Plan du cours

Chapitre 1 : Généralités sur les semi-conducteurs

Chapitre 2 : Diode et ses applications

Chapitre 3 : Transistor bipolaire et ses applications

Chapitre 4 : Transistor à effet de champs et ses applications

Chapitre 5 : Amplificateur opérationnel et ses applications

 Chapitre 1

Généralités sur les semi-conducteurs

Plan du cours

Rappels sur la structure de la matière

Structure de l'atome
Structure de l'état solide
Bandes d'énergies
Semi-conducteur intrinsèque

Liaison de covalence: génération de paires électron-trou

Recombinaison
Concentration des porteurs dans le silicium intrinsèque
Semi-conducteur extrinsèque: Dopage

Silicium dopé de type N

Silicium dopé de type P
Structure de la matière : Atome
Atome = Noyau (+) + Electrons (-)
Noyau = Protons (+) + Nucléons ( non chargés)
Atome électriquement neutre
Nombre de Protons = Nombre d’électrons
Dans un atome on trouve deux types d’électrons
• Les électrons de coeur : Fortement lié au noyau
• Les électrons périphériques ou de valence: peu lié au noyau Modèle de BOHR

Niveau d’énergie discret: contient 2n2 électrons

n: Numéro de niveau correspond à une couche
couche (K (n=1), L(n=2), M(n=3)…)

Exemple : Atome de silicium (Z= 14)

K (n=1) = 2.12 = 2
L( n=2) = 2. 22 = 8
M(n=3) (peut occuper 2.32=18) : occupe 4 électrons de K
le reste = 4 E3
10 électrons de cœur
8 électrons de K
4 électrons de valence E2
2 électrons de K
E1

Atome de Silicium (Si)

Structure de la matière : Solide
Matériaux solides
▪Cristaux ioniques (Na+Cl- ).
▪Attraction colombienne.
▪ Cristaux isolants et très
dur.
Amorphe: l'ordre n'est que local et non répété.
Crisallin: Atomes rangés régulièrement aux noeuds d'un
réseau périodique.
Cristal
▪ Cristaux covalents
▪ Métaux (Li, Ag, Au,...) .
Cristaux moléculaires.
▪ Conducteurs électriques .
(Colonne IV: C, Si,
Ge,Sn…).
▪ Un électron libre par
▪ Liaisons de valence.
atome.
▪ Liaisons moins fortes
que les liaisons
ioniques.
▪ Propriétés= f(force de
ces liaisons).
Structure de la matière : Bandes d’énergie
Les états énergétiques possibles des électrons du cristal sont représentés par un diagramme de bandes
d’énergie.

électrons
Bande
libre dans le solide
de conduction
Niveau de fermi (Ef) EG Bande interdite
Bande
de valence électrons
lié aux atome

Cristal
• Un électron dont l’énergie est située dans une bande en dessous de la bande de
valence est lié à un atome donné du solide.
• Dans la bande de valence, l’électron est commun à plusieurs atomes.
• L’électron dont l’énergie est comprise dans la bande de conduction circule librement
dans le solide.
• Le gap EG représente la quantité d’énergie minimale nécessaire pour faire grimper un
électron de la bande de valence à la bande de conduction.

• Ef le niveau dit de Fermi, qui est le niveau énergétique le plus élevé qu’un électron
puisse occuper à 0K.

EG est un paramètre essentiel qui permet de distinguer les matériaux isolants,

semiconducteurs et conducteurs.
Différence entre conducteurs, isolants et semi-conducteurs
Dans les isolants et les semiconducteurs, la bande de valence est entièrement pleine à T=0K. La hauteur de la
bande interdite des isolants est plus grande par rapport à celle des semiconducteurs.
Dans les conducteur, la bande de conduction est partiellement remplie.
E

Bande de
conduction

Bande de Bande de
conduction conduction
Bande interdite
Ef Bande interdite
Bande interdite
Bande de Bande de
Bande de valence valence
valence

Conducteur Semiconducteur Isolant

Les semiconducteurs ont une conductivité intermédiaire entre les conducteurs et les isolants.
Ils sont isolants à T=0K.
Exemple de valeurs de gap
Semiconducteurs

Structure des semiconducteurs: Silicium intrinsèque

Lors de la formation du cristal un atome de silicium va gagner 4 électrons en formant des liaisons
covalentes qui correspondent à la mise en commun de ses électrons avec les atomes voisins. Ainsi un atome
de silicium qui s'associe avec quatre autres atomes de silicium verra huit électrons sur sa dernière couche.
apparition des porteurs de charge « thermiques »
paires « électrons-trous »
Liaison covalente
T = 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K électrons

trous
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K

recombinaison
Concentration des porteurs de charge dans le silicium intrinsèque

n = électrons/cm3
Ec Bande de conduction

Recombinaison Génération de paires

EG = Ec-Ev « électron-trou »

Ev Bande de valence
p = trous /cm3
• Pour T> 0 K, des électrons peuvent devenir libre c'est à dire passer de la bande de
valence à la bande de conduction, où leur concentration est notée n.
• Ces électrons laissent des trous dans la bande de valence (avec une concentration notée
p) eux aussi libres de se déplacer.
• Un équilibre s’établit entre les phénomènes d’ionisation thermique et de recombinaison ;
les électrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantités égales.
• La concentration en électrons libres n et en trous libres p sont égales à n i la
concentration intrinsèque.
Loi de masse : n.p = ni2
− ( Ec− EFi) − EG
( )
kT 3/2 2KT
n= Nc e n= p= ni= AT e
− (EFi− Ev)
kT
p= Nv e
Il y a environ 2 paires électron-trou pour 10 milliards d’atome à
température ordinaire (20°C)
Il y a environ dix mille milliards de milliards d’atome (10 22) dans un
gramme de silicium, donc deux mille milliards (2x10 12) d’électrons
libres par gramme de silicium
Semi conducteur dopé « N »
Semi conducteur dopé « N »
• Introduction d’atomes trivalents, environ 1 pour 10 millions
d’atome de silicium
• Arsenic, antimoine, Phosphine …
Silicium dopé « N »
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Concentration des porteurs de charge dans le silicium dopé « N »

Bande de conduction n = Nd + ni ≈ Nd
Ec
EFn
ΔEn= EFn - EFi n = Nd: Concentration des donneurs
EFi
EG

Ev
Bande de valence p = ni2/Nd

• Les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires.
• La population des électrons libres de la bande de conduction est beaucoup plus
importante que elle des trous libres dans bande de valence.

• Le niveau de Fermi EFn se déplace donc du milieu de la bande interdite (EFi) vers la bande
de conduction.

Loi de masse : n.p = ni2

Nd
EFn− EFi= kT.ln( )
ni
Semi conducteur dopé « P »
 Semi conducteur dopé « P »
• Introduction d’atomes trivalents, environ 1 pour 10 millions
d’atome de silicium
• Indium, bore…
Silicium dopé « P »
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Concentration des porteurs de charge dans le silicium dopé « P »

Bande de conduction n = ni2/Na

Ec
p = Na: Concentration des accepteurs
EFi
EG
ΔEp= EFi - EFp
Ev
Bande de valence
p = Na + ni ≈ Na
• Les trous sont les porteurs majoritaires et les électrons les porteurs minoritaires.
• La population des électrons libres de la B.C. est beaucoup plus faible que celle des trous
libres dans BV.
• Le niveau indicateur de Fermi Efp se déplace du niveau intrinsèque EFi vers la bande de
valence.

Loi de masse : n.p = ni2

Na
EFi− EFp= kT ln ( )
ni