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Université IBN TOFAIL Année Universitaire 2016_ 2017

Faculté des Sciences TD de physique des composants


Département de Physique Master
Kénitra

Série 1:
Exercice 1:
1. On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités équivalentes d’états énergétiques dans
la bande de conduction et dans la bande de valence sont notées respectivement Nc et Nv .
(a) Rappelez les expressions de la densité d’électron n dans la bande de conduction et la densité de
trous p dans la bande de valence.
(b) Démontrer les relations suivantes :
des Energies Renouvelables et Environment (LR2E)

EF − EF i EF i − EF
n = ni exp( ) ; p = ni exp( )
KT KT
(c) Le semiconducteur considéré est du silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg = 1, 1eV
et pour lequel Nc = 2, 7.1019 cm−3 et Nv = 1, 1.1019 cm−3 . En déduire l’expression de la densité
intrinsèque ni et la position du niveau de Fermi intrinsèque EF i
(d) Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27o C, 127o C et 227o C. On
rappel qu’à 300K , KT = 0.026eV , on prendra comme référence énergétique, le haut de la
bande de valence Ev = 0eV .
2. Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 1018 cm−3 .
(a) Calculez à 27o C, la densité d’électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité des trous. Quel est
le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?
(b) Calculez à 27o C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du dia-
gramme de bandes du silicium ainsi dopé.
(c) Si la substance devait être converti en type p, quel niveau de dopage serait nécessaire pour dé-
placer le niveau de Fermi de 0.2eV en dessous du niveau d’énergie intrinsèque?

Exercice 2:
1. En considérant une erreur maximale admissible en négligeant les porteurs minoritaires de 1%,déterminer
à partir de quel dopage on peut considérer que, dans le calcul de la résistivité, seul les porteurs majori-
Laboratoire

taires interviennent. Application numérique au cas du Germanium, Silicium et Arséniure de gallium.


2. Calculer la résistivité maximale de ces trois matériaux. Comparer cette valeur avec la résistivité intrin-
sèque.
Germanium ni = 2, 5.1013 cm−3 µn = 4500 cm2 /V s µp = 2000 cm2 /V s
On donne: Silicium ni = 1, 5.1010 cm−3 µn = 1500 cm2 /V s µp = 600 cm2 /V s
c

Arsniuredegallium ni = 107 cm−3 µn = 7500 cm2 /V s µp = 300 cm2 /V s

Exercice 3:
1. On dope un barreau de silicium avec du phosphore. Donner le type et la valeur du dopage pour
obtenir un matériau de résistivité ρ = 0.6 Ω.cm. Quelle est la masse de phosphore nécessaire pour
doper un lingot de 40 cm de long et de 15 cm de diamètre. Sachant que l’on peut garantir la pesée du
phosphore au 0.01ème de milligramme, quelle est l’erreur maximale commise sur le dopage?
2. A partir du semi-conducteur précédent, on souhaite obtenir un matériau de type opposé. Quel dopant
va-t-on utiliser et quelle est la concentration et le poids nécessaire permettant d’obtenir un matériau
de résistivité égale à 2 Ω.cm.
NAvogadro = 6.022.1023 mol−1 atomic
MSi = 28.1 g/mole MPatomic = 31 g/mole
On donne:
pour le Silicium µn = 1500 cm2 /V s µp = 600 cm2 /V s