Fundamentals & processes for photovoltaic devices

Résumé de cours
 1 Basic of sun and energy
Irradiation sea level: 1000 W/m2

1000-3000 KWh/m2 per year depending on location (inclination)

GHI: Global Horizon Irradiation:

Light arriving on a horizontal plate from all angles

DNI: Direct Normal Irradiation:

Intégrée avec une surface en permanence perpendiculaire au soleil

Annual horizontal Irradiation (Switzerland):

• Power/m2 (Switzerland): 1000 [W/m2]

• Insolation hours at full intensity: 1000-1500 [hours/year]

Yearly produced Energy/m2:

1000-1500 hours at full intensity: 1000 W/m2 ➔ 1000 – 1500 [kWh/m2/year]

1.2 Solar illumination Spectrum

L’irradiance solaire moyenne dans l’espace est de 1366 W/m2. Son spectre est dénoté : AM0

Sur Terre. 970-1000 W/m2. Atténuation absorption (18%, vapeur d’eau) et Diffusion (10%)

Air Mass : AM || description du spectre

AMX : x décrit l’atténuation à travers l’atmosphère :

α : angle entre la position du soleil et zénith

AM1.5 : Spectrum après avoir passé 1.5 fois l’épaisseur de

l’atmosphère, α= 48.19°, 970-1000 W/m2

AM1.5 G : Inclue diffuse radiation→ 1000 W/m2

AM1.5 D : Seulement radiation direct→ 900W/m2

AM0 : Solar spectrum outside of the atmosphere

AM1 : Solar spectrum on earth when the sun is vertically

above (equator)

Solar spectrum at earth surface:

1. Direct radiation coming straight from the sun:

AM1.5D
2. Diffuse radiation coming from scattering n particles in
atmosphere
3. Radiation reflected by surroundings

The total radiation on the ground is the sum of these tree components: Global radiation

The Global radiation is defined by AMxG spectra.

 2 Fundamentals of PV
Photovoltaic energy = direct light-energy conversion

Ideal solar cell: un absorbeur de photon à deux membranes. Une pour extraire des électrons et une
autre pour extraire des trous.

Une cellule basique peut être approximée par une diode p-n

Diode : Sans précision ce mot désigne un dipôle qui ne laisse passer le courant électrique que dans
un sens
Dipôle non-linéaire et polarisé.

Dipôle électrique : Composant électronique possédant deux bornes.

On classifie les dipôles électriques par leur courbe représentative : UD = f(ID)

• UD : Tension aux bornes du dipôles

• ID : Intensité du courant qui traverse le dipôle

Diode p-n : type de diode semiconductrice basée sur les jonctions p-n.
Le courant peut circuler uniquement dans un sens et cela est fait en combinant une couche p de
semiconducteur avec une couche n de semi-conducteur.

• P-Type : dopage positif, un électron manquant. Donc un trou.

• N-Type : dopage négatif, un électron supplémentaire.

Si les deux jonctions sont en contact : Diffusion des charges et création d’un champ électriques.

On voit qu’en mode inverse la diode ne laisse pratiquement pas passer de courant.
Le courant dépend de la tension qu’on applique et du sens de la tension qu’on applique.
Les électrons sont négatifs : La direction du courant est positive dans le sens opposé du flux des
électrons. (les électrons vont du potentiel le plus bas au potentiel le plus grand).

I0 : Propriété de la diode

ID : Intensité du courant qui traverse le dipôle : Diode / ou Dark

IL : intensité courant illuminer

IPH : Source de courant simulant le courant photogénéré

q/kT = 26mV at 25°

Electroniquement : La cellule solaire est modélisée par une diode et une source de courant. Fig 2.

La convention de signe est sur la puissance :

• Puissance négative : Module produit de l’électricité

• Puissance Positive : Module consomme de l’électricité
Ratio entre la puissance au point maximum par le produit du short-circuit curent and open circuit
voltage.

MPPT : Maximum Power Point Tracker : DC DC converter. Il augmente petit à petit le voltage jusqu’à
ce que la puissance diminue.

