ECOLE MOHAMMADIA D’INGENIEURS

Département Génie Electrique

semi-conducteurs
Première année Génie Electrique

Pr. Marouane SEBGUI

Présenté par
Pr. Loubna BERRICH
 Plan Global

• Introduction et Motivations
• Caractéristiques et comportement des SC
• Dopage des semi-conducteurs
• Les mécanismes de transport de charges
• Les mécanismes de génération-recombinaison
• Les équations de continuité
• Le comportement de la jonction PN
 3

Objectifs et motivations

• Objectifs
– Etude du comportement électrique des SC
– Etude de la jonction PN
– Introduction de l’effet transistor

• Pourquoi ce cours?
– Prérequis pour : électronique, électronique de puissance,
processeurs et commande.
– Base de la photovoltaïque
– Base de l’éclairage/signalisation LED
– Base des écrans plats et courbés LCD / OLED / CNT
– Antenne Micro-ruban
 4

Comment

• Préparation préalable

• Travaux dirigés
 5

Historique

Jack Kilby
1er circuit intégré
1958 1971
1er µProc
1883-1907 1947 Intel 4004
évolution John Bardeen, 2300 Trans
des tubes 1903 William Shockley,
cathodiques Pickard Walter Brattain
invente le découvrent l'effet
détecteur transistor
1833 crystal
(Prix Noble 1956)
Jack Kilby
1er Circuit Integré
 6

Vue atomique

• semi-conducteurs : éléments de la colonne IV qui ont

4 électrons en couche de valence et qui ont une structure cristalline
( Diamant(C), Silicium(Si), Germanium(Ge), l'étain gris (α-Sn),... )
• semi-conducteurs composites : fabriqués à partir d'un ou plusieurs
éléments de la colonne III et colonne V, de la colonne II et VI,…
 7

Types de matériaux SC

Groupe 4 Diamant(C), Silicium(Si), Germanium(Ge), l'étain gris (α-Sn),

Carbure de silicium (SiC), Silicium-germanium (SiGe)
Groupe 3-5 Nitrure de bore (BN), Phosphure de bore (BP), Arséniure de bore (BAs),
Nitrure de gallium (GaN), Arséniure de gallium(GaAs)
Nitrure de gallium-aluminium (AlGaN), Nitrure de gallium-indium (InGaN)
Groupe 2-6 Sulfure de cadmium (CdS), Séléniure de cadmium (CdSe), Tellurure de
cadmium (CdTe), Sulfure de mercure (HgS),
Tellurure de mercure-cadmium (HgCdTe), Tellurure de zinc-mercure
(HgZnTe)
Autres Chlorure de cuivre(I) (CuCl), Tellurure de bismuth (Bi2Te3), Phosphure de
zinc (Zn3P2), Iodure de plomb(II) (PbI2)
Rappel sur la Mec quantique 8

1- Principe de quantification
• Modèles planétaires de l’atome : on ne
considère plus que les électrons d’un
atome sont en orbite autour du noyau.

• En quantique les électrons occupent de manière

probabiliste certaines régions de l’espace autour
du noyau.

• On laisse tomber l’espace et on s’intéresse à

l’énergie. On sait que l’énergie que l’électron
peut prendre est quantifiée. On parle des
niveaux de l’énergie autorisés pour l’électron
 Rappel sur la Mec quantique 9

2- Niveaux/bandes d’énergie (1)

• Le nombre d’électrons dans un niveau d’énergie est limité :
deux électrons sur la première couche (niveau d’énergie le
plus bas), huit sur la deuxième, dix-huit sur la troisième etc... 18x

• Les couches ne sont pas nécessairement remplies. Toutefois, 8x

les électrons remplissent les couches à partir de la couche à 2x
énergie la plus faible.
• Les niveaux énergétiques sont vrais pour le modèle de l’atome isolé.
Lorsque les atomes sont associés dans un réseau cristallin d’un corps
solide, l’interaction entre les atomes modifie la distribution des états
autorisés pour les électrons.
• Principe d’exclusion de Wolfgang Ernst Pauli

1/d 1/d

• Dépend de la distance atomique d

Rappel sur la Mec quantique 10

3- Niveaux/bandes d’énergie (2)

• Dans un corps solide avec une distance atomique connue da. On
obtient des bandes d’énergie qui sont possibles pour la présence
d’électrons et d’autres qui sont interdites.
0 Bande de Conduction

Gap
Energétique
0 Bande de Valence

0
0
1/da
• On distingue
– Les électrons des couches inférieures sont très fortement liés au
noyau de l’atome. Ils ne peuvent pas se déplacer dans le cristal.
– Les électrons de la bande de valence sont eux qui assurent la liaison
entre les atomes pour former le réseau cristallin. Ils sont moins liés au
noyau de l’atome.
– Un apport d'énergie peut libérer les électrons de la couche de valence
pour échapper à l'attraction du noyau (atteindre la bande de
conduction) : les électrons libres peuvent se déplacer et créer un
courant électrique.
Rappel sur la Mec quantique 11

4- Energie du Gap
• On s’intéresse à :
– La bande de conduction : c’est la première bande totalement
vide en absence d’apport énergétique (c’est-à-dire à la
température T=0°K). Elle représente les énergies des électrons
qui échappent à l’attraction atomique et deviennent « libres ».
– La bande de valence : c’est la dernière bande occupée par les
électrons (totalement ou partiellement) en absence d’apport
énergétique. Elle contient donc, des électrons liés avec le réseau
cristallin.
– Les deux bandes sont séparées par
une zone énergétique interdite :
c’est la plage des énergies que les
électrons ne peuvent pas posséder.
Cette zone appelée gap énergétique.

• C’est un paramètre propre au matériau. Il est très faible pour

les semi-conducteurs
Caractéristiques des SC 12

1- Faible énergie de gap

Caractéristiques des SC 13

2- Structure cristalline
• Pour atteindre la stabilité (8 électrons) les atomes du
semi-conducteurs mettent en commun les électrons
de la couche de valence avec les atomes voisins

• Ne disposant pas d’électrons libres les semi-conducteurs

donnent l’impression d’être isolants : ce n’est vrai qu’en 0°K
Comportement des SC 14

1- Effet de la température
• La stabilité (état isolant) n’est vrai que dans le cas de la
température 0 absolue (-273°C)

• Toute agitation thermique > -273°C

est suffisante pour libérer des
électrons, entrainant :
– Un électron : une charge négative
– Un trou : une charge positive

• Attention:
Equilibre électrique (neutralité) puisque le nombre de
charge (+) = charge (-)
Comportement des SC 15

2- Conductivité du SC (1)
• Un semi-conducteurs qui subit un champ électrique se voit
passer un courant électrique dû aux déplacements :
– Des électrons libres dans le sens opposé du champ
– Des trous dans le même sens du champ

Champ Electrique
 16

Conductivité du SC extrinsèque

• Le semi-conducteurs intrinsèque et le
semi-conducteurs constitué uniquement
d’atome semi-conductrice.
• Ce semi-conducteurs (idéal) a très peu
d’utilité et d’application.
D’un point de vue électrique il s’agit d’un
mauvais conducteur dont la conductivité
dépend de la température.
=> On introduit intentionnellement des atomes étrangers qu'on
appelle impuretés. Ce qui entraine la modification dans la
structure cristalline du solide et induit donc des modifications
des caractéristiques électriques (conductivité).
• Cette opération s'appelle dopage d'un semi-conducteurs.
 17

Dopage d’un semi-conducteurs

• Deux types de dopages ==> deux types de semi-conducteurs

– Dopage N: injection d’atome donneur colonne 5 (phosphore, arsenic…)
– Dopage P: injection d’atome accepteur colonne 3 (bore, aluminium,
gallium,…)

• Attention toujours neutralité électrique. Il y a égalité entre

– la somme des charges + : ions positifs + trous
– la somme des charges - : ions négatifs + électrons
Répartition des porteurs de charge 18

(cas dopage N)
-

Électrons Électrons dû au
dû à dopage
l’effet T

Porteurs de charge
libres (mobiles)

1) neutralité += −
2) les porteurs mobiles sont
déséquilibrés
Trous dû Ions positifs dû
au dopage 3) n(T) >> p(T)
à l’effet T
NB : seuls les porteurs
mobiles véhiculent le
+ courant
Concentration des porteurs de
charge
 20

Niveau de Fermi

À T≠0°K, la probabilité d’occupation du niveau d’énergie E est

définie par la fonction de distribution de Fermi-Dirac

1
𝐹 𝐸 = 𝐸−𝐸𝐹
1+ 𝑒 𝑘𝑇

𝑘 = 𝑐𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛𝑛
𝑇 = 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑒 𝑒𝑛 𝐾
𝐸𝐹 = 𝑛𝑖𝑣𝑒𝑎𝑢 𝑑𝑒 𝐹𝑒𝑟𝑚𝑖 fictif

1
La probabilité de non occupation est : 1−𝐹 𝐸 = 𝐸𝐹 −𝐸
1+ 𝑒 𝑘𝑇
 21

Les porteurs de charges

• Dans un SC à une température T≠0°K, certains

électrons deviennent libres en passant de BV à BC. Ils
laissent derrière le même nombre de trous
• On définit donc:
– n(T) : la concentration des porteurs de charge (électrons) libres
dans la BC à la température T.
– p(T) : la concentration des porteurs de charge (trous) dans la BV à
la température T.
∞ 𝐸𝑐 = 𝑛𝑖𝑣𝑒𝑎𝑢 𝑙𝑒 𝑝𝑙𝑢𝑠 𝑏𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝐵𝐶
𝑛 𝑇 = 𝐷
𝐸𝑐 𝑐
𝐸 . 𝐹 𝐸 . 𝑑𝐸
𝐸𝑣 = 𝑛𝑖𝑣𝑒𝑎𝑢 𝑙𝑒 𝑝𝑙𝑢𝑠 ℎ𝑎𝑢𝑡 𝑑𝑒 𝐵𝑉
𝐷𝑐,𝑣 𝐸 = 𝑓𝑜𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑡é 𝑑 ′ 𝐸𝑡𝑎𝑡
𝐸𝑣
𝑝 𝑇 = ∞
𝐷𝑣 𝐸 . 1 − 𝐹 𝐸 . 𝑑𝐸 𝑟𝑒𝑠𝑝𝑒𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡 𝑑𝑎𝑛𝑠 𝐵𝐶 𝑒𝑡 𝐵𝑉
 22

Densité d’état

• La densité d’Etat Dc(E), dans la bande BC pour un niveau

d’énergie E, peut être approximée par :
1 (2. 𝑚𝑑𝑒 )3/2 1
𝐷𝑐 𝐸 = 2 3
𝑀𝑐 |𝐸 − 𝐸𝑐| 2
2. 𝜋 ℏ

ℏ = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑃𝑙𝑎𝑛𝑐𝑘 𝑟é𝑑𝑢𝑖𝑡𝑒

𝑀𝑐 = 𝑛𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑎𝑠 é𝑞𝑢𝑖𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑡𝑠 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝐵𝐶 = 1
1
𝑚𝑑𝑒 = (𝑚1∗ 𝑚2∗ 𝑚3∗ ) 3 𝑜𝑢 𝑚𝑖∗ 𝑚𝑎𝑠𝑠𝑒 𝑒𝑓𝑓𝑒𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒 𝑠𝑢𝑖𝑣𝑎𝑛𝑡 𝑙𝑒𝑠 3 𝑎𝑥𝑒𝑠

