Chapitre 1 :

INTRODUCTION AUX SEMI-CONDUCTEURS

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Objectif du cours
-Un ingénieur doit savoir les propriétés, les modèles électriques et les
caractéristiques des composants électroniques : diodes, transistors
bipolaires et amplificateurs opérationnels.

-Ces composants entrent dans la fabrication des montages

électroniques et réalisent des fonctions ou opérations très diverses.

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I. Introduction
•Le terme « semi-conducteur » désigne un composant essentiel intégré à
des millions d'appareils électroniques utilisés dans les secteurs de
l'éducation, de la recherche, des communications, de la santé, de
l'énergie…etc...

•Les PC, smartphones, voitures dépendent des semi-conducteurs pour

leurs opérations de base et leurs fonctionnalités avancées.

•Les circuits intégrés (IC) fabriqués à partir d'un matériau semi-

conducteur (ex le silicium) sont des éléments essentiels des appareils
électroniques modernes.

•Afin de se commuter de manière quasi instantanée, les circuits doivent

être fabriqués avec un matériau semi-conducteur - une substance dotée
d'une résistance électrique qui est proche à la fois d'un matériau
conducteur et d'un matériau isolant.

•Concernant le processus de fabrication des appareils à semi-

conducteurs, il faut des années d'expérience et de recherche dans ce
domaine.

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II. Notions de semi-conducteurs
• Qu’est ce qu’un semi-conducteur ? Ni un conducteur, ni un isolant.
Ex: Colonne IVA : Si, Ge; Association IIIA-VA : AsGa, etc.

Fig 1: Tableau périodique des éléments: Tableau de Mendeleïev

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III. Matériaux semi-conducteurs
• Selon les propriétés électriques, les matériaux sont classés en trois
catégories qui sont: conducteurs, isolants et semi-conducteurs.

Fig 2: Structure en bandes d’énergie des matériaux ; Isolants, Semi-

conducteurs et Métaux 5
3.1. Conducteurs
• Les métaux tels que le fer (fe), le cuivre (Cu), l’or (Au), l’argent (Ag) et
l’aluminium (Al) sont des conducteurs de courant électrique.

• La présence d’électrons libres dans la couche périphérique (densité

n= 1022 à 1023 e/cm3) est à l’origine de la conductivité électrique.

• A température ambiante, la résistivité ρ des conducteurs est très faible

(ρ≤10-5 Ω.cm).

3.2. Les isolants

Ce sont des matériaux ayant une résistivité ρ >108 Ω.cm (matériaux non
conducteurs de courant électrique) comme par ex, le verre, le mica, la
silice (SiO2) et le carbone (Diamant).

• La conductivité des isolants est donc très faible (σ=1/ρ).

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3.3. Semi-conducteurs
• Cette classe de matériaux se situe entre les métaux (conducteurs) et les
isolants (non conducteurs).

La résistivité ρ des semi-conducteurs varie de 10-3 à 10+4 Ω.cm.

• Les électrons libres et les trous mobiles sont les porteurs de charges
responsables de la conductivité électrique.

• Un semi-conducteur est donc un isolant mais qui peut devenir un

conducteur très facilement en excitant les électrons de valence : on fait
ça en chauffant le matériau, ou en l’éclairant, ou en le soumettant
à une tension électrique bien définie.

• Par ex, si on éclaire une plaque photovoltaïque, elle sera conductrice et

on crée un courant électrique : c’est l’effet photoélectrique.

• Dans ce cas, c’est un isolant qui devient conducteur quand on l’éclaire.

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IV. Semi-conducteur intrinsèque
●
Un sc intrinsèque est un sc pur (non dopé) càd qu’il contient peu
d’impuretés (atomes étrangers) en comparaison avec la quantité de
trous et d’électrons générés thermiquement.

