La diode semi-conductrice

Chapitre 3

La diode semi-conductrice

La quasi totalité des dispositifs à semi-conducteurs met en œuvre le principe de la jonction P-N. Il
est donc important de bien en pénétrer la nature et le comportement physique.

Par définition, une jonction est une région de très faible épaisseur (de deux à quelques
dizaines de µm) d’un monocristal dans laquelle la conductivité passe graduellement du type P
au type N.

1. DESCRIPTION

1.1. Jonction P-N non polarisée

Création de la jonction

Une jonction peut être réalisée en utilisant différentes techniques (alliage, diffusion,
épitaxie, ...). Toutefois, ce n’est pas cela qui nous préoccupe pour l’instant, aussi allons-nous
simplifier les choses en supposant pouvoir réaliser une jonction simplement en mettant en contact
deux barreaux de silicium dopés, l’un de type P et l’autre de type N.

Si - P → ← Si - N Si - P Si - N

Figure 3.1 : les barreaux de Si-P et Si-N sont en contact dans une
structure cristalline continue.

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Observons à présent les phénomènes qui se déroulent au moment de la création de la jonction.

Lorsque les barreaux sont mis en contact :

• Les électrons libres du Si-N vont diffuser dans le Si-P où la concentration des trous est
grande (celle des électrons libres y est faible) et vont très rapidement se recombiner à ceux-ci.

• Les trous du Si-P vont diffuser dans le Si-N où la concentration des électrons libres est
grande (celle des trous y est faible) et vont très rapidement se recombiner à ceux-ci.

Figure 3.2 : Diffusion des trous de Si-P vers Si-N et

des électrons libres de Si-N vers Si-P.

On pourrait croire que tous les trous diffusent dans la région N et tous les électrons libres
dans la région P, mais ce n’est pas le cas; seuls les porteurs majoritaires suffisamment proches de
la jonction diffusent. Pour comprendre cela, il faut considérer l’influence des ions fixes :

• Un matériau de type P contient des trous positifs mobiles et des ions accepteurs (négatifs)
fixes. Ainsi, quand les trous de la région P pénètrent dans la région N, ils laissent derrière eux
des ions accepteurs. La région de type P n’est dès lors plus électriquement neutre, elle
présente un excès de charges négatives.

• Un matériau de type N contient des électrons libres (négatifs) et des ions donneurs (positifs)
fixes. Ainsi, quand les électrons libres de la région N pénètrent dans la région P, ils laissent
derrière eux des ions donneurs. La région de type N n’est donc plus électriquement neutre, elle
présente un excès de charges positives.

Les ions donneurs et accepteurs proches de la jonction vont ainsi constituer une « charge
d’espace liée » provoquant l’apparition d’un « champ électrique a cause interne, e ». Celui-ci
s’oppose à la diffusion ultérieure des porteurs majoritaires, c’est-à-dire à la diffusion des trous
dans un sens et à la diffusion des électrons libres dans le sens inverse. En effet, supposons :

• qu’un trou de la région P se dirige vers la jonction : il est repoussé par les ions positifs de la
région N et est refoulé vers sa région d’origine.

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• qu’un électron libre de la région N se dirige vers la jonction : il est repoussé par les ions négatifs
de la région P et est refoulé vers sa région d’origine.

Afin de décrire cette situation, on dit aussi qu’il s’est établi une barrière de potentiel qui
tend à refouler les porteurs dans la zone où ils sont majoritaires.

Figure 3.3 : les ions proches de la jonction constituent une

charge d’espace liée.

En résumé, la diffusion des porteurs majoritaires à travers la jonction entraîne dans cette région
une accumulation de charges constituées par des ions donneurs (positifs) de la région N et par
des ions accepteurs (négatifs) de la région P. Ces charges exercent sur les porteurs majoritaires
une force électrostatique qui limite leur diffusion. L’intensité de cette force dépend du nombre de
porteurs ayant traversé la jonction. On atteint donc finalement un état d’équilibre lorsque la force
de répulsion des ions est suffisante pour empêcher toute diffusion supplémentaire de porteurs
majoritaires.
Cet équilibre correspond au moment où la plupart des porteurs ont disparu de la zone de jonction.
Cette zone est appelée « zone de charge d’espace » parce qu’elle n’est pas électriquement
neutre. On l'appelle aussi « couche de déplétion » car on y trouve peu (pratiquement pas) de
porteurs à l’état libre.

