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Rappel :
Conductivité intrinsèque
Concentration intrinsèque
e : charge d’électron
J:densité de courant
σ: conductivité
E : le champ électrique
S : la surface
La résistance R:
L : la longueur
Dans ce cas les électrons sont des porteurs majoritaires et les trous des porteurs minoritaires.
ND =n
ND : concentration des atomes donneurs
n.p=ni2 : loi d’action de masse ⇒ p= ni2/ND
NA =P
NA : concentration des atomes accepteurs
n.p=ni2 : loi d’action de masse ⇒ n= ni2/NA
Exercice 1
Un semi conducteur contient 1020 paires électron-trou/ m3, il est placé dans un champ électrique
E= 0, 5 V/ m. Calculer sa résistivité ( n=0,2m2/V.s, p=0, 05m2/V.s).
Calculer la vitesse de chaque type de porteur.
Solution :
la résistivité :
e =1.610-19c
⇒ =
⇒
Exercice 2
La résistivité du germanium intrinsèque est 0,44 Ωm à 300 K. Les mobilités des électrons et
des trous dans le germanium sont respectivement de 0,4 m2/V.s et 0,19 m2/V.s. Calculer la
densité des électrons et des trous.
Solution :
ni : concentration intrinsèque
Exercice 3
Déterminer dans chacun des cas suivants la concentration en électrons et trous ainsi que la
résistivité d'un échantillon de silicium :
Cas 1 : intrinsèque,
Cas 2 : dopé au bore à 1015 /cm3,
Données : ni (300 K)=1010 /cm3, n=1350 cm2/V.s, p=450 cm2/V.s.
Solution
Cas 1 : intrinsèque
n = p = ni = 1010 /cm3
la résistivité :
la résistivité :