●
Dans ce cas, il y a autant d’électrons libres que de trous : soit n et p les
nombres respectifs de porteurs négatifs (électrons) de la bande de
conduction et de porteurs positifs (trous) de la bande de valence par
unité de volume (concentrations) ;

●
On écrit que : n = p = ni (ni est la concentration intrinsèque)
ΔE
n = p = ni2 = A.T3 e- K.T
i

Où: A : constante dépendant du matériau,

T : température absolue en kelvin,

ΔEi : largeur de la bande interdite en eV,

-23 -1
K= 1.38 × 10 JK : constante de Boltzmann

8
●
Ces concentrations n et p sont appelées concentrations en porteurs

intrinsèques.

●
Pour le silicium qui est le semi-conducteur le plus utilisé on a :
10 -3
ΔEi= 1,2 eV ; ni= 1.5x10 cm à T = 300 K

●
A T° ambiante, kT est de l'ordre de 0,025 eV.

●
La densité d'électrons est alors très faible, et la conductivité intrinsèque est

faible pour la plupart des s.c.

●
Pour un s.c intrinsèque, la résistivité du silicium pur est de l’ordre de
ρ =103 Ω.cm.

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V. Semi-conduteur extrinsèque
●
Un semi-conducteur qualifié d’extrinsèque est un s.c dopé par des
impuretés.

●
Le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une
substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité.
●
Il est donc employé pour améliorer la conductivité électrique des s.c.
●
Il augmente la densité des porteurs à l'intérieur du matériau s.c.
●
S’il augmente la densité d'électrons, c’est un dopage de type N.
●
S’il augmente celle des trous, il s'agit d'un dopage de type P.

●
Pour un s.c extrinsèque, la résistivité du silicium dopé par le Bore ou le
phosphore est de l’ordre de 10-2 Ω.cm.

10
Il existe donc 2 types de dopage : le dopage de type N et celui de type P.

5.1. Dopage de type N

●
Pour un dopage de type N, il faut augmenter la densité en électrons
dans le s.c intrinsèque.
●
Dans le cas du Si, ou du Ge, qui sont tétravalents, on ajoute des atomes
d'un élément pentavalent, comme le phosphore P, l'arsenic As ou
l'antimoine Sb.
●
Ces atomes, insérés dans le réseau cristallin, formeront 4 liaisons
covalentes avec 4 atomes de Si, le 5ème électron de la couche de
valence restant libre.
●
Cet électron qui n'est que très faiblement lié à l'atome va se placer sur
un niveau énergétique plus près de la bande de conduction.
●
Il lui suffira d'acquérir une faible énergie supplémentaire (ΔE ≈ 0,01 eV)
pour accéder à cette bande. De ce fait, le matériau possède une
meilleure conductivité électrique.

11
●
Ces électrons libres ne créent pas de trous dans le réseau, le nombre
total d'électrons est donc supérieur au nombre de trous.

Les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs
minoritaires.

●
Les atomes dopants sont appelés atomes donneurs.

Fig.3 : Principe de la conduction dans un semi-conducteur de type N 12

5.2.Dopage de type P
●
Pour ce dopage, il faut augmenter la densité en trous dans le s.c
intrinsèque.
●
Dans le cas du Si, ou du Ge, qui possèdent 4 électrons de valence, on
ajoute des éléments trivalents comme le gallium Ga, le bore B, l'Al ou
l'indium In.
●
Il leur manque un électron pour compléter les quatre liaisons
covalentes avec les atomes de silicium voisins.
●
Un trou est créé dans la structure.
●
Il crée un nouveau niveau d'énergie voisin de la bande de valence
(ΔE ≈ 0,05 eV), accessible plus facilement aux électrons.

●
Il peut être rempli par un électron d'un autre atome de silicium, qui à
son tour libère un trou et ainsi de suite.
●
Le matériau devient ainsi conducteur de l'électricité.
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●
Le nombre de trous dépasse le nombre d'électrons, les trous sont donc
. porteurs majoritaires et les électrons les porteurs minoritaires.
les

●
Les atomes dopants sont appelés atomes accepteurs.

