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Cel : 97 88 45 18 / 94 03 24 88
E-mail : ric.egoun@gmail.com
1|59
Objectif
Contenu du cours
Objectifs :
Introduction :
2|59
le sulfure de plomb PbS, l’oxyde cuivreux (CuO 2), l’Arséniure de
Gallium GaAs, etc.. Ces corps sont dits Semi-conducteurs parce
que leur résistivité est intermédiaire entre celle des
conducteurs et celle des isolants (de 10-8 à 10-4 Ωm ).
Conducteur :
Isolant :
I- STRUCTURE DE LA MATIERE
I- 1. Constitution de l’atome
3|59
FC Electron
Proton
•e
F
-
Couche
+ A
Neutron Noyau
I-2. 1 Orbite
4|59
On appelle orbite, la trajectoire suivie par l’électron. Il
existe cependant certaines orbites qui sont interdites aux électrons.
Celles qui leur sont permises correspondent à des niveaux d’énergie.
Ces niveaux d’énergie sont également appelés états d’énergie.
Couches
Couche de internes
•• •
valence
• • •
•• •
•
• •• • noyau
électrons •
internes
(3)
(2)
(1)
r2
r3 r1
couche
noyau
5|59
E
E3 (3)
E2 (2)
E1 (1)
paroi du noyau
(0)
I-2. 2 Energie
E3 (3)
E2 (2)
E1 (1)
paroi du noyau
(0)
II- SEMI-CONDUCTEURS
II- 1. Cristal :
7|59
l’ensemble est assurée par la mise en commun de chacun des atomes,
d’un électron de sa couche périphérique avec ceux de la couche
externe de ces proches voisins.
a - Analyse à 0 K
8|59
complètement remplie. Ce matériau est considéré comme un isolant
(R= ∞)
BC
EC
Bi
EV
• •• • •• ••• • ••BV• •••• •• • •• • • •
• • • • • ••
b - Analyse à 27°C
BC
EC • • • •
Bi
EV
°• • •°• • •° ••B••V ••°••• • ••
• • • • • • •
• - électron ° - trou
9|59
Figure n° 1-8 : Diagramme énergétique du semi-conducteur si à 300°K
n2i = AT 3 e KT
(1.1)
A = Constante d’intégration,
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • • 5ème électron
• • • •
• Si • • As • • Si •
• • •
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
10 | 5 9
Figure n°1-9 : Structure du cristal de Silicium type N
a - Analyse à 0°K
BC
0,01eV
Bi
••
• • •• ••• • •• •• •B • •• •• •• •• •• •• • •• • •
V
• • • • • • • • •
b - Analyse à 27°C
11 | 5 9
ayant acquis de l’énergie suffisante, vont également immigré dans la
bande de conduction.
•• • ••• • •• B
••••••••••••••
C
+++++++ B
+++ i
••
• •°•• ••• • •• •• •B°•°•• •• •• •• •• ••°• •• • •
V
• • • • • • • • •
12 | 5 9
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
•
• Si • •
°
In
•
• • Si •
trou
• • •
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
a - Analyse à 0°K
BC
Bi
+++++++++++
•• • •• ••• • •• B••• • ••
• • • •• ••• •• 0,01eV
•• • •• • • • • • • • • • • • •• • • • •
V
13 | 5 9
b - Analyse à 27°C
BC
• • Bi
• •
- - - - - - - - - - - 0,01eV
°°
•• •°•• •°•°•°••°B °°°
V •• ••°°••°°
• •°•°• •
• • • • • °• • •° •
Remarque :
14 | 5 9
La Concentration en atome Donneur notée Nd est d’une impureté
5 8
pour 10 à 10 atomes de Si. En pratique, on prend une impureté
pour 10 atomes de silicium. Soit Nd = (1/10 ) = 10 .
7 7 -7
Objectifs :
I- JONCTION PN
I- 1. Définition
°°•°P•°°•°° ••°•• •• •• •°
•• •• • •N • ••
°°°•°°°°°° •• •• • ••°•°
°°°°° °
Jonction PN
15 | 5 9
Figure n° 2-1 : Représentation de la jonction PN
I- 2. Zone de Déplétion
V0
A -+ K
P -- + N
-+
Anode Cathode
Zone de déplétion
Une fois que les deux types de semi-conducteurs sont mis en contact,
la région entourant la jonction PN est vidée de porteurs de charge ;
cette zone ainsi vidée est appelée zone de déplétion.
