DEFINITON

Diode à semi-conducteur dans laquelle un rayonnement lumineux incident provoque une variation de
l'intensité.

CARACTERISTIQUE D ’UNE PHOTODIODE

Quels sont les caractéristiques d'une diode ?

La diode (du grec di deux, double ; odos voie, chemin) est un composant électronique.
C'est un dipôle non linéaire et polarisé (ou non symétrique). Le sens de branchement
d'une diode détermine le fonctionnement du circuit électronique dans lequel elle est
placée.

PHENOMENE OBSERVE D ’UNE PHOTODIODE

Quel est le phénomène observé dans une photodiode ?

Lors de l'absorption d'un photon, deux phénomènes peuvent se produire : La

photoémission : c'est la sortie de l'électron hors du matériau photosensible. L'électron
ne peut sortir que s'il est excité près de la surface. La photoconductivité :
l'électron est libéré à l'intérieur du matériau.

COMMENT ALIMENTER UNE PHOTODIODE

Comment alimenter une photodiode ?
Il faut donc pour exploiter correctement l'information de la photodiode - La brancher en
inverse (tension cathode > tension anode). - Placer en série une résistance pour obtenir
aux bornes de celle-ci une tension image de l'éclairement (UR=R.IR) IR étant le courant
inverse de la photodiode.
Qu'est-ce qu'une diode photo?
Définition d'une photodiode:
«Une photodiode est essentiellement une diode à jonction pn."

Lorsqu'un photon frappe la diode, il excite l'électron et génère un électron

mobile et un trou de charge positive. L'absorption se produit dans la zone de
déplétion de la jonction, le porteur sera retiré de la jonction par le potentiel
intégré de la région de déplétion.

Comment fonctionne une photodiode?

Principe de fonctionnement de la photodiode:
Une photodiode est une jonction pn ou une configuration PIN. Si un photon
frappe la diode, il produit l'électron et un trou chargé positivement.
Lorsqu'une absorption se produit dans la zone de déplétion de la jonction,
ces porteurs ont été piégés dans la jonction de la zone intégrée de cette
région de déplétion qui a créé un photocourant.

Les photodiodes sont largement utilisées sous polarisation inverse ou sans

polarisation. La lumière ou le photon peut conduire un courant à travers ce
circuit, ce qui donne une polarisation directe, ce qui provoque ensuite un
«courant d'obscurité» de la direction inverse au photocourant. C'est ce qu'on
appelle l'effet naturel et peut être à la base de la conception des cellules
solaires. Un panneau solaire n'est qu'une combinaison de plusieurs
photodiodes efficaces.

La polarisation inverse produit un courant mineur dans une direction

exactement identique. En dehors de cela, la photodiode présente moins de
bruit.

Photodiodes à avalanche ont un préarrangement similaire, mais il fonctionne

normalement avec une plus grande polarisation inverse. Cela permet à
chaque fournisseur photo-généré d'être multiplié avec une panne
d'avalanche, entraînant des effets internes de la photodiode et améliore la
réactivité globale de l'appareil.

Matériaux pour une photodiode:

Matériel utilisé en photodiode:

 Silicium
 Germanium
 Sulfure de plomb
La matériels durables. utilisé pour la construction de la photodiode est
important pour décrire ses propriétés car seuls les photons avec une énergie
appropriée peuvent exciter des électrons dans la bande interdite et capables
de produire des photocourants substantiels.

Il est important de se rappeler que les photodiodes à base de silicium ont

une plus grande bande interdite et que, de ce fait, elles sont capables de
produire moins de bruit que les photodiodes à base de germanium.

Depuis que transistors et les circuits intégrés sont également préparés avec
un matériau semi-conducteur et comprennent des jonctions pn, peuvent agir
comme une photodiode. Ce n'est pas l'accepté, un boîtier opaque est
obligatoire pour supprimer cet effet. Bien que ceux-ci ne soient pas
entièrement opaques aux rayonnements à haute énergie, ils peuvent
toujours provoquer un dysfonctionnement des circuits intégrés pour le
photocourant induit.

Applications d'une photodiode:

 Les photodiodes sont utilisées dans l'électronique grand public, c'est-à-dire les
lecteurs de CD, les détecteurs d'incendie et de fumée, les télécommandes,
l'éclairage, etc.
 Ceux-ci sont également utilisés dans diverses applications médicales, détecteurs
et physique des hautes énergies, etc.

