Cours D'électronique Ch2 Diodes Et Applications

NABLI LOTFI Cours Electronique
Sommaire
Chapitre 1 : Les semi-conducteurs [Dopage, Jonction PN]
Chapitre 2 : Composants électroniques et mise en œuvre [Jonction PN, Zener,
Transistors bipolaire, Transistors à effet du champs (FET, MOS)]
Chapitre 3 : Amplificateur de puissance [Différentes classes]
Chapitre 4 : Amplificateur opérationnel [Différentiel, réel, en régime linéaire, en
régime non linéaire]
Chapitre 5 : Les multivibrateurs [Astables et monostables réalisés avec des AOP]
Chapitre 6 : Les filtres actifs (Rauch et Sallen et Key)
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CH2. La jonction P-N

Une diode à jonction est la juxtaposition de deux semi-conducteurs,
l’un de type P et l’autre de type N:
Nous allons étudier le comportement électrique de la diode: que se passe t-il

lorsqu’on applique une tension aux bornes de la diode ?
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CH2.1. barrière de potentiel

Définition: La barrière de potentiel dans la diode à jonction PN est
la barrière dans laquelle la charge nécessite une force
supplémentaire pour traverser la région. En d'autres termes,
la barrière dans laquelle le porteur de charge s'arrête par la force
obstructive est appelée barrière potentielle.
Etablissement : Lorsque les matériaux semi-conducteurs de type P
et N sont placés ensemble, le gradient de porteurs de charge de
très grande densité est créé à la fois sur la région des côtés P et N.
Les électrons libres du côté N traversent la région et commencent à
se combiner aux trous, laissant derrière eux les ions donneurs
positifs immobiles. De même, les trous de la région P se combinent
avec les électrons de la région N et laissent derrière eux les ions
accepteurs négatifs.
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Le processus se poursuit jusqu'à la région P et Navoir assez de porteur de

charge pour s'opposer aux électrons et aux trous respectivement. Les ions
immobiles (ions accepteurs négatifs et ions donneurs positifs) se concentrent
entre les régions N et P et créent le champ électrique qui sert de barrière entre
les flux de charges. La région est créée à cause des ions appauvris, et par
conséquent s'appelle la région d'épuisement.
La région d'épuisement agit comme une barrière et s'oppose au flux de
porteurs de charge. La valeur du potentiel de barrière est comprise entre 0,3 et
0,7 V, en fonction du type de matériau utilisé.
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Caractéristique statique d’une diode

Relevé expérimental
On observe l’évolution du courant traversant la diode en fonction de la tension à ses
bornes à l’aide du montage expérimental suivant:
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En polarisation directe:
La tension varie de 0 à +Emax. Les mesures nous donnent:
Première constatation: la caractéristique est non linéaire
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La jonction P-N: diode à jonction
En polarisation inverse:
La tension E varie de -Emax à 0. Les mesures nous donnent:
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Interprétation de la caractéristique
La caractéristique nous indique que la diode est un dipôle non linéaire. On ne pourra
donc pas utiliser le théorème de superposition !
 En polarisation directe:
La croissance du courant en fonction de la tension est d’abord exponentielle,
puis elle tend à devenir linéaire : en prolongeant la partie rectiligne AB, cette
droite coupe l’axe des tensions en un point d’abscisse Vo
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On constate la présence d’un seuil réel de tension Vs au dessous de laquelle le

courant ID reste nul. Pour la diode 1N914, on a Vs = 0,5V.
On préfère utiliser le seuil pratique de tension qui est l’abscisse Vo définie
précédemment. Cette valeur est plus importante que Vs : elle va nous permettre de
linéariser la caractéristique.
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 En polarisation inverse:
Le courant croît très lentement avec la tension inverse. Cet effet est dû à un
mauvais isolement de la jonction donnant naissance à des courants de fuite. Le
courant inverse est très faible (de l’ordre du nano ampère) et on pourra le négliger
(Id = 0).
Claquage d’une jonction (polarisation en inverse): Le courant inverse

augmente très fortement au delà d’une certaine tension inverse, appelée tension
de claquage (elle varie entre 10 et 1000 Volts suivant le type de diode).
L’emballement thermique qu’entraîne la tension de claquage détruit la diode dans
la plupart des cas.
C’est par le dopage qu’on règle les seuils de claquage (seuil détenue en tension
inverse). Plus il y a d’impuretés, plus faible est le seuil de claquage.
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Equation de la caractéristique Id=f(Vd)
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Principales types des diodes
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Principales types des diodes
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CH2.2. Diode Zener

