Université Badji Mokhtar

Département de Physique
Master I : Physique des semi-conducteurs et composants
Propriétés physiques des semiconducteurs

Série 1

Exercice 1
A – Soit un cristal de silicium dopé avec du bore à raison de 10 16 atomes/cm3.
1 – En supposant qu’à 50 K, tous les atomes de silicium sont neutres, quelle est la
concentration des atomes ionisés et celle des atomes neutres de bore, si la
concentration des porteurs majoritaires vaut 1015 trous/cm3 ?
2 – Déduire la concentration des porteurs minoritaires.
B – On porte la température du cristal de 50 à 300 K de sorte que tous les atomes additifs
trivalents deviennent ionisés.
1 – Calculer la concentration :
a. intrinsèque ;
b. des trous libres ;
c. des électrons libres.
2 – Déterminer la position du niveau de Fermi par rapport au niveau intrinsèque.
3 – Trouver la température pour laquelle la concentration intrinsèque devient égale à la
concentration des atomes accepteurs. Pour faciliter les calculs, on néglige la
variation des concentrations effectives Nc et Nv avec la température.
On donne : Eg=1.12 eV, mo=9.11 10-31 kg, m *e 1.05 m o , m *t 0.61 m o ,
K=1.38 10-23 JK-1=8.62 10-5 eVK-1, h=6.62 10-34 Js

Exercice 2
On considère un cristal de germanium à 300 K, qu’on dopera avec une concentration d’atomes
de phosphore Nd=5 1016 atomes/cm3.
1 – Calculer la concentration des électrons libres et celle des trous libres.
2 – Déterminer la position du niveau de Fermi par rapport à Ec (bas de la bande de
conduction) ?
3 – Pour quelle concentration d’atomes donneurs, EF se confond avec Ec ?
4 – A quelle température, le nombre d’électrons de conduction provenant de la rupture des
liaisons de valence est il égal au nombre d’électrons provenant de l’ionisation des
atomes additifs pentavalents? Pour faciliter les calculs, on néglige la variation des
concentrations effectives Nc et Nv avec la température.
On donne : Eg=0.66 eV, m *e 0.55 m o , m *t 0.36 m o
 1/4

Solution Série 1

Exercice 1
A) Cristal de silicium à 50 K

1) a) Concentration des atomes ionisés de bore :

Etant donné qu’à 50 K, d’une part, tous les atomes de silicium sont neutres, et d’autre part, la
concentration des porteurs majoritaires vaut : 1015 trous/cm3, donc, ces porteurs majoritaires (trous)
sont tous issus des atomes additifs de bore. Par suite, la concentration des atomes ionisés de bore
est :
-
Na = pP = 1015 atomes ionisés/cm3.

b) Concentration des atomes neutres de bore :

-
Na° = Na - Na = 1016 – 1015 = 9 1015 atomes neutres/cm3.

2) Concentration des porteurs minoritaires :

Les porteurs minoritaires proviennent des atomes du réseau de base (silicium), et comme dans notre
cas, à 50 K, tous les atomes de silicium sont neutres, donc la concentration des porteurs minoritaires
est nulle, soit : nP = 0 électrons libres/cm3.

B) On porte le cristal de silicium de 50 à 300 K :

1) a) Concentration intrinsèque :
Eg
L’expression donnant la concentration intrinsèque s’écrit : n I N c N v exp
2KT
Avec, Nc et Nv, les concentrations effectives des places disponibles, respectivement dans les bandes
de conduction et de valence, et qui sont destinées à être occupées soit par des électrons libres pour
Nc, soit par des trous libres pour Nv:
3
3
* 2 23 31 2
2 KTm 2 x 3.14 x1.38x10 x300 x1.05x 9.11x10
Nc 2. e
2 2.7 x10 25 m 3
2.7 x1019 cm 3

h2 6.62 x10 34 2

3
3
* 2 23 31 2
2 KTm 2x3.14x1.38x10 x300x 0.61x9.11x10
Nv 2. t
2 1.19x10 25 m 3
1.19x1019 cm 3

h2 6.62x10 34 2

Par suite, la concentration intrinsèque est :

Eg 1.12
nI N c N v exp 2.7 x1019 x1.19x1019 exp 7.05x10 9 porteurs / cm 3
2KT 2x8.62x10 5 x300

nI = 7.05 109 porteurs/cm3

 2/4

b) Concentration des trous libres :

