ELECTRONIQUE 1

BASE DE L’ELECTRONIQUE

ANNEE ACADEMIQUE 2022-2023

Institut Saint Jean Paul 2

INTRODUCTION GENERALE
1. Structure cristalline et bandes d’énergie
Une structure cristalline est constituée d’un assemblage régulier
d’atomes (Figure 1). Ils mettent en commun des électrons dliaisons
covalentes.
La couche électronique périphérique assure la stabilité de l’atome.
Elle est complète lorsqu’elle comporte 8 électrons pour atteindre la
saturation (la couche périphérique ne peut en comporter
d’avantage).

Figure 1: Structure cristalline

Dans cette description, les résultats de mécanique quantique montrent que chaque électron
possède un niveau d’énergie determine qui sont :
• la bande de valence si l’électron est attaché à l’atome ;
• la bande de conduction si cet électron se libère de l’atome (On dit alors qu’il est libre).
Des bandes interdites séparent tous ces niveaux.

Figure 2: Representation énergétique

2. Conducteur – Isolant – Semi-conducteur
Un matériau isolant possède un gap élevé. Tous
les électrons de la couche périphérique sont
utilisés dans les liaisons chimiques covalentes. A
la température de 0 K, il n’y a pas d’électrons
dans la bande de conduction. Une élévation de la
température peut toutefois apporter l’énergie
nécessaire au passage de certains électrons dans
la bande de conduction, mais à température
ambiante, cette probabilité est très faible, et le
matériau reste isolant.
Dans un matériau conducteur, les liaisons
chimiques n’utilisent pas tous les électrons
de la couche périphérique. Ceux qui sont
excédentaires sont alors libres de circuler et
se déplacent naturellement dans la bande
de conduction (même à 0 K). Ceci se traduit
par un gap nul ou négatif : les bandes de
conduction et de valence se chevauchent.
Un matériau semi-conducteur (SC) est un isolant possédant un
faible gap. Il est parfaitement isolant à 0 K, mais devient
progressivement conducteur lorsque la température augmente ou
par apport d’énergie sous une forme quelconque (lumière ou tout
rayonnement électromagnétique, chauffage, etc.). Il reste
cependant proche de l’isolant à température ambiante. S’il est pur
—on dit que le semi-conducteur est intrinsèque— c’est un élément
chimique de valence 4 (la couche périphérique comporte 4
électrons).

Exemples de semi-conducteurs purs (entre parenthèses le

symbole puis le numéro atomique) : carbone (C, 6), silicium (Si,
14), germanium (Ge, 32).
Remarque : semi-conducteurs composés avec des éléments de
valence 3 et 5 (ex : Arséniure de gallium, GaAs)
3. Notion de « trou » : génération et recombinaison

Lorsqu’un électron quitte la bande de

valence pour atteindre la bande de
conduction, il se déplace librement dans
le réseau. L’atome qu’il laisse n’est plus
neutre, mais s’ionise positivement. Cet
atome dispose donc d’une place
inoccupée appelée « trou » (on dit aussi
« lacune »).
Un électron venant d’un atome voisin
peut alors occuper la place libre en
laissant un trou à son tour : c’est le
mécanisme de recombinaison d’une Figure 3: Recombinaison
paire électron-trou illustré à la Figure 3 électron-trou
Le mouvement des charges négatives s’accompagne donc
nécessairement d’un mouvement des trous dans le sens inverse.
La résistivité électrique du matériau semi-conducteur est très
sensible aux variations de la température. Pour la maîtriser, les
recombinaisons sont contrôlées par dopage du semi-conducteur.
4. Semi-conducteur dopé
Un semi-conducteur dopé est une structure cristalline dans
laquelle on a introduit des atomes étrangers de valence 3 ou 5.
L’état électronique s’en trouve modifié : le dopage accroît la
conductibilité du cristal tout en le maintenant entre l’isolant et le
conducteur.
Semi-conducteur dopé P
En substituant des atomes de valence 3 (bore, aluminium,
gallium, indium), des électrons manquent pour compléter les
couches périphériques voisines (Figure 4). Ceci entraîne la
présence de charges positives excédentaires : le semi-
conducteur est dopé P (ou type P). A température ambiante,
tous les atomes dopants sont ionisés. Chacun a généré un trou
qui est libre de circuler dans le réseau. Tout en restant
globalement neutre, on distingue donc deux types de porteurs
de charges :
l
des trous libres ;
des ions négatifs fixes (les atomes dopants qui gagnent un
l

électron).
Semi-conducteur dopé N
En choisissant un dopant de valence 5 (phosphore, arsenic,
antimoine), le semi-conducteur contient des électrons
excédentaires qui traduisent des charges négatives
supplémentaires : le semi-conducteur est de type N (Figure 5).
A température ambiante, tous les atomes dopants sont ionisés,
mais le matériau reste neutre. Chacun a libéré un électron qui
circule dans le réseau. On distingue alors deux types de porteurs
de charges :
des électrons libres ;
l

des ions positifs fixes (les atomes dopants qui perdent un

l

électron).
Figure 4: Semi-conducteur de type P Figure 5: Semi-conducteur de type N
Chapitre 1: Diodes
I. Introduction
1. Réalisation d'une jonction
On dispose de deux barreaux semi-conducteurs. Le
premier de type N est juxtaposé au second de type P.
C’est à la frontière des deux matériaux que l’on met en
place une jonction.

