Série 4

Exercice 1:On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités

équivalentes d'états énergétiques dans la bande de conduction et dans la bande de
valence sont notées respectivement NC et NV.

1) Rappelez les expressions de la densité d'électron n dans la bande de conduction

et la densité de trous p dans la bande de valence.
( EF  EFi )/ kT
2) Démontrer les relations suivantes : n  ni e ; p  ni e( EFi EF )/ kT
3) Le semiconducteur considéré est du silicium de largeur de bande interdite (ou
gap) Eg=1,1eV et pour lequel NC=2,7.1019cm-3 et NV=1,1.1019cm-3. En déduire
l'expression de la densité intrinsèque ni et la position du niveau de Fermi
intrinsèque EFi
4) Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et
227°C. On rappel qu'à 300K, kT=0.026eV, on prendra comme référence
énergétique, le haut de la bande de valence (EV=0eV).

Exercice 2 : Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 1018cm-3.

1) Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de

trous. Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?
2) Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation
du diagramme de bandes du silicium ainsi dopé.

Exercice 3 : Du germanium intrinsèque est dopé de deux façons différentes :

1) par des donneurs de telle manière que n1= 5x1015 cm-3 et p1=5x1013 cm-3 à
T=300K. De combien se déplace le niveau de Fermi EF par rapport au niveau de
Fermi intrinsèque EFi
2) même question, si le germanium est dopé par des accepteurs de telle manière
que n2= 5x1012 cm-3 et p2=5x1016 cm-3 à T=300K.

Exercice 4 : Quel est le niveau d’énergie d’un donneur pour le GaAs, sachant que le gap
d’énergie est de 1.5 eV, la masse effective des trous est de 0.66 me, celle des électrons
de 0.07 me et la constante diélectrique de 13.13 ?

1) Quel est le rayon de Bohr de l’électron de ce donneur ?

2) Sachant que la concentration de porteurs intrinsèques (porteurs dans un semi-
conducteur non dopé) de InSb (Eg =0.18 eV) est de 1x1015 cm-3 à température
ambiante (300 K), si nous avons maintenant un échantillon dopé avec une
concentration de 1016 cm-3 donneurs, quelle sera la concentration de trous ?
3) Quelles sont les concentrations intrinsèques pour le InSb à une température de
200K ?
Exercice 5 : On considère un morceau de silicium de dimension 100 par 100 par 10
nanomètres (m* = 1.08 m0).

1) Calculer le nombre d'états par unité d'énergie de 100 meV au-dessus de bord de
la bande de conduction.
2) Écrire le résultat dans les unités d'eV-1

Exercice 6 : Un échantillon de silicium est dopé avec une concentration d'accepteurs

NA = 4 1016cm-3. Le niveau de Fermi correspondant à température ambiante se situe à
0,17 eV au-dessus du bord de bande de valence. Puis 1017 cm-3 donneurs sont ajoutés.

1) Trouver le nouveau niveau de Fermi. (La bande interdite du silicium à la

température ambiante est de 1,12 eV).
2) Calculer les densités effectives des états dans les bandes de conduction et de
valence du silicium à 300 K :

Exercice 7 : Calculer la densité intrinsèque des porteurs de charges dans le germanium,

le silicium et l'arséniure de gallium à 300, 400, 500 et 600 K.

Exercice 8 : On considère l’arséniure d’indium (InAs) pour lequel on connaît la hauteur

de la bande interdite : 0.36 eV, la masse effective des électrons 0.023 m0, la masse
effective des trous 0.4 m0, et la permittivité relative 14.6.

1) Calculer le nombre intrinsèque (cm-3) de l’InAs à la température ambiante.

2) On dope l’InAs de telle façon que les porteurs négatifs soient dix mille fois plus
nombreux que les porteurs positifs et on envisage la température ambiante (pour
simplifier les calculs, on prendra ni(T0) = 2.0 1014 cm-3). Calculer la densité (cm-3)
des porteurs positifs et des porteurs négatifs.

Exercice 9 : Une plaquette de silicium est dopée avec 1016 cm-3 d’atomes accepteurs.
Calculer la densité des électrons libres et celle des trous.

On donne :
Constante de Boltzmann :k=1.381×10-23 J K-1 Constante de Planck: ħ=1.054 × 10-34 J s
Charge élémentaire : q = 1.602 × 10-19 C Rayon de Bohr : ao =0.529 × 10-10 m
Masse d'électron : me= 9.110 × 10-31 kg 1/4πεo = 9 × 109 J m/C2
Nombre d'Avogadro : N= 6.022 × 1023 mol-1
Exercice 1: Semi-conducteur intrinsèque.

On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités équivalentes d'états

énergétiques dans la bande de conduction et dans la bande de valence sont notées
respectivement NC et NV.

1-Rappelez les expressions de la densité d'électron n dans la bande de conduction et la

densité de trous p dans la bande de valence.