3 Performance and limits

Efficiency at STC

PMPP : Puissance au Maximum Power Point

MPPT : Maximum Power Point Tracker

Les modules sont vendus à leur puissance maximale :

Wp : Peak output→ 1000 W/m2 (AM1.5G)

Ex : un module de 20% d’efficacité → 200 Wp

Empiriquement : En Suisse et en Allemagne : 1000 heures de full insolation

• Un module de 1 Wp produit 1 kWh/year

Calcul : (max heure soleil année) x (Peak Power) = Puissance maximale produite à l’année

4 Rendement
4.1 Energy Yield
Ce qui compte en un premier temps si on achète une certaine quantité de watts : Energy Yield
𝑘𝑊ℎ 𝑝𝑟𝑜𝑑𝑢𝑐𝑒𝑑 𝐴𝑚𝑜𝑢𝑛𝑡 𝑜𝑓 𝑝𝑟𝑜𝑑𝑢𝑐𝑒𝑑 𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔𝑦
𝐸𝑌 = =
𝑊𝑝 𝑖𝑛𝑠𝑡𝑎𝑙𝑙𝑒𝑑 𝐴𝑚𝑜𝑢𝑛𝑡 𝑜𝑓 𝑖𝑛𝑠𝑡𝑎𝑙𝑙𝑒𝑑 𝑝𝑜𝑤𝑒𝑟

Nominal efficiency does not count in the energy yield

4.2 Power performance of a PV system

How to compare different technologies without accounting for the solar irradiation:
Exercise de comprehension:

Prenons trois pays : Allemagne, suède et Qatar.

• Le performance ratio sera le meilleur en Suède. (température externe froide→meilleur

capacités)
• Energy yield sera meilleur au Qatar. (La production énergétique) / (puissance installée) sera
la plus élevée.

4.3 Degradation of Pv modules

5 Behind the modules: Nomenclature for conversion

Inverter:
Injection de l’énergie produite dans le réseau: Condition:

• Produced Voltage V > VGrid

Inverter efficiency:

Important to choose the right size of inverter: Sometimes power of inverter is smaller than the
nominal power of th Pv power plant

Grid connection: additional inverter functions

• Curtailment, quand il y a un risque d’overloader le réseau. Puissance active P, partiellement

ou totalement réduite lors de l’injection dans le réseau.
Aussi utiliser quand les énergies renouvelables sont particulièrement bon marché pour éviter
d’arrêter les grosses centrales de production d’électricité car leur démarrage prend bcp de
temps
• Modifié l’angle de phase jusqu’à cos(phi)0+0.9→Puissance réactive Q. Permet d’injecter plus
de puissance dans le réseau sans impact
 • Low-voltage ride trough

Ces deux facteurs permettent de contrôler le voltage.

6 Fonctionnement cellule solaire : Diode

1. Tension générée par la diode :

La tension Maximale générée par la diode est inférieur à la bande gap. (les unités ne
concordent pas, mais c’est le principe qui compte)
C’est -à-dire que toute l’énergie en plus que EG délivrée par l’électron qui a été excité par le
photon sera transformée en pertes thermiques.
EX : Le germanium peut absorber une grande quantité de longueur d’onde, mais la tension
maximale générée au sein de la cellule ne dépasse pas la bande gap imposée par le
germanium.
2. Courant généré par la cellule :
Le courant générée par la cellule est proportionnel à la quantité de photon qui peuvent être
absorbé et donc à la bande gap du matériau.
La quantité de photon absorbé dépend de l’intervalle de longueur d’onde que le matériau
permet d’absorber. (donc encore une fois dépend de la bande gap).
Plus l’intervalle de longueur d’onde est élevé, plus la quantité de photon est élevé, plus le
courant généré à l’intérieur de la cellule est élevé.
EX : Le germanium génère un plus grand courant que le silicium cristallin

Donc construire une cellule solaire repose sur le compromis entre avoir une tension élevée ou un
courant élevé.

