Chapitre 2-20

Chapitre II :
- STRUCTURE DE LA MATIERE
- DIODES A JONCTION
- STRUCTURE DE LA MATIERE
Solide : Ensemble régulier d’atomes
1. Atome simple
- électrons des couches internes

fortement liés au noyau
- électrons des couches externes
assurent les liaisons avec
les atomes voisins
-A chaque couche correspond
une énergie 1
faire passer un électron
d’une couche à une autre
Il faut fournir une énergie
2
La molécule
Exemple : Cas de la molécule H2
Deux atomes A et B
Atome A A Atome B B
LCAO 1
1 a  ( A  B )
s  (A  B ) 2
2
liant antiliant
3
2 états atomique 1s
(Les deux électrons occupent l’état liant qui

est l’état de plus basse énergie)
4
Le cristal
assemblage régulier d’atomes
Les atomes mettent en commun des

électrons de leur couche périphérique
pour constituer des liaisons covalentes
L’énergie interne du cristal est donc

structurée sous forme de bandes d’énergies.
5
Chaque électron possède un niveau
d’énergie déterminé :
- La bande de conduction (BC)

(électron se libère de l’atome)
- La bande de valence (BV)

(l’électron est attaché à l’atome)
Des bandes interdites (BI) pour les électrons

séparent tous ces niveaux.
6
le gap est faible, plus le matériau est conducteur
selon de la valeur de l’énergie de la bande interdite

(gap), on peut classer les solides en 3 catégories :
isolants : le gap est grand (de l'ordre de 5 eV)
Conducteurs : les bandes de conduction et de

valence se chevauchent
semi-conducteurs : le gap de l'ordre de 1 à 2 eV.
Sous l’effet de l’agitation thermique des

électrons de la bande de valence peuvent
acquérir une énergie suffisants pour passer
dans la bande de conduction.
Exemples de semi-conducteurs :
carbone, silicium, germanium. 7
Notion de « trou » : génération et recombinaison
Un électron quitte la bande de valence

pour atteindre la bande de conduction
laisse un atome chargé positivement

Cet atome dispose donc d’une place
inoccupée appelée « trou »
Ce trou peut attirer un électron

de valence d'une liaison proche
Le mouvement des charges négatives

s’accompagne donc nécessairement d’un
mouvement des trous dans le sens inverse.
8
SEMICONDUCTEUR INTRINSEQUE
Électrons et trous ne proviennent que

de l’excitation thermique
n  p  ni
18
10
17
10
16
10
15
10
14
10
Ge
13
ni
10
12
10
11
10
10
10 Si
9
10
8
10
7
10
10
6
GaAs
5
10
4
10
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
1000/T
2000K 300K 250K
3  EG / k B T
ni  AT e
La densité de porteurs intrinsèques très faible à T 9

ambiante : Contrôle de la conductivité par dopage
Semi-conducteur dopé
Le dopage d’un semi-conducteur va augmenter

considérablement le nombre de porteurs (électrons ou trous) :
le dopage accroît la conductibilité du cristal.
dopage de type N : 2 types de charges

- électrons libres
- ions positifs fixes (les atomes dopants qui perdent
un électron).
dopage de type P : 2 types de charges

-Trous libres
-ions négatifs fixes (les atomes dopants qui gagnent
un électron).
10
Les mécanismes de la conduction
Conduction par électrons
j n  nqv n
Conduction par trous
j p  pqv p
11
Assemblage de semi-conducteurs : jonction PN
Jonction non polarisée
Diffusions
une zone dépourvue de porteurs mobiles :

zone de charge d’espace. 12
les ions fixes créent un champ électrique
dirigé de la région N vers la région P
barrière de potentiel
k B T NaNd
VD  log 2
q ni
La jonction est le siège de deux courants

égaux et opposés 13
Jonction polarisée
Polarisation directe
qV
I  Is (e  1)
kB T
Polarisation inverse
I  Is
La jonction est bloquée et le courant inverse est faible
La jonction oppose une faible résistance

dans un sens et une résistance très élevée
dans le sens opposé
14
Diode – Caractéristiques
Représentation symbolique
P N
Mode de fonctionnement
Diode bloquée Diode passante
- Exemples
-4V -2V -1V -3V
Diode bloquée Diode passante

15
Diode – Caractéristiques
Relevé de la caractéristique directe : Diode polarisée

en direct
Résistance directe de la diode :