Avantages et inconvénients d'une photodiode:

AVANTAGES-

 Faible niveau de bruit

 À bas prix
 Compact et léger.
 Longue durée de vie
 Aucune haute tension n'est requise.
 Efficacité quantique élevée.
DÉSAVANTAGES-

 Petite zone
 Pas de gain interne
 Sensibilité beaucoup plus faible
 Le temps de réponse est plus lent.
Quelles sont les caractéristiques d'une photodiode?
Il existe deux types de caractéristiques de photodiode

 Caractéristiques électriques
 Caractéristiques optiques
Caractéristiques électriques de la photodiode:

Circuit équivalent de photodiode au

silicium, crédit d'image - Kennlinie_Photodiode_1.png: Gregor Hess (Ghe42) travail
dérivé: Scientifique des matériaux (parler), Fonctionnement de la photodiode, CC
BY-SA 3.0

RÉSISTANCE AU SHUNT, RSH

Résistance shunt (RSH) est utilisé pour estimer le bruit thermique
lorsqu'aucune polarisation inverse n'est appliquée. C'est le rapport de la
tension au courant.

Il est calculé à partir de la pente de la courbe VI de la photodiode à l'origine.

RÉSISTANCE EN SÉRIE
La résistance série est donnée par Rs et elle provient des résistances du
silicium. L'expression est donnée par l'équation suivante -

CAPACITANCE DE JONCTION, (Cj)

Capacité de jonction (Cj) est la capacité de la diode à une polarisation inverse
donnée.

La capacité de jonction est proportionnelle à la zone de diffusion et

inversement proportionnelle à la largeur de la zone d'appauvrissement.
TEMPS DE MONTÉE ET DE CHUTE (tr , Tf )
Le temps nécessaire pour atteindre 3% à partir de XNUMX% est connu sous
le nom de temps de montée et le temps nécessaire pour passer de XNUMX%
à XNUMX% est appelé temps de chute. Ce paramètre est généralement
exprimé en réponse en fréquence de la décroissance de XNUMX dB comme
suit.

tr= 0.35 / f3dB

TENSION DE RUPTURE (VBR)

C'est le maximum négatif tension qui peut être appliquée à la
diode Terminal.

PUISSANCE ÉQUIVALENTE DE BRUIT (NEP)

L'intensité des photons est une condition préalable à l'équivalent du bruit à
une polarisation inverse spécifiée. C'est une mesure de N EP.

TEMPS DE RÉPONSE (tr)

Il est défini par le temps nécessaire à une diode pour répondre à une entrée
de pas à la lumière à un mode de fonctionnement de polarisation inverse
spécifié.

Courant de court-circuit (ISC):

Avec la diode broches court-circuitées, le courant qui circule à une intensité
lumineuse donnée.
Caractéristiques optiques de la photodiode:

Crédit image: Kai Martin, Photodiode au

silicium de réponse, CC BY-SA 3.0

EFFICACITÉ QUANTUM, QE
QE est largement reconnu comme le pourcentage des photons incidents qui
contribuent au photocourant.

QE=R /R
obs Id (100%)

RESPONSABILITÉ, R
La réactivité d'une photodiode au silicium est la mesure de la sensibilité à la
lumière. Il est donné par le rapport de Ip à la puissance de la lumière (P) à
venir pour la longueur d'onde donnée.

R = IP/P à une longueur d'onde spécifique

NON-UNIFORMITÉ
Il est bien défini comme les variations de sensibilité observées sur la surface
de la photodiode active avec des taches de lumière triviales.

NON-LINÉARITÉ
Une caractéristique de photodiode au silicium est de nature linéaire bien
qu'un changement mineur du courant régule la linéarité du photocourant.

Bruits dans une diode photo:

Dans une photodiode, deux types de bruits sont introduits; elles sont

 Bruit de tir
 Bruit de Johnson.
Bruit de tir
Il est exprimé par l'équation suivante.

Bruit thermique ou bruit Johnson

Le photodétecteur peut produire du bruit Johnson en raison de la génération
thermique du porteur. L'amplitude de ce bruit de courant généré est:

Par conséquent, le bruit total est,

Expliquez les mécanismes d'avalanche et de Zener:

La panne d'avalanche se produit uniquement aux tensions les plus élevées.
Supposons que le champ électrique (E) dans la région de transition est
énorme. Puis, un e- entrant du côté P peut être accéléré par l'énergie
cinétique pour entrer en collision avec le réseau et produire ionisation. Les
interactions créeront une multiplication des porteurs ; l'électron d'origine et
l'électron généré sont balayés vers le côté N, et le trou de création est
déplacé vers le P. Ce processus est une avalanche puisque chaque porteur
entrant peut initier le grand nombre de porteurs.

L'effet Zener se produit une fois que le tunnel des électrons a eu lieu de la
bande de valance côté P à la bande de conduction côté N, peut provoquer un
flux de courant inverse de la borne N à la borne P. Les inévitabilités de base
pour le courant tunnel sont un grand nombre d'électrons qui sont détachés
d'une quantité substantielle d'état inoccupé par une barrière en métal. La
probabilité de tunnel étant régie par la largeur de la barrière, le dopage doit
être important.