Chap1 : Rappels sur la structure de la matière

I-Atome
La matière est formée à partir d’un alphabet d’une centaine d’atomes (92).
On appelle atome la plus petite particule de la matière qui puisse exister à l’état indivisible. Les
atomes se combinent pour donner les corps.
- Un corps est dit simple lorsqu’il est formé par des atomes identiques ;
- Il est dit composé lorsqu’est formé par des atomes différents.
La molécule est un corps composé d’au moins de deux atomes ; c’est la plus petite partie de la
matière qui puisse exister à l’état libre.
1- Structure de l’atome

Un atome est composé d’un noyau central autour duquel gravitent des électrons suivant des
trajectoires appelées orbites électroniques .Le noyau est composé de protons et neutrons.
Un proton est une particule chargée positivement (e=1,6 10-19c) et un électron est une particule
chargée négativement (-e=-1,6 10-19c).Les neutrons sont des particules non chargées .Il y a
autant de protons que d’électrons ce qui fait que l’atome est neutralement chargé.
2- le numéro atomique Z
Chaque atome est associé à un numéro Z qui désigne le nombre d’électrons que possède
l’atome .C’est à partir de ce numéro que les atomes ont été classés dans un tableau appelé
classification périodique.
Exemple :
Bore(B=5),carbone(C=6),silicium(si=14),aluminium(al=13),germanium(Ge=32),phos-
Phore(P=15),cuivre(cu=29)etc…
3- orbites électroniques
Les électrons gravitent autour du noyau en décrivant des trajectoires appelées orbites
électroniques.
La stabilité des orbites résulte d’un équilibre entre la force électrostatique Fe qu’exerce le noyau
sur les électrons et la force centrifuge Fc due à la rotation des électrons autour d’eux même.
Fe=9.109q2/r2 et Fc=mV2/r ,r=5,3pm ; m=9,1.10-31g.
Les électrons ne peuvent évoluer que sur certaines orbites correspondant à leur niveau d’énergie.
Tout autre niveau intermédiaire entre deux niveaux permis est un niveau interdit.

1
 Il y a 7 couches électroniques repérées par la lettre K, L, M, N, O, P et Q.
Chaque niveau ne peut contenir qu’un nombre, d’électrons égal à 2n2 où n désigne le numéro de
la couche.
Le niveau le plus externe est appelé niveau périphérique ; c’est lui qui donne à l’atome ses
propriétés chimiques et électroniques.
Quand un niveau est périphérique il ne peut avoir qu’au maximum 8 électrons (la règle de
l’octet).
4- Classification
a- Les corps dont le niveau d’énergie ne comporte qu’un nombre inférieur à 4 électrons auront
tendance à libérer ces électrons pour devenir des ions positifs: ce sont les bons conducteurs.
b- les corps dont le niveau d’énergie extérieur comporte plus de 4 électrons auront tendance à
capter des électrons pour devenir des ions négatifs : ce sont les isolants.
C- les corps qui ont 4 électrons à leur couche périphérique sont les semi-conducteurs.

II-Excitation-Ionisation

Un apport extérieur d’énergie peut permettre à un électron de franchir une ou plusieurs bandes
interdites : c’est l’excitation, lorsque l’électron de l’atome excité se trouve à l’infini : on dit que
l’atome est ionisé .Quand l’excitation cesse l’électron revient à sa position initiale en libérant
l’énergie qu’il avait reçue sous forme de rayonnements lumineux de fréquence f et d’énergie
w=hf (où h=6,6.10¨34js ) appelée énergie de désexcitation ou de désionisation .
III-Les Bandes d’énergie
Dans le cas d’un solide les atomes sont très rapprochés les uns des autres ;il en résulte des
actions entre un noyau et les électrons des atomes voisins ,ce qui confère à cet état un caractère
de rigidité. Les électrons d’un corps sont sollicités par plusieurs noyaux à la fois, ce qui entraine
un dédoublement des niveaux d’énergie. Le niveau d’énergie de l’atome isolé est remplacé par
une bande d’énergie.
- On appelle bande de valence celle qui regroupe les électrons situés sur les orbites
internes. Ces électrons peuvent en sortir plus ou moins facilement selon la nature du
corps
- On appelle bande de conduction celle qui est la plus externe ou encore bande des états
libres ; elle regroupe l’ensemble des électrons situés sur les orbites externes. Ces
électrons sont toujours libres.

2
 - L’ensemble des zones interdites forment la bande interdite. Les électrons situés dans la
bande de valence doivent posséder de l’énergie pour la franchir BI et se retrouver dans la
bande de conduction .Dans le cas d’un conducteur, cette énergie est nulle car la bande de
valence et celle de conduction se chevauchent .Pour un semi conducteur cette énergie est
égale à 1ev (électron volt) ; elle est égale à 7ev pour un isolant ;ce qu’un électron ne
pourra posséder .

Chap2 : Les semi-conducteurs

I- Semi-conducteur intrinsèque
1- Définition
On nomme semi-conducteur intrinsèque celui qui est à l’état pur ; il est caractérisé par une bande
interdite de faible largeur (1ev).
C’est un corps isolant à basse température et conducteur à haute température.
2- Conductibilité intrinsèque
Lorsqu’un électron est libéré, il laisse derrière lui :
- Une charge positive excédentaire dans le noyau de l’atome qu’il a quitté
- Une place disponible dans la liaison entre atome appelée trou ou lacune.
Un électron lié voisin de ce trou aura la possibilité de l’occuper en libérant un autre trou ;
lequel peut être occupé par un autre électron et ainsi de suite…
Deux types de conduction ont été rendus possibles :
- Celle des électrons libres situés dans la bande de conduction
- Et celle des électrons liés situés dans la bande de valence et qui se déplacent de trou en
trou.
La conductibilité intrinsèque correspond au mouvement des électrons de valence qui se
déplacent de trou en trou.
Si ni est le nombre d’électrons et pi le nombre de trous, dans un semi-conducteur intrinsèque
ni=pi
II- Semi-conducteurs extrinsèques
1- Définition
Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés
spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications électroniques
(diodes, transistors, etc...) et optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de lumière, etc...).
Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dans lequel on a introduit
des impuretés pour réduire sa résistivité dans de très grandes proportions
2- Dopage
C’est l’opération qui consiste à introduire des impuretés dans un semi-conducteur pour réduire
sa résistivité dans de très grandes proportions
3- Semi-conducteurs extrinsèques de type P
Un semi-conducteur extrinsèque type P est un semi-conducteur intrinsèque (ex : silicium Si)
dans lequel on a introduit des impuretés de type accepteurs (ex : Bohr B). Ces impuretés sont
ainsi appelées parce qu'elles acceptent un électron de la bande de conduction pour réaliser une
liaison avec le cristal semi-conducteur.