Figure 1: Mise en place d'une junction (juste avant)

Dans chaque région, on recense différents porteurs :
• la région N contient des ions positifs (cations) fixes et
des électrons mobiles qui constituent l’essentiel des
porteurs. On dit alors qu’ils sont majoritaires.
• La région P contient des ions négatifs (anions) fixes
et des trous mobiles (Figure 1).
La quantité de charges reste globalement la même :
Chaque région est électriquement neutre.
Pour réaliser une diode on met en contact les deux
semi-conducteurs.
Au contact des deux semi-conducteurs les porteurs
mobiles ont tendance à occuper tout l’espace disponible.
Ils se répandent donc par diffusion dans la région
opposée.
Ces porteurs se recombinent avec ceux de signe
opposé.
Initialement neutre, la région libérée prend la charge des
ions fixes dont le signe est contraire à celui des porteurs
(Figure 2).

Figure 2: Recombinaison paire électron-trou

La recombinaison des porteurs libres laisse alors apparaître deux régions
chargées de signes contraires : des cations du côté N, des anions du côté P.
Cette région est appelée zone de charge d’espace (ZCE) (Figure 3).
Du fait du déséquilibre de charges, un champ électrique E apparaît dans la
ZCE. Il crée un mouvement de charges opposé au mouvement de diffusion. A
l’équilibre la jonction est le siège de deux courants égaux et opposés :
• un courant de diffusion Id concernant de chaque côté les porteurs
majoritaires.
• un courant de conduction (ou de saturation) Is concernant les porteurs
minoritaires attirés par le champ E.

Figure 3: Apparition d'une Zone de Charge d'Espace

2. Diode à jonction PN
Une diode à jonction est un composant constitué d’une
jonction PN (Figure 4) rendue accessible par deux
contacts électriques (obtenus par métallisation). Son
symbole et les notations sont représentées à la Figure 5
(pour le retenir, noter que le sens du courant est celui du
triangle).

Figure 4: Constitution d'une diode Figure 5: Symbole d'une diode

et présentation physique
II. Caractéristique statique tension-courant
d’une diode réelle
1. Polarisation
Le fonctionnement est traduit par le lien entre la tension et le
courant : la caractéristique tension– courant. Elle est relevée dans
les quatre quadrants en polarisant la diode en suivant le schéma
de la Figure 6. Le résultat est décrit à la Figure 7.
Attention : ce relevé est obligatoirement attaché aux notations des
sens des tension et courant.

Figure 6: Polarisation de la diode

II. Caractéristique statique tension-courant
d’une diode réelle
2. Résultats

Figure 7: Caractéristique tension-courant d'une diode

L’observation de cette caractéristique permet
de distinguer deux régimes de fonctionnement :
• Dans le sens direct (iD et uD positifs/ VA>VK),
la diode est passante ; la tension uD est faible (≈1V)
et le courant croît très rapidement avec la tension ;
• Dans le sens inverse (iD et uD négatifs / VA<VK),
la diode est bloquée ; le courant est faible quelque soit
la tension (courant de saturation).
Remarque: L’étude précédente met l’accent
sur le fonctionnement statique, c’est à dire
lorsqueles grandeurs tension et courant sont
établies.
Quand ces grandeurs évoluent dans le temps,
la diode peut passer d'un état à l'autre
(par exemple de l’état bloqué, en inverse,
à l’état passant, en direct).C’est
le fonctionnement en commutation.
Lors de la mise en conduction, le courant s’établit
dans le circuit en apportant des charges qui sont
stockées au niveau de la jonction.
Ceci procure une faible chute de tension en
conduction. Mais en contrepartie, leur évacuation
ralentit la commutation lors de la phase de blocage.
Ceci est caractérisé par le temps de recouvrement trr.
3. Influence de la température
La loi d’évolution du courant dans la diode est :

Le courant de saturation Is traduit l’existence des porteurs

minoritaires et croît avec la température. La conséquence
est que le courant direct croît plus vite : Pour une diode au
silicium, il double environ tous les 10 °C. La tension
directe (donc de seuil) diminue : Pour une diode au silicium,
elle décroît linéairement de 2 mV par °C.
En inverse, le courant augmente avec la température
La modification résultante de la caractéristique
apparaît à la Figure 8.
Figure 8: Influence de la température.
III. Caractéristiques statique tension-tension
d’une diode idéale
L’usage du modèle complet est rarement nécessaire. On simplifie la caractéristique par
étapes successives comme l’indique le Tableau 1. Le premier modèle montre la conduction
au-delà de la tension de seuil VD0(source de tension associée) et linéarise le
fonctionnement en conduction par une résistance en série rD. Puis, peu à peu,
chacun des éléments est éliminé. On obtient finalement le modèle
« deux segments » de la diode.