Les expressions de n et p sont : n=NC exp(-(EF-EC))/kT

p=NV exp(-(EV-EF)/kT

 ( EF  EFi ) / kT
2-Démontrer les relations suivantes : n  ni e ; p  ni e( EFi  EF ) / kT

 ( EF  EC ) / kT
En effet : n  NC e ; p  NV e ( EV  EF ) / kT

 ( EV  EC )/ kT
Pour in semiconducteur intrinsèque : np  NC NV e  NC NV e  ni2
Eg / kT

ni  NC e ( EFi  EC ) / kT ; ni  NV e ( EV  EFi ) / kT
n  NC e ( EF  EC ) / kT  NC e ( EF  EFi  EFi  EC ) / kT  ni e ( EF  EFi ) / kT ;
p  NV e ( EV  EF ) / kT  NV e ( EV  EFi  EFi  EF ) / kT  ni e ( EFi  EF ) / kT

3- Le semiconducteur considéré est du silicium de largeur de bande interdite (ou gap)

Eg=1,1eV et pour lequel NC=2,7.1019cm-3 et NV=1,1.1019cm-3. En déduire l'expression de la
densité intrinsèque ni et la position du niveau de Fermi intrinsèque EFi

Pour un semi-conducteur intrinsèque n= p =ni . Ainsi la densité intrinsèque de porteurs

est :

n  ni  N c e( EF  Ec ) / kT  NC e( Ei  Ec ) / kT  
( Ev  EF ) / kT
n  NC NV e ( EC  EV ) / 2 kT
( Ev  Ei ) / kT  i
p  ni  N v e  NV e 


n N  ( EC  EkTV 2 Ei )
Le niveau de Fermi s'obtient en écrivant : 1 C e 1
p NV

EC  EV  2 Ei N EC  EV kT NV
  ln V  Ei   ln
kT NC 2 2 NC

4-Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et

227°C. On rappel qu'à 300K, kT=0.026eV, on prendra comme référence énergétique, le
haut de la bande de valence (EV=0eV).
Calcul de la densité de porteurs intrinsèques :

EC  EV 1.1
 
ni  NC NV e 2 kT
 2.7 1019 1.11019 e 20.026
 1,723 1019 e21.153
 ni  1,723 1019  6.5 1010  1.12 1010 cm3

Calcul du niveau de Fermi avec pour référence une énergie de valence nulle :

1.1 0.026 1.11019

Ei   ln
2 2 2.7 1019
 0.538 eV

Exercice 2 : Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 1018cm-3.

1- Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de

trous. Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?

Le phosphore est comme l'arsenic, une impureté de type donneur : ND=1018cm-3.

ND>>ni ainsi la densité d'électrons est égale à la densité de donneurs : n= ND=1018cm-3

A T=27°C=300K, la densité de trous est donnée par :

ni2 ni2 1.12 10 

10 2

p    p=125 cm-3
n ND 1018

Le semi-conducteur ainsi obtenu est de type N

2- Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du

diagramme de bandes du silicium ainsi dopé.

L'énergie de Fermi peut être déduite de la densité d'électrons comme suit :

Ec  EF Ec  EFi  EFi  EF
 
n  N D  NC e kT
 N D  NC e kT

EFi  EF

N D  ni e kT

ND
EF  EFi  kT ln
ni
1018
EF  0.538  0.026 ln  1.014 eV
1.12 1010

Exercice 3 : Du germanium intrinsèque est dopé de deux façons différentes :

 1) par des donneurs de telle manière que n1= 5x1015 cm-3 et p1=5x1013 cm-3 à
T=300K. De combien se déplace le niveau de Fermi EF par rapport au niveau de
Fermi intrinsèque EFi
ND
EF  EC  kT ln
NC
ND
EF  Ed  EC  kT ln
NC
3/ 2 3/ 2
1  2m* kT   m* 
NC   C 2   4.811021  C  T 3/ 2
4    m0 
24 3
NC  2.76 10 m
EF  EC  8.63 10-2eV
EC  EF  86 meV
E d  EC  Ed  0.05eV
Ed  EF  36 meV
2) même question, si le germanium est dopé par des accepteurs de telle manière
que n2= 5x1012 cm-3 et p2=5x1016 cm-3 à T=300K.

n2= 5x1012 cm-3 et p2=5x1016 cm-3 à T=300K.

Exercice 4 : Quel est le niveau d’énergie d’un donneur pour le GaAs, sachant que le gap
d’énergie est de 1.5 eV, la masse effective des trous est de 0.66 me, celle des électrons
de 0.07 me et la constante diélectrique de 13.13 ?

 m*   0.07 
Ed  13.6  2e  eV  13.6  2 
 5.5meV

   13.13 

1- Quel est le rayon de Bohr de l’électron de ce donneur ?

    13.13 
ad  0.529  *  Å  0.529    99Å
 me   0.07 

2- Sachant que la concentration de porteurs intrinsèques (porteurs dans un semi-

conducteur non dopé) de InSb (Eg=0.18 eV) est de 1x1015 cm-3 à température
ambiante (300 K), si nous avons maintenant un échantillon dopé avec une
concentration de 1016 cm-3 donneurs, quelle sera la concentration de trous ?

Réponse : Le produit np est constant pour une température donnée, donc :

np=(1015)(1015)=1030 cm-6.