3
 Figure 5 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour le semi-conducteur
silicium (Si) dopé P par du Bohr (B). a) Cas du semi-conducteur intrinsèque b) Sur la base de la
représentation a), l'impureté (B) accepte un électron de conduction en baissant la densité
d'électrons n b) Sur la base de la représentation a), l'impureté (B) accepte un électron de
valence en augmentant la densité de trous p
La figure 5 met en évidence qu'un semi-conducteur dopé P à une densité d'électrons n plus faible
et une densité de trous p plus élevée que le même semi-conducteur pris dans sa configuration
intrinsèque. On dit alors que les électrons sont les porteurs minoritaires et les trous, les
porteurs majoritaires. pi˃˃ni
4- Semi-conducteur extrinsèque de type N
Un semi-conducteur extrinsèque type N est un semi-conducteur intrinsèque (ex : silicium Si)
dans lequel on a introduit des impuretés de type donneurs (ex : arsenic As). Ces impuretés sont
ainsi appelées parce qu'elles donnent un électron à la bande de conduction pour réaliser une
liaison avec le cristal semi-conducteur .

Figure 6 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour le semi-conducteur

silicium (Si) dopé P par de l'arsenic (As). a) Cas du semi-conducteur intrinsèque b) Sur la base
de la représentation a), l'impureté (As) donne un électron de conduction en augmentant la
densité d'électrons n b) Sur la base de la représentation a), l'impureté (As) donne un électron de
conduction en baissant la densité de trous p
La figure 6 met en évidence qu'un semi-conducteur dopé N a une densité d'électrons n plus
élevée et une densité de trous p plus faible que le même semi-conducteur pris dans sa
configuration intrinsèque. On dit alors que les électrons sont les porteurs majoritaires et les
trous, les porteurs minoritaires. Ni ˃˃ pi

4
 La jonction PN
I-Généralités
- Par certains procèdés de fabrication on peut obtenir des lamelles de semi-conducteur qui
présentent une conductibilité de type P sur l’une des extrémités et de type N sur l’autre
extrémité, entre lesquelles existe une zone de transition appelée jonction PN.
- La jonction PN est une région de faible épaisseur d’un monocristal de semi-conducteur où la
conductibilité passe graduellement de P vers N.

E0

II-Formation de la jonction PN

Au début A la fin

Nous savons déjà que les cristaux de type P contiennent des trous comme porteurs majoritaires
tandis que les cristaux de type N contiennent des électrons libres comme porteurs majoritaires.
Voyons le comportement des porteurs majoritaires lorsqu’il se forme une jonction entre deux
semi-conducteurs de types différents, c’est-à-dire entre un cristal P et un cristal N (figure 1-a).
En pratique, la jonction s’établit en formant par des moyens techniques spéciaux une zone P
dans un monocristal N ou inversement, une zone N dans un monocristal P. Par contre, il est
impossible d’unir deux cristaux de types différents pour former une jonction P.N.

5
Lorsque la jonction est effectuée, une partie des électrons libres du cristal N, sous l’effet de
l’agitation thermique, commence à se répandre dans le cristal P et en même temps, toujours sous
la poussée de l’agitation thermique, une partie des trous du cristal P se propage dans le cristal N.
Dans un premier temps, la diffusion des électrons et des trous s’effectue avec une certaine
régularité dans les deux sens. Théoriquement, si l’on maintient ce rythme pendant un temps
suffisamment long, on arrive à un état final dans lequel les électrons libres et les trous sont
uniformément distribués dans les deux cristaux. En réalité, la diffusion s’arrête, bien avant
d’occuper entièrement les deux cristaux et ainsi, il se forme autour de la surface de jonction une
seule zone (relativement mince), dans laquelle sont mélangés en quantités égales les électrons
libres et les trous appelée jonction PN.
Dans la phase finale, nous obtenons donc trois zones distinctes :
• Une zone N : constituée par la partie N du cristal, non occupée par les trous provenant du
cristal P.
• Une zone P : constituée par la partie du cristal P non occupée par les électrons libres
provenant du cristal N.
Nous trouvons enfin sur les bords de la surface de jonction, la nouvelle zone que l’on peut
appeler «intrinsèque», en considérant qu’elle contient un nombre égal d’électrons libres et de
trous (figure 1-b). Il ne faut toutefois pas considérer cette nouvelle zone comme rigoureusement
intrinsèque. En effet, la distribution des charges libres n’est pas uniforme comme dans les semi-
conducteurs intrinsèques. Pour qualifier ce phénomène, on utilise l’appellation anglaise
déplétion région, que l’on peut traduire par zone d’épuisement, rappelant ainsi que dans la
zone en question, la poussée de diffusion des charges libres provenant des deux cristaux réunis,
s’épuise. Cette zone est aussi caractérisée par un champ électrique E avec une barrière de
potentiel Uo.

6
III - POLARISATION DE LA JONCTION
Après avoir examiné la formation d’une jonction entre deux semi-conducteurs de types
différents, voyons maintenant le comportement de celle-ci lorsqu’elle est polarisée, c’est-à-dire
lorsque la tension délivrée par une source d’alimentation continue est appliquée aux deux zones
du cristal.
La tension peut être appliquée dans les deux sens c’est-à-dire, en reliant le pôle positif de la pile
à la zone N et le pôle négatif à la zone P ou inversement, en reliant le positif à la zone P et le
négatif à la zone N.
Dans le premier cas, on dit que la jonction (c’est-à-dire la diode) est polarisée en inverse tandis
que dans le second cas, la diode est polarisée en direct.
Que se passe-t-il au niveau de la jonction P.N. lorsque celle-ci est polarisée en inverse ?
La figure 2 montre qu’à l’instant où le circuit est fermé, une partie des électrons libres se détache
de la zone N du cristal et se dirige vers le pôle positif de la batterie d’alimentation.