• Tension élevée : Petit intervalle de longueur d’onde où les photons sont absorbables par le
matériau→petit courant
• Courant élevé : Grand intervalle de longueur d’onde où les photons sont absorbables par le
matériau→Tension faible

Spectral response: (dépend de la longueur d’onde considérée):

𝑪𝒐𝒖𝒓𝒓𝒂𝒏𝒕 𝒈é𝒏é𝒓é 𝒑𝒂𝒓 𝒍𝒂 𝒄𝒆𝒍𝒍𝒖𝒍𝒆 𝒑𝒐𝒖𝒓 𝝀 𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍 (𝜆) 𝑨
𝑺𝑹(𝝀) = = [ ]
𝑰𝒏𝒕𝒆𝒏𝒔𝒊𝒕é 𝒅𝒖 𝒔𝒑𝒆𝒄𝒕𝒓𝒆 𝒍𝒖𝒎𝒊𝒏𝒆𝒖𝒙 à 𝝀 𝑰(𝜆) 𝑾
Spec(𝜆) : Illumination intensity spectrum : Spectre en fonction de 𝜆
Solar irradiance spectrum

• ID : description du courant dans la cellule quand il fait noir

• IL : description du courant dans la cellule quand elle est illuminée
• IPh : Source de courant simulant le courant électrique photo généré dans la cellule.

On a vu que quand il fait noir, la cellule consomme du courant ID. Ce terme correspond donc à des
pertes quand on étudie la cellule illuminée.

7 Basic semiconductor properties

free electrons: électrons qui ne sont pas attachés au
noyau de l’atome et qui sont libre de bouger quand
une énergie externe est appliquée

Electrons de valence : électrons de la dernière couche

électronique d’un atome

Les électrons de valence sont faiblement attachés au

noyau de l’atome. Lorsqu’une faible quantité
d’énergie externe, sous forme de chaleur ou de
lumière, est appliquée sur les électrons de valence, ils
sont retirés de leur atome parentale et deviennent libre.

La force d’attraction du noyau n’agit pas sur les électrons libres. Le flux d’électrons libre dans un
matériau est appelé : courant électrique. Les électrons libres en mouvement vont transmettre un
courant électrique d’un point A à un point B. Les matériaux contenant des électrons libres vont
conduire un courant électrique. Ceux qui n’en possèdent pas ne vont pas conduire de courant
électrique.

Niveau de Fermi :

• Caractéristique propre à un système qui traduit la répartition des électrons dans ce système
en fonction de la température.
• Première approximation : Constante qui équivaut au niveau de plus haute énergie occupée
par les électrons du système à une température de T=0°K

Couches électroniques atomes :

Les couches électroniques sont identifiées par le nombre quantique n, ou historiquement K,L,M..

Band structure of solids

Simplified band structure scheme:

Semiconductor: At 0°K. Valence band is completely full and conduction band is empty.

• A full band: Does not conduct electricity

• At 0 K: The semiconductor is an insulator at 0 K: no current flowing!
-- as many electrons going in each direction
--- speed of electrons compensate
→ NO CURRENT FLOWING

Metal: Comme il n’y a pas de gap entre les couches électronique du métal, en appliquant un courant,
le métal peut conduire un courant même à 0 K

Fermi Level:

At low temperature, all available states in a crystal up to a certain energy level will be occupied by
two electrons. This energy level is known as the Fermi level.
C’est pourquoi le niveau d’énergie de Fermi dépend du nombre d’électrons présents dans le Crystal.

Pauli exclusion principle: Each allowed energy level can be occupied at most by two electrons, each
of opposite spin.

Explications band structure : Différence entre bande de valence et bande de

conduction
La bande de valence spécifie le niveau énergétique des atomes contenus dans la couche de valence
d’une structure atomique.

La bande de conduction contient les électrons responsables de la conduction.

Si les électrons de la bande de valence reçoivent suffisamment d’énergie, ils sortent de la bande de
Valence et deviennent des électrons libres.
Ces électrons libres vont rejoindre la bande de conduction.

Donc la bande de conduction contient les électrons libres qui sont responsables de la conduction du
courant dans le semiconducteur.

Le noyau exerce une force plus grande sur les électrons de la bande de valence que sur les électrons
de la bande de conduction.