• De même la densité d’Etat Dv(E), dans la bande BV pour un

niveau d’énergie E, peut être approximée par :

1 (2. 𝑚𝑑ℎ )3/2 1

𝐷𝑣 𝐸 = 2 3 𝑀𝑣 |𝐸 − 𝐸 |
𝑣 2
2. 𝜋 ℏ
 23

Concentration des porteurs (1)

∞
1
𝑛 𝑇 = 𝐷𝑐 𝐸 . 𝐸−𝐸𝐹 . 𝑑𝐸
𝐸𝑐 1+ 𝑒 𝑘𝑇
𝐸𝑣
1
𝑝 𝑇 = 𝐷𝑣 𝐸 . 𝐸𝐹 −𝐸 . 𝑑𝐸
∞ 1+ 𝑒 𝑘𝑇

≠Eg/2
 24

Concentration des porteurs (2)

Même surface
dans le cas intrinsèque
n(T)=p(T)=ni(T)
𝑛(𝑇)
∞
1
𝐸𝑐 𝑛 𝑇 = 𝐷𝑐 𝐸 . . 𝑑𝐸
𝐸−𝐸𝐹
𝐸𝑔 𝐸𝑐 1+ 𝑒 𝑘𝑇
𝐸𝐹
𝐸𝑣
1
𝐸𝑣 𝑝 𝑇 = 𝐷𝑣 𝐸 . . 𝑑𝐸
𝐸𝐹 −𝐸
∞ 1+ 𝑒 𝑘𝑇
𝑝(𝑇)
 25

semi-conducteurs non-dégénéré

• Un semi-conducteurs est dit non-dégénéré lorsque :

𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 ≫ 𝑘𝑇
𝐸𝐹 − 𝐸𝑣 ≫ 𝑘𝑇
• Ces conditions sont valables dans la plupart des
semi-conducteurs (eg 300°K: kT=25 meV << Eg/2=550 meV).
• Les semi-conducteurs dégénérés ont un comportement
métallique (Eg faible et donc libération importante d’électrons)

• Si le semi-conducteurs est non-dégénéré on peut faire

l’approximation suivante:
1 𝐸𝐹 −𝐸
𝐸−𝐸𝐹 ≈ 𝑒
𝑘𝑇
1 + 𝑒 𝑘𝑇 -
 26

Concentration d’électrons (1)

• Ceci nous permet d’écrire:

𝐸𝐹 −𝐸 𝐸𝐹 −𝐸𝐶 𝐸−𝐸
∞ ∞ − 𝑘𝑇 𝐶
𝑛 𝑇 = 𝐷
𝐸𝐶 𝑐
𝐸 .𝑒 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸 =𝑒 𝑘𝑇 𝐷
𝐸𝑐 𝑐
𝐸 .𝑒 . 𝑑𝐸

𝐸𝐹 −𝐸𝐶
=𝑒 𝑘𝑇 𝑁𝑐 𝑇
• On a
3
∞ ∞
𝐸−𝐸
− 𝑘𝑇 𝐶 1 2. 𝑚𝑑𝑒 2 1/2
𝐸−𝐸
− 𝑘𝑇 𝐶
𝑁𝑐 𝑇 = 𝐷𝑐 𝐸 .𝑒 . 𝑑𝐸 = . (𝐸 − 𝐸𝐶 ) 𝑒 . 𝑑𝐸
𝐸𝐶 2. 𝜋 2 ℏ3 𝐸𝐶
1 3 1/2
∞
(𝑘𝑇)2 2. 𝑚𝑑𝑒 2 𝐸 − 𝐸𝐶 −
𝐸−𝐸𝐶
= 𝑒 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸
2. 𝜋 2 ℏ3 𝐸𝐶 𝑘𝑇
1 3 1/2
∞
(𝑘𝑇)2 2. 𝑚𝑑𝑒 2 𝐸 − 𝐸𝐶 1
= 𝐸−𝐸𝐶 . 𝑑𝐸
2. 𝜋 2 ℏ3 𝐸𝐶 𝑘𝑇
1+ 𝑒 𝑘𝑇
 27

Concentration d’électrons (2)

• Par un changement de variable t=(E-Ec)/kT {avec dE=kTdt}

en retrouve l’intégrale de Fermi-Dirac pour j=1/2 et pour x=0.
∞
1 𝑡𝑗
𝐹𝑗 𝑥 = 𝑑𝑡
Γ(𝑗 + 1) 0 1 + 𝑒 𝑡−𝑥

∞ ∞
1 𝑡 1/2 2 𝑡 1/2
𝐹1/2 𝑥 = 𝑑𝑡 = 𝑑𝑡
1 1 + 𝑒 𝑡−𝑥 𝜋 1 + 𝑒 𝑡−𝑥
Γ 2+1 0 0

• Finalement on obtient
3 3
1 2. 𝑘𝑇𝑚𝑑𝑒 2 1 2. 𝑘𝑇𝑚𝑑𝑒 2 𝐸𝐹 −𝐸𝐶
𝑁𝑐 𝑇 = 𝑛 𝑇 = 𝑒 𝑘𝑇
4 𝜋ℏ2 4 𝜋ℏ2

évolue en T3/2 évolue en e1/T.

 28

Concentration de trous

• De la même façon on a:
𝐸−𝐸𝐹 𝐸𝑣 −𝐸𝐹 𝐸 −𝐸
𝐸𝑣 𝐸𝑣 − 𝑣𝑘𝑇
𝑝 𝑇 = ∞
𝐷𝑣 𝐸 .𝑒 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸 = 𝑒 𝑘𝑇
∞
𝐷𝑣 𝐸 .𝑒 . 𝑑𝐸

𝐸𝑣 −𝐸𝐹
=𝑒 𝑘𝑇 𝑃𝑣 𝑇
1 (2. 𝑚𝑑ℎ )3/2 1
• Sachant que : 𝐷𝑣 𝐸 =
2. 𝜋 2 ℏ3
𝑀𝑣 . |𝐸 − 𝐸 |
𝑣 2

• On trouve :
3 3
1 2. 𝑘𝑇𝑚𝑑ℎ 2 1 2. 𝑘𝑇𝑚𝑑ℎ 2 𝐸𝑣 −𝐸𝐹
𝑃𝑣 𝑇 = 𝑝 𝑇 = 𝑒 𝑘𝑇
4 𝜋ℏ2 4 𝜋ℏ2
 29

Concentration de porteurs

• Conclusion:
3
𝐸𝐹 −𝐸𝐶 1 2. 𝑘𝑇𝑚𝑑𝑒 2 𝐸𝐹 −𝐸𝐶
𝑛 𝑇 = 𝑁𝑐 𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑒 𝑘𝑇
4 𝜋ℏ2
3
𝐸𝑣 −𝐸𝐹 1 2. 𝑘𝑇𝑚𝑑ℎ 2 𝐸𝑣 −𝐸𝐹
𝑝 𝑇 = 𝑃𝑣 𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑒 𝑘𝑇
4 𝜋ℏ2

Nc (300°K) Pv (300°K)
Si 2,7 .1019cm-3 1,1 .1019cm-3
Ge 1,0 .1019cm-3 0,5 .1019cm-3
 30

Loi d’action des masses

• Ceci donne la loi « d’action des masses »

cte

3 𝐸𝑔
𝐸𝑣 −𝐸𝐶 1 𝑘 𝑚𝑑𝑒 𝑚𝑑ℎ − 𝑘𝑇
𝑛 𝑇 𝑝 𝑇 = 𝑁𝑐 𝑇 𝑃𝑣 𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑇3 𝑒 = 𝑛𝑖2 (𝑇)
2 𝜋ℏ2

• La valeur de ce produit ne dépend que de la température T

et du gap d’énergie Eg. Elle est indépendante du niveau de EF .
• Pour une température connue si la densité des électrons est
connue celle des trous peut être déduite (et inversement).

• Cette loi est vrai pour les SC intrinsèque et extrinsèque

• Cette loi n’est vrai que dans le cas d’un SC non dégénéré
 31

Effet Température sur ni

3 𝐸𝑔
2 1 𝑘 𝑚𝑑𝑒 𝑚𝑑ℎ −
𝑛𝑖 (𝑇) = 𝑇3 𝑒 𝑘𝑇
2 𝜋ℏ2

3
1 𝑘 𝑚𝑑𝑒 𝑚𝑑ℎ 2 3 𝐸𝑔
−
𝑛𝑖 (𝑇) = 𝑇2 𝑒 2𝑘𝑇
2 𝜋ℏ2
 36

Concentration de porteurs libres

• On définit : Δn(T)=n(T) - p(T)

– Dans le cas du dopage N on a Δn(T)>0
– Dans le cas du dopage P on a Δn(T)<0

• Calculer n(T)
 37

Concentration de porteurs libres

• On définit : Δn(T)=n(T) - p(T)

– Dans le cas du dopage N on a Δn(T)>0
– Dans le cas du dopage P on a Δn(T)<0

𝑛𝑖2 (𝑇)
• On a : 𝑝 𝑇 =
𝑛 𝑇
• On peut donc écrire :
𝑛𝑖2 (𝑇)
Δ𝑛 𝑇 = 𝑛 𝑇 − 𝑝(𝑇) = 𝑛 𝑇 −
𝑛 𝑇
• Donc 𝑛2 𝑇 − 𝑛 𝑇 Δ𝑛 𝑇 − 𝑛𝑖2 (𝑇) = 0
Concentration de porteurs libres 36

(cas extrinsèque)

• D’où on calcule n(T) pour un Δn≠0:

1 1 2
𝑛 𝑇 = Δ𝑛 𝑇 + Δ𝑛 𝑇 + 4𝑛𝑖2 𝑇
2 2
1 1 2
• La solution 𝑛 𝑇 = 2 Δ𝑛 𝑇 − 2 Δ𝑛 𝑇 + 4𝑛𝑖2 𝑇 n’est pas
valable parce qu’il s’agit d’une concentration négative

• On en déduit:
1 1 2
𝑝 𝑇 = 𝑛 𝑇 − Δ𝑛 𝑇 = − Δ𝑛 𝑇 + Δ𝑛 𝑇 + 4𝑛𝑖2 𝑇
2 2
Concentration de porteurs libres 39

(cas extrinsèque - approximation)

• Pour un semi-conducteurs type N avec Δn>>ni (fortement dopé)
on a 𝑛𝑖2 (𝑇)
𝑛 𝑇 = Δ𝑛 𝑇 𝑝 𝑇 =
𝑛 𝑇

– > Si on suppose le cas de l’ionisation totale des impuretés on a

𝑛𝑖2 (𝑇)
𝑛 𝑇 = Δ𝑛 𝑇 = 𝑁𝐷 𝑝 𝑇 =
𝑁𝐷
• Et pour un semi-conducteurs type P avec |Δn|>>ni on a

𝑛𝑖2 (𝑇)
𝑝 𝑇 = −Δ𝑛 𝑇 𝑛 𝑇 =
𝑝 𝑇
– > Si on suppose l’ionisation totale des impuretés on obtient