Vd
Rd 
Id
Rd est relativement faible dans la zone linéaire
16
Relevé de la caractéristique inverse
Vi
Résistance inverse : R i 
Ii
Ri est très élevée

17
Relevé de la caractéristique inverse
On continue à augmenter E, le courant n'est plus

constant : augmente très rapidement
La caractéristique inverse passe de la position

presque horizontale à la position verticale :
Effet ZENER
18
DIODE ZENER Phénomène d’avalanche
Tension inverse champ interne
Des électrons très énergétiques génèrent de nouveaux

électrons par processus d'ionisation par chocs
augmentation du courant inverse par effet d'avalanche
La diode peut ainsi laisser passer un courant

important en inverse
19
Modélisation de la diode
Modèle idéal
Modèle à seuil
Modèle linéarisé.
20
Modèle idéal - Exercice
VAK
R3 10 2
E th  E1  V R th  R 3 // R1  K
R1  R 3 3 3
D1 est polarisée en direct :
Eth 10 / 3
ID1    2mA 21
R th  R 2 5 / 3
Modèle à seuil
VD
R3 10 2
Eth  E1  V R th  R 3 // R 1  K
R1  R 3 3 3
D1 est polarisée en direct :
Eth  VD
ID1 
R th  R 2
22
Droite de charge statique :
point de fonctionnement d’une diode
ID
Résistance de protection
ID<Imax
Imax  fabricant
E  VD
ID   Imax
RC
E  VD
 RC 
Imax 23
Point de fonctionnement de la diode :

Intersection de la caractéristique de la diode
avec la droite de charge
Équation de la droite de charge

E  VAK
 E  VAK  R CI  0 I
Rc
24
qV
I  Is e kBT
Vd k B T 5
rd   k B  8.62  10 eV / K
Id I0
8.62  10 5  300 0.026
rd  
I0 I0 25
Modélisation de la diode Zener
IZ
VZ 0
VZ
VD
Iz min IZ
rZ IZT
Iz max
C6V2
Première approximation : Deuxième approximation
V
rZ 
I
26
QUELQUES APPLICATIONS DES DIODES
Objectifs :
 Le redressement du courant alternatif
 La détection des signaux haute fréquence

 La commutation
 Alimentation stabilisée
 Effet de seuil et écrêtage
27
• Schéma fonctionnel d’une
alimentation stabilisée
Réseau
Electrique
Tension alternative Tension redressée

adaptée
Transformateur
Redresseur
Abaisseur de tension
Régulateur
I1
u1 u2 Tension
régulée
N1 N2
N2 U2 I1
m   On appelle m le rapport de
N1 U1 I2 transformation
28
Signaux électriques (rappels)
Pour un signal x(t) périodique de période T :
 Valeur moyenne :
1
X moy  x   x( t )dt
TT
x( t )  X moy  x ca
Xca : composante alternative du signal x(t)
 valeur efficace
X eff   x 
2
1 2 1 2
X   x ( t )dt  X moy   x ca ( t )dt
2
eff
2
TT TT
X X x 
2
eff
2
moy
2
ca 29
Signaux électriques (rappels)
En régime alternatif non-sinusoïdal, un

signal de période T est décomposable selon
sa série de Fourier :

x( t )  a 0   a k cos(kt )  b k sin(kt )
k 1
1
a 0   x( t )dt
TT
2
a k   x( t ) cos(kt )dt
TT
2
b k   x( t ) sin(kt )dt
TT
30
Redressement mono alternance
e( t )  E m sin t
e( t )
i( t )
i( t )  Im sin t pour 0  t  


i( t )  0 pour   t  2
Im  Em /(Rc  rD ) rD est la résistance de la diode
31
i( t )  Im sin t pour 0  t  

 i( t )  0 pour   t  2
Performances du redresseur

i( t )  a 0   a k cos( kt )  b k sin( kt )
k 1
Calcul de a0
1 1 T/2 2
a 0   i( t )dt  0 Im sin( t )dt
TT T T
T/2
Im T  2 
a0   cos( t )
T 2  T  0
Im
a0 
 32
Calcul des termes an
2
a n   i( t ) cos(nt )dt
TT
2 T/2
a n  0 Im sin( t ) cos(nt )dt
T
2 Im T / 2
an  0 sin( t  nt )  sin( t  nt )dt
T2
Im   cos(1  n)t   cos(1  n)t 