Résumé Green, Points clés

Forbidden energy gaps
 • Electrons in free space: Continuous levels of energy that it can attain
• Electrons in atoms: Discrete level of energy available (well defined)
• Electrons brought closer together: Original energy level spread out into bands of energy
• Electrons in ordered arrangement: Characteristic distances btw the electrons definies the
energy bands allowed for these electrons at this distance d.

Crystal = electrons in ordered arrangement

Crystal: Has energy band allowed for electrons and forbidden energy bands

Probability of occupation of allowed energy levels

• At Low temperature: electrons in a crystal occupy the lowest possible energy state
• Pauli principle: 2 electrons max with different spin for 1 energy level
• At low temperature: All energy levels up to a certain energy level will be occupied by 2
electrons in a crystal:
This energy level is known as the fermi energy level
• Augmentation de la température : certains électrons vont avoir plus d’énergie que le niveau
d’énergie de Fermi:
Probabilité d’occupation d’état électronique à un certain niveau d’énergie E:

• Proche du zéro absolu : Cette probabilité est d’environ 1, car le niveau énergétique E attendu
est très proche du niveau énergétique de Fermi.
• Avec l’augmentation de température, il y a certain niveau d’énergie supérieur au niveau
d’énergie de Fermi qui sont remplis. Il est donc possible de définir des probabilités sur des
niveaux supérieur rempli et des niveaux inférieurs vides

Avec la structure de bande électronique, il est possible de différencier les métaux, semi-conducteurs
et isolants.

Schéma entre les niveaux énergétiques et la probabilité

d’occupation, par des électrons, de ces niveaux en fonction de la
température.

Comportement à 0K :

• En-dessous EF = 1
• En-dessus EF = 0

→Conclusion : A 0K, Les états énergétiques permis en dessus de EF

n’ont aucune probabilité d’être occupé par des électrons. Au
contraire, les états énergétiques en-dessous de EF ont 100% de
probabilité d’être occupés par des électrons.

Si la température augmente, il y a un étalement de la distribution.

• Des états énergétiques supérieur à EF, ont une probabilité finie d’être occupé
• Des états énergétiques inférieur à EF, ont une probabilité finie de ne pas être occupés

Diff métaux, semi-conducteur et isolants :

 • Métaux : ont une bande énergétique telle que le niveau d’énergie de fermi est contenu à
l’intérieur d’une bande énergétique autorisée.
• Isolants : Ils ont une bande énergétique complètement remplie, un grand gap d’énergie avec
la prochaine bande énergétique avec un niveau énergétique plus élevée, qui au passage est
vide à températures basses.
→ Avec le principe d’exclusion de Pauli, on en déduit que le niveau énergétique de Fermi est
forcément en dans une bande énergétique non-autorisée.
• Semiconducteurs : Sont des isolants avec une band gap plus étroite.
A faible température il ne conduit pas
A des températures plus élevées : Il conduit

Une bande énergétique complètement vide ne peut pas contribuer au flux de courants dans un semi-
conducteur.
De manière semblable, une bande énergétique complétement remplie ne peut pas y contribuer non
plus.

Explications : Un trou, un manque d’électron, est une source d’excitation pour les électrons
avoisinants. S’il n’y en a pas, les électrons de ne peuvent pas être excités et par conséquent ne
peuvent pas contribuer au flux de courant.

Avec des occupations différentes, la bande de conduction et la bande de valence contribuent au flux
de courant dans le crystal.

Le flux de courant dans un semiconducteur peut être vu comme étant dû à la somme des
mouvements des électrons dans la bande de conduction et des troues dans la bande de valence.

Density of electrons and holes

Selon le principe de la distribution de Fermi-Dirac, les électrons dans la bande de conduction et les
trous dans la bande de valence, sont regroupés dans les bords.

Le nombre d’électrons dans la bande de conduction par unité de volume du crystal : n

Avec approx. Et simpl.

NC: effective density of states in the conduction band (for a fixed temperature).