A T=300 K, tous les atomes additifs de bore deviennent ionisés, par suite, la concentration des trous
libres (porteurs majoritaires) est égale à la concentration des atomes de bore, soit :
-
pP = Na =Na=1016 trous libres/cm3

c) Concentration des électrons libres :

A partir de l’expression : n P .p P n 2I

On déduit :
2
n 2I 7.05x10 9
nP
pP 1016

nP = 4.97 103 électrons libres/cm3

2) Position du niveau de Fermi par rapport à n I :

L’expression donnant la concentration des électrons libres s’écrit :

E F Ec
np N c exp
KT

A partir de cette expression, on tire :

nP 4.97 x10 3
EF EC KT ln 8.62x10 5 x300.x ln 0.937
Nc 2.7 x1019
En ajoutant et en retranchant EI du premier membre, on obtient :
EF - EC - EI + EI = - 0.937

EF - EI = EC - EI - 0.937 = (Eg/2) - 0.937 = (1.12/2) - 0.937 = - 0.377 eV

EI –EF = 0.377 eV

3) Température pour laquelle nI devient égale à Na :

Lorsque nI devient égale à Na, on peut avoir l’égalité :

Eg Eg Nc Nv
nI N c N v exp Na exp
2KT 2KT Na
Eg Nc Nv
ln
2KT Na
 3/4

Eg 1.12
T 867.2K
Nc Nv 19
2.7 x10 x1.19x10 19
2K ln 2x8.62x10 5 ln
Na 1016

T = 867.2 K

Exercice 2
1) a) Concentration des électrons libres :

Le cristal de germanium est dopé avec une concentration Nd= 5 1016d’atomes de phosphore/cm3.
Or, le phosphore est un élément additif pentavalent, donc donneur d’électrons. Par suite, les
électrons libres représentent les porteurs majoritaires. D’autre part, à 300 K, tous les atomes additifs
peuvent être ionisés, on peut donc en déduire que la concentration des électrons libres est:

nN = Nd+ = Nd = 5 1016 électrons libres/cm3.

b) Concentration des trous libres :

A partir de l’expression : n N .p N n 2I

On tire :
n 2I
pN
nN
La concentration intrinsèque s’écrit :
Eg
nI N c N v exp
2KT

Avec,
3
3
* 2 23 31 2
2 KTm 2 x3.14 x1.38x10 x 300x 0.55x9.11x10
Nc 2. e
2 1.02x10 25 m 3
1.02x1019 cm 3

h2 6.62x10 34 2

3
3
* 2 23 31 2
2 KTm 2x3.14x1.38x10 x300x 0.36x 9.11x10
Nv 2. t
2 5.43x10 24 m 3
5.43x1018 cm 3

h2 6.62x10 34 2

Par suite :
Eg 0.66
nI N c N v exp 1.02x1019 x5.43x1018 exp 2.13x1013 porteurs / cm 3
2KT 2x8.62x10 5 x300
 4/4

2
n 2I 2.13x1013
pN
nN 5x1016

pN = 9.07 109 trous libres/cm3

2) Position du niveau de Fermi par rapport à EC :

La concentration des électrons libres est donnée par :

E Ec
n N N c exp F
KT
A partir de cette expression, on tire :
n 5x1016
E F E C KT ln N 8.62x10 5 x300x ln 0.137eV
Nc 1.02x1019

EC – EF = 0.137 eV

3) Concentration Nd pour laquelle EF se confond avec EC :

La concentration des électrons libres est donnée par :

E Ec
n N N c exp F Nd
KT
Lorsque EF se confond avec EC, EF-EC devient égal à zéro, soit :
0
N d N c exp N c 1.02x1019 atomes / cm 3
KT
Nd = 1.02 1019 atomes/cm3

4) Température pour laquelle le nombre d’électrons de conduction provenant de BVest égal

au nombre d’électrons provenant de Ed :

Si le nombre d’électrons de conduction provenant de la bande de valence est égal au nombre

d’électrons provenant du niveau d’énergie Ed, soit nI = Nd
Eg
nI N c N v exp Nd
2KT
Eg Nc Nv Eg Nc Nv
ln exp
2KT Nd 2KT Nd

Eg 0.66
T 765.2K
Nc Nv 5 1.02x1019 x5.43x1018
2K ln 2x8.62x10 ln
Nd 5x1016

T = 765.2 K