Tableau 1: Les modèles les plus simples de la diode

IV. Limites de fonctionnement
Courant maximal d'emploi: En polarisation direct, il existe un
courant maximal au dela duquel la diode n'est plus capable
de dissiper la chaleur produite par effet joule. Ainsi au dela du
courant maximal d'emploi, la diode brûle

Phénomène d'avalanche: En polarisation inverse, il existe

une tension maximale inverse, au dela de laquelle la diode ne
peut plus resister à la ddp, dans ce cas malgré la polarisation
inverse, un courant traverse la diode en sens inverse en
detruisant au passage la diode
V. Applications des diodes
1. Redressement
La première fonction de la diode est le redressement pour
rendre une tension unidirectionnelle en électronique « petits
signaux », comme en électronique de puissance dans les
convertisseurs d’énergie.

Figure 9 : Redressement monoalternance

Figure 10 : Redressement double alternance avec transformateur à point milieu

Figure 11 : Redressement double alternance avec pont de Graëtz

2. Détection d'enveloppe: Démodulation d'amplitude

Figure 13: Détecteur d’enveloppe simple

Figure 12: Définition graphique de
l’enveloppe d’un signal variable
3.Multiplieur de tension

Figure 14 : Doubleur de Schenckel

Figure 15 : Courbes des tensions redressées
délivrées par le doubleur de Schenckel

Figure 16: Cascade de Greinacher

ou de Cockcroft-walton à vide
VI. Quelques diodes spéciales
1. Contrôle de l’avalanche en inverse : Diode Zener
Lorsque la diode est fortement polarisée en inverse, le champ
électrique donne aux porteurs minoritaires une accélération
suffisante pour en arracher d’autres aux atomes du semi-
conducteur par une succession de chocs ionisants. Le processus
s’emballe et conduit à un phénomène d’avalanche. Celle-ci est
destructive pour la plupart des diodes. Mais l’effet Zener permet le
contrôle des porteurs pour limiter le courant et assurer la
réversibilité du processus.
La tension inverse est constante (tension Zener) pour un courant
variable (Figure 17).
Les diodes Zener s’emploient essentiellement dans les références
de tension. On en trouve de 2,4 jusqu’à 270 V.
VI. Quelques diodes spéciales
La tension inverse est constante (tension Zener) pour un courant variable (Figure 17).
Les diodes Zener s’emploient essentiellement dans les références de tension. On en
trouve de 2,4 jusqu’à 270 V.

Figure 18: Symboles diode zéner

Figure 17: Caractéristique de la diode zéner et présentation physique
 Remarque: Les diodes zéner ne se relient qu’en série pour
obtenir une plus grande tension de regulation, car en parallèle
la diode ayant une plus faible tension zéner impose la tension
de sortie de l’ensemble.

Figure 19: Stabilisation d'une tension par une diode Zener – Montage de base
2. Création d’une jonction rapide : Diode Schottky
Plutôt que de réaliser la jonction avec des semi-conducteurs de types
différents, on substitue une couche métallique au semi-conducteur P ou
N. La caractéristique de la diode obtenue est similaire à celle d’une diode
de redressement, mais avec une tension directe plus faible (diminution
de la tension de seuil, ≈0,3 V). L’avantage essentiel provient de
l’absence de charges stockées durant la conduction. Le temps de
recouvrement est diminué (trr < 500 ns) : la diode est plus rapide. Ces
diodes s’emploient dans les redresseurs rapides petits signaux et dans
les composants logiques rapides.

Figure 21: Symbole diode schottky

Figure 20: Caractéristiques comparées

3. Contrôle de la capacité inverse : Diode varicap
Quand la jonction de la diode est polarisée en inverse, la barrière de
potentiel est renforcée. La zone de charge d’espace apparaît comme un
isolant entre les deux parties semi-conductrices : La jonction se
comporte comme un condensateur dont la capacité est fonction de la
tension inverse.
L’expression qui évalue la capacité de transition CT de la jonction en
fonction de la tension vr est donnée par la relation :

avec VD0 la tension de seuil, C0 la capacité de la jonction non polarisée

et γ un coefficient qui rend compte de la transition de la jonction (à partir
de 0,33). Le graphe de la Figure 22 montre l’évolution graphique de cette
capacité.
Ce type de diode est employé en haute fréquence dans les circuits
oscillants accordés qui prennent place dans les oscillateurs commandés
en tension pour la radio.