Au même instant, une certaine quantité d’électrons émis par le négatif de la batterie, rejoint la
zone P du cristal, où ils feront disparaître une partie des trous.
Si maintenant nous admettons que dans la zone P il n’y a pas d’électrons libres qui puissent
rejoindre la zone N pour remplacer ceux qui sont repoussés vers le positif de la pile et que dans
la zone N il n’y ait pas de trous qui puissent se propager jusqu’à la zone P afin de remplacer
ceux qui ont disparu, nous pourrions conclure à la cessation du mouvement des charges circulant
du cristal à la batterie et de la batterie au cristal. En effet, le nombre des électrons libres présents
dans la zone N du cristal est incontestablement très grand, mais non illimité ; il en est de même
pour les trous présents dans le cristal P.
L’annulation du courant produit par la pile, aussitôt après la fermeture du circuit, est justifiée par
le fait que les électrons et les trous sont en nombre limité dans l’une ou l’autre du cristal et par
l’impossibilité de les remplacer lorsqu’ils s’éloignent et qu’ils disparaissent.
Dans la réalité, le déplacement des charges et par conséquent, le courant produit par la pile,
cesse avant même que la zone N ne se soit libérée de ses électrons et la zone P de ses trous.
Pour expliquer ce phénomène, sachons que la barrière de potentiel se renforce rapidement avec
la diminution des électrons libres et des trous dans les zones respectives et son amplitude
augmente en passant de Vo à Vo’ (comparez à ce sujet les figures 1-b et 2).

7
La nouvelle différence de potentiel Vo’ peut ainsi annuler l’effet de la tension extérieure Vi,
avant que tous les électrons de la zone N ne soient repoussés vers le positif de la pile et avant
que tous les trous de la zone P n’aient disparu.
La tension Vi appliquée aux bornes de la diode (figure 2) est dite tension inverse. Si l’on tient
compte de ce qui a été dit précédemment, le courant circulant dans la diode (aux bornes de
laquelle on a appliqué une tension inverse) devrait s’annuler rapidement. En réalité, le courant
ne s’annule pas complètement du fait de la présence des porteurs minoritaires, c’est-à-dire de la
présence de trous dans la zone N du cristal et d’électrons libres dans la zone P.
Un certain nombre de porteurs minoritaires réussit toujours à traverser la jonction, provoquant
ainsi un remplacement partiel des électrons libres dans la zone N et des trous dans la zone P. On
constate donc la présence d’un courant très faible, circulant de l’extrémité N à l’extrémité P du
cristal. Ce courant est appelé courant inverse (Ii).
Voyons maintenant le phénomène inverse, c’est-à-dire lorsque la jonction P.N. est polarisée en
direct (figure 3-a).

Lorsque le circuit est fermé, la force électromotrice de la batterie met en mouvement les
électrons libres de la zone N et les trous de la zone P, qui convergent tous deux vers la jonction
(figure 3-a), à l’intérieur de laquelle les électrons tombent dans les trous, ce qui entraîne la
disparition des uns et des autres. Cependant, les électrons libres qui tombent dans les trous, sont
continuellement remplacés par d’autres, provenant du négatif de la source d’alimentation.
Ainsi, tous les trous disparus sont remplacés par d’autres, qui se forment du côté de la zone P,
vers le positif de la batterie. Le flux des charges se reproduit donc perpétuellement, formant un
courant continu. On le constate d’ailleurs en mesurant la résistance directe de la diode.
Le courant continu Id est dit courant direct, la tension extérieure, Vd qui est à l’origine de la
formation du courant Id, est dite tension directe.
La figure 3-b illustre le cas où la tension continue Vd est inférieure à la différence de potentiel
Vo (figure 1-b), qui constitue la barrière de potentiel. Ainsi, tant que la tension Vd est inférieure
ou égale à Vo, le courant est pratiquement nul. Ce courant n’existe pratiquement que lorsque la

8
tension Vd dépasse la valeur de Vo. Cette valeur est différente selon que la jonction est
constituée par un cristal de germanium ou par un cristal de silicium : pour le germanium, cette
valeur est normalement de 0,2 à 0,3 V alors que pour le silicium elle est de 0,6 à 0,7 V.
Une jonction P.N. permet le passage d’un courant quand celui-ci parcourt le semi-
conducteur dans le sens du cristal dopé P vers celui dopé N. Elle s’oppose à la circulation
d’un courant dans le sens inverse.

IV- Caractéristiques courant-tension

Fig3-1

V- Claquage de la jonction PN
Lorsque la tension inverse est suffisamment élevée , on constate qu’à partir d’une certaine valeur
du champ, que la jonction PN commence à conduire un courant inverse relativement
important :c’est la claquage .
Il existe trois types de claquage : claquage par effet zéner ; claquage par effet avalanche et
claquage par effet thermique.
1- Claquage par effet Zéner
Lorsque la tension inverse est très élevée, l’augmentation considérable du champ arrache
des électrons au niveau de la jonction et les oriente vers le circuit d’où l’apparition d’un
courant inverse Ir relativement important.
Le claquage zéner a eu lieu lorsque la tension inverse est inférieure 5v ;ce type de
claquage est réversible.
2- Claquage par effet avalanche
Il advient lorsque la tension inverse est supérieure à 7v .les électrons qui ont été arrachés
lors du claquage par effet zener sont accélérés par le champ intense et ils heurtent
d’autres électrons liés et les libèrent par collusion ; d’où l’effet cumulatif ou effet
avalanche.
Le claquage par effet avalanche est irréversible.
Nota bene
- Entre 5v et 7v il peut exister l’un ou l’autre type de claquage
- Le claquage par effet thermique dépend du choix du semi-conducteur en fonction de la
température pour une zone climatique déterminée

9
 Chap3 : Les Diodes Industrielles
A- LA DIODE A JONCTION
I- Généralités
La diode est une jonction PN introduite dans un boitier ; donc elle hérite toutes les propriétés de
celle-ci.
La jonction P.N. en germanium ou en silicium peut être utilisée pour réaliser un dispositif appelé
diode dont le symbole graphique est représenté figure 4. La conduction de la diode est
matérialisée par le sens de la flèche.
L’anode (A) correspond à la zone P de la jonction et la cathode (K) à la zone N ; l’extrémité
«A» nécessite une tension positive par rapport à l’autre extrémité «K».