T/2
an    
T (1  n) (1  n) 0
Im   cos(1  n)  1  cos(1  n)  1 

an     
2  (1  n) (1  n) (1  n) (1  n) 
33
Calcul des termes an
Im   cos(1  n)  1  cos(1  n)  1 

an     
2  (1  n) (1  n) (1  n) (1  n) 
 Pour n impair an  0
 Pour n pair
Im  1 1 1 1 
an    
2  (1  n) (1  n) (1  n) (1  n) 
Im  2 2 
an  
2  (1  n) (1  n) 
2Im  1 
an   (1  n2 ) 
  
34
Calcul des termes bn
2
b n   i( t ) sin(nt )dt
TT
2 T/2
b n  0 Im sin( t ) sin(nt )dt
T
2 Im T / 2
bn  0 cos(t  nt )  cos(t  nt )dt
T2
T/2
Im  sin(1  n)t sin(1  n)t 
bn   
T  (1  n) (1  n)  0
Im sin(1  n) sin(1  n)
bn  
T (1  n) (1  n)  0 n
Im sin(1  n)
bn 
2 (1  n)
La seule valeur non nulle est obtenue pour n=1
Im  sin x 
b1   x  0  1
2  x  35
e( t )
T
e( t )  E m sin t
i( t )
 i( t )  Im sin t pour 0  t  T / 2

i( t )  0 pour T / 2  t  T

i( t )  a 0   a k cos( kt )  b k sin( kt )
k 1
Im 2Im  1 
a0  a n2 k1  0 a n 2 k   (1  n2 ) 
   
Im
b1  b n1  0
2
Im Im 2Im 2Im
i( t )   sin t  cos 2t  cos 4t 
 2 3 15 36
I m Im 2Im 2Im
i( t )   sin t  cos 2t  cos 4t 
 2 3 15
Taux d’harmoniques du courant fourni par le redresseur

ICa
facteur d’ondulation f0 f0 
ICC
X 2eff  X moy
2
  x 2ca 
ICa I I 2 2
f0    I2eff / I2cc  1
eff cc
ICC ICC
2 2
I  I
I2eff    
m m

2
sin ( t ) d( t )
2 0 4
f0  I2eff / I2cc  1  2 / 4  1  1.21

37
puissance Pcc débité dans la charge


puissance totale P débité dans le circuit
Rc I cc2 Rc /  2 4 4
   2  2  0.4
( Rc  rD ) I eff ( Rc  rD ) / 4  (1  rD / Rc ) 
2
Le redressement à une alternance est peu

utilisé parce que le rendement est mauvais
38
Condition de fonctionnement de la diode

e( t ) e( t )  E m sin t
i( t )
Em
Courant de crête Im 
(R c  rD )
Em
Courant continu à travers la charge ICC 
(R c  rD )
Tension inverse maximale Vi=Em

39
Redressement double alternances
But : Améliorer la forme du courant

obtenu et en même temps le facteur
d’ondulation et le rendement
 Montage avec transformateur à point milieu
 Montage en pont à 4 diodes
40
Alternances positives de e(t) :

D1 : conductrice
D2 : bloquée
e( t )  VD
e( t )  VD  R Ci1 ( t ) i1 ( t ) 
Rc
e( t )
i( t )
41
Alternances négatives de e(t) :

D1 : bloquée
D2 : conductrice
e( t )  VD
e( t )  R Ci 2 ( t )  VD i 2 (t)  
Rc
e( t )
i( t )
42
2Im 4Im 4Im

i( t )   sin t  sin 4t 
 2 15
43
2Im 4Im 4Im

i( t )   sin t  sin 4t 
 2 15
• Performances du redresseur
2Im 2Em
ICC  
 (R c  rD )
f0  I2eff / I2cc  1 Ieff  Im / 2 f0  0.48
Pcc 2
R c I cc R c (2 / ) 2 8
   
P (R c  rD )I eff
2
(R c  rD ) / 2  2 (1  rD / R c )
8
  2  0.8
 44
 Montage en pont : pont de Graetz
Alternances positives de e(t) :

D1 et D3 : conductrices
D2 et D4 : bloquées
e( t )  2VD
e( t )  VD  R Ci  VD i
Rc
e( t )
i( t )
45
Alternances négatives de e(t) :