𝑝 𝑇 = −Δ𝑛 𝑇 = 𝑁𝐴 𝑛𝑖2 (𝑇)

𝑛 𝑇 =
𝑁𝐴
 42

Exercice 1.1
• On dispose d’un barreau de silicium pur, et on sait que
n=6,4 .109 cm-3 à température 250°K.
• Donner la concentration des trous à 1200°K
• Calculer la valeur du produit Nc.Pv à température 250°K.
• Sachant que mdh=0.5 mde, calculer la valeur de Nc et Pv à
température 250°K.
• Déterminer la position du niveau de Fermi dans les
conditions précédentes
Energie de gap
Charge élémentaire e=1,6021766208x10-19 C Eg=1.12eV
du silicium
Constante Mobilité
k=1.38064852x10−23 J.K−1 µn=950 cm²V-1s-1
de Boltzmann des électrons
Constante Mobilité
ħ=6,582 119 514×10−16 eV.s µp=450 cm²V-1s-1
de Planck réduite des trous
 Effet Temp sur SC intrinsèque 43

(niveau de Fermi intrinsèque)

• Dans le cas d’un semi-conducteurs intrinsèque (pas d’impureté)
les trous sont générés par la libération d’électrons et donc on a :

𝑛 𝑇 = 𝑝 𝑇 = 𝑛𝑖 (𝑇)
𝐸𝑔
−
= 𝑁𝑐 𝑇 𝑃𝑣 𝑇 𝑒 2𝑘𝑇

• Donc on a :
𝐸𝑔 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐶
−
𝑛𝑖 𝑇 = 𝑁𝑐 𝑇 𝑃𝑣 𝑇 𝑒 2𝑘𝑇 =𝑛 𝑇 = 𝑒 𝑘𝑇 𝑁𝑐 𝑇

• On en tire la valeur du niveau de Fermi intrinsèque

𝐸𝑔 𝑘𝑇 𝑃𝑣 𝑇 𝐸𝑔 3𝑘𝑇 𝑚𝑑ℎ
𝐸𝐹𝑖 = 𝐸𝑐 − + 𝑙𝑛 = 𝐸𝑐 − + 𝑙𝑛
2 2 𝑁𝑐 𝑇 2 4 𝑚𝑑𝑒
Effet Temp sur SC intrinsèque 44

(niveau de Fermi intrinsèque)

𝐸𝑔 3𝑘𝑇 𝑚𝑑ℎ
𝐸𝐹𝑖 = 𝐸𝑐 − + 𝑙𝑛
2 4 𝑚𝑑𝑒
• Pour un semi-conducteur intrinsèque, à température T=0°K,
le niveau de Fermi se trouve exactement au milieu du gap.

• D’autre part on a mde ≈ mdh d’où ln(mdh/mde)  0.

Donc à température non nulle le niveau de Fermi
est légèrement décalé vers le Bas

𝑘𝑇 𝑃𝑣 𝑇
T=300°K Nc (T) Pv (T) 𝑙𝑛 Eg
2 𝑁𝑐 𝑇
Si 2,7 .1019cm-3 1,1 .1019cm-3 -0,01160679 eV 1,1 eV
Ge 1,0 .1019cm-3 0,5 .1019cm-3 -0,00895962 eV 0,66eV
Niveau de Fermi 45

(cas extrinsèque)

• Déterminer la position du niveau de Fermi dans le ca

extrinsèque
Niveau de Fermi 46

(cas extrinsèque)
• On a toujours :
𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐶 𝐸𝑣 −𝐸𝐹𝑖
𝑛𝑖 𝑇 = 𝑁𝑐 𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑃𝑣 𝑇 𝑒 𝑘𝑇
𝐸𝐹 −𝐸𝐶 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐶 𝐸𝐹 −𝐸𝐹𝑖
𝑛 𝑇 = 𝑁𝑐 𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑁𝑐 𝑇 𝑒 𝑘𝑇 𝑒 𝑘𝑇
=
𝐸𝑣 −𝐸𝐹 𝐸𝑣 −𝐸𝐹𝑖 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐹
𝑝 𝑇 = 𝑃𝑣 𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑃𝑣 𝑇 𝑒 𝑘𝑇 𝑒 𝑘𝑇
• Donc :
𝐸𝐹 −𝐸𝐹𝑖 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐹
𝑛 𝑇 = 𝑛𝑖 (𝑇)𝑒 𝑘𝑇 𝑝 𝑇 = 𝑛𝑖 (𝑇)𝑒 𝑘𝑇

• On peut dire que le dopage déplace le niveau de fermi de la

position intrinsèque vers le haut ou vers le bas
 Niveau de Fermi 47

(cas extrinsèque)
• Donc on a:
𝐸𝐹 −𝐸𝐹𝑖 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐹
𝑛 𝑇 = 𝑛𝑖 (𝑇)𝑒 𝑘𝑇 𝑝 𝑇 = 𝑛𝑖 (𝑇)𝑒 𝑘𝑇

• Et d’autre part
1 1 2
𝑝 𝑇 = − Δ𝑛 𝑇 + Δ𝑛 𝑇 + 4𝑛𝑖2 𝑇
2 2
1 1 2
𝑛 𝑇 = Δ𝑛 𝑇 + Δ𝑛 𝑇 + 4𝑛𝑖2 𝑇
2 2
• Tout calcul fait on obtient :
2
𝐸𝑔 3𝑘𝑇 𝑚𝑑ℎ Δ𝑛 𝑇 Δ𝑛 𝑇
𝐸𝐶 − 𝐸𝐹 = − 𝑙𝑛 − 𝑘𝑇𝑙𝑛 + +1
2 4 𝑚𝑑𝑒 2𝑛𝑖 𝑇 2𝑛𝑖 𝑇

2
𝐸𝑔 3𝑘𝑇 𝑚𝑑ℎ −Δ𝑛 𝑇 Δ𝑛 𝑇
𝐸𝐹 − 𝐸𝑉 = + 𝑙𝑛 − 𝑘𝑇𝑙𝑛 − +1
2 4 𝑚𝑑𝑒 2𝑛𝑖 𝑇 2𝑛𝑖 𝑇
 48

Concentration de porteurs libres

Même surface
n(T)=p(T)=ni(T)

𝑛(𝑇) 𝑛(𝑇)

𝐸𝑐 𝐸𝑐 𝐸𝑐
𝐸𝑔
𝐸𝐹
𝐸𝐹𝑖
𝐸𝐹

𝐸𝑣 𝐸𝑣 𝐸𝑣
𝑝(𝑇) 𝑝(𝑇)

Le produit des surfaces

reste le même
n(T)p(T)=ni²(T)

Intrinsèque Dopage N Dopage P

 49

Exercice 1.1
• On dispose d’un barreau de silicium pur, et on sait que
n=6,4 .109 cm-3 à température 250°K.
• Donner la concentration des trous à 1200°K
• Calculer la valeur du produit Nc.Pv à température 250°K.
• Sachant que mdh=0.5 mde, calculer la valeur de Nc et Pv à
température 250°K.
• Déterminer la position du niveau de Fermi dans les
conditions précédentes
Energie de gap
Charge élémentaire e=1,6021766208x10-19 C Eg=1.12eV
du silicium
Constante Mobilité
k=1.38064852x10−23 J.K−1 µn=950 cm²V-1s-1
de Boltzmann des électrons
Constante Mobilité
ħ=6,582 119 514×10−16 eV.s µp=450 cm²V-1s-1
de Planck réduite des trous
 Mécanismes de génération-
recombinaison (GR)

• Phénomène de GR

• Mécanismes GR sans existence de pièges

• Mécanismes GR sous l’effet des pièges

 51

Phénomène de GR

• Le semi-conducteurs en température T#0°K est continuellement

animé par deux processus.
– la recombinaison d’électron-trou (disparition de la paire par émission
d’énergie)
– la génération d’électron-trou (création de la paire par consommation
d’énergie)

• On définit: 𝑔 = 𝑡𝑎𝑢𝑥 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒𝑢𝑟𝑠 𝑔é𝑛é𝑟é𝑠 𝑝𝑎𝑟 𝑠 𝑝𝑎𝑟 𝑐𝑚3

𝑟 = 𝑡𝑎𝑢𝑥 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒𝑢𝑟𝑠 𝑟𝑒𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛é𝑠 𝑝𝑎𝑟 𝑠 𝑝𝑎𝑟 𝑐𝑚3
𝑈 = 𝑡𝑎𝑢𝑥 𝑛𝑒𝑡 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒𝑢𝑟𝑠 𝑟𝑒𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛é𝑠 𝑝𝑎𝑟 𝑠 𝑝𝑎𝑟 𝑐𝑚3
• Avec
𝑈 =𝑟−𝑔
 52

Types de GR

• La transition directe (génération ou recombinaison) se passe

lorsque l’électron passe directement de la bande de valence à la
bande de conduction

• La transition indirecte (dite aussi par niveau-relais ou par piège) se

passe lorsqu’un niveau Et d’énergie, causé par les impuretés, se
situe au milieu du gap et crée ce qu’on appelle un piège ou centre
de recombinaison.
 53

La GR à l’équilibre

• Lorsque le SC est à l’équilibre thermodynamique on a n.p=ni²=cte

qui ne dépend que de la température. Donc le nombre de
porteurs générés est égal au nombre de porteurs recombinés
• Donc
d′où
𝑈 =𝑟−𝑔 =0 𝑟=𝑔
• Lorsque la concentration des porteurs n’est pas celle de l’équilibre
c-à-d que n.p≠ni². Les mécanismes RG s’accentuent de façon à
faire disparaitre l’excès ou le défaut.

• Attention ceci n’a rien à voir avec le dopage des semi-

conducteurs. Dans un semi-conducteurs dopé la règle n.p=ni² est
bien vérifiée
 54

Cas de GR directe

• Dans le cas de la GR directe

• A l’équilibre on a :
𝑟𝑡ℎ = 𝑔𝑡ℎ = 𝛼. 𝑛0 𝑝0 = 𝛼. 𝑛𝑖 ²

• Suite à une perturbation on aura n.p≠ni² et donc U≠0. On admet

que le taux net de recombinaison est proportionnel à la
perturbation:
𝑈 = 𝑟 − 𝑔 = 𝐶(𝑛𝑝 − 𝑛𝑖2 ) 𝐶 = 𝑐𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑐𝑚3/𝑠
• On pose 𝑛 = 𝑛0 + 𝑛 et 𝑝 = 𝑝0 + 𝑝

• On a donc : 𝑈 = 𝐶 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛 + 𝑛𝑝 + 𝑛0 𝑝0 − 𝑛𝑖2
≈ 𝐶 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛
≈0 =
 55

Cas de GR directe

• Donc on obtient:
𝑛 𝑝
𝑈 = 𝐶𝑛0 𝑝 + 𝐶𝑝0 𝑛 = +
𝜏𝑛 𝜏𝑝
1 1
• Avec 𝜏𝑝 = et 𝜏𝑛 =
𝐶𝑛0 𝐶𝑝0

• Attention on n’a pas forcément n0=p0 (et par la suite τn ≠ τp)

sauf si on est dans un semi-conducteurs intrinsèque.