I- 3. Barrière de potentiel
KT N ×N
V 0= ln ( a 2 d )
e ni (2.1)
16 | 5 9
Le champ électrique à l’intérieur de la zone de déplétion limite
la pénétration des porteurs majoritaires d’une région à une autre
tout en favorisant la circulation des porteurs minoritaires qui sont à
l’origine d’un courant I1 appelé courant de saturation et noté Is. Le
courant I1 sera équilibré par un deuxième courant I2 dû aux porteurs
majoritaires qui ont pu traverser la barrière de potentiel. Le nombre
n de ces porteurs majoritaires est donné par la relation :
−eV 0
KT
n=n0 e
(2.2)
17 | 5 9
V0
A °°•°P°°•° -- + ••• ••
• •°•• •••°•• K
° °° - + •N • • •
°°•°°°°°•°° - + ••°•• •• • ••°•
Anode ° Cathode
Barrière de potentiel
• - électron
- trou
°
Figure n° 2-3 : Structure interne de la diode à jonction
Symbole
A ID K
Anode Cathode
VD
A K
18 | 5 9
II-2 Polarisation
- La polarisation directe
- La polarisation inverse.
D
ID A K
VD
E RL
Conséquences :
19 | 5 9
Le courant ID qui circule à l’extérieur de la diode est égale à :
eV eV
KT KT
I D=I 2 −I S =I S e −I S =I S ( e −1) (2.7)
eV
KT
I D=I S (e −1 )
Soit (2.8)
eV
KT
I D=I S e
Généralement on prend (2.9)
eV
KT
e
car >> 1 (2.10)
D
A K Ii
Vi
E RL
Conséquences :
20 | 5 9
3. Le passage des porteurs minoritaires est favorisé mais leur
nombre reste fixe.
Remarque :
21 | 5 9
II-4 Caractéristiques
ID(mA)
VZ
0
VD(V)
IS 0,65
b Ii(µA)
Interprétation :
22 | 5 9
courant de Saturation) ; au delà de la tension Vz, le courant Ii
connaît un accroissement substantiel : la diode est détruite.
ΔV
r D=
Soit : ΔI
(2.10)
23 | 5 9
dI D dV ΔV
=λI D =
dV dI D ΔI D
Pour de petites variations on a :
ΔV 1
=
ΔI D λI D
Ainsi on peut écrire :
variations devient :
ΔV 1 1 1 25 mV
= = = 3 =
ΔI D λI D 40×I D 10 I D ( mA )
×I D
25 .
25 mV
I D=
soit : I D ( mA ) (2.11)
rD = 0, Vo = 0
rD
= 0, Vo ≠ 0 (Diode parfaite)
Courbes caractéristique
24 | 5 9
ID(mA) ID(mA)
rD 0 et V0 0
rD = 0 et V0 =0
VD(V) VD(V)
0 0 V0
Diode idéale Diode parfaite
Circuits équivalents
A K
Interrupteur fermé :
A K
interrupteur ouvert :
Circuit équivalent :
A K
rD
V0
25 | 5 9
ID D
E = 50V
E RL RL = 5 KΏ
VD E
I D=− +
E−V D −I D R L =0 =>
RL RL (2.12).
ID(mA)
10
VD(V)
0 50
IV - 2. Point de repos
26 | 5 9
ID(mA)
Q
IDQ • VD(V)
0 VDQ
V- INFLUENCE DE LA TEMPERATURE
ΔI S W ΔT
IS
= 3+ i
KT T( ) (2.15)
27 | 5 9
Le courant de saturation Is double lorsque le rapport ∆Is/Is = 1.
ΔI S W ΔT
D’après la relation (2.15) on a : IS (
= 3+ i)
KT T
=1
=>
T 300
ΔT= = =6 , 48° C
Wi 1,6×10−19×1 , 12
3+ 3+
KT 1 ,38×10−23 ×300
Exercice d’application
V= 0,2 V
28 | 5 9
2- Si le courant de saturation IS est de 10µA, calculer le courant
direct ID pour chacune des tensions : 0,1 ; 0,2 et 0,3V.
eV
( KT
I D=I S e −1 ) ; e = 1,6.10
-19
C ; K = 1,38.10
-23
J/K et T = 27°C.
I = IS e KT
, établir la relation :
I1 I2
T1ln I S 1 = T2ln I S 2
Avec e =1 ,6.10-19C ; K = 1,38.10-23J/°K ; Wi = 1,12eV =1,12 ×
1,6.10-19 J.