La jonction est obtenue par la pose, sur une pastille de semi-conducteur N, d’une certaine
quantité d’aluminium (figure 5-a) ou d’indium ; on chauffe l’ensemble de façon à obtenir la
fusion de l’aluminium ou de l’indium, et la fusion partielle du semi-conducteur (figure 5-b).
Après refroidissement, ces corps se solidifient formant une zone P pour l’aluminium et la
jonction P.N. dans la pastille N (figure 5-c).
II- CARACTERISTIQUES DIRECTE ET INVERSE

Fig 4-1

En inverse si la température est faible, la caractéristique est pratiquement confondue avec l'axe
. Le courant inverse étant un courant de minoritaires croît avec la température.
Au-delà d'une certaine valeur de , il y a claquage de la jonction par effet d'avalanche.
L'épaisseur de la jonction étant très faible, même avec des potentiels peu élevés, le champ

10
 électrique au niveau de la jonction peut être très grand. Sous l'effet de ces champs intenses (
), il y a ionisation des atomes et production d'électrons, qui sont eux-mêmes
accélérés et qui provoquent de nouvelles ionisations (avalanche) qui rendent la jonction
conductrice : si rien ne limite le courant, il y a destruction de la jonction par emballement
thermique.
Remarque :
La tension inverse admissible varie selon les diodes entre et .

B- Diode Zener
I- Généralités

Symbole de la diode Zener Diode Zener de puissance

Une diode Zener est un assemblage de deux semi-conducteurs dont les propriétés électriques ont
été découvertes par le physicien américain Clarence Zener. Contrairement à une diode
conventionnelle qui ne laisse passer le courant électrique que dans un seul sens, le sens direct,
les diodes Zener sont conçues de façon à laisser également passer le courant inverse, mais ceci
uniquement si la tension à ses bornes est plus élevée que le seuil de l'effet d'avalanche. Ce seuil
en tension inverse (tension Zener) est de valeur déterminée pouvant aller de 1,2 V à plusieurs
centaines de volts (200)1.

Caractéristique de la diode Zener : courbe de I(Ud).

Caractéristique idéale de la diode Zener : courbe de I(Ud).

Une diode est le contact de deux types de semi-conducteurs, l'un de type P et l'autre de type N.
Soumise à une tension inverse, elle conduit un courant inverse très faible, que l'on considère nul
dans la pratique. L'énergie des bandes de valence des atomes dans le matériaux de type P ont
11
souvent un recoupement avec les bandes de conductions du matériau de type N. Si la jonction P-
N d'une diode est fortement dopée, la zone de charge d'espace est très mince et des électrons
peuvent traverser la jonction dans la bande d'énergie commune par l'effet tunnel. Ainsi, la diode
soumise à une tension inverse peut conduire un courant par l'effet tunnel2. La tension
d'apparition de l'effet tunnel est très faible si le dopage est très grand. Cette tension dépend du
niveau de dopage et de la tension inverse.

D'autre part, lorsque la tension inverse devient suffisamment grande, le champ électrique interne
à la jonction P-N est tel que certaines charges électriques minoritaires très énergétiques génèrent
de nouvelles charges électriques par processus d'ionisation par chocs2. Il y a augmentation du
courant inverse par effet d'avalanche, et destruction de la diode si cet effet n'est pas limité par
une résistance mise en série. La diode peut ainsi laisser passer un courant important en inverse.
Ces deux mécanismes de conduction en tension inverse peuvent coexister pour des valeurs
intermédiaires de tension Uz. Par exemple, la diode silicium de tension Uz de 5,6 volts est
souvent utilisée car l'effet tunnel et le processus d'ionisation par chocs ont une dépendance
contraire avec la température. Ainsi dans ce cas, la tension Uz reste constante à 5,6 V pour une
gamme de température assez étendue, servant ainsi de référence de tension.

Zone d'utilisation de la diode Zener.

Symbole de la diode Zener et formes courantes du composant. Le courant inverse est

indiqué sur le schéma.
On l'utilise comme référence de tension dans les alimentations stabilisées par exemple. Elle
permet également la protection en surtension, Les diodes Zener sont fréquemment utilisées pour
réguler la tension dans un circuit. Lorsqu'on la connecte en inverse en parallèle avec une source
de tension variable, une diode Zener devient conductrice lorsque la tension atteint la tension
d'avalanche de la diode. Elle maintient ensuite la tension à cette valeur.

12
 Dans ce circuit, la résistance R est responsable de la chute de tension entre UIN et UOUT. La
valeur de R doit satisfaire deux conditions :
1. R doit être suffisamment petite pour que le courant qui passe dans D la maintienne en
mode d'avalanche. La valeur de ce courant est donnée dans la data sheet de D. Par exemple, la
diode Zener classique BZX79C5V63 (5,6 V / 0,5 W) possède un courant inverse recommandé de
5 mA. Si le courant qui traverse D n'est pas suffisant, alors UOUT n'est pas régulé, et vaut moins
que la tension d'avalanche (ce comportement est différent de celui des tubes régulateurs de
tension pour lesquels la tension de sortie serait supérieure à la tension nominale, et pourrait
atteindre UIN). Lors du calcul de R, on doit tenir compte du courant qui circule dans la charge
externe connectée sur UOUT (qui ne figure pas dans ce diagramme).
2. R doit être assez grande pour que le courant qui traverse D ne la détruise pas.

Chap4 : Les transistors bipolaires

I. Présentation.

Le transistor a été élaboré pour la première fois en 1948. Il est composé de deux
jonctions, placées en série, très proche l'une de l'autre et de polarité opposée.
On distingue le transistor NPN, le plus usité, et le transistor PNP, dont voici les symboles
:

NPN C PNP E
iC iE
VBE

iB iB
B VCE
B
VCE

VBE

iE iC
E C

Les lettres E, C et B représentent, pour les deux types de transistors, respectivement l'Emetteur,
le Collecteur et la Base.
La flèche noire permet de repérer le type de transistor ainsi que son Emetteur :

13
 Rentrante pour un PNP.
 Sortante pour un NPN.
Les conventions ci-dessus permettent de définir le sens des courants et des d.d.ps :
 Pour un NPN ic, ie, ib sont positifs.
Vce, Vbe sont positifs.
 Pour un PNP ic, ie, ib sont positifs.
Vce et Vbe sont négatifs.
Nous allons étudier plus particulièrement le transistor NPN.
II. Le transistor bipolaire type NPN.
Il est constitué d'une jonction NP (Collecteur-Base) et d'une jonction PN (Base-Emetteur).
Le schéma équivalent que l'on pourrai donner est le suivant:
C
ib

ib
B Vce

Vbe

ie
E

Suivant le mode de polarisation1 de ces deux jonctions, quatre modes de fonctionnement du

transistor peuvent apparaître :
Jonction Collecteur-Base Jonction Base-Emetteur Mode de fonctionnement
Inverse Directe Normal (linéaire)
Bloquée Bloquée Bloquée
Directe Directe Saturé
Directe Inverse Inverse(linéaire)