• τn (τp) est une constante analogue à un temps (en s). elle

représente la durée de vie moyenne de l’électron (trou)
excédentaire. Il représente le temps moyen qui sépare son
apparition et sa disparition par mécanisme de recombinaison.
 56

Cas de GR indirecte

• Dans le cas de la GR indirecte on distingue quatre processus

2 processus R (a et b), et 2 processus G (c et d)

• On définit: Un= ra - gd le taux net de recombinaison électron-piège

Up= rb - gc le taux net de recombinaison piège-trou

• A l’équilibre nous avons Un=0 et Up=0

• Au régime permanent on a Un=Up
 57

Cas de GR indirecte

• On définit Nt comme étant la concentration des pièges dans le

semi-conducteurs. A l’instant t ces pièges peuvent être soit
vides soit déjà occupés par un électron. D’où :
𝑁𝑡 = 𝑁𝑡𝑣 + 𝑁𝑡𝑜
avec Ntv est la concentration des pièges vides
Nto est la concentration des pièges occupés

• Soit f la probabilité d’occupation des niveaux relais. On a:

𝑁𝑡𝑜 = 𝑓𝑁𝑡

• Donc : 𝑁𝑡 = 𝑁𝑡𝑣 + 𝑓𝑁𝑡 et 𝑁𝑡𝑣 = (1 − 𝑓)𝑁𝑡

 58

Cas de GR indirecte

• Le taux de recombinaison du processus a noté ra est proportionnel

à la concentration des électrons (n) et à celle des niveaux relais
vides (Ntv) selon le modèle de Shockley - Hall – Read, on a donc:
𝑟𝑎 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡𝑣
avec Vthn: la vitesse thermique des électrons
Sn : la section de capture des électrons

• Or 𝑁𝑡𝑣 = (1 − 𝑓)𝑁𝑡

• donc : 𝑟𝑎 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡

 59

Cas de GR indirecte

• Le taux de recombinaison du processus b noté rb est proportionnel

à la concentration des trous (p) et à celle des niveaux relais
occupés (Nto) on a:
𝑟𝑏 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡𝑜
avec Vthp: la vitesse thermique des trous
Sp : la section de capture des trous

• On rappelle que : 𝑁𝑡𝑜 = 𝑓𝑁𝑡

• Donc : 𝑟𝑏 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓𝑁𝑡

 60

Cas de GR indirecte

• Le taux de recombinaison du processus c noté rc est proportionnel

à la concentration des niveaux relais occupés (Ntv) donc:
𝑔𝑐 = 𝑒𝑝 𝑁𝑡𝑣 = 𝑒𝑝 (1 − 𝑓)𝑁𝑡
avec ep : la probabilité d’émission des trous de BV vers Et.
Plus Et est bas plus cette probabilité est grande
• Donc

𝑈𝑝 = 𝑟𝑏 − 𝑔𝑐 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓 𝑁𝑡 − 𝑒𝑝 (1 − 𝑓)𝑁𝑡

 61

Cas de GR indirecte

• Le taux de génération du processus d noté rd est proportionnel à la

concentration des niveaux relais occupés (Nto), donc:
𝑔𝑑 = 𝑒𝑛 𝑁𝑡𝑜 = 𝑒𝑛 𝑓𝑁𝑡
avec en :la probabilité d’émission des électrons de Et vers BC.
Plus Et est élevé plus cette probabilité est grande
• Donc

𝑈𝑛 = 𝑟𝑎 − 𝑔𝑑 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 − 𝑒𝑛 𝑓𝑁𝑡

Cas de GR indirecte 62

(approximation des pièges efficaces)

• Donc:
𝑈𝑛 = 𝑟𝑎 − 𝑔𝑑 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 − 𝑒𝑛 𝑓𝑁𝑡
𝑈𝑝 = 𝑟𝑏 − 𝑔𝑐 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓 𝑁𝑡 − 𝑒𝑝 (1 − 𝑓)𝑁𝑡

• Dans le cas où le piège se situe au milieu du gap c-à-d Et=(Ec+Ev)/2

ce qu’on appelle un piège efficace. On a:
en = ep = ê

• Sous ces hypothèses on obtient:

𝑈𝑛 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 − ê𝑓𝑁𝑡
𝑈𝑝 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓 𝑁𝑡 − ê (1 − 𝑓)𝑁𝑡
Cas de GR indirecte 63

(approximation des pièges efficaces)

• A l’équilibre thermique on a: Un = Up = 0
𝑈𝑛 = 0 = 𝑛0 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 1 − 𝑓 𝑁𝑡 − ê𝑓𝑁𝑡

𝑈𝑝 = 0 = 𝑝0 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓 𝑁𝑡 − ê (1 − 𝑓)𝑁𝑡

• Donc 𝑛0 𝑝0 𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓(1 − 𝑓) = ê²𝑓 (1 − 𝑓) 𝑓𝜖]0,1[

• D’où ê² = 𝑛𝑖2 𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝 ⇒ ê = 𝑛𝑖 𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝

• Ceci donne:

𝑈𝑛 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 (1 − 𝑓) − 𝑛𝑖 𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 𝑓

𝑈𝑝 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 𝑓 − 𝑛𝑖 𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 (1 − 𝑓)

Cas de GR indirecte 64

(approximation des pièges efficaces)

• On admet que : Sn= Sp = S

Vthn= Vthp= Vth

• Ceci donne ê = 𝑛𝑖 𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝 = 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ

• Et 𝑈𝑛 = 𝑛𝑆𝑉𝑡ℎ (1 − 𝑓)𝑁𝑡 − ê𝑓𝑁𝑡

𝑈𝑝 = 𝑝𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑓 𝑁𝑡 − ê (1 − 𝑓)𝑁𝑡

• Donc: 𝑈𝑛 = 𝑛𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 (1 − 𝑓) − 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑓

𝑈𝑝 = 𝑝𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑓 − 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 (1 − 𝑓)
 Cas de GR indirecte 65

(approximation des pièges efficaces)

• En régime permanent on a Un=Up=U donc:
𝑛𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 (1 − 𝑓) − 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑓 = 𝑝𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑓 − 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 (1 − 𝑓)
• Donc : 𝑛 1 − 𝑓 − 𝑛𝑖 𝑓 − 𝑝𝑓 + 𝑛𝑖 1 − 𝑓 = 0
𝑛 + 𝑛𝑖 𝑝 + 𝑛𝑖
• D’où 𝑓= et 1−𝑓 =
𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖
• Conclusion
𝑝 + 𝑛𝑖 𝑛 + 𝑛𝑖 𝑛𝑝 − 𝑛𝑖 ²
𝑈𝑛 = 𝑈𝑝 = 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑛 − 𝑛𝑖 = 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡
𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖

• Or 𝑛 = 𝑛0 + 𝑛 et 𝑝 = 𝑝0 + 𝑝

• Donc 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛 1 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛
𝑈 ≈ 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 =
𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖 𝜏 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖
Cas de GR indirecte 66

(cas général)

• On a:
𝑈𝑛 = 𝑟𝑎 − 𝑔𝑑 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 − 𝑒𝑛 𝑓𝑁𝑡
𝑈𝑝 = 𝑟𝑏 − 𝑔𝑐 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓 𝑁𝑡 − 𝑒𝑝 (1 − 𝑓)𝑁𝑡

1
• On admet aussi que: 𝑓= 𝐸𝑡 −𝐸𝐹
1 + 𝑒 𝑘𝑇

𝑓 𝐸𝐹 −𝐸𝑡 1−𝑓 𝐸𝑡 −𝐸𝐹

• On a donc : = 𝑒 𝑘𝑇 et = 𝑒 𝑘𝑇
1−𝑓 𝑓
Cas de GR indirecte 67

(cas général)
• A l’équilibre nous avons :
𝐸𝐹 −𝐸𝑖 𝐸𝑖 −𝐸𝐹
𝑛 = 𝑛0 = 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇 𝑝 = 𝑝0 = 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇

• A l’équilibre nous avons aussi Un=0 et Up=0. donc:

1−𝑓 𝐸𝑡 −𝐸𝐹
𝑒𝑛 𝑁𝑡 = 𝑛0 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 = 𝑛0 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 𝑒 𝑘𝑇
𝑓
𝑓 𝐸𝐹 −𝐸𝑡
𝑒𝑝 𝑁𝑡 = 𝑝0 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 = 𝑝0 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 𝑒 𝑘𝑇
1−𝑓
• Conclusions.
𝐸𝑡 −𝐸𝐹 𝐸𝐹 −𝐸𝑖 𝐸𝑡 −𝐸𝐹 𝐸𝑡 −𝐸𝑖
𝑒𝑛 = 𝑛0 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇
𝐸𝐹 −𝐸𝑡 𝐸𝑖 −𝐸𝐹 𝐸𝐹 −𝐸𝑡 𝐸𝑖 −𝐸𝑡
𝑒𝑝 = 𝑝0 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇
 Cas de GR indirecte 68

(cas général)
• On a donc 𝐸𝑡 −𝐸𝑖
𝑒𝑛 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇
𝐸𝑖 −𝐸𝑡
𝑒𝑝 = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇
• On pose 𝑛𝑡 =
𝐸𝑡 −𝐸𝐹𝑖
𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇
𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝑡
𝑝𝑡 = 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇
• On a donc
𝑒𝑛 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑛𝑡
𝑒𝑝 = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑝𝑡
• Donc on obtient:
𝑈𝑛 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 1 − 𝑓 − 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑛𝑡 𝑁𝑡 𝑓 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 𝑛 1 − 𝑓 − 𝑓𝑛𝑡

𝑈𝑝 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 𝑓 − 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑝𝑡 𝑁𝑡 1 − 𝑓 = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 𝑝𝑓 − (1 − 𝑓)𝑝𝑡

Cas de GR indirecte 69

(cas général)
• En régime permanent on a Un=Up donc:
𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑛 1 − 𝑓 − 𝑓𝑛𝑡 = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑝𝑓 − (1 − 𝑓)𝑝𝑡
𝑛𝑆𝑛 + 𝑝𝑡 𝑆𝑝
• On peut donc déduire que: 𝑓 =
𝑆𝑛 𝑛 + 𝑛𝑡 + 𝑆𝑝 𝑝 + 𝑝𝑡

• Et que 𝑛𝑡 𝑆𝑛 + 𝑝𝑆𝑝
1−𝑓 =
𝑆𝑛 𝑛 + 𝑛𝑡 + 𝑆𝑝 𝑝 + 𝑝𝑡
• Finalement on obtient en régime permanent:

𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 (𝑛𝑝 − 𝑛𝑖 ²)
𝑈𝑛 = 𝑈𝑝 =
𝑆𝑛 𝑛 + 𝑛𝑡 + 𝑆𝑝 𝑝 + 𝑝𝑡
Cas de GR indirecte 70

(cas général)

1 1
• On pose : 𝜏𝑛 = et 𝜏𝑝 = deux constantes de
𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡
temps qui représentent les durées de vie moyennes respectivement
des électrons et des trous.