I
I1 I2
D1 D2
T1 T2
29 | 5 9
Les diodes sont utilisées dans la plupart des circuits
électroniques (des montages); elles sont utilisées comme
redresseurs ou comme interrupteurs dans le cas où leur rôle est
de ne laisser passer le courant que dans un seul sens.
I- REDRESSEMENT
Dans la plupart des circuits électroniques, on a besoin de
sources de tension continue pour effectuer la polarisation des
composants.
I- 1.1 Description
30 | 5 9
d’une diode en série avec une résistance A
D
VM
I M=
RC +r D + RS (3.3)
1
I moy= I M
π (3.3)
31 | 5 9
1
I eff = I M
2 (3.4)
V eff I eff
F= =
V moy I moy (3.5).
π
F= =1 , 57
2 (3.6)
V 2R =V 2moy +V 2r
C eff (3.7)
VR
avec : C : valeur efficace de la tension redressée de sortie ;
Vr
eff : valeur efficace de la tension d’ondulation.
32 | 5 9
1 1
Les calculs montrent que :
V r =V M
eff
√ −
4 π2 (3.8)
PCC
η= ×100
PCA (3.9).
Calculons PCC :
V 2moy 1 1 2
PCC =V moy ×I moy= = × VM
RC RC π ( )
2
1 V
PCC = 2 × M
Soit : π RC (3.10).
2
V 1 1 2
4
η= ×100
π2 (3.12)
On trouve : η = 40,52 %.
33 | 5 9
I-2. REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE UTILISANT
DEUX DIODES
I-2.1 Description
D1
vs
A VM
+ t
VM 0
N
vp b.)
VM
D2 VRL
- RL VM
B
t
a.) 0 c.)
I-2.2 Fonctionnement
V TIC=−2V M (3.13).
VM
I M=
RL (3.14)
35 | 5 9
2
I moy= I M
alternance, est donnée par la relation : π
(3.15)
2 V moy
I moy= ×
π R S + r D +R L (3.16)
1
I eff = I
√2 M (3.17)
I-2.6 Ondulation : Vr
La tension de sortie redressée VRL est composée d’une
tension continue constante (Vmoy) à laquelle est superposée une
1 4
soit :
V r =V M
eff
√ −
2 π2 (3.20)
36 | 5 9
On voit ici que la connaissance de la tension VM conduit à l’obtention
de la tension d’ondulation.
Coefficient d’ondulation : r
Vr
r= eff
V moy (3.21)
V 2moy 1 2 2
PCC =V moy ×I moy= =
RL RL π M
V ( ) ,
2
4 V
PCC = 2 M
soit : π RL (3.23).
37 | 5 9
Les relations (3.23) et (3.24) conduisent à :
8
η= ×100
π2 (3.25).
I-3-1 Description
Le redressement double alternance en pont de diodes est le
redressement le plus utilisé : il ne nécessite pas l’emploi d’un
transformateur à prise médiane ; il utilise quatre diodes reliées
entre elles pour former le pont de Graëtz .
A vs
M VM
vp D1
D4 t
Q RL
+ P-V
- VM
M
b.)
D3 D2 VRL
N VM
B t
a.) c.)
I-3.2 Fonctionnement
A l’alternance positive, la borne A est positive par rapport à la
borne B : les diodes D1 et D3, soumises à une polarisation directe
conduisent en laissant passer un courant à travers la résistance RL et
ceci, pendant l’alternance positive ; les diodes D2 et D4, pendant ce
temps, soumises à une polarisation inverse, restent bloquées.
38 | 5 9
B. Les diodes D2 et D4 sont maintenant passantes ; elles conduisent
en laissant passer un courant à travers la résistance RL. Pendant
toute cette alternance négative, les diodes D1 et D3, restent
bloquées.
pour expression :
V TIC=−V M (3.24)
D1 VRL(V)
A VM
vr(c-c)
N VM
VM D2 Vmoy
B C RL t
tc tdéch
b.)
a.)
39 | 5 9
a.) Circuit de filtrage du signal redressé.
Remarque :
Exercice d’Application
Calculer :
40 | 5 9
a - Dans RL
A A A
a.) b.) c.)
Fonctionnement
La diode Zener est une diode stabilisatrice de tension, c’est un
dispositif électrique fournissant un courant variable sous une tension
constante. Les diodes Zener ont été mises au point par Zener
Clarence.