D1 et D3 : bloquées
D2 et D4 : conductrices
e( t )  2VD
e( t )   VD  R Ci  VD i
Rc
e( t )
i( t )
46
47
Rappel : Charge d’un condensateur
R
E C VC ( t )
dVc
E  RC  VC VC ( t )  e  t /   E   RC
dt
  VC (0)  E  VC ( t )  Vc (0)  E e  t /   E
Vc (0)  0
VC ( t )  E(1  e ) t/
E
1
2
3
4
t 48
1   2   3   4
Rappel : décharge d’un condensateur
R
C VC ( t )
à t  t0 Vc  VC ( t 0 )
dVc
0  RC  VC VC ( t )  e t/
dt
 t t 0 
 
  
  VC ( t 0 ) e t0 / 
VC (t )  Vc (t 0 ) e
Vc ( t 0 )
4
3
2
1
t
1   2   3   4 49
Principe du filtrage
VD
+
Vc C
-
e( t )  Em sin t
Vs  VRc
E
D OFF
D OFF
D ON
D ON
VRcD( t )ON : Le condensateur se charge

à t = T/4 Vc = Vcmax= Em=VRc
Pour t >T/4 : La tension aux bornes de
la diode est égale à :
VD=Ve-Vcmax = Emsint-Em<0
 D OFF
Le Condensateur se décharge à travers Rc 50
• Principe du filtrage :
Si  est suffisamment grande :  = RC >> T

1=t1 ≈ T/4 =/2
Tension de sortie pendant le temps de blocage
de la diode : Décharge du condensateur de
t=/2 à t=/2+2=5/2.
  t  t1  / 
Vs ( t )  VC ( t )  Vc ( t1 ) e
  t  t1  / 
 Em e
51
• Principe du filtrage :
  t  t1  / 
Vs ( t )  Eme
 t  t1   t  t 1 
Vs ( t )  Em  1    Em 1  
     
 t   / 2 
Vs ( t )  Em  1  
 RC 
 5 5 / 2   / 2 2 T
E  Vs ( )  Vs ( )  Em  Em  Em
2 2 R c C R c C 
E T
Vcc  Em   Em (1  ) 52
2 2
C
T
E  Em
2
E T
Vcc  Em   Em (1  )
2 4
Pour diminuer l’ondulation du signal de sortie, on

peut augmenter la capacité mais il reste une
ondulation résiduelle qui peut atténuée par des
circuits de stabilisation. 53
Stabilisation par diode Zener
La tension aux bornes de la diode reste quasi

constante tant qu’elle est traversée par un courant
D1 D4
D3 D2
C Vs
0 0
54
Design du régulateur de tension
 Choix de la résistance Rs :
IZmin  IZ  IZmax R c min  R c  R c max
VZ VZ
IC min  IC max 
R c max R c min
VC  VZ  R s (IC  IZ )
 IZ  ( VC  VZ ) / R s  IC
IZ max  ( VC max  VZ ) / R s  IC min

55

 Choix de la résistance Rs :
IZmin  IZ  IZmax R c min  R c  R c max
VC max  VZ
Rs 
IZ max  IC min
IZ min  ( VC min  VZ ) / R s  IC max
VC min  VZ
Rs 
IZ min  IC max
VC max  VZ VC min  VZ
 Rs 
IZ max  IC min IZ min  IC max
56
 Choix du condensateur C
V It I T / 2 I
IC V   
t C C 2fC
VC max  R sI  VZ 0  rZ 0I
( Vmax  VZ 0 )
VC 
2f (R s  rZ ) C
( Vmax  VZ 0 )
C
2f (R s  rZ ) VC
57
Vs
Tension de sortie
Deuxième approximation :
VZ  VS  VZ0  rzIZ
VZ  VZ0 VZ VC  VZ
IRs  Iz  IRc   IRs 
rz Rc Rs
VC varie de VCmin à VCmax (ondulation) 58
Vs
Tension de sortie
VZ  VZ0 VZ VC  VZ
IRs  Iz  IRc   IRs 
rz Rc Rs
IRs
VCmax
Rs
VCmin
Rs
VZ
IRc 
Rc
Vs VCmin VCmax VS  VZ