• De façon générale on a : 𝑛 1 − 𝑓 − 𝑛𝑡 𝑓
𝑈𝑛 =
𝜏𝑛
𝑝𝑓 − 𝑝𝑡 (1 − 𝑓)
𝑈𝑝 =
𝜏𝑝
 71

Récapitulation

RG indirect RG indirect
RG direct
Piège efficace Cas général
𝑼𝒏 = 𝒓𝒂 − 𝒈𝒅 = 𝒏𝑺𝒏 𝑽𝒕𝒉𝒏 (𝟏 − 𝒇)𝑵𝒕 − 𝒆𝒏 𝒇𝑵𝒕
𝑼=𝒓−𝒈
Définition
= 𝑪(𝒏𝒑 − 𝒏𝟐𝒊 )
𝑼𝒑 = 𝒓𝒃 − 𝒈𝒄 = 𝒑𝑺𝒑 𝑽𝒕𝒉𝒑 𝒇𝑵𝒕 − 𝒆𝒑 (𝟏 − 𝒇)𝑵𝒕
Vie moyenne 𝟏 𝟏
𝝉𝒏 = 𝝉𝒏 =
des électrons 𝑪𝒑𝟎 𝑺𝒏 𝑽𝒕𝒉𝒏 𝑵𝒕
Vie moyenne 𝟏 𝟏
𝝉𝒑 = 𝝉𝒑 =
des trous 𝑪𝒏𝟎 𝑺𝒑 𝑽𝒕𝒉𝒑 𝑵𝒕

𝟏 𝒏𝒑 − 𝒏𝒊 ² 𝟏 (𝒏𝒑 − 𝒏𝒊 ²)
𝑼𝒏 = 𝑼𝒏 =
U en régime 𝒏 𝒑 𝝉𝒏 𝒏 + 𝒑 +𝟐𝒏𝒊 𝝉𝒏 𝒏 + 𝒏𝒕 + 𝒑 + 𝒑𝒕
𝑼= +
permanant 𝝉𝒏 𝝉𝒑 𝟏 𝒏𝒑 − 𝒏𝒊 ² 𝟏 (𝒏𝒑 − 𝒏𝒊 ²)
𝑼𝒑 = 𝑼𝒑 =
𝝉𝒑 𝒏 + 𝒑 +𝟐𝒏𝒊 𝝉𝒑 𝒏 + 𝒏𝒕 + 𝒑 + 𝒑𝒕
Mécanismes de transport de charge

• Courant de conduction :
– Dû au champs électrique appliqué aux porteurs
de charge dans le SC
• Courant de diffusion :
– Dû au gradient dans la distribution des porteurs
de charge dans le SC
• Courant total
 73

Courant de conduction

• Les courants dans un semi-conducteurs sont dus au

mouvement des e- dans la BC et des trous dans la BV sous
l’action d’une force F.

• En l’absence de champs les porteurs libres dans

le semi-conducteurs sont animés par un
mouvement aléatoire qu’on peut assimiler
à celui des molécules d’un gaz
dans une enceinte.

• Le mouvement des porteurs est animé par

les collisions multiples qui induisent une distribution de
mouvement isotrope d’où la conclusion que le mouvement
d’ensemble est nul
 74

Courant de conduction

• Sous l’effet d’une force (champs Electrique) les porteurs sont

animés par un mouvement aléatoire (à cause des collisions)
mais orienté (à cause du champs). La vitesse moyenne d’un
porteur sous l’effet d’un champs électrique 𝜉 est donné par
le modèle de Drude: 𝑞𝜏𝐶
𝑣= ∗
𝜉
2𝑚
𝜏𝐶 = 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑠 𝑚𝑜𝑦𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑙𝑙𝑖𝑠𝑖𝑜𝑛
𝑚∗ = 𝑚𝑎𝑠𝑠𝑒 𝑒𝑓𝑓𝑒𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒 𝑑𝑢 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒𝑢𝑟
𝑞 = 𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒 é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑖𝑞𝑢𝑒 𝑑𝑢 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒𝑢𝑟

• La période 𝜏𝐶 dépend de:

– La température
– La concentration totale d’impuretés (donneurs et accepteurs)
– La densité d’état.
 75

Courant de conduction

• On définit donc µ la mobilité des porteurs, qui correspond à la

vitesse moyenne du porteur par unité de champ électrique.
−𝑞𝑛 𝜏𝐶 T=300°K µn (T) µp (T)
𝜇𝑛 =
2𝑚𝑑𝑒 Si 1 350 cm2/V.s 480 cm2/V.s
𝑞𝑝 𝜏𝐶
𝜇𝑝 = Ge 3 600 cm2/V.s 1 800 cm2/V.s
2 𝑚𝑑ℎ
• La densité du courant est définie comme:

𝐽𝑐 = (−𝑞𝑛 𝑛𝜇𝑛 + 𝑞𝑝 𝑝𝜇𝑝 )𝜉 = 𝜎𝑛 + 𝜎𝑝 𝜉 = 𝜎𝜉

• Remarques
– Cette relation représente la loi d’ohm généralisée
– Attention qn<0 donc σn et σp>0 par conséquent σ>0
 76

Courant de diffusion

• Si les porteurs libres ne sont pas distribués uniformément

dans le SC, ils sont soumis au processus de diffusion. Leur
mouvement s’effectue dans un sens qui tend à uniformiser
leur distribution spatiale. Ce mouvement introduit un
courant qu’on appelle courant de diffusion.
𝐽𝑑 = 𝐽𝑑𝑛 + 𝐽𝑑𝑝
• Selon la 1ère loi de Fick, le flux des porteurs est proportionnel au gradient
de la concentration des porteurs :

𝐽𝑑𝑛 = −𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑛)

𝐽𝑑𝑝 = −𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑝)
• Dn et Dp sont les constantes de diffusion (>0) données par la relation
d’Einstein 𝐷 𝐷 𝑘𝑇
𝑛 𝑝
= = = 𝑈𝑇
𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑒
 77

Courant total

• Donc au total nous avons

𝐽 = 𝐽𝑐 + 𝐽𝑑

𝐽 = 𝐽𝑐𝑛 + 𝐽𝑐𝑝 + 𝐽𝑑𝑛 + 𝐽𝑑𝑝

𝐽 = 𝜎𝑛 + 𝜎𝑝 𝜉 − 𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑛) − 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑝)

𝐽 = −𝑞𝑛 𝑛𝜇𝑛 + 𝑞𝑝 𝑝𝜇𝑝 𝜉 − 𝑞𝑛 𝜇𝑛 𝑈𝑇 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑛) − 𝑞𝑝 𝜇𝑝 𝑈𝑇 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑝)

𝐽 = 𝑞𝑝 𝜇𝑝 𝑝. 𝜉 − 𝑈𝑇 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑝 − 𝑞𝑛 𝜇𝑛 𝑛. 𝜉 + 𝑈𝑇 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑛 = 𝐽𝑝 + 𝐽𝑛
 78

Exercice 1 (suite)

• Le barreau de silicium est dopé par du Bore à une concentration N=1010 cm-3.
1. De quel type de dopage s’agit-il ?
2. Sous l’hypothèse d’ionisation totale des atomes dopantes, déterminer la
concentration des porteurs de charge.
3. Déterminer la position du niveau de Fermi du semi-conducteur obtenu.
4. Calculer la conductivité du semi-conducteur obtenu.
5. Comparer la résistivité du semi-conducteur obtenu avec la résistivité du
cuivre ρCu=1.7 µΩ.cm
Energie de gap
Charge élémentaire e=1,6021766208x10-19 C Eg=1.12eV
du silicium
Constante Mobilité
k=1.38064852x10−23 J.K−1 µn=950 cm²V-1s-1
de Boltzmann des électrons
Constante Mobilité
ħ=6,582 119 514×10−16 eV.s µp=450 cm²V-1s-1
de Planck réduite des trous
 79

Exercice 2

• On veut dope un barreau de silicium avec du

phosphore. Donner le type du dopage obtenue
et la concentration de dopage nécessaire pour
obtenir un matériau de résistivité r=0,6Ω.cm.
T=300°K µn (T) µp (T)
Si 1 350 cm2/V.s 480 cm2/V.s

• Calculer le rapport du courant d’électrons et de

trous correspondant à ce matériau
 80

Exercice 2 (suite)

• Si un lingot de silicium de type précédent est

traversé par un courant de 500mA quelle est la
valeur du courant d’électrons et celle du
courant de trou?

• Quelle est la masse de phosphore nécessaire

pour réaliser le dopage précèdent pour un
lingot de 40cm de long et de 15cm de
diamètre?
Equations de continuité
• Equations totales de variation de porteurs
dans un semi-conducteurs
• Le temps de diffusion
• La longueur de diffusion
 82

Equations de continuité
• Pour un cube élémentaire on a:
gSdx
𝑑𝑛 𝐽𝑛 𝑥 − 𝐽𝑛 𝑥 + 𝑑𝑥 Jn(x) Jn(x+dx)
𝑆𝑑𝑥 = 𝑆 − 𝑈𝑛 𝑆𝑑𝑥
𝑑𝑡 𝑞𝑛
𝑑𝑝 𝐽𝑝 𝑥 − 𝐽𝑝 𝑥 + 𝑑𝑥 S dx
𝑆𝑑𝑥 = 𝑆 − 𝑈𝑝 𝑆𝑑𝑥
𝑑𝑡 𝑞𝑝 rSdx

• Par simplification on peut dire que:

𝑑𝑛 1 𝐽𝑛 𝑥 − 𝐽𝑛 𝑥 + 𝑑𝑥 −1 𝜕𝐽𝑛 𝑥
= − 𝑈𝑛 = − 𝑈𝑛
𝑑𝑡 𝑞𝑛 𝑑𝑥 𝑞𝑛 𝜕𝑥
𝑑𝑝 1 𝐽𝑝 𝑥 − 𝐽𝑝 𝑥 + 𝑑𝑥 −1 𝜕𝐽𝑝 𝑥
= − 𝑈𝑝 = − 𝑈𝑝
𝑑𝑡 𝑞𝑝 𝑑𝑥 𝑞𝑝 𝜕𝑥
 83

Equations de continuité

• Or on a
𝐽𝑛 = −𝑞𝑛 𝜇𝑛 𝑛𝜉 − 𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑛
𝐽𝑝 = 𝑞𝑝 𝜇𝑝 𝑝𝜉 − 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑝

• On obtient donc:
𝑑𝑛 −1 𝜕 𝜕𝑛
= −𝑞𝑛 𝜇𝑛 𝑛𝜉𝑥 − 𝑞𝑛 𝐷𝑛 − 𝑈𝑛
𝑑𝑡 𝑞𝑛 𝜕𝑥 𝜕𝑥
=
𝜕𝑛 𝜕𝜉𝑥 𝜕²𝑛
= 𝜇𝑛 𝜉𝑥 + 𝜇𝑛 𝑛 + 𝐷𝑛 − 𝑈𝑛
𝑑𝑝 −1 𝜕 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑝 𝜕𝑥²
= 𝑞𝑝 𝜇𝑝 𝑝𝜉𝑥 − 𝑞𝑝 𝐷𝑝 − 𝑈𝑝
𝑑𝑡 𝑞𝑝 𝜕𝑥 𝜕𝑥
=
𝜕𝑝 𝜕𝜉𝑥 𝜕2𝑝
Equations de continuité 84

(en absence de ξ – absence de mvt)

• Dans le cas d’un semi-conducteur type N qui n’est soumis à aucun
champs électrique. on injecte une faible quantité de porteurs
minoritaires (c-à-d des trous 𝑝 - ici 𝑛 = 0).