41 | 5 9
En polarisation directe, la diode Zener a une caractéristique
pratiquement semblable à celle de la diode ordinaire. La diode Zener
fonctionne sous polarisation inverse.
Caractéristiques
Ii(µA)
à VZQ ;
42 | 5 9
Figure n°3-8 : Caractéristiques de la diode zener.
IS RS
IZ
Vi Vz V0 RL
rz
Principe de Fonctionnement :
La résistance série RS établit la différence de tension entre la
tension d’entrée Vi et la tension de référence VZ de la diode Zener
lorsqu’aucune charge n’est connectée à la sortie.
43 | 5 9
I Zmin ˂ IZ ˂ IZmax.
Si rZ = 0 alors V0 = VZ (3.27).
V RS = Vi – VZ = RS.IRS (3.28)
V i−V Z
IR =
De cette dernière relation, il vient :
S RS (3.29)
V0
IR =
Le courant IRL est donné par la relation :
L RL (3.31)
V i −V Z
RS =
soit : I RS (3.32)
V 0 SCH −V 0CH
K=
• Taux de régulation : V 0CH (3.34)
rZ
S=
• Facteur de stabilisation RS +r Z (3.35)
45 | 5 9
Les relations (3.29) et (3.31) conduisent à :
V i−V Z V VZ
IR =
S RS
= 0
RL min =>
R Lmin=
( )R
V i−V Z S max
(3.36) si rZ = 0.
On demande de calculer :
Résultat
VR VZ
L
= =20 mA
avec IRL = RL RL
46 | 5 9
Ainsi on a : Vimax = (90+20)10-3×100 + 20 = 29V ;
V imax = 27 V.
Soit : PZ ≃1W
A K
47 | 5 9
Figure n° 3-10 : symbole de la diode Tunnel
III-2 Caractéristique
I
IR IR = 500 μA
Figure n°
Ip 3-11 :
Zone de
résistance
négative
IV
VF
0 V
VP VV VR
IF
48 | 5 9
la racine carrée de la tension). Elle est due à la largeur de la zone de
déplétion. Le varactor possède une capacité notée CT appelée
capacité de transition ; elle est déterminée par la relation :
k
C T= (3.37)
(V 0+ V i)n
1
n = 3 pour des diodes à jonction.
A K
49 | 5 9
Figure n° 3-13 : Courbe caractéristique de la diode varicap.
V PHOTODIODE
V-1 Définition - Symbole
A K
Lorsque l’on éclaire la photo diode (c’est à dire que lorsque l’on
la bombarde de lumière) à l’aide de la lumière ou de la radiation de
longueur d’onde
( cλ )
λ ν=
, les photons heurtent les électrons de
valence du Semi-conducteur créant ainsi des paires électron- trou.
50 | 5 9
Iλ(μA)
800 280 lx
600 150 lx
80 lx
courant inverse
Vi (V)
VI DIODE ELECTROLUMINESCENTE
A K
V-2 Caractéristiques
51 | 5 9
La caractéristique de la LED est semblable à celle d’une diode
classique ; elle s’éloigne de l’axe des ordonnées et ceci, en fonction
de la longueur d’onde λ.
I-1 GENERALITES
E C
N P N
Emetteur Collecteur
B
Jonction émetteur-base Jonction collecteur-base
Base
Figure n°4-1: Structure interne d’un transistor NPN.
Base (B)
C’est une région faiblement dopée. Elle est de type P mais très
mince par rapport aux deux autres (régions). Elle fournit des
électrons au collecteur.
52 | 5 9
Collecteur (C)
Cette région est moyennement dopée mais plus vaste que les deux
autres.
Symboles
C C
IC IC
IB VBC VBC
IB
B VCE B VCE
VBE VBE
IE IE
a.) E b.) E
Figure n°4-2: Symboles des transistors :
C C
IC
Diode collecteur: DC Diode collecteur: DC
IB
B B
IE
E E
a.) b.)
Figure n°4-3 : Représentation du transistor TBJ en diodes collecteur
et émetteur :
I-1.2 Polarisation
53 | 5 9
Les diodes émetteur et collecteur sont toutes deux en
polarisation directe ; on dit dans ce cas que le transistor
est saturé.
N P N
E C
N P N
E C
N P N
54 | 5 9
La diode émetteur est en polarisation directe tandis que la
diode collecteur elle, est en polarisation inverse ; on dit dans ce
cas que le transistor fonctionne en régime d’amplification.