1. Régime de fonctionnement linéaire :

Le transistor joue le rôle d'un amplificateur en courant.
Le transistor se trouve dans le mode de fonctionnement linéaire si et seulement si : ic=.ib et
Vce>0. Dans le cas contraire, il fonctionne en mode de fonctionnement en commutation.
Son fonctionnement est lié aux équations suivantes :
 ie=ic+ib
 ic=.ib avec  caractéristique propre à chaques transistors on le trouve également
dans les documentations constructeurs sous les noms H21 ou HFE (50<<300)
 ic=.ie avec =/(+1)
 ie=Is.(exp(Vbe/Ut)-1) avec Is : courant de saturation

14
 Ut=kT/q=25mV à 300K (27°C)
-23
10 J/K

2. Régime de fonctionnement Saturé/bloqué ou commutation :

Le transistor joue le rôle d'un interrupteur commandé électriquement.
Deux cas se distinguent :
 1e cas : BLOQUAGE Si ib0A ou Vbe<0,6V  le transistor est dit bloqué  circuit
C

ouvert.
Schéma équivalent:

 2e cas: SATURATION Si ib>ic/  le transistor est dit saturé  circuit fermé.

Schéma équivalent:
C

Vcesat=0V
B

E
En réalité, Vcesat n'est pas nul mais est de l'ordre de 0,3V.

III. Caractéristiques.
Les caractéristiques d'un transistor se présentent sous la forme représentée ci-dessous :
Le transistor utilisé pour le tracer de ces caractéristiques est 2N2222.

15
1e exercice :
Le montage de polarisation élémentaire d'un transistor est le suivant :

Vcc

Rc

Rb

Vs

Vbb

16
 1°) De quel type de transistor s'agit-il ?
2°) Repérer le Collecteur, l'Emetteur et la Base du transistor.
3°) Flécher les courants et les d.d.ps représentatifs du transistor
Donner leurs signes.
4°) Avec les valeurs suivantes, Rc=360, Rb=1,4k, Vcc=10V, le transistor est polarisé de
manière à fonctionner en régime de commutation.
A l'aide d'une démarche algorithmique déterminer Vs dans les deux cas suivant : Vbb=1V et
Vbb=0V.
5°) Tracer le chronogramme Vs en concordances de temps avec Vbb.

Vbb
1V

1ms t
Vs

t
6°) Comparer les deux chronogrammes et conclure sur l'amplification en tension réaliser. On
peut considérer que ce montage réalise une fonction logique, quelle est-elle ?
7°) Démontrons que le transistor fonctionne en régime de commutation.
7.a.Vbb=1V
Faisons l'hypothèse que le transistor est saturé (Vbe=0,6V et
Vce=Vcesat=0,3V)
Exprimer ib=f(Rb, Vbb, Vbe).
Calculer ib.
Exprimer ic=f(Rc, Vcc, Vcesat).
Calculer ic.
Rappel: Le transistor est saturé si ib>ic/.
Le transistor utilisé a un =100.
L'hypothèse est-elle vérifié ? Conclure sur l'état du transistor.
7.b. Vbb=0V
Faisons l'hypothèse que le transistor est bloqué (ib=0)
Exprimer Vbe=f(Vbb)
Calculer Vbe. Vbe est-il inférieur à 0,6V ?
L'hypothèse est-elle vérifié? Conclure sur l'état du transistor.
7.c. Conclure sur le régime de fonctionnement du transistor.

Chap5 :Les circuits intégrés

I- Généralités
Le circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique
reproduisant une, ou plusieurs, fonction(s) électronique(s) plus ou moins complexe(s), intégrant

17
 souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit (sur une
petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre.
Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories :
analogique et numérique.

Carte à puce : carte contenant une puce (connecteur visible à gauche).

II- Historique
En 1958, l’américain Jack Kilby invente le premier circuit intégré1 jetant ainsi les bases du
matériel informatique moderne. Kilby a tout simplement relié entre eux différents transistors en
les câblant à la main. Il ne faudra par la suite que quelques mois pour passer du stade de
prototype à la production de masse de puces en silicium contenant plusieurs transistors. Ces
ensembles de transistors interconnectés en circuits microscopiques dans un même bloc,
permettaient la réalisation de mémoires, ainsi que d’unités logiques et arithmétiques. Ce concept
révolutionnaire concentrait dans un volume incroyablement réduit, un maximum de fonctions
logiques, auxquelles l'extérieur accédait à travers des connexions réparties à la périphérie du
circuit. Cette découverte a valu à Kilby un prix Nobel de physique en 2000, alors que celui-ci
siégeait toujours au directoire de Texas Instruments et détenait plus de 60 brevets à son nom.
III- Premières utilisations
Le programme de missile balistique Minuteman II a été essentiel au développement économique
de l'industrie du circuit intégré. C'est le premier objet produit en série qui intégrait un ordinateur
conçu à partir de ceux-ci (le D-37C (en) d'Autonetics), il a d'ailleurs été le seul consommateur
de ce type d'ordinateur de 1962 à 1967. L'ordinateur comprenait des circuits fabriqués par Texas
Instruments de types logique diode-transistor et logique diode. Le seul autre ordinateur qui a fait
appel à cette technologie est celui destiné à contrôler les missions Apollo, ordinateur qui avait
des contraintes semblables du point de vue de la masse et de la fiabilité.
IV- Circuit intégré analogique
Les circuits intégrés analogiques les plus simples peuvent être de simples transistors encapsulés
les uns à côté des autres sans liaison entre eux, jusqu'à des assemblages complexes pouvant
réunir toutes les fonctions requises pour le fonctionnement d'un appareil dont il est le seul
composant.
Les amplificateurs opérationnels sont des représentants de moyenne complexité de cette grande
famille où l'on retrouve aussi des composants réservés à l'électronique haute fréquence et de
télécommunication. De nombreuses applications analogiques sont à base d'ampli Op.