59
Comment résoudre un problème dans le cas
d’un circuit à diodes :
Utiliser le modèle électrique équivalent à la

diode qu’on vous propose :
60
Equations à respecter (Cas 2ème approximation)
ID
A K
VAK
Diode Bloquée A K
VAK
VAK  VD  VD 0 ; ID  0
Diode Passante
ID
A K
VD 0
VAK  VD 0 ; ID  0 61
Circuit à 1 seule maille et 1 diode :
R
Ve VAK
Diode Bloquée
ID  0
Ve VAK
VAK  VD 0 ID  0
VAK  Ve  VD 0 62
R
Ve Vs
Diode Bloquée : Ve  VD 0 Vs  Ve
Ve
D OFF
VD 0
t0 t
63
R
Ve VAK
Diode Passante
ID  0 R
Ve VD 0 Vs
Ve  VD 0
VAK  VD 0 ID  0 ID  0
R
Ve  VD 0 Vs  VD 0 64
R
Ve Vs
Diode Passante : Ve  VD 0 Vs  VD 0
Ve
VD 0 t0
t
D ON D OFF
65
Circuit à plusieurs mailles et 1 diode :
Ve
Ramener le circuit à une seule maille :
Utiliser le Théorème de thevenin

aux bornes de la diode
R th
E th
66
Exemple (diode idéale)
1kΩ R1
20 V V1
1kΩ V2 12 V
R2
R3
2kΩ
R2 R 1R 2
E th  V1  10V R th   500
R1  R 2 R1  R 2
R th
500Ω
10 V E th V2 12 V
R3
2kΩ
Eth  12 22
ID    8.8mA
R th  R 3 2500 67
Les circuits écrêteurs
Permettent d’écrêter une tension au
dessous ou en dessus d’une valeur
fixée.
- les écrêteurs négatifs

- les écrêteurs positifs
- les écrêteurs mixtes.
Caractéristique de transfert d’un circuit :
Sortie = f(entrée)
Le temps n’apparait pas
68
R
vi vD v0
 Diode passante (On)

R iD
v D  VD 0
iD  0 vi v D0 v0
v i  VD 0
iD  0
R
 v i  VD0 v 0  VD 0 69
R
vi vD v0
 Diode bloquée (OFF)
v D  VD 0 R
vi vD v0
iD  0
VD  v i  v i  VD0
v0  vi 70
R
vi vD v0
 Diode Bloquée (OFF)
v i  VD0 v0  vi
 Diode passante (ON)
v i  VD0 V0  VD0
v0
ON
VD 0
VD 0 vi
OFF 71
v0
R ON
vi vD v0 VD 0
VD 0 vi
OFF
Vi : Signal d’entrée triangulaire
vi
v D0
t
D ON
D Off
72
VD 0  0.7V R
vD
vi v0
5V
ID
VD  VD0 ID  0 VD 0
vi v0
Vi  VD 0  5
ID  0 5V
R
Vi  VD 0  5  5.7 V
V0  VD0  5  5.7V 73
VD 0  0.7V R
vD
vi v0
5V
 Diode bloquée (OFF)

R
VD  VD0 iD  0 vD
vi v0
VD  Vi  5  VD 0 5V
v i  VD 0  5  5.7V
v0  vi 74
R
vD
vi v0
5V
 Diode bloquée (Off)
Vi  5.7V V0  Vi
Vi  5.7V V0  5.7V
v0
ON
5,7 V
5.7 V vi
OFF 75
Circuits de restauration : Circuits
;
décaleurs de tension
Ils superposent une tension continue à un signal
quelconque
ID
vC
vi vD v0
VD0 VD
vi augmente à partir de zéro
La diode est bloquée si V

vi
VD0
VD  Vi  VD0
t0 t1 t
vi vC v0
V0 (0  t  t 0 )  Vi
76
;
V
vi
vC VD0
vi v0
t0 t1 t
La diode conduit si Vi  VD0
vC V0  VD0
Vi
Le condensateur se charge, à t=t1; il atteint

sa charge max :
v C ( t 1 )  V  VD 0

V0 ( t 0  t  t1 )  VD0
77
;
V
vi
vC VD0
vi v0
t0 t1 t
Pour t> t1, la tension d’entrée

diminue : D OFF
vi vC v0
V0 ( t )  VD ( t )  Vc  Vi

 V  VD0  Vi  VD0 78
décaleurs de; tension
v 0 ( t 0  t  t1 )  VD vC
vi v0
v 0 ( t  t1 )  v i  V   VD0
• Cas d’un signal sinusoïdal : v i ( t )  V sin t