The total number of Holes in the Valence band per unit volume of the Crystal

NV: effective density of states in the valence band

Idealized case of a pure and perfect semiconductor:

ni: intrinsic concentration

Eg : Largeur de la bande énergétique interdite entre la bande de valence et la bande de conduction

On voit que EF pour un semiconducteur parfait est proche de la moitié de la bande interdite. Il est
seulement décalé avec la différence de densité d’états de la bande de valence et de la bande de
conduction.

Semiconducteur groupe 4

• Chaque atome de silicium est lié à 4 voisins par des liens de covalence.
• Chaque lien de covalence requiert 2 électrons
• Silicon possède 4 électrons de valence
→ Donc chaque lien de covalence partage un électron de l’atome principale et un électron
de l’atome voisin.

La 1ère figure ne permet pas de conduire le courant. Pas de Flux d’électrons possible.

Avec l’augmentation de la température, des électrons des liens de covalence peuvent obtenir
suffisamment d’énergie pour se libérer du lien de covalence. Effets :
 • Les électrons libérés sont libres de bouger à travers le Crystal et par leur mouvement
contribuer au flux de courant
• Les électrons dans les liens de covalence, dans la proximité du lien de covalence brisé
peuvent se déplacer pour prendre la place de se trou. Il laisse alors derrière eux un autre
trou.
→Ce phénomène contribue lui aussi au flux de courant dans le Crystal

Un électron relâché par le lien de covalence peut être vu comme étant arrivé dans la bande de
conduction. Par conséquent l’énergie minimum nécessaire pour libérer l’électron du lien de
covalence équivaut à l’énergie de la bande énergétique interdite.

Un lien de covalence brisé peut être vu comme un trou dans la bande de valence.

Dopants Groupe 3 et 5
Des atomes d’impuretés peuvent incorporer la structure d’un Crystal de deux manières différentes :

• Impuretés interstitielles : Coincées dans le maillage

• Impuretés de substitutions : quand elle remplace un atome du Crystal

Atome 3 et 5 sont des impuretés de substitution.

Atome du groupe 5 du tableau périodique des éléments ont un électron supplémentaire qui est
facilement décrochable. L’énergie nécessaire à le décrocher est bien inférieur à l’énergie nécessaire
pour vaincre la band gap pour les électrons du silicium.
Atome groupe 5 : Donneur, leurs électrons sont transférés dans la bande de conduction à
température ambiante.

Atome du groupe 3 du tableau périodique ont un électron de moins que les atomes de silicium. Par
conséquent un lien de covalence n’est pas formé. On a donc un trou. Ils ont besoin d’une très petite
énergie pour libérer le trou. Une énergie bien inférieure à celle de la bande Gap.
Atome du groupe 3 : Accepteurs, car ils acceptent facilement les électrons des atomes de silicium,
qui forcément crée des trous dans la bande de valence.

Groupe 3 and 5, add energies level in the forbidden band gap energy level.

Donors: n-type material

Acceptors: p-type material

Les atomes extrinsèques ont deux fonctions :

• Ils peuvent agir comme dopant

• Ils peuvent créer des niveaux d’énergie différents dans la band gap

Carrier Transport Properties

Thermal Velocity = Natural diffusion
Résistivité

Ils subissent des collisions avec des atomes du réseau. :

• Le temps moyen entre 2 collisions est le temps de relaxation : 𝜏𝑟

• Le parcours moyen entre deux collisions (mean free path) :

A chaque collision, la direction est randomisée.

Drift
• Sous un champ électrique E : Un électron quelconque en mouvement sera accéléré dans une
direction opposée au champ électrique.
• Dans un Crystal : l’électron ne va pas continuer d’accélérer longtemps car il va rentrer en
collision. Ces collisions vont réduire l’excès de vitesse que l’électrons aura acquis après s’être
fait accélérer par le champ électrique.
• tr Temps moyen entre les collisions :
• Drift velocity vd : average velocity increase of electrons between collision caused by the
electric field. (for electrons in the conduction band)
 Le facteur 2 disparait si tr est moyenné sur la Vitesse de tous les électrons.

On peut définir un paramètre important : La Mobilité

La mobilité, en général, décroît avec l’augmentation de température et de dopage.