E C
N P N
Fonctionnement
IE = IC + IB (4.11)
55 | 5 9
α
β=
On montre que : 1−α (4.15)
E C
N P N
IC
B
VEE VCC
E C
N P N
IC
IE B
VEE VCC
56 | 5 9
ICE0. D’une manière rigoureuse, on peut donc écrire :
IC = βIB + ICE0 (4.17)
Exercice :
I-1.4 Caractéristiques
te
a.) Caractéristique du collecteur IC = f(VCE) ; IB = C
IC RC
IB RB mA
µA V
VBB VCC
V IE
57 | 5 9
IC(mA) IC = 20 μA
IC = 15 μA
IC = 10 μA
IC = 5 μA
IC = 0 μA
VCE (V)
0 1
a.)
Interprétation :
te
b.) Caractéristique de la base IB =f(VBE) ; VCE = C
IB5
IB10
VBE (V)
VBE0
Interprétation :
β
β2 T2 = 150°C
β1
T1 = 50°C
IC(mA)
ICQ
59 | 5 9
Le gain statique peut, à une température donnée, augmenter
avec le courant IC jusqu’à un maximum au-delà duquel il commence par
décroître. Il peut également, pour une valeur donnée du courant I C
(ICQ), augmenter avec la température : il peut passer de β1 à β2
lorsque la température passe de 50°C à 150°C.
RC
RB IB IC
+VCC
VBB
IE
Circuit d’entrée :
V BB =I B R B +V BE (4.18)
60 | 5 9
V BB −V BE
I B=
RB (4.19)
• Droite d’attaque
V BE V BB
I B =− +
De la relation (4.19), on peut encore établir : RB RB (4.20).
B
VBE(V)
VBB
Circuit de sortie :
V CC =I C RC +V CE (4.21)
61 | 5 9
V CE V CC
I C =− +
De la relation (4.21), on peut écrire : RC R C (4.23).
IC(mA)
VCC M
RC
N
VCE(V)
VCC
Remarque :
62 | 5 9
La région entourant le point de saturation (ICsat) est appelée
zone de saturation ; celle qui entoure le point de blocage est
désignée sous le nom de zone de blocage.
La zone comprise entre la zone de saturation et la zone de
blocage est appelée zone active ou zone de fonctionnement
linéaire.
Application :
Résultat :
63 | 5 9
IC IC + VCC
I1 I1
R1 RC R1 RC
C C
B IB B IB
VCC
I2 I2
E IE E IE
R2 RE R2 RE
a.) b.)
Figure n°4-10 : Circuit de polarisation par pont diviseur.
IC + VCC
I1
R1 RC
C
B IB
VCE
I2 VC
E IE
VBE
R2 VB RE
VE
M
64 | 5 9
Considérons le circuit de la figure n° 4-11 ci-dessus.
on trouve : I1 = I2 + IB ≈ I2.
• Calcul de la tension : VB
R2
I E=
1
[ V −V BE
R E R1 + R2 CC ] (4.26).
V E=I E R E (4.27)
65 | 5 9
V C =V CE +I E R E (4.28) ;
on trouve également :
V C =V CC −I C RC (4.29)
V CC =I C RC +V CE + I E R E =I C ( RC + R E ) +V CE
(4.30) avec IE ≈ IC.
V CE V CC
I C =− +
soit RC + R E RC + R E (4.31).
1 V CC
−
En posant y = IC ; x = VCE ; a = R C +R E et b = R C + R E , on trouve
IC(mA)
ICsat A
B
VCE(V)
0 VCC
66 | 5 9
+ VCC
RC
RTH B où RTH = R1 // R2
et
VTH
RE VTH = VBM = VB =(R2/(R1 + R2))VCC
M
Exercice d’application
+ VCC
RC
RB I’C
C
IC
B
IB
E
67 | 5 9
que le courant collecteur monte ; la tension collecteur dans ce cas
diminue ce qui fait diminuer la chute de tension aux bornes de la
résistance RB, d’où diminution du courant IB. On peut donc dire que la
diminution du courant IB s’oppose à l’augmentation du courant
collecteur IC. Le courant circulant à travers le collecteur a pour
V CC −V BE
IC =
R
RC+ B
expression : β (4.32)
Polarisation centrale :
I Csat V CC
I CQ = V CEQ =
2 (4.33) et 2 (4.34).
IC
+ VCC
RC RC
VCC
RB A VEE
RE A
RB
RE
IE
- VEE
a.) b.)