v c ( t  t 1 )  V   VD0
V
VD 0
vi
t1  T / 4

v 0  v i  V  VD0
O
N OFF
<
79
;
v 0 ( t 0  t  t 1 )  VD
vi vC v0

v 0 ( t  t1 )  v i  V  VD0
• Cas d’un signal carré :
O
O
F OFFv C
vi N
F
Vc  V   VD0
VD 0
v0
 2V   VD 0 80
• On change le sens de la diode :
;
On suppose que
la diode est idéale
vC
vi v0
vC
vi v0
35V v0
vi
vC
- +
5V
vi v0 t1 t2
vC
-25V
O
O
F OFF
N
F 81
Multiplicateurs de tension
Doubleur de SCHENKEL
v e  Vmax sin(t )
D2 ON
D1 OFF D2 OFF
D1 OFF
v s  v 2  2Vmax
v D1  Vmax  Vmax sin(t )
v C1   Vmax
D1 ON
D2 OFF
82
Fonctions logiques à diodes
Diodes et porte logique ET (AND)
0 0
0 1
VD0  0 Logique
5V  1 Logique
1
K1 K2 Vs
0
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
1
1 83
Exercice
Déterminer la caractéristique de transfert du circuit ci-dessous
Pour les diodes, utiliser la deuxième approximation
Méthode de résolution du problème

- Renseigner la table de vérité.
- Spécifier les cas impossibles
Cas D1 D2 Vs
1 OFF OFF 4V
2 OFF ON R2ID2+4
3 ON OFF Impossible
4 ON ON 8V
84
VD 2
VD1
Ve Vs
Cas D1 D2 Vs
1 OFF OFF
VD1  VD 0  0.7 V ID1  0 VD 2  VD 0  0.7 V ID 2  0
VD1 VD 2
Ve Vs
VD1  Ve  8  0.7  Ve  8.7
VD 2  Ve  4  0.7  Ve  4.7
Ve < 4.7V : les 2 diodes sont OFF

85
Vs  4V
VD 2
VD1
Ve Vs
Cas D1 D2 Vs
2 OFF ON
VD1  VD 0  0.7 V ID1  0 VD 2  VD 0  0.7 V ID 2  0
Ve  0.7  4
ID 2  0
R1  R 2 VD1
Vs
Ve
Ve  4.7
Ve  4.7 Ve  4.7
VS  R 2 42  4  0.667Ve  0.867
R1  R 2 3
D1 bloquée : VD1  0.7V  Ve  10.694
VD1  Vs  0.7  E1  0.667Ve  6.433  0.7
4.7V  Ve  10.694V VS  0.67Ve  0.867
86
VD 2
VD1
Cas D1 D2 Vs
4 ON ON
VD1  VD 0  0.7 V ID1  0 VD 2  VD 0  0.7 V ID 2  0
Ve  8.7 8.7  4.7

ID1  
R1 R2
Ve Vs
4R1
ID1  0  Ve  8.7   10.7
R2
Ve  10.7V 87
VD 2
VD1
VD 2  VD 0  0.7 V ID 2  0
Ve Vs
8.7  4.7
ID 2  0
R2
Ve  10.7V VS  .7  .7  8  8V
88
Ve Vs
Ve  4.7V VS  4V
4.7V  Ve  10.7V VS  0.67Ve  0.87

Ve  10.7V VS  .7  .7  8  8V
Vs ( V )
4.7 10.7 Ve(V)

89
10.7V
Ve (t)
15V
10.7V
8V
4 .7 V
4V
90
Exercice
Déterminer la caractéristique de transfert du circuit ci-dessous
Pour les diodes, utiliser la première approximation
ID1
VD1 VD2
ID2
Attention : Respecter le sens des tensions et courants

