CHAP III LES SEMICONDUCTEURS

I – DEFINITION

Un semi – conducteur est un matériau dont la résistivité est comprise

entre 10-3 et 107Ω.m. Ainsi, les semi – conducteurs se situent à mi – chemin
entre les matériaux conducteurs et les matériaux isolants.

On dit que les semi – conducteurs sont des éléments chimiquement

tétravalents par ce qu'ils comportent quatre (4) électrons sur leur couche
périphérique. Cette dernière propriété est particulièrement importante en
électronique.

Voila pourquoi les semi – conducteurs sont à la base de tous les

composants électroniques. On peut citer par exemple : les diodes, les
transistors, les thyristors…

II – L' ATOME

1) Constitution

L'atome est constitué par un noyau et des électrons, qui gravitent en

orbite autour du noyau. Le noyau, constitué de protons, est chargé
positivement et les électrons sont chargés négativement.

Exemple : Le noyau d'un atome de silicium possède 14 électrons

Une observation de ce schéma nous permet de voir que : deux électrons

circulent sur la première orbite, huit sur la deuxième et quatre sur l'orbite
périphérique.

Le nombre maximal d'électrons pouvant circuler sur chaque orbite est

donné par la formule suivante : N = 2 n2, dans laquelle n est le numéro de
l'orbite.

Les 14 électrons neutralisent la charge des 14 protons. C'est pourquoi

on dit que l'atome est électriquement neutre. Entre les atomes, il existe
plusieurs types de liaisons dont les plus importantes sont : la liaison de
covalence, la liaison ionique, la liaison métallique, la liaison moléculaire …
2) Niveau d'énergie

Les électrons peuvent circuler sur la 1ère, la 2ème ou la 3ème orbite, et

non sur les orbites intermédiaires.
3è nivea d’énergie
r3 r3

2è niveau d’énergie
r2 r2
r1
1er niveau d’énergie
r1

Bords du noyau
0
Il faut dépenser une certaine quantité d'énergie pour faire passer un
électron d'une orbite inférieure à une orbite supérieure.

Si une énergie extérieure bombarde un atome, elle peut augmente

l'énergie d'un électron qui s'élève à un niveau énergétique supérieur. On dit
que l'atome est en état d'excitation. Cet état ne dure pas longtemps car
l'électron excitée revient bientôt à son niveau énergétique initial, en restituant
l'énergie acquise, sous forme de chaleur ou de lumière.

3) Cristal

Un atome de silicium isolé possède quatre électrons sur son orbite de

valence. Cependant, pour être chimiquement stable, il doit en avoir huit sur
cette orbite. Il se combinera donc avec quatre autres atomes, de manière à avoir
huit électrons sur son orbite de valence.

Lorsque les atomes de silicium se combinent pour former un solide,

ils se disposent en une structure ordonnée appelée cristal. Ainsi, chaque
atome de silicium se positionne de lui – même entre quatre autres atomes de
silicium.

4) les trous

Lorsqu'une énergie externe enlève un électron de valence, l'électron

migrateur laisse un vide ou encore une lacune appelée trou. L'atome d'où vient
cet électron se charge positivement et l'atome où va cet électron se charge
négativement. Le phénomène des trous est très important dans le
fonctionnement des diodes et des transistors.

III – TYPES DE SEMI – CONDUCTEURS

1) Dopage
On appelle cristal pur un semi – conducteur formé à partir des atomes
de même nature.
Le dopage est l'ajout d'atomes d'impuretés à un cristal
de semi – conducteur, pour augmenter le nombre d'électrons libres, ou encore
le nombre de trous.
On obtient un cristal de type N si le dopeur est pentavalent (cinq
électrons de valence) et un cristal de type P si le dopeur est trivalent (trois
électrons de valence).
Un cristal dopé est appelé un semi – conducteur intrinsèque.

2) Semi – conducteur de type N

Pour augmenter le nombre d'électrons de la bande de conduction, on

ajoute des atomes pentavalents au cristal. L'ajout d'atomes pentavalents à un
cristal de silicium préserve la majorité des atomes de silicium. Après la
formation des liaisons de covalence, l'atome central possède un électron de
trop qui doit circuler sur une orbite de la bande de conduction. Ainsi, les
électrons sont des porteurs majoritaires et les trous sont des porteurs
minoritaires.
Ce type de semi – conducteur est appelé semi – conducteur de type N
Les atomes pentavalents sont appelés atome donneur d'électrons.
Exemple : l'arsenic, l'antimoine, le phosphore …

3) Semi – conducteur de type P

Pour avoir des trous supplémentaires, on utilise des atomes trivalents.
Après l'ajout d'une telle impureté, chaque atome trivalent sera entouré de
quatre atomes de silicium. Il aura ainsi sept (7) électrons sur son orbite de
valence. Il restera donc un trou.
Un tel semi – conducteur est appelé semi – conducteur de type P .