La masse d’un électron au repos n’est pas la même qu’un électron en mouvement. La masse de
l’électron en mouvement augmente à cause d’effets de relativité.

𝑚0 = 9.10956 ∗ 10−31 𝑘𝑔 : Masse de l’électron au repos, à une vitesse 0.

𝑚𝑒∗ :Masse de l’électron en mouvement. Dépend de sa vitesse.

Diffusion
Un groupe de molécule va se dissiper s’il n’est pas retenu. C’est ce que produit la diffusion.
La cause basique de cet effet est la random thermal velocity.

La diffusion et la drift velocity sont liés par la relation d’Einstein:

Optical properties of solar cells

Antireflexion coating
AR: Antireflexion

First Antireflexion Maximum:

Antireflexion by texturing

Generation
Generation: create electron-holes pairs in semiconductor

Les charges ne peuvent s’accumuler à l’infini et se recombine au bout d’un moment : Recombination

Recombination: Processus inverse de la génération

Tandem solar cell or micromorph devices:

Ces appareils sont composes de 2 sous-cellules.

• a-si: absorbe mieux dans les zones bleus du spectre→Placées en haut

• uc-Si : absorbe mieux dans les zones rouges organes du spectre et est ainsi placée en bas du
spectre.
Mieux absorber = Coefficient d’absorption α plus élevé.

On place a-si en haut car la lumière bleue ne pénètre pas en profondeur dans la cellule !!!

Explications :

Germanium à Eg = 0.8 eV :

• Tous les photons incidents avec E>Eg sont absorbés. En regardant l’échelle du haut ça fait
bcp de possibilités d’énergie de photons
• En parlant en longueur d’onde, tous les photons incidents avec un longueur d’onde
inférieure à 1550 nm sont absorbés
• Voltage que peut produire un semiconducteur. Le germanium a un énergie band gap de 0.8
eV. Ainsi le plus grand voltage qu’il puisse produire est de 0.8 eV.
→ Si un photon incident est bleu, il à une énergie E= 3 eV
→ C’est du gaspillage car l’énergie maximale qu’on pourra tirer est contrainte à 0.8 eV.

Conclusion :

Le germanium n’est vraiment pas efficace pour convertir les photons bleus !

• Il va l’absorber et créer un électron

• Mais l’énergie qui va rester du photon bleu est très faible 0.8 eV (3 eV à la base)

A Comprendre :

• Absorber bcp de photons (grand spectre de longueur d’onde) produit des grands courants
→ Par contre, petit Voltage en retour si c’est un photon bleu
• Absorber pas bcp photon→Petit courant
→Par contre, Grand Voltage en retour.
 8 Définitions :
Diode : Sans précision ce mot désigne un dipôle qui ne laisse passer le courant électrique que dans
un sens
Dipôle non-linéaire et polarisé.

Dipôle électrique : Composant électronique possédant deux bornes.

On classifie les dipôles électriques par leur courbe représentative : UD = f(ID)

• UD : Tension aux bornes du dipôles

• ID : Intensité du courant qui traverse le dipôle

Ionization energy: energy required to release an electron (from covalence bond)

Ion : Atome qui ou le nombre de proton et d’électron est différent

Anion : Atome avec un nombre d’électrons plus élevé que de proton (chargé négativement)

Cation : atome avec un nombre d’électron plus faible que de proton (chargé positivement)

Phonon : Notion de mécanique quantique faisant appel à la dualité onde corpuscule.

→Désigne un quantum d’énergie de vibration dans un solide cristallin
→Lorsqu’un mode de vibration défini du cristal (de fréquence v) cède ou gagne de l’énergie :
Il ne peut que le faire par paquet d’énergie hv.
Ce paquet est considéré comme une quasi-particule, à savoir une particule fictive appelé phonon.

Le Crystal est alors réputé pour échanger des phonons lorsqu’il gagne ou perd de l’énergie.

Le concept permet une analogie avec la lumière qui se présente tantôt sous forme d’onde, tantôt
sous forme d’énergie hv.
Le paquet d’énergie hv dans le cadre de la lumière est une particule élémentaire : Photon