• On ignore les phénomènes de mouvement des porteurs

• En appliquer les équations de continuité donner l’équation

d’évolution des porteurs trous
Equations de continuité 85

(en absence de ξ – absence de mvt)

• En absence de champs électrique et en ignorant les phénomènes
de mouvement des porteurs on obtient:
𝑑𝑛 −1 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛 𝑑𝑝 −1 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛
= −𝑈𝑛 = et = −𝑈𝑝 =
𝑑𝑡 𝜏𝑛 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖 𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖
• Dans un SC type N on injecte une faible quantité de porteurs
minoritaires c-à-d des trous 𝑝 (ici 𝑛 = 0)
𝑑𝑝 𝑑(𝑝 + 𝑝0 ) 𝑑𝑝
• On a n=n0 >> ni >> p0 avec : 𝑑𝑡
=
𝑑𝑡
=
𝑑𝑡

• On peut dire que 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛 = 𝑛0 𝑝

• Et 𝑛 + 𝑝 + 2𝑛𝑖 = 𝑛0 + 𝑝0 + 𝑝 + 2𝑛𝑖 ≈ 𝑛0
𝑑𝑝 −1
• On obtient donc l’équation = 𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝
 Equations de continuité 86

(en absence de ξ – absence de mvt)

• De même pour une faible injection de porteurs minoritaires dans
un SC de type P c-à-d perturbation d’électrons 𝑛 (et 𝑝 = 0) on a:
𝑑𝑛 1
=− 𝑛
𝑑𝑡 𝜏𝑛
• Ainsi on a :
−𝑡 −𝑡
– Dans un SC type N : 𝜏𝑝
𝑝 = 𝑝(𝑡 = 0)𝑒 𝜏𝑝 = 𝑝0 𝑒
−𝑡 −𝑡
– Dans un SC type P : 𝑛 = 𝑛(𝑡 = 0)𝑒 𝜏𝑛
= 𝑛0 𝑒 𝜏𝑛

• Ainsi 𝜏𝑛 et 𝜏𝑝 apparaissent comme des constantes de la durée de

vie des porteurs minoritaires dans un semi-conducteurs.
𝑝(𝑡) 𝑛(𝑡)
Type N Type P
𝑝0 𝑛0
−𝑡 −𝑡
𝜏𝑝
𝑝 𝑡 = 𝑝0 𝑒 𝑛 𝑡 = 𝑛0 𝑒 𝜏𝑛
t t
τp τn
Equations de continuité 87

(en absence de ξ – reg permanent)

• Dans le cas d’un semi-conducteur type N qui n’est soumis à aucun
champs électrique. on injecte de façon continue une faible
quantité de porteurs minoritaires (c-à-d des trous 𝑝 - ici 𝑛 = 0).

• Injection continue => Les phénomènes de mouvement des

porteurs ne sont plus ignoré. On considère le régime permanent
(c’est-à-dire après plusieurs τp ou τn) on peut supposer que la
variation de la concentration des porteurs va finir par s’annuler.
𝑑𝑝
=0
𝑑𝑡
• En appliquer les équations de continuité donner l’équation
d’évolution des porteurs trous
Equations de continuité 88

(en absence de ξ – reg permanent)

• Toujours en absence de champs électrique mais cette fois en régime
permanent on a: 2 2
𝑑𝑝 𝜕 𝑝 𝜕 𝑝 1 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛
= 𝐷𝑝 2 − 𝑈𝑝 = 𝐷𝑝 2 −
𝑑𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏𝑝 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖
𝑑𝑛 𝜕2𝑛 𝜕 2 𝑛 1 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛
= 𝐷𝑛 2 − 𝑈𝑛 = 𝐷𝑛 2 −
𝑑𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏𝑛 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖
• Donc :Etant en régime permanent (c’est-à-dire après plusieurs τp ou τn)
on peut supposer que la variation de la concentration des porteurs va
finir par s’annuler.
𝑑𝑝 𝜕2𝑝 𝑝 𝜕2𝑝 𝑥 𝑝 (𝑥)
– Dans un SC type N = 𝐷𝑝 2 − = 𝐷𝑝 − =0
𝑑𝑡 𝜕𝑥 𝜏𝑝 𝜕𝑥 2 𝜏𝑝
– Dans un SC type P
𝑑𝑛 𝜕2𝑛 𝑛 𝜕2𝑛 𝑥 𝑛 (𝑥)
= 𝐷𝑛 2 − = 𝐷𝑛 − =0
𝑑𝑡 𝜕𝑥 𝜏𝑛 𝜕𝑥 2 𝜏𝑛
• On pose Lp²=Dpτp et Ln²=Dnτn (varient de qlqs 10µm à qlqs mm)
 Equations de continuité 89

(en absence de ξ – reg permanent)

• On a donc : −𝑥 𝑥
– Dans un SC type N 𝑝 𝑥 = 𝐴. 𝑒𝑥𝑝 + 𝐵. 𝑒𝑥𝑝
𝐿𝑝 𝐿𝑝
−𝑥 𝑥
– Dans un SC type P 𝑛 𝑥 = 𝐴. 𝑒𝑥𝑝 + 𝐵. 𝑒𝑥𝑝
𝐿𝑛 𝐿𝑛
• Si W→∞ (barre inifinie). On applique les conditions en limites
– x=0 : 𝑝 (𝑥) = 𝑝 (0) = 𝑝0 et 𝑛 (𝑥) = 𝑛 (0) = 𝑛0
– x→∞ : 𝑝 (𝑥) →0 et 𝑛 (𝑥) →0
• Ceci implique que B=0 et A=𝑝0 (ou bien 𝑛0). Donc :
𝑝(𝑥) 𝑛(𝑥)
Type N Type P
𝑝0 𝑛0
−𝑥 −𝑥
𝐿𝑝
𝑝 𝑥 = 𝑝0 𝑒 𝑛 𝑥 = 𝑛0 𝑒 𝐿𝑛
x x
Lp Ln
 Equations de continuité 90

(en absence de ξ – reg permanent)

𝑝(𝑥) 𝑛(𝑥)
Type N Type P
𝑝0 𝑛0
−𝑥 −𝑥
𝐿𝑝
𝑝 𝑥 = 𝑝0 𝑒 𝑛 𝑥 = 𝑛0 𝑒 𝐿𝑛
x x
Lp Ln
• Lp et Ln les distances moyennes que doit parcourir un porteur minoritaires
excédentaire dans un SC avant de disparaître (par recombinaison). Elles sont
dites longueurs de diffusion des porteurs excédentaires
• Ceci peut être exprimé autrement comme suit:
p n

p0+𝑝0 n0+𝑛0
Type N Type P

p0 n0
Lp x Ln x
 Equations de continuité 91

(en absence de ξ – reg permanent)

• Cas d’une barre finie de taille W. On applique les conditions en lim
– x=0 : 𝑝 (𝑥) = 𝑝 (0) = 𝑝0 et 𝑛 (𝑥) = 𝑛 (0) = 𝑛0
– x=W : 𝑝 (𝑊) = 0 et 𝑛 (𝑊) = 0
• Rappelons que :
−𝑥 𝑥
– Dans un SC type N 𝑝(𝑥) = 𝐴𝑒𝑥𝑝 + 𝐵𝑒𝑥𝑝
𝐿𝑝 𝐿𝑝
−𝑥 𝑥
– Dans un SC type P 𝑛(𝑥) = 𝐴𝑒𝑥𝑝 + 𝐵𝑒𝑥𝑝
𝐿𝑛 𝐿𝑛

• Ceci donne:
𝑝0 𝑊−𝑥
– Dans un SC type N 𝑝 𝑥 = 𝑠ℎ
𝑊 𝐿𝑝
𝑠ℎ
𝐿𝑝
𝑛0 𝑊−𝑥
– Dans un SC type P 𝑛 𝑥 = 𝑠ℎ
𝑊 𝐿𝑛
𝑠ℎ
𝐿𝑛
Equations de continuité 92

(en absence de ξ – reg permanent)

• Si on suppose que W << Lp,n (cas souvent rencontré dans les
diodes courtes), par développement en série on obtient:
𝑥
– Dans un SC type N 𝑝 𝑥 = 𝑝0 1−
𝑊
𝑥
– Dans un SC type P 𝑛 𝑥 = 𝑛0 1−
𝑊

• généralisation 𝑛(ou 𝑝)

𝑛0 (ou 𝑝0 )
W=0

W=∞
x/W
1
 93

Exercice 3

• On dispose d’un cylindre semi-conducteurs de Silicium de rayon

R=1mm et de longueur W=0,5cm à une température 250°K.

• Nous dopons le semi-conducteurs en utilisant du Bore à une

concentration NA=1015cm-3. Déduire la valeur de n0 et p0 les
concentrations respectives des électrons et des trous dans le semi-
conducteurs

• A l’instant t0=0s nous injectons une quantité 𝑛1 =1010cm-3

d’électrons et nous observons le temps t1 – t0 = 10-5s nécessaire
pour la disparition de la moitié de cette quantité.
Sachant que le Silicium contient des impuretés qui constituent des
pièges efficaces. Déduire la concentration des pièges dans le SC

• On injecte de façon continue une quantité 𝑛2 =5.109cm-3 au niveau

de surface x=0. Donner l’équation de l’évolution de n et p suivant
l’axe x
Equations de continuité 95

(loi de gausse)
𝜌
• Selon la loi de gausse on a: div(𝜉 ) =
𝜀
– Avec ε= εr ε0 la permittivité électrique du SC
– Et ρ densité de charge dans le SC (Elle se calcule en tenant compte de
toutes les charges qui existent dans le SC (n, p, NA, ND,…)
• Dans le cas unidimensionnel on obtient

𝜕𝜉 𝜌(𝑥)
=
𝜕𝑥 𝜀
• On a donc:
𝑑𝑛 𝜕𝑛 𝜌 𝑥 𝜕²𝑛
= 𝜇𝑛 𝜉𝑥 − 𝜇𝑛 𝑛 + 𝐷𝑛 − 𝑈𝑛
𝑑𝑡 𝜕𝑥 𝜀 𝜕𝑥²
𝑑𝑝 𝜕𝑝 𝜌 𝑥 𝜕2𝑝
= −𝜇𝑝 𝜉𝑥 + 𝜇𝑝 𝑝 + 𝐷𝑝 − 𝑈𝑝
𝑑𝑡 𝜕𝑥 𝜀 𝜕𝑥²
Equations de continuité 96

(loi de poisson)
• On a: 𝜉 = −𝑔𝑟𝑎𝑑 (𝑉)
– Pour V potentiel électrique

• En substituant dans la loi de gausse on se ramène à la loi de

poisson 𝜌
𝛻²𝑉 = −
𝜀
• Pour le cas unidimensionnel on obtient
𝜕2𝑉 𝜌(𝑥)
=−
𝜕𝑥² 𝜀
Bilan global
• Sommaire des équations utiles
 98

Bilan global

Equations de continuité Courant total

𝑑𝑛 −1 𝜕𝐽𝑛 𝑥
= − 𝑈𝑛 𝐽𝑛 = −𝑞𝑛 𝜇𝑛 𝑛. 𝜉 − 𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑛
𝑑𝑡 𝑞𝑛 𝜕𝑥 Où
𝑑𝑝 −1 𝜕𝐽𝑝 𝑥
= − 𝑈𝑝 𝐽𝑝 = 𝑞𝑝 𝜇𝑝 𝑝. 𝜉 − 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑝
𝑑𝑡 𝑞𝑝 𝜕𝑥
Où

1 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛 Relation Elecrostat 𝜉 = −𝑔𝑟𝑎𝑑 (𝑉)

𝑈𝑛 =
𝜏𝑛 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖 𝜌
Relation de Gauss 𝛻²𝑉 = −
1 𝑛0 𝑝 + 𝑝0 𝑛 𝜀
𝑈𝑝 = Relation 𝐷𝑛 𝐷𝑝 𝑘𝑇
𝜏𝑝 𝑛 + 𝑝 +2𝑛𝑖 = = = 𝑈𝑇
d’Einstein 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑒
Taux net de recombinaison
Le comportement de la jonction PN
• Le création de la zone dépeuplée –
hypothèse de Shockley
• Calcul des grandeurs électriques à l’équilibre
• Comportement de la jonction PN sous l’effet
d’un champs externe
• Caractéristique de la diode
 La jonction PN 100

(profil de jonction)
Jonction
• Une Jonction PN c’est deux partie de Type P Type N
semi-conducteur dopées une en N et
l’autre en P. Avec un surface commune appelée jonction

• Nous étudierons la jonction à dopage uniforme, dite jonction « abrupte ».