Remarque :

En électronique, afin de représenter une

jonction P-N, ou « diode », on utilise le symbole
qui vous est montré à la figure 3.4.

Figure 3.4 : le symbole de la diode

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⇒ Courants dans la jonction P-N non polarisée.

Considérons une jonction P-N à l’équilibre, c’est-à-dire une jonction où la région de charge
d’espace est constituée. La barrière de potentiel existant au niveau de la jonction refoule les
porteurs dans la zone ou ils sont majoritaires et, globalement, le courant traversant la jonction est
nul. Toutefois, on aurait tort de croire que plus aucun porteur ne franchit la jonction ... La barrière
de potentiel établie au niveau de la jonction constitue un obstacle qui s’oppose à la diffusion des
porteurs majoritaires, mais cet obstacle n’est pas insurmontable. En effet, pour qu’un porteur
puisse sauter cette barrière de potentiel, il suffit qu’il dispose de l’énergie suffisante pour le faire.
Pour peu que le matériau ne soit pas au zéro absolu, il émettra et recevra continuellement de
l’énergie thermique.
En conséquence, il existera toujours un certain nombre de porteurs majoritaires disposant de
l’énergie nécessaire pour sauter la barrière de potentiel, mais ce nombre sera, bien sûr, d’autant
plus petit que la barrière de potentiel est plus élevée. Le courant dû aux porteurs majoritaires
parvenant à sauter la barrière de potentiel est appelé « courant direct » ou « courant de
diffusion », et est noté Id.

Par ailleurs, en région P comme en région N, l’énergie thermique donne naissance à des
paires électron libre-trou. Lorsqu’un électron libre est créé dans le matériau P, la charge positive
de la région N l’attire vers la jonction et, au plus il s’approche de la jonction, au plus cette attraction
devient forte. Cet électron libre apparu dans la région P où il est minoritaire va donc traverser la
jonction et se retrouver dans la région N où il est majoritaire. De la même façon, un trou créé dans
la région N où il est minoritaire aboutira nécessairement dans la région P où il est majoritaire. On
dit que « la jonction P-N accélère les porteurs minoritaires » et cette propriété est très
importante; elle est à la base de l’effet transistor. Le courant dû aux porteurs minoritaires est
appelé « courant inverse » ou « courant de saturation » et noté Is.

On peut écrire, d’une façon générale :

I = I d + Is

Lorsque la jonction n’est pas polarisée, c’est-à-dire lorsque aucune ddp n’est appliquée à ses
bornes (UAK = 0), un équilibre s’établit, et on a :

I = Id – Is ou I d = Is

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Comment est réalisé cet équilibre ?

Il est important de comprendre que l’intensité du courant de porteurs minoritaires dépend du taux
de formation thermique, c’est-à-dire de la température, mais qu’elle ne dépend nullement de la
hauteur de la barrière de potentiel. Par contre, cette hauteur dépend du courant de porteurs
minoritaires : ce courant tend à abaisser la barrière puisqu’il fait diminuer la valeur de la charge
d’espace.

Par ailleurs, si la barrière diminue de valeur, cela permettra la diffusion d’un plus grand nombre de
porteurs majoritaires. Or le courant de porteurs majoritaires tend à élever la barrière de
potentiel car il fait augmenter la valeur de la charge d’espace.

On a donc un système auto-équilibré, la hauteur de la barrière se réglant d’elle-même de façon à

ce que Id = Is.

1.2. Jonction P-N polarisée passante

La tension appliquée, UAK = +V, crée un champ électrique à cause externe, E, qui s’oppose
à l’action du champ électrique à cause interne, e.
E renforce la tendance à la diffusion des porteurs majoritaires. Les électrons libres vont circuler
de N vers P, et les trous en sens inverse. Un courant "I" s’établit dans le circuit :

la diode conduit

Figure 3.5 : la diode conduit.