Lorsque la diode est polarisée en inverse, le
courant inverse qui la traverse est quasiment nul.
On ne peut cependant pas augmenter indéfiniment
la tension inverse aux bornes d’une diode.
Lorsque cette tension atteint une certaine valeur,
le champ électrique qui règne dans la jonction
devient suffisamment élevé pour ioniser les atomes
en leur arrachant les électrons de valence qui
deviennent libres et génèrent un courant inverse
très important. On dit qu’il y a un effet d’avalanche
ou qu’il y a claquage de la diode.
La tension aux bornes de la diode reste constante quel que soit le courant inverse
qui circule dans la diode. Cette tension dite tension de claquage VB (Breakdown
voltage) reste importante pour les diodes à usage général (quelques 100ène de
Volts), sa valeur est précisée par les constructeurs pour chaque type de diode.
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Diode Zener
La diode Zener est une diode pour laquelle on a utilisé des semi-
conducteurs N et P très fortement dopés ce qui a comme effet de réduire la
tension de claquage VB qui sera appelée tension Zener VZ.
 Durant la fabrication, on sait contrôler avec précision la valeur de VZ.
 Les diodes Zener sont fabriquées pour être utilisés en inverse dans la
zone d’avalanche.
Dans ce cas, la tension à ses bornes reste égale à VZ quelque soit le

courant Iz qui la traverse. On l’appelle diode stabilisatrice de tension.
Evidemment, une Zener polarisée en directe fonctionne comme une
diode normale.
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Stabilisation par diode Zener
On va essayer de stabiliser la tension aux bornes de la charge RL à l’aide d’une

diode Zener (VZ=5V).
Pour les faibles valeurs de E, la Zener reste bloquée, la tension VL aux bornes de
RL sera calculée comme si la Zener était absente. Dès que VL dépasse VZ, la Zener
conduit et VL reste égale à VZ.
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Conclusion :
On remarque que tant que la Zener est bloquée, la tension VL aux bornes de la
charge n’est pas stabilisée. Tout se passe comme si la Zener n’était pas là.
Dès que la Zener conduit, la tension aux bornes de la charge est stabilisée à la
valeur VZ, le courant dans la charge RL reste égal à VZ/RL , et c’est le courant Iz
qui circule dans la Zener qui varie pour compenser les variations de I.
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29
Merci pour votre attention
Génie TextilE1 20
Applications de la diode
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Modélisation de la diode en régime statique
L’équation de la caractéristique statique de la diode n’est pas très simple ni très pratique.
On va donc chercher à modéliser la diode. Le modèle doit être un compromis entre la
simplicité et la fidélité.
 Simple : on ne retient que les caractéristiques, grandeurs
importantes pour le montage étudié.
 Fidèle : le modèle utilisé doit fournir des résultats
valables, réalistes.
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Diode avec seuil et résistance

En directe, la caractéristique est une exponentielle au départ, puis elle tend à
devenir linéaire. On peut donc assimiler la caractéristique à une droite à partir
de Vd = Vo.
On rappelle que Vo est l’abscisse obtenue en prolongeant la
partie rectiligne AB de la courbe réelle.
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Modélisation de la diode en régime
statique
Diode avec seuil et résistance
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Diode avec seuil

 On néglige la résistance interne de la diode et on ne tient compte que de sa
tension de seuil.
 La diode est alors équivalente à une source de tension continue idéale

Vo (en directe) : VD = Vo quel que soit la valeur du courant ID.
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Diode idéale
On néglige la tension de seuil et la résistance interne de la diode. Ce modèle

est utile pour des pré-calculs, surtout si les diodes sont dans des circuits où
les tensions sont élevées (Vo est alors négligeable devant les autres
tensions du circuit).
La diode est assimilée à un court-circuit en polarisation directe
et à un circuit ouvert en polarisation inverse.
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Applications: Utilisation des diodes

Redressement (principe utilisé dans les alimentations
continues)
Nous allons étudier le principe de fonctionnement du redressement simple

alternance. Le montage est le suivant:
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Détermination de l’état électrique de la diode
On suppose que la diode est idéale. On utilise donc la caractéristique

idéale qui nous donne:
L’équation propre au circuit est: ve(t) = Vd + R.Id = Vd + Vs
La diode est bloquée pour l’alternance négative de ve(t)

et on a alors Vs = 0.
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Détermination de l’état électrique de la diode
La diode est passante pour l’alternance positive de ve(t) et on a

alors Vs = ve(t).
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Diode réelle
 La diode sera passante dès que Vd ≥ Vo (Vo = 0,7V) et on a alors
Vs = ve(t) - Vo.
La plupart du temps nous avons Ve >> Vo et on peut donc négliger la