Fig.4. Principe de la conduction dans un semi-conducteur de type P

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Si le sc est dopé N, il y a beaucoup plus d’électrons libres que de trous :
On dit que les électrons sont les porteurs de charge majoritaires.

Dans le cas d’un dopage P, ce sont les trous qui sont les porteurs
majoritaires.

Dans les deux cas on a : n≠p .

En revanche, on a toujours : n.p= ni2

- Pour un sc dopé N, soit ND la concentration en impureté donneuses

d’électrons.

On a donc: n≈ND et p≈0 D à T=300K ;

- Pour un sc dopé P, soit NA la concentration en impureté accepteuses

d’électrons.

On a donc : p≈NA et n≈0 à T=300K.

VI. La jonction PN
●
En juxtaposant un semi-conducteur dopé P avec un dopé N, on crée
une jonction PN.

Fig.5. Principe de la jonction PN

●
Quelques électrons de la zone N migrent dans la zone P pour se
combiner avec les trous.
●
Lorsque l’électron quitte son atome, celui-ci s’ionise positivement.
●
Quand l’électron se combine avec un trou, l’atome porteur du trou
devient un ion négatif.
●
Il se produit donc une couche de transition d’épaisseur à l’interface
entre les zones P et N.

●
Dans cette couche, les ions produisent un champ électrique interne.

●
En conditions normales, ce champ entrave les électrons et les trous
de passer à travers la couche de transition.

VI. Applications des semi-conducteurs

●
Les sc sont à la base de l’électronique moderne.
●
Dans ce cas, la jonction PN assure le fonctionnement des composants
suivants :
●
Les diodes, formées par une jonction PN.

●
En polarisant la diode en direct (borne + sur zone dopée P …), le
champ électrique imposée par le générateur s’oppose au champ
électrique interne, ce qui permet aux porteurs de charge de franchir la
jonction : la diode est passante et elle laisse passer le courant
électrique.

●
Quand la diode est polarisée en inverse, le champ électrique dû au
générateur s’ajoute au champ interne, ce qui empêche les porteurs de
charge de passer : la diode est bloquée et le courant ne passe pas.

Fig.6. Principe de la diode passante et de la diode bloquée.

●
Les diodes ne laissent donc passer le courant que dans un seul sens.
●
Elles ont plusieurs applications : transformation de courant alternatif en
courant continu, etc.

• Les diodes électroluminescentes LED (light-emitting diode) fonctionnent

comme des diodes ordinaires, sauf qu’elles émettent de la lumière.
●
Les LED connaissent un formidable essor.

Fig.7. Symboles électriques des diodes, LED et transistors.

●
Les diodes et LED laissent passer le courant quand celui-ci va de
gauche à droite sur ce schéma.
●
Les transistors consistent en deux jonctions PN juxtaposées.
●
Ils servent dans la pratique de commutateurs(interrupteurs
commandés), d’amplificateurs de signaux, etc.
●
Les cellules photovoltaïques forment des panneaux solaires.

●
Une cellule photovoltaïque est composée d’une jonction PN au
silicium.

●
Les photons du rayonnement solaire arrachent des électrons aux
atomes de la jonction, formant ainsi une paire électron-trou.
De part le champ électrique interne, l’électron et le trou sont séparés.

L’électron est injecté dans un circuit électrique.

Au de retour dans la jonction, il peut se combiner avec un trou (qui lui ne

sort pas du matériau).

Fig.8. Principe des cellules photovoltaiques.

VII. Conclusion
●
Le caractère isolant ou conducteur électrique d’un matériau
s’explique par la théorie des bandes:

→ Un conducteur a une bande de conduction partiellement remplie et

se chevauchant avec la bande de valence.

→ Pour un isolant, la bande de conduction est vide et est séparée de la

bande de valence par une bande interdite dont la largeur est de
plusieurs eV.

→ Pour un sc, le gap de la bande interdite est plus bas.

Un sc peut subir un dopage P ou N, afin de former une jonction PN très

utilisée en électronique : diode, LED, transistor, cellule photovoltaïque.