Maintenant si nous n=1016 cm-3, nous allons avons p=1030/1016=1014 cm-3.

 3- Quelles sont les concentrations intrinsèques pour le InSb à une température de
200K ?

Réponse : Selon l’expression du produit np en fonction de la température :

3
 kT 
 
3/ 2
np  2  2 
mv*mC* e Eg / kT
 2 

nous avons que np  T 3e Eg / kT . Donc sachant la concentration à 300K, nous pouvons
déduire la concentration à 200K :

np(200)  200  e  Eg / 200 k

3

 
np(300)  300  e  Eg / 300 k
3
 200   k
Eg 1 1
(  )
  e
200 300

 300 
3
 200   k
Eg 1
  e
600

 300 
3 0.181.6021019 1
 200   1.3811023 600
  e
 300 
np(200 K )  pn(300 K )  0.0091273=9.1273 10 27

np(200K)=np(300K)=9.55x1013 cm-3.

et donc n(200K)=p(200K)=9.55x1013 cm-3.

Exercice 5 : On considère un morceau de silicium de dimension 100 par 100 par 10

nanomètres (m* = 1.08 m0). Calculer le nombre d'états par unité d'énergie de 100 meV
au-dessus de bord de la bande de conduction. Écrire le résultat dans les unités d'eV -1

8 2 *3/ 2
La densité d’état est égale à : g (E)  m E  EC
h3

8 2
 (1.08  9.11031 )3/ 2 0.11.6 1019
(6.626 1034 )3

 1.511056 m3 j 1

le nombre total des états par unité d'énergie est égale à :

g ( E )V  1.511056 1022 j 1  2.41105 eV 1

Exercice 6 : Un échantillon de silicium est dopé avec une concentration d'accepteurs
NA = 4 1016cm-3. Le niveau de Fermi correspondant à température ambiante se situe à
0,17 eV au-dessus du bord de bande de valence. Puis 1017 cm-3 donneurs sont ajoutés.

1) Trouver le nouveau niveau de Fermi. (La bande interdite du silicium à la

température ambiante est de 1,12 eV).

2) Calculer les densités effectives des états dans les bandes de conduction et de
valence du silicium à 300 K :

3/ 2 3/ 2
 2 mC* kT   2  0.55  9.111031 1.38 1023  300 
NC  2    2 
 h
2
  (6.626 1034 ) 2 
25 3 3
 1.02 10 m  1.02 10 cm19

La densité effective des états dans la bande de valence pour le germanium est
3/ 2
 2 mV* kT 
NV  2  2   5.64 1018 cm3
 h 

Voici les valeurs des densités effectives de quelques semiconducteurs

Germanium Silicium Arsenide de Gallium

3
NC (cm ) 1.02 10 19
2.8110 19
4.351017
NV (cm3 ) 5.64 1018 1.831019 7.57 1018

Exercice 7 : Calculer la densité intrinsèque des porteurs de charges dans le germanium,

le silicium et l'arséniure de gallium à 300, 400, 500 et 600 K.
 Eg

Réponse : ni (300 K )  NC NV  e 2 kT

1.12

ni (300K )  2.811019 1.83 1019  e 20.0258
 8.72 109 cm3

Voici les valeurs des densités effectives de quelques semiconducteurs

Germanium Silicium Arsenide de Gallium

300K 2.02 10 13
8.72 10 9
2.03106
400K 1.381015 4.52 1012 5.98109
500K 1.911016 2.16 1014 7.981011
600K 1.181017 3.07 1015 2.22 1013

Exercice 8 : On considère l’arséniure d’indium (InAs) pour lequel on connaît la hauteur

de la bande interdite : 0.36 eV, la masse effective des électrons 0.023 m0, la masse
effective des trous 0.4 m0, et la permittivité relative 14.6.
1°) Calculer le nombre intrinsèque (cm-3) de l’InAs à la température ambiante.

3/ 2
 m* m* 
Eg

Réponse : n N  C V 
2
i
2
0 e kT

 m0 m0 

A.N. ni2 = (2.5 1025)2 (0.023 * 0.4)3/2 exp- 0.36/0.0253 = 3.641041 m-6 ; ni = 6.04 1020 m-3
donc : ni = 6.04 1014 cm-3
2°) On dope l’InAs de telle façon que les porteurs négatifs soient dix mille fois plus
nombreux que les porteurs positifs et on envisage la température ambiante (pour
simplifier les calculs, on prendra ni(T0) = 2.0 1014 cm-3). Calculer la densité (cm-3) des
porteurs positifs et des porteurs négatifs.
Réponse : n p = ni2 donc p * p 104 = ni2 ce qui donne p = ni/100 et n = 104 p = 100 ni
A.N. p = 2.0 1012 cm-3 et n = 2.0 1016 cm-3

Exercice 9 : Une plaquette de silicium est dopée avec 1016 cm-3 d’atomes accepteurs.
Calculer la densité des électrons libres et celle des trous.

Réponse : p0  Na  1016 cm3

ni2 1020
n0    16  104 cm3
N a 10