Les atomes trivalents sont appelés atomes accepteurs d'électrons.

Exemple : l'aluminium, le bore, le gallium …

4) Jonction PN

On peut fabriquer un cristal moitié du type P et moitié du type N. la

zone de rencontre entre les régions de type P et N s'appelle une jonction. Un
tel cristal s'appelle une diode.
 Le côté P possède un grand nombre de trous (porteurs majoritaires) et
le côté N possède un grand nombre d'électrons (porteurs
minoritaires)

Au niveau de la jonction des deux semi – conducteurs, in se produit un

phénomène de diffusion des porteurs : les électrons diffusent de N vers P et
les trous de P vers N.

Le départ d'un électron libre de la région N crée un atome chargé

positivement (ion positif) dans la région N. peu après son entée dans la région
P, il tombe dans un trou. Le trou disparait et l'atome en question devient chargé
négativement (ion négatif).

A mesure que le nombre d'ions augmente, la région voisine de la

jonction s'appauvrit en électrons libres et en trous. Cette région est appelée la
couche d'appauvrissement ou de déplétion.
5) Barrière de potentiel

La couche d'appauvrissement se comporte comme une barrière qui

empêche les électrons de traverser la jonction. Un électron libre de la région
N qui veut pénétrer dans la zone d'appauvrissement se heurte à une paroi d'ions
négatifs qui le repoussent vers la droite. S'il a assez d'énergie, il peut percer la
paroi et pénétrer dans la région P où il tombe dans un trou créant ainsi un ion
négatif.

L'intensité de la couche d'appauvrissement croit à mesure que les

électrons la traversent, jusqu'à obtention d'un équilibre. La différence de
potentiel entre les extrémités de la couche d'appauvrissement s'appelle la
barrière de potentiel.

A 25°C, la barrière de potentiel est égale à 0,7V pour le silicium et 0,3V pour
le germanium.
CHAP IV LA DIODE A JONCTION
I – PRESENTATION
1) Définition
Une diode à jonction est un dipôle constitué d'un cristal de semi – conducteur. Elle
comporte une jonction PN et deux électrodes métalliques qui sont respectivement en contact
avec la région P (anode) et la région N (cathode). Son rôle est de laisser passer le courant dans
un sens, et de le bloquer dans le sens inverse.

2) Symbole et présentation physique

K

A i
u
a) symbole d’une diode

A
b ) présentation physique
K

3) Constitution d'une diode

Une diode à jonction est réalisée à base d'un fragment de silicium ou de germanium.
Elle comporte une région P, une région N et une zone intermédiaire appelée jonction.
I

Région Jonct Région

P ion N
PN

La zone P est la zone où les trous sont majoritaires et la zone N est la zone où les électrons sont
majoritaires.
II – POLARISATION ET CARACTERSTIQUES
1) Polarisation directe

Rp A
A

+
-- E V

K
 On dit qu'une diode est polarisée en direct lorsque l'anode est reliée au pôle positif du
générateur et la cathode au pôle négatif. Ainsi le potentiel de l'anode est supérieur au potentiel
de la cathode. Dans ce cas, la diode est passante.
Le modèle électrique d'une diode polarisée en direct est équivalent à
une source de tension u0 appelée tension seuil, en série avec une résistance dynamique Rd.

Une diode est dite polarisée en inverse lorsque le potentiel de la cathode est supérieur
au potentiel de l'anode. Dans ce cas, la diode reste bloquée.
3) Caractéristiques
a) Caractéristique réelle
Id (mA) A

Caractéristique
directe
B

Ud (V)
0
C
D
Caractéristique
inverse
E

- Zone OC : la diode est soumise à une tension Ud < U0. Aucun courant ne circule. C'est
la zone de blocage direct.
- Zone CB : la tension Ud U0. Un léger courant circule dans la diode. C'est la zone de
coude.
- Zone BA : Ud > U0. Le courant est de plus en plus important. C'est la zone de
conduction, ou encore zone linéaire.
- Zone OD : le courant est négatif. C'est la zone de blocage inverse.
- Zone DF : pour une petite variation de la tension, on a une grande variation du courant.
C'est la zone de claquage inverse.
b) Caractéristique linéaire

Id (mA)

Ud (V)
0 U0

On suppose que la diode a un courant nul pour toute valeur de Ud < U0. Elle commence à
conduire à partir de Ud = Uo. Ainsi, on a
Ud = U0 + Rd Id
c) Caractéristique idéale

Id (mA)

Ud (V)
0

Dans la caractéristique idéale, on suppose que la tension seuil U0 est nulle, ainsi que
la résistance dynamique rd de la diode.