Figure 22: Evolution de la capacité de transition Figure 23: Symbole diode varicap
4. Effet quantique : Diode tunnel

L'effet tunnel est une conséquence de la mécanique quantique. Son

principe repose sur la probabilité non nulle pour un électron en
mouvement de franchir une barrière de potentiel d’énergie supérieure à
son énergie cinétique.
Cet effet est obtenu avec une jonction créée avec des semi-conducteurs
fortement dopés. La conséquence s’apparente à un effet d’avalanche en
direct. Le courant qui augmente rapidement puis décroît et reprend sa
croissance exponentielle (comme pour une diode classique).
Il en résulte la caractéristique représentée à la Figure 24. La portion où
le courant décroît en fonction de la tension est la partie utile (entre la
tension de pic Vp et la tension de vallée Vv). On y observe une
conductance négative, linéarisée autour du point de repos (Vr, Ir).
L’utilisation de la zone autour de ce point nécessite une polarisation
particulière qui permet de travailler en variations.
Cette résistance (ou conductance) dynamique est
mise à profit dans les oscillateurs haute fréquence
pour compenser la résistance d’un circuit LC due
aux imperfections des éléments.

Figure 24: Caractéristique de la diode tunnel Figure 25: Symbole diode tunnel
5. Optoélectronique : Diodes électroluminescentes (DEL)

On utilise souvent l’abréviation LED (Light Emitting

Diode) pour cet élément. Polarisées en direct, ces diodes ont la propriété
d’émettre un rayonnement visible (ou proche de cette
bande) dont la couleur dépend du matériau semi-conducteur utilisé (infra
rouge pour l’arséniure de gallium–GaAs, rouge, verte ou jaune pour le
phosphure de gallium –GaP et bleue pour le nitrure de gallium –GaN.
Si la caractéristique tension-courant reste identique, on observe une
tension de seuil plus élevée (jusqu’à 2 V). Elles ne supportent pas les
tensions inverses très élevées (jusqu’à 5 V), ni les courants directs
dépassant 20 mA.

Figure 26: Symbole DEL/LED et présentation physique

 Les DELs sont utilisées dans:
les voyants, témoins et indicateurs lumineux ;
l

les afficheurs et les panneaux de signalisation ;

l

les télécommandes infrarouges ;

l

les émetteurs optiques pour transmission par fibre optique ;

l

les optocoupleurs qui assurent une transmission avec

l

isolation galvanique ;
l’éclairage ;
l

les fourches et capteurs optiques, les détecteurs de

l

passage ...
6. Optoélectronique :Photodiode

Les photodiodes sont des diodes qui entrent en conduction seulement

lorsqu’elles sont frappées par une source lumineuse. Les flèches sont tournées
vers le composant
On peut comparer les photodiodes aux photorésistances car elles parviennent à
faire varier leur résistance en fonction de la lumière, avec la seule différence
que les photodiodes doivent être reliées à la tension d’alimentation en
respectant leur polarité positive et négative.

Figure 27: Symbole photodiode Figure 28: Courbe caractéristique d'une

photodiode en fonction du flux incident
7. La diode laser
Pour simplifier, la diode laser est une LED structurée en cavité laser
(Figure 29). 2 cotés latéraux parfaitement parallèles sont dotés de miroir
réfléchissant orienté vers l’intérieur. L’une des surfaces réfléchissante est
quasiment parfaite, la seconde transmet partiellement la lumière.
Comme pour la LED, la DL la circulation d’un courant dans le sens direct
produit l’émission spontanée de lumière dans la jonction. Au dessus d’un
certain seuil de courant les photons engendrés par électroluminescence
stimulent à leur tour l’émission cohérente d’autres photons créant ainsi
une amplification laser. La longueur de la jonction détermine la longueur
d’onde du flux émis.

Figure 29: Structure d'une diode laser

IV.Conclusion

Retenons: Les diodes bipolaires sont constituées

de deux jonctions P et N
Il en existe de divers types de diodes
(redressement, schottky, zéner, varicap, DEL,
tunnel, photodiode,...) et chacune a ses
utilisations propres
Astuces Pratiques: l’Anode possède la patte la
plus longue; Pour certaine le côté de la cathode
est marqué avec un anneau gris ou noir; plus une
diode est grosse, plus elle supporte un fort
courant
Conseils: en reliant en serie plusieurs diodes, il
importe qu’elle supportent toute le même courant
maximal
Consigne de sécurité: Pour éviter des accidents,
faire le montage, le véridier, le faire verifier par
l’enseignant, avant toute mise sous tension