Il s’agit d’un profil simplifié approximatif des profils réels de jonction.
• L’analyse de la jonction abrupte demeure, à quelques corrections près,
valable dans le cas de la jonction réelle, dite jonction « graduelle ».
 La jonction PN 101

(vue globale)
• Dès que deux SC l’un du type P et l’autre du type N
sont en contact, ce qui suit se passe dans l’ordre
1. Les porteurs de charges mobiles majoritaires de la zone P (i.e. les
trous) et les porteurs de charges mobiles majoritaires de la zone N
(i.e. les électrons) s’attirent et se déplacent vers la jonction.
2. Les trous et les électrons libres se recombinent sur le bord limite
3. Création d’une charge (–) dans la zone P
(dûe aux ions ⊝ ) et une charge (+)
dans la zone N (dûe aux ions ⊕)
4. Création d’un champ Ei : effet capacitif
5. Le champ Ei repousse les trous plus loin
dans la zone P et repousse les électrons
plus loin dans la zone N. Ce qui rend la
compensation plus difficile
=> arrêt du processus
 La jonction PN 102

(équilibre)
• Conclusion: il y un passage de courant jusqu’à la
fin du processus, c’est-à-dire lorsque:
𝐽𝑛 = −𝑞𝑛 𝜇𝑛 𝑛𝐸𝑖 − 𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑛 = 0
𝐽𝑝 = 𝑞𝑝 𝜇𝑝 𝑝𝐸𝑖 − 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑝 = 0

• L’hypothèse de Shockley fait qu’à l’équilibre on a:

– La diffusion des porteurs est totale près de l’interface (zone de déplétion) ;
– La diffusion est quasi-nulle aux extrémités et on y retrouve les conditions de
deux semi-conducteurs P et N isolés (Régions Quasi-neutres).
 La jonction PN 103

(la distribution de charge à l’eq)

• Ceci nous donne de point de vue charge:
ρ
𝜌=0 𝑥 < 𝑊1
𝜌 = −𝑒𝑁𝐴 𝑊1 < 𝑥 < 0
𝜌 = 𝑒𝑁𝐷 0 < 𝑥 < 𝑊2
𝜌=0 𝑊2 < 𝑥 W1 x
W2

• Condition de neutralité WT
𝑾 𝟐
𝝆𝒅𝒙 = 𝟎 d’où NAW1=-NDW2 Région moins
𝑾𝟏 dopée
−𝑁𝐷
𝑊1 = 𝑊𝑇
𝑁𝐴 + 𝑁𝐷
• C/C 𝑁𝐴
𝑊2 = 𝑊𝑇
𝑁𝐴 + 𝑁𝐷
 La jonction PN 104

(la distribution de champs électrique)

• Pour calculer le champ on utilise la loi de Gausse
Ei
𝜕𝐸𝑖(𝑥) 𝜌(𝑥)
=
𝜕𝑥 𝜀
• Or Ei(W1)=Ei(W2)=0 W1 x
𝐸𝑖 = 0 𝑥 < 𝑊1 W2
• Donc : −𝑒𝑁𝐴 Eimx
𝐸𝑖 = (𝑥 − 𝑊1) 𝑊1 < 𝑥 < 0
𝜀
𝑒𝑁𝐷
𝐸𝑖 = (𝑥 − 𝑊2) 0 < 𝑥 < 𝑊2
𝜀
𝐸𝑖 = 0 𝑊2 < 𝑥
• D’autre part
𝑒𝑁𝐴𝑁𝐷
𝐸𝑖𝑚𝑥 = 𝐸𝑖 𝑥 = 0 = − 𝑊𝑇
𝜀(𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 )
 La jonction PN 105

(la distribution du potentiel)

• Pour calculer le potentiel on utilise la loi de Gausse
𝜕 𝑉(𝑥) V
− = 𝐸𝑖(𝑥)
• Donc 𝜕𝑥 VN

𝑉 = 𝑉𝑃 𝑥 < 𝑊1
𝑒𝑁𝐴 Vs UD
𝑉= 𝑥 − 𝑊1 ² + 𝑉𝑃 𝑊1 < 𝑥 < 0
2𝜀
𝑒𝑁𝐷 VP
𝑉=− 𝑥 − 𝑊2 ² + 𝑉𝑁 0 < 𝑥 < 𝑊2
2𝜀
𝑉 = 𝑉𝑁 𝑊2 < 𝑥 W1 W2 x

• Continuité au point x=0

𝑒𝑁𝐴 𝑒𝑁𝐷
𝑥 − 𝑊1 ² + 𝑉𝑃 = − 𝑥 − 𝑊2 ² + 𝑉𝑁
2𝜀 2𝜀
𝑒
𝑉𝑁 − 𝑉𝑃 = 𝑊12 𝑁𝐴 + 𝑊22 𝑁𝐷 = 𝑈𝐷
2𝜀
 La jonction PN 106

(la barrière de potentiel)

• On ne s’intéresse pas à VN et VP mais plutôt à la
V
ddp UD appelée barrière de potentiel
𝑒 V
• On a 𝑈𝐷 =
2𝜀
2 2
𝑊1 𝑁𝐴 + 𝑊2 𝑁𝐷 N

𝑒 −𝑁𝐷
2
𝑁𝐴
2
Vs UD
= 𝑊 𝑁𝐴 + 𝑊 𝑁𝐷
2𝜀 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 𝑇 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 𝑇
VP

𝑒 𝑁𝐴𝑁𝐷 W1 W2 x
𝑈𝐷 = 𝑊𝑇2
2𝜀 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷

• c/c 2𝜀 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷
𝑊𝑇 = 𝑈𝐷
𝑒 𝑁𝐴 𝑁𝐷
 La jonction PN 109

(la barrière de potentiel)

• En considérant l’instant t=0- juste avant la création de la
jonction. On dispose de 2 part de V

semiconducteur une N l’autre P V =E /e N FN

• Le potentiel dans chaque SC est donné

par le niveau de fermi
• Pour un dopage fort on a V =E /eP FP
𝐸𝐹𝑁 −𝐸𝑐
𝑛(𝑥 > 0) = 𝑁𝐷 = 𝑁𝑐 𝑒 𝑘𝑇
𝐸𝑣 −𝐸𝐹𝑃 x=0- x=0+ x
𝑝(x < 0) = 𝑁𝐴 = 𝑃𝑣 𝑒 𝑘𝑇

• On a donc 𝑁𝐷
𝐸𝐹𝑁 = 𝐸𝑐 + 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑁𝑐
𝑁𝐴
𝐸𝐹𝑃 = 𝐸𝑣 − 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑃𝑣
 La jonction PN 110

(la barrière de potentiel)

• A partir de l’instant t=0+ la zone de déplétion se
V
crée. Mais on peut dire que:
VN=EFN/e
– Dans les RQN-P et RGN-N le potentiel
reste égal à VP et VN. (Shockley)
UD
– Il y aura continuité du potentiel
dans la Zone déplétion avec V =E /e
P FP

un différence de potentiel x=0- x=0+ x

𝐸𝐹𝑁 − 𝐸𝐹𝑃 𝐸𝑔 𝑘𝑇 𝑃𝑣 𝑁𝑐
𝑈𝐷 = = − 𝑙𝑛
𝑒 𝑒 𝑒 𝑁𝐴 𝑁𝐷
 La jonction PN 111

(la barrière de potentiel)

• Conclusion
𝐸𝑔 𝑘𝑇 𝑃𝑣𝑁𝑐
𝑈𝐷 = − 𝑙𝑛
𝑒 𝑒 𝑁𝐷𝑁𝐴
𝑒 𝑁𝐴𝑁𝐷
𝑈𝐷 = 𝑊𝑇2
2𝜀 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷
• Application numérique : Pour un dopage
• NA = 2.1017 cm-3
• ND = 1.1017 cm-3
T =300°K Nc (T) Pv (T) Eg UD

Si 2,7 .1019cm-3 1,1 .1019cm-3 1,1 eV 852mV

Ge 1,0 .1019cm-3 0,5 .1019cm-3 0,66eV 458 mV
 112

Polarisation d’une jonction PN

• Polarisée en direct : lorsqu'on relie l'extrémité P au

pôle (+) et l'extrémité N au pôle (-) d'un générateur
de tension
– Eext s’oppose à Ei une fois qu’ils l’annulent il y a
début de passage de courant

• Polarisée en sens inverse : lorsque le potentiel de son

extrémité N est supérieur à celui de son extrémité P
– Eext s’ajoute à Ei quoi qu’on augmente U, Eext ne pourra jamais annuler
l’effet de Ei et il n’y aura donc pas de passage de courant
 113

Polarisation d’une jonction PN

trous électrons
P ZD N
• Soit une jonction PN polarisée par un
générateur de tension continue Ug.
Ug=

• On distingue deux types de courants possibles:

– Le courant des porteurs majoritaires: dû au passage des trous de
la zone P vers la ZD où ils peuvent se recombiner avec les
électrons venant de la zone N.

