zener
diode (https://en.wikipedia.org/wiki/Zener_diode?
 oldid=185029895) » (voir la liste des auteurs (https://e
n.wikipedia.org/wiki/Zener_diode?action=history) ).

Voir aussi

Liens externes

Diode stabilisatrice de tension (Zener) (http://ww

w.sitelec.org/cours/abati/zener.htm) [archive]
Diodes et diodes Zener (http://www.sitelec.org/co
urs/bonnet/diodes.htm) [archive]

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