V- Circuit intégré numérique

Les circuits intégrés numériques les plus simples sont des portes logiques (et, ou et non), les plus
complexes sont les microprocesseurs et les plus denses sont les mémoires. On trouve de
nombreux circuits intégrés dédiés à des applications spécifiques (ou ASIC pour Application-
specific integrated circuit), notamment pour le traitement du signal (traitement d'image,
compression vidéo...) on parle alors de processeur de signal numérique (ou DSP pour Digital
Signal Processor). Une famille importante de circuits intégrés est celle des composants de

18
 logique programmable (FPGA, CPLD). Ces composants sont amenés à remplacer les portes
logiques simples en raison de leur grande densité d'intégration.

Circuits intégrés boîtier DIP.

Un microcontrôleur boîtier DIP.

Les circuits intégrés se présentent généralement sous la forme de boîtiers pleins rectangulaires,
noirs, équipés sur un ou plusieurs côtés voire sur une face, de 'pattes' (appelées aussi broches ou
pins) permettant d'établir les connexions électriques avec l'extérieur du boîtier. Ces composants
sont brasés, (soudé, terme impropre) sur un circuit imprimé, ou enfichés, à des fins de
démontage, dans des supports eux-mêmes brasés sur un circuit imprimé.
Sur le boîtier peuvent être peint : le logo du fabricant, une référence qui permet d'identifier le
composant, un code correspondant à des variantes ou révisions, la date de fabrication (4 chiffres
codés AASS : année et semaine). Les progrès de l'intégration sont tels que les circuits intégrés
peuvent devenir très petits. Leur taille ne dépend plus guère que de la capacité du boîtier à
dissiper la chaleur produite par effet Joule et, bien souvent du nombre, de la taille des broches de
sortie du circuit ainsi que de leur espacement.
Différents types de boîtiers permettent d'adapter le circuit intégré à son environnement de
destination.
 Le format le plus ancien a pour nom Dual Inline Package (DIP ou DIL) qui se traduit
sommairement par « boîtier avec deux lignes ».
 La miniaturisation aidant, les circuits dits de surface ont fait leur apparition : le format
SO.
Bien d'autres types existent :
Article détaillé : boîtier de circuit intégré.
Le Die

19
Un die de circuit intégré VLSI
Le die est la partie élémentaire, de forme rectangulaire, reproduite à l’identique à l’aide d’une
matrice sur une tranche de silicium en cours de fabrication. Il correspond a un circuit intégré qui
sera ensuite découpé et que l’on appellera une puce avant qu’elle ne soit encapsulée pour donner
un circuit intégré complet, prêt à être monté sur une carte.
Le Die d'un circuit intégré comprend sous des formes miniaturisées principalement des
transistors, des diodes, des résistances, des condensateurs, plus rarement des inductances, car
elles sont plus difficilement miniaturisables.
Article détaillé : Die (circuit intégré).
Échelle d'intégration
L'échelle d'intégration (en anglais scale integration) définit le nombre de portes logiques par
boîtier :
Année de Nombre de Nombre de portes logiques
Nom Signification 2
sortie transistors par boîtier3
small-scale
SSI 1964 1 à 10 1 à 12
integration
medium-scale
MSI 1968 10 à 500 13 à 99
integration
LSI large-scale integration 1971 500 à 20 000 100 à 9 999
very large-scale 20 000 à
VLSI 1980 10 000 à 99 999
integration 1 000 000
ULSI ultra-scale integration 1984 1 000 000 et plus 100 000 et plus
Ces distinctions ont peu à peu perdu de leur utilité avec la croissance exponentielle du nombre
de portes. Aujourd'hui plusieurs centaines de millions de transistors (plusieurs dizaines de
millions de portes) représentent un chiffre normal (pour un microprocesseur ou un circuit intégré
graphique haut de gamme). Afin de parvenir à de tels niveaux d'intégrations, un flot de
conception complexe est utilisé.

20
 Chap6 :Applications des diodes
A- Le Redressement du courant alternatif
Le redressement est une opération qui consiste à transformer le courant alternatif en courant
continu.
Plusieurs types de schémas peuvent nous permettre d’atteindre ce but :Le redressement mono ou
double alternance .
I-Redressement simple alternance
C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du
transformateur Vt dépasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant passer le
courant direct dans la charge. La tension aux bornes de la charge Vr est alors égale à la tension
aux bornes du transformateur moins la tension directe VF de la diode.

Figure 19
Redressement avec une diode.

Quand la tension aux bornes du transformateur devient inférieure à la tension de seuil, la

diode est bloquée ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est négligeable en comparaison du
courant direct. La tension aux bornes de la diode est alors égale à celle aux bornes du
transformateur : il faudra choisir une diode avec une tension VR au minimum égale à la
tension crête du secondaire du transformateur.

II- Redressement double alternance

1- Avec transfo double enroulement ou transformateur à point milieu

21
 Figure 20
Redressement avec transfo double sortie.

Le montage précédent présente l'inconvénient de ne laisser passer que la moitié du courant que
peut délivrer le transformateur. Pour remédier à cela, on utilise un transformateur avec deux
enroulements secondaires que l'on connecte de manière à ce qu'ils délivrent des tensions en
opposition de phase.

Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques à celui de la Figure 19
qui fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour l'alternance négative. On vérifie bien
(Figure 21 et Figure 22) que le courant dans la charge est toujours orienté dans le même sens.

Figure 21
Alternance positive.

Figure 22
Alternance négative.

On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non négligeable quand les
tensions alternatives sont faibles, en dessous d’une vingtaine de volts.

22
Les diodes sont plus sollicitées que pour le montage simple alternance : en effet, la diode
qui ne conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de
transformateur, la tension aux bornes de la résistance. Au total, elle devra supporter une
tension VR double de celle requise dans le montage à simple alternance, soit deux fois la
tension crête présente sur chacun des secondaires.

2- Avec pont de Graëtz

Figure 23
Fig.13. Redressement avec pont de diodes.

Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne nécessitant pas un
transformateur à double enroulement : on utilise 4 diodes montées en pont, dit « pont de
Graëtz ». Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce, permettant de réduire le
nombre de composants du montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et quand elle
est négative, D2 et D3 conduisent (Figure 24 et Figure 25).

Figure 24
Alternance positive.

Figure 25
Alternance négative.