chute de tension due à la tension de seuil de la diode. L’approximation de
la diode idéale est donc valable et largement suffisante pour cette
application.
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Calcul de la valeur moyenne
On constate que la tension redressée est toujours positive mais elle est
encore loin d’être continue. Calculons sa composante continue qui n’est
rient d’autre que sa valeur moyenne :
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Redressement double alternance
 Avec 2 diodes
Pour procéder au redressement des deux alternances, il faut utiliser un
transformateur ayant deux enroulements secondaires identiques reliés en série et qui
délivre deux tensions opposées : e1 = V.sin(wt) et e2 = – e1. Le point commun aux
deux enroulements sert de référence de potentiel.
Si e1 > 0 alors e2 < 0 : la diode D1 conduit et la diode D2 est bloquée.

Lors de la demi-alternance suivante, la situation est inversée. Le courant dans la
charge Ru est unidirectionnel.
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 Avec 4 diodes
La méthode précédente ne nécessite que deux diodes mais impose l’utilisation
d’un transformateur spécial à point milieu. L’utilisation de 4 diodes permet l’emploi
d’un transformateur conventionnel.
Ce montage constitue le pont de Graëtz. Il est commercialisé sous la forme
d’un dispositif compact muni de 4 bornes. Pendant chaque alternance 2 diodes
sont conductrices
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 Avec 4 diodes
Le redressement double alternance est

obtenu à l’aide d’un pont redresseur à 4
diodes
Pendant l’alternance positive de Ve , les

diodes D1 et D2 sont conductrice et
alimentent la charge (VL = Ve), diodes D3
et D4 sont bloquée
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 Avec 4 diodes : Pendant l’alternance négative de Ve, le diodes D3 et D4 sont
conductrice et alimentent la charge, (VL = -Ve) les diodes D1 et D2 sont bloquée
La composante continue de la tension VL est doublée par rapport au redressement

de simple alternance :
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Filtrage de la tension redressée
La tension redressée est fortement ondulée. Pour réduire cette ondulation, on
procède à un filtrage de la tension redressée à l’aide d’une capacité placée en
parallèle sur la charge R. Le circuit étudié est donc:
L’allure de la tension VL pour C=2200 μF et

R=100 Ω
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L’allure de la tension VL pour différentes valeurs de C
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La diode conduit pendant l’intervalle [a, b], la tension VC = VL suit alors la
valeur de Ve. A l’instant b, Ve diminue rapidement, la capacité ne peut pas se
décharger dans le transformateur à cause de la diode, elle va donc se
décharger (alimenter) dans la charge RL avec la constante de temps τ=RL C.
Si la valeur de C est importante, cette décharge est lente et Ve devient très
vite inférieure à VL ce qui provoque le blocage de la diode. On constate donc
que pendant la quasi totalité du temps, la charge RL est alimentée par le
condensateur qui est rechargé à chaque période pendant l’intervalle de temps
[a,b].
La tension VL aux bornes de la charge n’est pas tout à fait continue, mais
comporte une ondulation d’amplitude ΔV qui est d’autant plus faible que la valeur
de C est élevée
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Exemple redressement simple alternance et filtrage
 Le circuit étudié est
 A t=0 (mise sous tension), la capacité est déchargée. On a donc vs(t) = vc(t) = 0.
D’où ve(t) = vD(t) > 0: la diode est donc passante.
La diode est passante : vd = 0 et id >0 d’où ve(t) = vs(t) > 0

Ainsi, la capacité C se charge.
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Au delà de Te/4, la tension ve(t) commence à décroître (il y a changement de

pente). Elle décroît plus rapidement que ne peut le faire la tension aux bornes de la
capacité. On dit que la capacité freine l’évolution de vs(t). On a donc ve(t) < vs(t) ce
qui bloque la diode (vd < 0).
Ainsi, à partir de t=T/4 la diode est bloquée d’où iD = 0

d’où le réseau RC est isolé et iR(t) =Vs(t)/R= -ic(t) = -C dvs(t)/dt
La capacité se décharge à travers R. Sa tension vs(t) va diminuer jusqu‘à l’instant
où la tension ve(t) redevient plus grande que vs(t).
Remarque: t = R*C >> T, ainsi la capacité n’a pas le temps de se
décharger complètement sur une période T (vs(t) ne s’annule
pas).
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Au delà de Te/4, la tension ve(t) commence à décroître (il y a changement de