– Le courant des porteurs minoritaires: dû au passage des

électrons de la zone P vers la ZD où ils peuvent se recombiner
avec les trous venant de la zone N.
 114

Polarisation d’une jonction PN

P ZD N
• Hypothèse :
On admettra que la perturbation du potentiel se
retrouve entièrement appliquée aux frontières Ug=
de ZD, c’est-à-dire que la tension sera supportée
par la ZD.
rp RZD rn
• Ceci se traduit par l’approximation de Boltzmann du produit n.p
au niveau de la jonction. 𝑈𝑔
𝑛 𝑥 = 0 . 𝑝 𝑥 = 0 = 𝑛𝑖2 . 𝑒 𝑈𝑇 Ug=

• Toutefois on suppose la quasi-neutralité des

extrémités de la diode qui sont donc en équilibre
où nous pouvons dire que:
𝑛 𝑊 . 𝑝 𝑊 = 𝑛𝑖2 = 𝑛 −𝑊 . 𝑝 −𝑊
 115

Polarisation d’une jonction PN

P ZD N
• Il y a donc création de porteurs excédentaires
au niveau de la ZD. Ces porteurs doivent
parcourir les distances Ln et Lp avant de se Ug=
recombiner en respectant la courbe ci-dessous
𝑝(0) 𝑊−𝑥
• avec 𝑝 𝑥 = 𝑠𝑖𝑛ℎ
𝑊 𝐿𝑝 rp RZD rn
𝑠𝑖𝑛ℎ
𝐿𝑝
𝑛(0) −𝑊 − 𝑥 𝑛(0) 𝑊+𝑥
𝑛 𝑥 = 𝑠𝑖𝑛ℎ = 𝑠𝑖𝑛ℎ
−𝑊 𝐿𝑛 𝑊 𝐿𝑛 Ug=
𝑠𝑖𝑛ℎ 𝑠𝑖𝑛ℎ
𝐿𝑛 𝐿𝑛
Type P p(0) Type N
n(0)

n(x) p(x)
p(W)=p0
n(-W)=n0
Ln Lp
x
 116

Polarisation d’une jonction PN

𝑈𝑔
• Selon l’approximation de Boltzmann on a 𝑛 0 . 𝑝 0 = 𝑛𝑖2 . 𝑒 𝑈𝑇

𝑈𝑔 𝑈𝑔 𝑈𝑔 𝑈𝑔
𝑛𝑖2 𝑛 2
𝑖 𝑛𝑖2 𝑛 2
• donc 𝑛 0− = . 𝑒 𝑈𝑇 = . 𝑒 𝑈𝑇 et 𝑝 0+ = . 𝑒 𝑈𝑇 = 𝑖
. 𝑒 𝑈𝑇
𝑝 0− 𝑁𝐴 𝑛 0+ 𝑁𝐷
• On a aussi 𝑛0 . 𝑝0 = 𝑛𝑖2
𝑈𝑔
𝑛𝑖2
• c/c 𝑛 0− = 𝑛 0− − 𝑛0 =
𝑁𝐴
𝑒 𝑈𝑇 −1
𝑈𝑔
𝑛𝑖2
𝑝 0+ = 𝑝 0+ − 𝑝0 = 𝑒 𝑈𝑇
−1
𝑁𝐷

Type P p(0) Type N

n(0)

n(x) p(x)
p(W)=p0
n(-W)=n0
Ln Lp
x
 117

Polarisation d’une jonction PN

• Dans la zone N on a
𝑁
𝐽𝑝 = 𝑞𝑝 𝜇𝑝 𝑝𝜉 − 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑝
• Les porteurs minoritaires se déplacent essentiellement par
diffusion (la conduction de porteurs min est très faible parce
qu’elle dépend de la concentration des porteurs qui est
négligeable)
• On a donc 𝑁 𝑑𝑝 𝑑𝑝
𝐽𝑝 (𝑥) = −𝑞𝑝 𝐷𝑝 = −𝑞𝑝 𝐷𝑝
𝑈𝑔
𝑑𝑥 𝑑𝑥
𝑛𝑖2 𝑒 𝑈𝑇 − 1 𝑊−𝑥
• Or 𝑝 𝑥 = 𝑠𝑖𝑛ℎ
𝑁𝐷 𝑊 𝐿𝑝
𝑠𝑖𝑛ℎ
𝐿𝑝 𝑈𝑔

• D’où on a : 𝑁 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑛𝑖2 𝑒 𝑈𝑇 − 1 𝑊−𝑥

𝐽𝑝 (𝑥) = 𝑐𝑜𝑠ℎ
𝐿𝑝 𝑁𝐷 𝑊 𝐿𝑝
𝑠𝑖𝑛ℎ
𝐿𝑝
 118

Polarisation d’une jonction PN

𝑈𝑔
• Donc on a 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑛𝑖2 𝑒 𝑈𝑇 − 1 𝑊−𝑥
𝑁
𝐽𝑝 (𝑥) = 𝑐𝑜𝑠ℎ
𝐿𝑝 𝑁𝐷 𝑊 𝐿𝑝
𝑠𝑖𝑛ℎ
𝐿𝑝
• De même on peut démontrer que dans la zone P on a:
𝑈𝑔

𝑃 −𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝑒 𝑈𝑇 − 1 𝑊+𝑥

𝐽𝑛 (𝑥) = 𝑊 𝑐𝑜𝑠ℎ
𝐿𝑛 𝑁𝐴 𝑠𝑖𝑛ℎ 𝐿𝑛
𝐿𝑛

Type P Type N
𝐽𝑝 𝑁 (𝑥)
𝐽𝑛 𝑃 (𝑥)
x=-W W x
 119

Polarisation d’une jonction PN

• Or on suppose que la densité totale du courant est constante en

tout point de la jonction et elle est égale à J.
• Donc ∀𝑥; 𝐽𝑝 𝑥 + 𝐽𝑛 (𝑥) = 𝐽
• Donc on peut déduire:
– 𝐽𝑛 𝑁 (𝑥) à partir de 𝐽𝑝 𝑁 (𝑥) pour x>0 on a 𝐽𝑛 𝑁 𝑥 + 𝐽𝑝 𝑁 𝑥 = 𝐽
– 𝐽𝑝 𝑃 (𝑥) à partir de 𝐽𝑛 𝑃 (𝑥) pour x<0 on a 𝐽𝑝 𝑃 𝑥 + 𝐽𝑛 𝑃 𝑥 = 𝐽
J

𝐽𝑝 𝑃 (𝑥) 𝐽𝑛 𝑁 (𝑥)

Type P Type N
𝐽𝑝 𝑁 (𝑥)
𝐽𝑛 𝑃 (𝑥)
x=-W W x
 120

Polarisation d’une jonction PN

• Analytiquement on a 𝐽𝑝 𝑃 𝑥 = 𝐽 − 𝐽𝑛 𝑃 𝑥 𝑥<0
𝐽𝑛 𝑁 𝑥 = 𝐽 − 𝐽𝑝 𝑁 𝑥 𝑥>0
𝑈𝑔

• D’où 𝑃 −𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝑒 𝑈𝑇 −1 𝑊+𝑥

𝐽𝑝 𝑥 =𝐽− 𝑊
𝑐𝑜𝑠ℎ 𝑥<0
𝐿𝑛 𝑁𝐴 𝑠𝑖𝑛ℎ 𝐿𝑛
𝑈
𝐿𝑛
𝑔

𝑁 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑛𝑖2 𝑒 𝑈𝑇 − 1 𝑊−𝑥
𝐽𝑛 𝑥 = 𝐽− 𝑐𝑜𝑠ℎ 𝑥>0
𝐿𝑝 𝑁𝐷 𝑊 𝐿𝑝
𝑠𝑖𝑛ℎ
J 𝐿𝑝

𝐽𝑝 𝑃 (𝑥) 𝐽𝑛 𝑁 (𝑥)

Type P Type N
𝐽𝑝 𝑁 (𝑥)
𝐽𝑛 𝑃 (𝑥)
x=-W W x
 121

Polarisation d’une jonction PN

• Pour déterminer J on prend le cas de x=0 pour les courants

minoritaires 2 𝑈𝑔
−𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝑛𝑖 𝑈
𝐽𝑛 0 = 𝐽𝑛 𝑃 0− = 𝑒 𝑇−1
𝑊
𝑡𝑔ℎ 𝐿 𝐿𝑛 𝑁𝐴
𝑛
𝑈𝑔
𝑁 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑛𝑖2 𝑈
𝐽𝑝 0 = 𝐽𝑝 0+ = 𝑒 𝑇−1
𝑊 𝑁𝐷
𝑡𝑔ℎ 𝐿 𝐿𝑝
𝑝

𝑈𝑔
• Donc 𝐽 = 𝐽𝑛 0 + 𝐽𝑝 0 = 𝐽𝑠 𝑒 𝑈𝑇 −1

• avec JS la densité du courant de saturation donnée par:

−𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑛𝑖2
𝐽𝑠 = +
𝑊 𝑁𝐴 𝑊 𝑁𝐷
𝐿𝑛 𝑡𝑔ℎ 𝐿𝑝 𝑡𝑔ℎ
𝐿𝑛 𝐿
 122

Polarisation d’une jonction PN

P ZD N

𝑈𝑔
• Donc on a 𝐽 = 𝐽𝑠 𝑒 𝑈𝑇 −1
Ug=

• Pour une section de semi-conducteurs bien définie polarisée par

une tension Ug (positive ou négative) on déduit le courant ID
qui la traverse:
𝑈𝑔
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑈𝑇 −1

• Avec IS le courant de saturation

 123

Exercice
On dispose d’une jonction PN abrupte de rayon R=1mm et W=1cm (les zone N et P sont de même taille)
ayant un dopage
NA=1018cm-3 et ND=2,6.1016cm-3
• Déterminer les résistances RN et RP des zones N et P de la diode (ici on suppose l’absence de la zone
dépeuplée ou autrement on prend le cas des deux SC séparés).
• Donner la distribution de la concentration des porteurs dans le semi-conducteurs
• Calculer la barrière de potentiel
• Déduire la taille de zone dépeuplée et sa pénétration dans chaque coté du semi-conducteurs
• Quelle est la valeur maximale du champ

Energie de gap
Charge élémentaire e=1,6021766208x10-19 C Eg=1.12eV
du silicium
Constante Mobilité
k=1.38064852x10−23 J.K−1 µn=950 cm²V-1s-1
de Boltzmann des électrons
Constante Mobilité
ħ=6,582 119 514×10−16 eV.s µp=450 cm²V-1s-1
de Planck réduite des trous
 124

Exercice

On polarise la jonction en direct avec une tension de 2V

• En appliquant l’approximation de Boltzmann donner la valeur de la perturbation
des concentrations des porteurs minoritaires à la jonction
• Déduire la distribution des porteurs minoritaires dans les zones quasi-neutres
• Développer la formule de la densité de courant
• Donner la valeur du courant qui traverse la diode
• Calculer la résistance totale de la jonction. Comparer avec Rn et Rp
Energie de gap
Charge élémentaire e=1,6021766208x10-19 C Eg=1.12eV
du silicium
Constante Mobilité
k=1.38064852x10−23 J.K−1 µn=950 cm²V-1s-1
de Boltzmann des électrons
Constante Mobilité
ħ=6,582 119 514×10−16 eV.s µp=450 cm²V-1s-1
de Planck réduite des trous
 127

Diode Parfaite/Idéale

• On considère en électronique que la diode est

parfaite lorsqu’elle a une caractéristique :
– Pratiquement ceci revient à la représenter par :

• On considère en électronique que la diode est

idéale lorsqu’elle a une caractéristique :
– Pratiquement ceci revient à la représenter par :
 128

Diode Zener

• Lorsqu’une diode est polarisée en inverse et que la tension à

ses bornes est très importante, le champs Eext devient
suffisamment important pour ioniser les atomes. Il s’agit d’un
phénomène non réversible : claquage de la diode.
• En opposition la diode Zener est
faite de sorte à ne pas claquer en
sens inverse. Une fois VZ atteint
il y a un important passage de
courant dans le sens inverse alors
que la tension reste égale à VZ.
• En direct la diode Zener fonctionne
comme une diode normale