Chaque diode n'a à supporter qu'une fois la tension crête du secondaire du transformateur
(contre deux fois pour le montage précédent), mais en revanche, on a deux tensions directes de

23
 diode en série. La puissance totale dissipée dans les diodes est double par rapport à la solution
précédente.
Quelle solution choisir ?
Quand on en aura la possibilité, on préfèrera la solution à transformateur à point milieu, pour
plusieurs raisons :
- le transformateur n'est pas plus cher que celui à secondaire simple.
- avec un transformateur à un seul secondaire, on ne peut pas faire d'alimentation double
symétrique en redressement double alternance. Ce type de transformateur est moins
universel.
- le fait que les diodes aient à tenir une tension double n'est pas un problème dans la plupart des
cas, car les tensions redressées sont très souvent bien inférieures aux tensions VR minimum des
diodes disponibles dans le commerce.
- dans le montage en pont, la charge est flottante par rapport au transformateur, ce qui peut
être gênant dans certains cas.
Filtrage
Les montages précédents délivrent des tensions redressées continues mais ondulées.
Pour obtenir une tension quasiment lisse, il suffit de mettre un gros condensateur en parallèle
avec la charge.
Redressement simple alternance
Ici, la charge est absolument quelconque, et peut être un montage électronique complexe ayant
une consommation en courant aléatoire.

Vt=tension aux bornes du transformateur ; Vch= tension aux bornes de la charge ou tension
moyenne.
Vtmax
Vch=
π

Figure 26
Redressement simple alternance et filtrage.

Sur le graphique de la Figure 26, on voit en pointillé la tension redressée telle qu'elle serait sans
condensateur. En traits pleins épais, on voit la tension filtrée.

24
 Sur ce graphe, le courant de décharge du condensateur est linéaire : il correspond à l'hypothèse de
décharge à courant constant.

Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est supérieure à la
tension aux bornes du condensateur additionnée de la tension directe de la diode, la diode conduit. Le
transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant de recharge du
condensateur.
Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle du condensateur plus la tension de
coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur-charge forme alors une boucle isolée
du transformateur.
Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue l'énergie accumulée
dans la phase précédente.
A noter que la tension aux bornes du condensateur étant en permanence voisine de la tension crête
positive du transformateur, lorsque celui-ci fournit la tension de crête négative, la diode doit supporter
deux fois la tension crête délivrée par le transformateur : on perd le seul avantage (hormis la
simplicité) du montage à redressement simple alternance.

3- Redressement double alternance

Les hypothèses seront les mêmes que précédemment. La seule différence viendra du temps T ;
vu qu'on a un redressement double alternance, la fréquence du courant redressé est double de
celle du secteur.

Figure 27
Redressement double alternance et filtrage.

2 ×Vtmax
Vch=
π

25
 B- La Régulation de tension
I- Généralité
La régulation est une opération qui consiste à maintenir l’une des grandeurs électriques
d’un générateur(courant ou tension) à une valeur constante quelles que soient les variations
qui puissent advenir dans le circuit.
En électronique c’est la régulation de tension qui est le plus souvent utilisée .
Deux cas nécessitant la régulation peuvent se produire :
- Une source de tension continue délivre une tension variable à une charge ;il faut
protéger la charge par le biais d’un montage en amont.
- Une source de tension continue délivre une tension normale à une charge variable ; il
faut protéger la source par le biais d’un montage en avale.
II- Montage en amont

RS
Is

Iz Ich
Umin<U<Umax
Uz Uch Rch

La résistance Rs permet de limiter le courant Is .

La tension d’entrée U varie entre des limites connues (Umin et Umax)
On a ( à l’entrée) :
U-RsIs-Uz=0
Is=Iz+Ich
Pour un bon parametrage on a :
Umin – RsIs – Uz=0
Is=Izmin + Ich d’où
Rs=(Umin – Uz) / (Izmin+Ich)
Si la tension U passe à Umax , on calcule Izmax car Rs une fois fixée ne change plus ?
Ismax=(Umax – Uz) / Rs
D’où Izmax=Ismax – Ich
On choisit une diode zéner qui a la tension zéner égale à celle de la charge ,et courant zénerIzmax
supérieur à celui qui a été calculé
III-Montage en aval

26
 RS
Is

Iz Ichmin<Ich<Ichman
U
Uz Uch Rchmin<Rch<Rchmax

Ici la source délivre une tension U normale mais c’est la charge qui varie entre Rchmin et Rchmax .
Uch=Uz , d’où
Ichmax=Uz / Rchmin
Ichmin=Uz / Rchmax
Izmax=Ichmax- Ichmin
Is=Izmin + Ichmax
Rs=(U – Uz) / Is
Lorsque la charge sollicite un courant très intense les deux types de régulation s’avèrent inefficaces il
faut utiliser d’autres dispositifs.
IV- Régulateur utilisant diode zener et transistor

Ube

U Us

Uz

Ce type de régulateur est utilisé lorsque la charge a besoin d’un courant très fort. La diode zener ne pouvant pas
supporter un courant très fort elle servira de tension référentielle et le transistor va conduire le courant fort vers
la charge qui est égal à IE.
D’où :
Us=Uz-Ube
U-R1I1-Uz=0
R1=(U-Uz) / I1
I1=Iz+Ib
Ib=IE/(β+1)

V- les Régulateurs intégrés

27
Les montages régulateurs deviennent de plus en plus complexes et encombrants.
Pour des soucis de simplicités on intègre transistor résistance diode zéner etcetera dans une puce à
trois broches et appelée Régulateur intégré.
Les régulateurs intégrés se divisent en deux groupes :
- Régulateurs à tension de sortie positive
- Régulateur à tension de sortie négative
III-1- Régulateurs à tension de sortie positive
Ils se divisent en deux grands groupes :
- Régulateurs à tension de sortie fixe
- Régulateurs à tension de sortie variable
Régulateurs fixes
Les régulateurs fixes sont appelés ainsi parce qu'ils ont été conçus pour
délivrer une tension continue d'une valeur donnée, qui ne peut pas être
modifiée sans artifice. Il en existe de multiples sortes, mais les plus
courants sont sans aucun doute ceux de la série LM78xx (ou uA78xx) et
LM79xx (ou uA79xx). Ils sont très mettre en œuvre, et il suffit de peu de
connaissances pour savoir lequel utiliser, leur nom indiquant de
lui-même de quoi il en retourne. Pour tout savoir, décomposons le nom de
ces régulateurs :
LM = préfixe utilisé par le fabricant. Il peut aussi s'agir de uA, ou MC.
78= signifie qu'il s’agit d'un régulateur positif
79= signifie qu'il s’agit d'un régulateur négatif
xx = tension de sortie fixe(valeur entière)
Valeurs courantes disponibles :5V, 6V, 9V, 10V, 12V, 15V, 18V, 24V
(certaines de ces valeurs étaient moins courantes par le passé que
maintenant).
Sachant cela, vous devriez être en mesure de me dire à quoi
correspondent les régulateurs marquésLM7812et uA7915... Si ce n'est
pas le cas, relisez les lignes qui précèdent.
Exemple d'utilisation avec un régulateur de type7812, où un
condensateur a été ajouté à l'entrée du régulateur, et un second à sa
sortie(on peut parfois se passer de ce dernier pour les régulateurs
positifs, mais il est conseillé de garder ce bon réflexe qui consiste à le
prévoir):