aux bornes des diodes
Méthode de résolution du problème
- Renseigner la table de vérité.
- Spécifier les cas impossibles
Cas D1 D2 Vs
1 OFF OFF Ve/2
2 OFF ON -5 V
3 ON OFF +5V
4 ON ON Impossible
91
Cas D1 D2 Vs
1 OFF OFF
VD1  VD 0  0V ID1  0 VD 2  VD 0  0V ID 2  0
IR1 IR1
Condition de blocage de D1
Ve Ve
VD1  R1IR1  Ve  5  R1  Ve  5   5
R1  R 2 2
VD1  0  Ve  10V 92
Cas D1 D2 Vs
1 OFF OFF
VD 2  VD 0  0V ID 2  0
IR1 IR1
Condition de blocage de D2
Ve
VD 2  5  Ve  R1IR1   Ve  5 
2
VD 2  0  Ve  10V 93
IR1 IR1
Cas D1 D2 Vs
1 OFF OFF
Conclusion : D1 et D2 OFF :
Ve  10 et Ve  10
 10V  Ve  10V
R2 Ve
Vs  Ve 
R1  R 2 2 94
Cas D1 D2 Vs
2 OFF ON
VD1  VD 0  0V ID1  0 VD 2  VD 0  0V ID 2  0
Condition de Conduction de D2
Ve  R1IR1  R 2 IR1  ID 2   R1  R 2 IR1  R 2ID 2
Ve  5
 R1  R 2   R 2ID 2  2Ve  10  R 2ID 2
R1 95
 Condition de Conduction de D2
 Ve  10
Ve  2Ve  10  R 2ID 2  ID 2 
R2
ID 2  0  Ve  10V
 Condition de Blocage de D1
VD1  5  5  10V  0
Conclusion : D1 OFF D2 ON
Ve  10V Vs  5V
96
Cas D1 D2 Vs
3 ON OFF
VD1  VD 0  0V ID1  0 VD 2  VD 0  0V ID 2  0
Condition de Conduction de D1
 5  Ve  10
 
Ve  R1  ID1    5  ID1 
 R2  R1 97
 Condition de Conduction de D1
Ve  10
ID1  ID1  0  Ve  10V
R1
 Condition de Blocage de D2
VD 2  5  5  10V  0
Conclusion : D1 ON D2 OFF
Ve  10V Vs  5V 98
Caractéristique de transfert : Vs=f(Ve)
Ve  10V Vs  5V
Ve
 10V  Ve  10V Vs 
2
Ve  10V Vs  5V
Vs
Ve
99
Vs
Ve
Ve 30V
10V
5V
-5V t
-10V
100
-30V

Chapitre 2-20

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Chapitre II :

Solide : Ensemble régulier d’atomes

- électrons des couches internes

Il faut fournir une énergie

Exemple : Cas de la molécule H2

(Les deux électrons occupent l’état liant qui

Les atomes mettent en commun des

L’énergie interne du cristal est donc

- La bande de conduction (BC)

- La bande de valence (BV)

Des bandes interdites (BI) pour les électrons

selon de la valeur de l’énergie de la bande interdite

isolants : le gap est grand (de l'ordre de 5 eV)

Conducteurs : les bandes de conduction et de

semi-conducteurs : le gap de l'ordre de 1 à 2 eV.

Sous l’effet de l’agitation thermique des

Un électron quitte la bande de valence

laisse un atome chargé positivement

Ce trou peut attirer un électron

Le mouvement des charges négatives

Électrons et trous ne proviennent que

La densité de porteurs intrinsèques très faible à T 9

Le dopage d’un semi-conducteur va augmenter

dopage de type N : 2 types de charges

dopage de type P : 2 types de charges

Conduction par électrons

Conduction par trous

Jonction non polarisée

une zone dépourvue de porteurs mobiles :

La jonction est le siège de deux courants

La jonction est bloquée et le courant inverse est faible

La jonction oppose une faible résistance

Diode bloquée Diode passante

-4V -2V -1V -3V

Diode bloquée Diode passante

Relevé de la caractéristique directe : Diode polarisée

Résistance directe de la diode :

Ri est très élevée

On continue à augmenter E, le courant n'est plus

La caractéristique inverse passe de la position

Tension inverse champ interne

Des électrons très énergétiques génèrent de nouveaux

augmentation du courant inverse par effet d'avalanche

La diode peut ainsi laisser passer un courant

Point de fonctionnement de la diode :

Équation de la droite de charge

Première approximation : Deuxième approximation

 Le redressement du courant alternatif

 La détection des signaux haute fréquence

 Effet de seuil et écrêtage

Tension alternative Tension redressée

En régime alternatif non-sinusoïdal, un

i( t )  Im sin t pour 0  t  

Calcul des termes an

Im   cos(1  n)t   cos(1  n)t 

Im   cos(1  n)  1  cos(1  n)  1 

Calcul des termes an

Im   cos(1  n)  1  cos(1  n)  1 

Taux d’harmoniques du courant fourni par le redresseur

f0  I2eff / I2cc  1  2 / 4  1  1.21

puissance Pcc débité dans la charge

Le redressement à une alternance est peu

Condition de fonctionnement de la diode

Tension inverse maximale Vi=Em