Les semi-conducteurs – Jonction PN

1. Semi-conducteurs intrinsèques (purs)

Les semi-conducteurs appartiennent à la 4ème colonne de la classification périodique

des éléments

 Par exemple les atomes de silicium qui possèdent 4 électrons sur leur dernière
couche se regroupent entre eux en échangeant leurs électrons de valence (
liaison de covalence)
 Chaque électron est mis en commun par deux atomes voisins de manière à ce que
le noyau se trouve entouré par une couche de 8 électrons – Cette structure est
très stable.
 A la température de 0K, tous les électrons de valence sont utilisés dans des
liaisons de covalence – Pas d’électrons libres aucune possibilité de conduction
– le cristal est un isolant
 Quand la température augmente, l’agitation thermique donne à certains
électrons un supplément d’énergie suffisant pour briser la liaison de covalence –
Ces électrons libres peuvent alors se déplacer sous l’action d’un champ
électrique extérieur le cristal est devenu conducteur

2. Semi-conducteurs extrinsèques – le dopage

Le dopage d’un cristal intrinsèque consiste à substituer des atomes de semi-

conducteurs du réseau par des atomes étrangers – Deux cas peuvent se présenter :

2.1 Des semi-conducteurs de type P

Introduction d’atomes trivalents (3 électrons sur la dernière couche càd dans la

bande de valence)
Il manque un électron à l’atome pour qu’il puisse s’entourer d’un octet complet
donc chaque impureté créé un trou (absence d’électron) qui ne demande qu’à être
comblé par un électron libre
2.2 Des semi-conducteurs de type N

Introduction d’atomes possédant 5 électrons sur la dernière couche (dans la

bande de valence)
L’atome d’impureté a un électron de trop pour constituer un octet. Cet électron
excédentaire est libre dans le cristal

3. La jonction PN

3.1 Mise en contact d’un semi-conducteur de type P et d’un semi-conducteur de

type N

Diffusion : les électrons de la zone N viennent combler les trous dans la zone P
Création d’une zone pauvre de porteur mobile (zone de déplétion ou zone de
charge d’espace) – Il existe alors une différence de potentiel et donc un champ
interne qui s’oppose à la diffusion des électrons de la zone N vers la zone P
Figure 1 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour une jonction
PN de semi-conducteurs silicium (Si). Le dopage N est obtenu par de l'arsenic (As)
et le dopage P par du Bohr (B).

Explication :

 La figure 1 permet de mieux comprendre l'effet du rapprochement des deux

semi-conducteurs sur le bilan électronique de la jonction.

Nous observons ainsi qu'à proximité de la jonction les électrons de conduction

excédentaires coté N passent coté P pour se recombiner avec des trous. Ainsi, une
charge d'espace statique négative se crée coté P et une charge d'espace statique
positive se crée coté N.

Le lieu où réside cette charge d'espace est appelé zone de charge d'espace ou zone
de déplétion. En raison de la présence, dans cette zone, d'un champ électrique
intense, la densité de porteurs libres dans cette région est négligeable à l'équilibre
thermodynamique.
Figure2 : Diagramme d'énergie d'une jonction PN à l'équilibre thermodynamique.

 Après la mise en contact des deux semi-conducteurs de dopage différent,

une barrière de potentiel pour les trous et les électrons est constituée.

En effet, la double couche de charges négatives coté P et positives coté N, crée un

champ électrique dirigé de N vers P qui empêche la diffusion et maintient la séparation
des trous coté P et des électrons coté N.

Par ailleurs à cause de cette double couche, le potentiel électrostatique varie

brusquement dans la zone de la jonction et la d.d.p. Vd, appelée tension de diffusion,
atteint des valeurs non négligeables (ex : 0,8V pour le silicium.

3.2 Polarisation d’une jonction par une fem « Force Electromagnétique »

extérieure

Polarisation dans le sens inverse

 + du générateur est relié à la zone N et le – à la zone P
 Le champ électrique extérieur appliqué par le générateur a le même sens
que le champ interne de la jonction dont il renforce l’action Aucun courant
ne circule (en réalité un courant très faible existe de l’ordre du nano-ampère)

Polarisation dans le sens direct

 - du générateur est relié à la zone N et le + à la zone P

 Le champ électrique extérieur s’oppose au champ interne

, un courant important peut traverser la jonction.

 La relation entre le courant ID et la tension VD théorique de la jonction
polarisée est :

Explication expérimentale

A. En polarisation continue inverse (V<0), quel que soit la tension faible

appliquée aux borne de la jonction le courant total est constant et fort
naturellement appelé courant de saturation IS « inverse ».

Cependant, pour de forte polarisation inverse le courant total peut brusquement et

fortement augmenter. On dit alors que l'on a atteint la tension de claquage de la
jonction, notée VC.

En effet, lorsque l'on augmente la tension de polarisation inverse, on augmente de

ce fait le champ électrique à l'intérieur de la jonction. Or, il existe une valeur limite
E0 à ce champ électrique.

En effet, lorsque le champ électrique augmente, la force électrique qui

s'exerce sur les électrons liés au réseau cristallin s'accroît et devient supérieure à
la force de liaison des électrons de valence sur les noyaux. Ces électrons sont ainsi
libérés, le cristal devient alors conducteur et la tension de polarisation inverse, et
par conséquent le champ électrique, n'augmente plus. Ceci signifie que le champ
électrique maximum que l'on peut établir dans un cristal semi-conducteur est celui
qui provoque l'excitation directe d'un électron de la bande de valence à la bande de
conduction, c'est à dire l'ionisation du matériau.

Le phénomène de claquage peut être due à deux processus distincts. Le premier est
appelé effet tunnel ou effet Zener. Le champ électrique élevé (~106V/cm pour le
silicium) génère des paires électron-trou. Les électrons associés à ces paires sont
émis à travers la zone de déplétion, de la bande de valence vers la bande de
conduction, sans modification d'énergie, d'où le terme d'effet tunnel.

B. En polarisation continue directe (V>0) et dans le cadre de l'injection faible,

le courant total traversant la jonction est une fonction exponentielle de la
tension de polarisation V.

Cependant, lorsque la polarisation directe devient importante, la barrière de

potentielle constituée par la zone de déplétion devient faible et ainsi la résistance
propre de la jonction devient négligeable devant la résistance ohmique R des deux
semi-conducteurs N et P.

On ne peut plus écrire que la tension d'alimentation que l'on notera Va est égale à la

tension de polarisation seule mais à ou V est la tension de polarisation

 nécessaire pour réduire la barrière de potentiel à une valeur de l'ordre de kT/q et

. J est la chute de tension due à la résistance ohmique des régions N

et P.

Courant ID en fonction de la tension VD