28
Ce type de régulateur dispose d'une entrée (sur deux fils),et une sortie
(aussi sur deux fils). Comme un des deux fils de l'entrée est commun à
l'un des deux fils de sortie (la masse), on ne retrouve que trois pattes sur
le composant: l'entrée, la masse et la sortie. On applique la tension à
réguler entre la patte d'entrée et la patte de masse, et on récupère la
tension régulée entre la patte de sortie et la patte de masse.
Brochage: il faut faire très attention, le brochage des régulateurs négatifs
n'est pas le même que le brochage des régulateurs positifs ! Voici ci-
dessous le brochage des régulateurs fixes les plus communs LM78xx /
LM79xx en boitier TO 220(composants montrés de face, références
visibles).

Exemples de miseen oeuvredecetypederégulateur

:Alimentationsimple1.

Décalage de la tension de sortie d'un régulateur fixe

Il est possible d'obtenir une tension de sortie non standard avec un
régulateur de tension fixe, en la "décalant" de la valeur désirée, à l'aide
d'une diode zener placée entre masse et borne de masse du régulateur
intégré. Par exemple, pour obtenir une tension desortiede10V, il est
possible d'insérer une zener de5,1V entre borne "masse" d'un régulateur
5V et masse "réelle", comme le montre les schémas ci-dessous (en théorie,
la tensiondesortiedevraitêtrede10,1V, mais la tolérance sur les valeurs de la
zener et de la tension de sortie du régulateur font que la valeur pourra
légèrement différer) :

29
De même, pour obtenir unetensionprochede9V et si vous ne trouvez pas
deLM7809, vous pouvez utiliser un régulateur 5V (LM7805) en
association avec une zener de 3,9V (5V + 3,9V = 8,9V, en pratique ça
convient parfaitement dans la grande majorité des cas).

Bien entendu, cette méthode peut être utilisée si vous avez déjà un
régulateur de tension fixe sous la main que vous souhaitez absolument
utiliser. Car si tel n'est pas le cas, je ne saurais que trop vous conseiller
d'utiliser un régulateur de tension ajustable.

Régulateurs ajustables (programmables)

Les régulateurs ajustables ont été conçus afin de pouvoir fournir une
tension de sortie pouvant prendre une valeur quelconque dans une plage
bien déterminée, et dont la valeur peut être décidée facilement. La plupart
du temps, la tension de sortie d'un régulateur de tension ajustable est
déterminée par la valeur de deux résistances additionnelles. Les schémas
ci- dessous montre un exemple de réalisation basé sur unLM317(le LM317
est un régulateur positif, leLM337est son "complémentaire" en négatif).

30
Tout comme le régulateur fixe, le régulateur ajustable possède une patte
d'entrée et une patte de sortie. La différence réside dans l'emploi de la
troisième patte, qui n'est plus une patte de masse, mais une patte de
référence. C'est sur cette patte que l'on va "jouer" faire sortir au
régulateur la tension désirée. Retenons tout de suite que pour la quasi-
totalité des régulateurs, la tension de sortie minimale est de1,25V, et ne
peut descendre en dessous sans employer une source de tension négative
ou en ayant recours à une astuce qui complique vraiment les schémas. Les
deux résistances R1et R2du schéma précédent permettent donc de
"programmer "la tension de sortie. La formule pour déterminer la valeur
deces résistances est la suivante:
VOut(tension de sortie positive) = 1,25; (1+ (R2/R1)).

Très important! La résistance R1doit être montée au plus près du

régulateur, surtout pour la patte côté sortie du régulateur. Il faut en effet
faire en sorte que la chute de tension introduite entre la sortie régulatrice
et la patte de cette résistance soit la plus faible possible, pour limiter les
variations de la tension de sortie en fonction du courant consommé(le
risque est d'autant plus grand que le courant tiré en sortie est important).

Les schémas qui précèdent montre à quel point il est facile de réaliser une
alimentation régulée à la valeur fixe que l'on veut, de façon très simple.
Pour pouvoir ajuster la tension de sortie, il faut remplacer la résistance R2
par un potentiomètre, qui permettra de faire varier le rapport de tension
entre la sortie du régulateur et sa borne Adjust.

31
Il n'est pas du tout recommandé de placer un potentiomètre de la
sorte i vous désirez une tension de sortie fixe mais parfaitement
ajustée. Il y a une grande différence entre vouloir ajuster de façon
précise une tension de sortie fixe(par exemple à +15,0V) et vouloir
disposer d'une tension de sortie variable(par exemple de3 à 24V).
Dans le premier cas, il est préférable de remplacer le potentiomètre
par un potentiomètre monté en série avec une résistance talon .Cela
permet la plage de variation et ainsi de la rendre plus précise. Dans
ces condition, pas besoin d'un potentiomètre multi-tours couteux, un
simple potentiomètre
ajustable3/4detours à piste carbone suffit amplement.
Céramique et film.
Brochage : ces régulateurs ajustables adoptent le même boitier que
les régulateurs fixes(TO220et TO3sont les deux les plus répandus), et
pour cette raison, il faudra rester prudent pour les brochages ,qui
diffèrent entre eux. Voici ci-dessous le brochage des régulateurs
ajustables les plus communs LM317/LM337en boitier
TO220(composants
montrés deface, références
visibles).

32
III-2- Régulateurs à tension de sortie négative
Ils se divisent en deux grands groupes :
- Régulateurs à tension de sortie fixe (série 79xx)
- Régulateurs à tension de sortie variable (LM337)
NB
Les schémas restent les mêmes pratiquement

33