V EE
I E≈
RE (4.35)
V CC + V EE
I Csat =
R C+ R E (4.36)
Application :
69 | 5 9
figure n°4-2.b) ; on constate que les diodes émetteur et collecteur
de ce transistor PNP, pointent dans des directions opposées à celles
du transistor bipolaire NPN et ce, dans les mêmes conditions.
Application :
+ VEE
Calculer les trois tensions par
RE
rapport à la masse du transistor R2
PNP utilisé dans le montage ci-
2N3906
dessous sachant que : VEE = 10V ;
VBE = 0,7V. On donne : R1
R1 RC
= 10 kΩ ; R2 = 2,2 kΩ ; RE = 1kΩ ;
RC = 3,6 kΩ.
Introduction
On distingue deux types de transistor EFT :
70 | 5 9
La conductivité du transistor JFET est basée sur une jonction
en polarisation inverse alors que celle du MOSFET se fait à l’aide d’un
effet capacitif.
a.) Description
D : Drain
S :Source D
G :Grille
N
G D: Drain
G P P D S S: Source
G: Grille
N P N
N Canal N
P
Canal N S
Substrat
Figure n° 4-15: Constitution d’un JFET à canal N.
71 | 5 9
Le JFET possède une forte impédance Zi d’entrée de l’ordre de
MΩ. Il possède une tension de décalage nul lorsqu’il fonctionne en
interrupteur : Tout est complètement bloqué ou tout passe
correctement. Il occupe moins d’espace en circuit intégré.
b.) SymbolesJFET : D D
G G
a.) S b.) S
ID
D
N
G
VDD
P P VDS
VGG
VGS N
S
72 | 5 9
passage des électrons ce qui diminue le courant I D : le courant ID
établi par la tension VDD est commandé par la tension VGS.
II-1.3 Caractéristiques
ID
ID (mA) VGS = 0 V
IDSS IDSS
VGS = -1 V
VGS = - 2 V
Q IDQ
VDS(V) VGS
0 VP VGSOFF 0
VGSQ
Figure n° 4-18 : Caractéristiques du Figure n° 4-19 : Courbe de
drain. transconductance.
Cette relation (3.13) est valable pour les JFET et les MOSFT à
déplétion.
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pour VGS = VGSOFF =- VP on a : ID = 0
- Transconductance
2 I DSS
gmo =−
V GS
OFF (4.39)
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II-1.4 Circuit de polarisation
- Polarisation automatique
+ VDD
RD
ID
IG 0
VDS
RG RS
V DS=V DD −I D ( R D + R S )
On peut également écrire : (4.42)
V R =I D R S
La tension aux bornes de la résistance RS est : S (4.43)
V R =V GS + I D R S =0 ⇒ V GS =−I D RS
Ainsi on a : G ;
V GS =−I D RS (4.45)
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A partir de cette dernière relation on peut écrire :
V GS
I D=−
RS (4.46)
1
a=−
En posant : y = ID ; x = VGS et R S , on trouve que la relation
(4.46) est de la forme y = ax ; elle est donc l’équation d’une droite qui
passe par l’origine (0 ; 0).
+ VDD
R1 RD
D
G IG=0
VDS
S
R2 VG RS
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On distingue deux catégories de MOSFET : le MOSFET à
déplétion (DMOS) et le MOSFET à enrichissement (EMOS).
3 D SymboleS
1
1 : Métal
Substrat
N 2 : Oxyde métallique D D
G P
3 N’: Régon de type N,
N faiblement dopée G G
S S
2
a.) b.)
S
Figure n°4-22 : Structure interne ( à canal N) et symboles du
transistor D-MOS.
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Une mince couche (2) de silice (SiO2) est dopée sur le coté
gauche du canal. Le dioxyde de silicium (SiO2) est identique au verre,
c’est un isolant (2). La grille (1) est métallique et est isolée du canal.
Le substrat est généralement relié au potentiel le plus bas, la source.
b.) Caractéristique
Description Symboles
D
1
Substrat D D
N
1 : Métal
G P
G G
N
2 : Oxyde métallique
S S
2
S
a.) b.)
Figure n°4-23 : Structure interne et symboles du transistor E-
MOS.
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Il existe deux types de MOSFET à enrichissement : le
transistor E-MOS à canal N (son symbole est représenté à la
figure n° 4-23. a.) et le E-MOS à canal P (son symbole est
illustré à la figure n° 4-23. b.).
b.) Caractéristique
ID
ID Q
(passant)
VGS
0 VGS (th)
VDS
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