pente). Elle décroît plus rapidement que ne peut le faire la tension aux bornes de la
capacité. On dit que la capacité freine l’évolution de vs(t). On a donc ve(t) < vs(t) ce
qui bloque la diode (vd < 0).
Ainsi, à partir de t=T/4 la diode est bloquée d’où iD = 0

d’où le réseau RC est isolé et iR(t) =Vs(t)/R= -ic(t) = -C dvs(t)/dt
La capacité se décharge à travers R. Sa tension vs(t) va diminuer jusqu‘à l’instant
où la tension ve(t) redevient plus grande que vs(t).
Remarque: t = R*C >> T, ainsi la capacité n’a pas le temps de se
décharger complètement sur une période T (vs(t) ne s’annule
pas).
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 En t = t2, on a ve(t) = vs(t) = Vsmin

Ainsi, à partir de t=t2 la diode conduit puisque vd = 0. La capacité se charge de
nouveau jusqu’en t3 instant où la tension ve(t) commence à décroître.
En régime permanent, la tension vs(t) varie entre Vsmax et Vsmin.

On note Δvs = (Vsmax-Vsmin)/2 l’ondulation de vs(t)
et
Δvs/<vs> est le taux d’ondulation.
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Redresseurs double alternance avec filtrage par un condensateur
Dans le cas du redressement double

alternance, l’amplitude de l’ondulation est
divisée par 2, en effet, La décharge se
fait pendant une demi-période de Ve
Génie TextilE1 43
52
Merci pour votre attention
Génie TextilE1 44

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CH2. La jonction P-N

Nous allons étudier le comportement électrique de la diode: que se passe t-il

CH2.1. barrière de potentiel

Le processus se poursuit jusqu'à la région P et Navoir assez de porteur de

Caractéristique statique d’une diode

Première constatation: la caractéristique est non linéaire

La tension E varie de -Emax à 0. Les mesures nous donnent:

On constate la présence d’un seuil réel de tension Vs au dessous de laquelle le

Claquage d’une jonction (polarisation en inverse): Le courant inverse

Equation de la caractéristique Id=f(Vd)

CH2.2. Diode Zener

 Durant la fabrication, on sait contrôler avec précision la valeur de VZ.

Dans ce cas, la tension à ses bornes reste égale à VZ quelque soit le

Stabilisation par diode Zener

On va essayer de stabiliser la tension aux bornes de la charge RL à l’aide d’une

Stabilisation par diode Zener

Stabilisation par diode Zener

Stabilisation par diode Zener

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Modélisation de la diode en régime statique

 Simple : on ne retient que les caractéristiques, grandeurs

importantes pour le montage étudié.

 Fidèle : le modèle utilisé doit fournir des résultats

Modélisation de la diode en régime statique

Diode avec seuil et résistance

Diode avec seuil et résistance

Modélisation de la diode en régime statique

Diode avec seuil

 La diode est alors équivalente à une source de tension continue idéale

Modélisation de la diode en régime statique

On néglige la tension de seuil et la résistance interne de la diode. Ce modèle

Applications: Utilisation des diodes

Nous allons étudier le principe de fonctionnement du redressement simple

Applications: Utilisation des diodes

On suppose que la diode est idéale. On utilise donc la caractéristique

L’équation propre au circuit est: ve(t) = Vd + R.Id = Vd + Vs

La diode est bloquée pour l’alternance négative de ve(t)

Applications: Utilisation des diodes

La diode est passante pour l’alternance positive de ve(t) et on a

Applications: Utilisation des diodes

 La diode sera passante dès que Vd ≥ Vo (Vo = 0,7V) et on a alors

La plupart du temps nous avons Ve >> Vo et on peut donc négliger la

Applications: Utilisation des diodes

Applications: Utilisation des diodes

Si e1 > 0 alors e2 < 0 : la diode D1 conduit et la diode D2 est bloquée.

Applications: Utilisation des diodes

Applications: Utilisation des diodes

Le redressement double alternance est

Pendant l’alternance positive de Ve , les

Applications: Utilisation des diodes

La composante continue de la tension VL est doublée par rapport au redressement

Applications: Utilisation des diodes

L’allure de la tension VL pour C=2200 μF et

Applications: Utilisation des diodes

L’allure de la tension VL pour différentes valeurs de C

Applications: Utilisation des diodes

Applications: Utilisation des diodes

Exemple redressement simple alternance et filtrage

 Le circuit étudié est

La diode est passante : vd = 0 et id >0 d’où ve(t) = vs(t) > 0

Applications: Utilisation des diodes

Exemple redressement simple alternance et filtrage