- En direct, la diode est comparable à un interrupteur fermé

A Id K
Ud = 0
Id > 0
Ud = 0

- En inverse, la diode est comparable à un interrupteur ouvert.

A Id = 0 K Ud < 0
 Id = 0
Ud < 0

Remarque :
Pour une diode au germanium, la tension seuil U0 est comprise entre 0,2V et 0,3V. pour
une diode au silicium, U0 est comprise entre 0,6V et 0,7V.

4) Droite de charge
La droite de charge permet de déterminer le courant et la tension exacte de la diode. Soit
le circuit de la figure suivante :

I Rp

Vs V

L'équation de la maille donne :

Le point de coordonnées (I = 20mA ; V = 0) appartient à l'axe vertical. On l'appelle

point de saturation parce qu'il représente le courant maximal.
Pour I = 0, on a V = Vs = 2V Le point de coordonnées (I = 0A ; V = 2V) appartient à l'axe
horizontale. On l'appelle point de blocage ou encore point de coupure parce qu'il représente la
tension maximale.
 Le point d'intersection entre la droite de charge et la caractéristique de la diode (point
Q) est appelé point de fonctionnement de la diode. Les coordonnées de ce point représentent
le courant et la tension de la diode pour une tension de source de 2V et une résistance de
protection de 100Ω
Ce point peut aussi se déterminer graphiquement par lecture directe sur papier millimétré.

III – GROUPEMENT DES DIODES

EN PARALLELE
1) Diodes en anode commune
Lorsqu' on groupe plusieurs diodes par leurs anodes, la diode qui conduit est celle qui a la plus
petite tension de cathode.
D1

D2
R

D3

E
2V 5V 10V

Dans ce cas, la diode qui conduit est D3

IV – DIODES SPECIALES
1) Diode électroluminescente (DEL)
Les diodes électroluminescentes (DEL) sont souvent désignées par leur sigle anglais LED
(ligth emeting diode). Ce sont des diodes à jonction à semi – conducteur, qui émettent de la
lumière lorsqu'elles sont polarisées en direct. Certaines émettent des radiations infra – rouge.
On les appelle des photo – émetteurs.
a) Symbole A

b) Fonctionnement
 En polarisation direct : -
 Si VAK > VF alors la LED s'allume ; -
 Si VAK < VF alors la LED s'éteint.
 En polarisation inverse, la LED reste éteinte.
N.B : VF est la tension seuil de la LED
c) Caractéristiques
Leur tension seuil direct VF0 varie de 1,5V à 2,2Vet le courant direct varie de 10mA à 30mA

d) Les différentes couleurs rencontrées

Sur le marché, on rencontre couramment les couleurs suivantes : infra – rouge, rouge, orange,
vert, bleu, ultra – violet
V - CARACTERISTIQUES DE CHOIX
D'UNE DIODE
Une diode à jonction est essentiellement caractérisée par :
- Le courant direct (IF) : c'est le courant nominal qu'elle laisse passer dans le sens direct.
- La tension inverse (Vinv) : c'est la tension inverse qu'elle peut supporter sans destruction
de sa jonction.
Pour choisir une diode à jonction pour une application quelconque, on doit tenir compte des
grandeurs suivantes :
- Le courant direct moyen maximal : IFAM
- Le courant direct de pointe répétitif : IFRM
- Le courant inverse continu : IR - La tension directe continue : VF - La tension inverse
de pointe répétitive :
VRRM
- La résistance dynamique : Rd
 - La tension seuil : Us, U0 ou E
La puissance consommée par une diode est égale à : Pd = Vd x Id = (U0 + rd Id) Id

VI – MESURES SUR UNE DIODE

1) Comment savoir, à l’ohmmètre qu’une diode à jonction est en bon état ?

On place le curseur du multimètre sur la position diode :

- Dans le sens direct, on doit lire la tension seuil de la diode

- Dans le sens inverse, on doit lire une résistance presque infinie.

2) Comment savoir à l’ohmmètre qu’une diode à jonction est défectueuse ?

- Diode coupée : On mesure une résistance infinie dans les deux sens ;
- Diode en court – circuit : On mesure une résistance nulle dans les deux sens ;
APPLICATIONS DES DIODES
LE REDRESSEMENT
CHRONOGRAMME
DIODE SPECIALE
LA DIODE ZENER