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Lorsque la jonction est polarisée passante (UAK > 0), la tendance à la diffusion des porteurs
majoritaires est renforcée, alors que les porteurs minoritaires ne sont plus (ou sont moins)
accélérés par la jonction. De surcroît, les porteurs provenant du dopage (porteurs majoritaires)
sont largement plus nombreux que les porteurs d’origine thermique. Il s’ensuit que, lorsque la
jonction est polarisée passante, le courant I qui s’établi est pratiquement uniquement dû aux
porteurs majoritaires.

I ≅ Id et Id >> Is

1.3. Jonction P-N polarisée bloquante

La ddp appliquée, UAK = -V , crée un champ électrique à cause externe E, qui renforce
e
l’effet du champ électrique à cause interne, . La zone de déplétion s’élargit; la valeur de la
charge d’espace et la hauteur de la barrière de potentiel augmente. La diode ne conduit pas,

La diode est bloquée

Figure 3.6 : la diode est bloquée.

Lorsque la jonction est polarisée bloquée (UAK < O), rares sont les porteurs majoritaires qui
parviennent à sauter la barrière de potentiel ainsi renforcée et ils seront d’autant plus rares que la
jonction sera plus fortement bloquée. Il s'ensuit que le courant (courant inverse) qui traverse
une jonction bloquée est essentiellement dû aux porteurs minoritaires.
Remarquons que la valeur de ce courant dépend de la température et que, aux températures
ordinaires, elle est très faible.

I ≅ -Is et Is >> Id et I ≅ 0

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2. LA DIODE EN TANT QUE COMPOSANT ÉLECTRONIQUE

Une diode est une simple jonction P-N enfermée dans un boîtier protecteur. Les
présentations externes sont diverses.

Figure 3.7

Les deux électrodes d’une diode sont appelées : anode (A) pour celle qui est reliée à la région P,
et cathode (K) pour celle qui est reliée à la région N.
Le schéma symbolique et la correspondance des électrodes sont donnés à la figure 3.8 ci-dessous.

Figure 3.8

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3. RÉSUMÉ

• L’interpénétration d’un semi-conducteur dopé P avec un semi-conducteur dopé N

constitue ce qu’on appelle une jonction P-N.

• Si on soumet une jonction P-N à une tension UPN positive on dit que cette jonction est
polarisée dans le sens direct.

• Si le potentiel de P est, au contraire, plus faible que celui de N on dit que la jonction
est polarisée dans le sens inverse.

4. QUESTIONNAIRE

Q.3.1. Expliquez à l’aide de schémas comment se crée la couche de déplétion, lors de la

création d’une jonction P-N.

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Q.3.2. Courants dans la diode :

• A quel type de porteurs est dû le courant direct dans une diode ?

• A quel type de porteurs est dû le courant inverse dans une diode ?

• Exprimez le fait que le courant I dans une diode est dû à ces deux courants différents.

Q.3.3. Quel est l’effet de la barrière de potentiel :

• Sur les porteurs majoritaires ?

• Sur les porteurs minoritaires ?

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Q.3.4. Expliquez pourquoi, lors de la création de la jonction, la totalité des porteurs

d’une région ne diffusent pas dans l’autre région.

Q.3.5. Aux alentours proche de la jonction, pourquoi parle-t-on de :

• zone de charge d’espace :

• couche de déplétion :

• barrière de potentiel :

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Q.3.6. Le courant dans une diode est dû à deux types de courant différents, on peut
établir la relation suivante :

I = ID - I S

• Comment appelle-t-on le courant ID et à quel type de porteurs est-il dû ?

• Comment appelle-t-on le courant IS et à quel type de porteurs est-il dû ?

Q.3.7. Lorsqu’une jonction P-N est polarisée passante, la relation I = ID - IS reste

d’application. Dans ce cas particulier, donnez une approximation de la valeur de :

• I =

• ID =

• IS =

Q.3.7. Lorsqu’une jonction P-N est polarisée bloquante, la relation I = ID - IS reste

d’application. Dans ce cas particulier, donnez une approximation de la valeur de :

• I =

• ID =

• IS =

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