Université Abdelmalek Essaadi Faculté Polydisciplinaire de Larache Travaux Pratiques

FP de Larache 2019-2020 SMP-S4
Université Abdelmalek Essaadi

Faculté Polydisciplinaire de Larache
TRAVAUX PRATIQUES
SMP – S4
Année Scolaire : 2019-2020
KHAOULA
CHETOUA
N
CHAIMAE
1
BAACHOU
Sommaire
LES DIODES : Diode à Jonction – Diode Zener
 Diode à jonction
 Généralités
 Caractéristique Id(Vd) d’une diode
 Caractéristique directe
 Caractéristique inverse
 Exploitation de la caractéristique Vd(Id)
 Diode Zener
 Généralités
 Caractéristique de la diode Zener
 Caractéristique directe
 Caractéristique inverse
 Exploitation de la Caractéristique
 Visualisation des caractéristiques
 Diode à jonction
 Diode Zener
 Applications
 Diode à jonction
 Redressement mono – alternance
 Redressement bi – alternance
 Filtrage
 4.2. Diode Zener
 Stabilisateur de tension
 Montage érecteur
2
Le Transistor bipolaire
 Généralités
 Le transistor NPN
 Réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN
 Réseaux d’entrée
 Réseaux de transfert en courant
 Réseaux de sortie
 Paramètres hybrides
 Manipulation
 Caractéristique d’entrée
 Caractéristique de sortie
 Caractéristique de transfert en courant
3
 LES DIODES
Diode à jonction – Diode Zener
BUT
Le but de cette manipulation est de :
 Tracer les caractéristiques courant/tension de la diode à jonction et diode Zener.

 Voir des exemples de leurs applications.
I. DIODE A JONCTION
1. Généralité
Une diode est un composant électronique non linéaire formée d’une jonction PN. Elle ne laisse passer le courant
électrique que dans un seul sens (de l’anode vers la cathode).
Symbole d’une diode
En règle générale (sur un composant neuf) la patte correspondant à la borne + est plus longue et la borne – porte
un trait rappelant le trait du symbole réelle est souvent de cette forme :
Caractéristiques d’une diode
4
Grandeurs caractéristiques
Les grandeurs électriques caractéristiques d’une diode à jonction sont :
 Le courant direct moyen

 Le courant direct maximal
 Le courant inverse maximal
Applications
Parmi les applications d’une diode à jonction ; le redressement, la protection, la réalisation des fonctions logiques.
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
2. Caractéristique Id(Vd) d’une diode

2.1 Caractéristique directe
En faisant varier E à partir de 0 V, fixer Vd et relever le courant Id correspondant. Veiller à ne pas dépasser un
courant de 70 mA.
Vd(V) 0,1 0,25 0,4 0,5 ... 0,7
Id(mA)
2.2 Caractéristique inverse
En faisant varier E a partir de 0V, relever Vd et Id. Ne pas dépasser une tension Vd de 10V.
5
Vd(V) 1 2 3 4 5 ...
Id(mA)
2.3 Exploration de la caractéristique Vd(Id)

 Tracer sur le même graphe les caractéristiques directes et inverse de la diode.
 Approcher la caractéristique directe par deux demi- droites.
 Déterminer Vdo et rd du schéma équivalent de la diode directe.
 Quel est le schéma équivalent de la diode inverse.

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
6
II. DIODE ZENER

1. Généralités
La diode Zener est une diode à jonction, qui permet la circulation d’un courant en inverse sous une tension
quasi-constante Vz. En direct, la diode Zener est identique à une jonction.
Caractéristiques d’une diode Zener
Symbole d’une diode Zener
7
Grandeurs caractéristiques
Une diode Zener est caractérisée essentiellement par :
 La tension inverse Vz,

 La puissance Pz(Pz=Vz.Iz).
Applications
La diode Zener est très employé pour la stabilisation et la protection des entrés des circuits électroniques.
2. Caractéristique de la diode Zener

2.1 Caractéristique directe
Relever la tension Vd et le courant Id correspondant en faisant varier E.
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
Ne pas dépasser un courant Id de 70 mA.
2.2 Caractéristique inverse
8
Relever, en faisant varier E, Vd et Id correspondant. Ne pas dépasser un courant Id de 30 mA.
2.3 Exploitation de la caractéristique

 Tracer sur le même graphe les caractéristiques directes et inverses de la diode Zener.
 En adoptant comme schéma équivalent de la diode Zener en inverse le schéma ci-dessous, déterminer
Vz et rz.
 Quel est le schéma équivalent de la diode inverse.
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
9
10
3. VISUALISATION DES CARACTERISTIQUES
L’oscilloscope permet sur la postions X-Y la visualisation de Vch2 en fonction de Vch1, Vch2(Vch1) avec :
 Vch1 : Tension appliqué à la voie 1.

 Vch2 : Tension appliqué à la voie 2.
On peut donc visualiser aisément la caractéristique I(V) d’un composant, la tension prise aux bornes d’une
résistance placée en série avec le composant permet de voir l’image du courant I qui le traverse.
Attention : Les masses des deux voies de l’oscilloscope sont connectés, il faut impérativement que les deux
tensions Vch1 et Vch2 aient un point commun. Ce point sera relié à la masse l’oscilloscope.
3.1 Diode à jonction
Paramètres du GBF :
 Signal triangulaire ;
 Amplitude crête à crête V ;
 Composante continue ;
 Fréquence Hz
3.2 Diode Zener
Paramètres du GBF :
 Signal triangulaire ;
 Amplitude crête à crête V ;
 Composante continue ;
 Fréquence Hz
11
4. APPLICATIONS
4.1. Diode à jonction
a. Redressement mono alternance
 Choisir sur le GBF la fonction Sinusoïdale, la fréquence 50 Hz.

 Régler l’amplitude de Ve à 12V.
 Visualiser simultanément sur l’oscilloscope les tensions Ve et Vs.
 Tracer l’allure de Ve et Vs. Interpréter
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
12
b. Redressement bi-alternance
Dans ce type de redressement, on a besoin de quatre diodes à jonctions identiques.
 En gardant la même tension d’entrée que précédemment, visualisé uniquement la tension Vs.
Attention : on ne peut pas visualiser simultanément les deux tensions Ve et Vs, car on va court-circuiter la
diode D2 (masses connectées de l’oscilloscope).
 Comparer les deux montages (forme de Vs).

 Quels sont les intérêts de ce montage par rapport au précédent (forme de Vs, sa valeur moyenne et
efficace...).
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
13
14
4.2 Diode Zener
4.2.1 Stabilisateur de tension
On propose d’étudier la stabilisation de la tension de sortie Vs pour :
 Une tension de la charge Vs(Is)

 Une fluctuation de la tension E
a. VARIATION DE LA CHARGE
 Fixer E à 15V
 Faites varier la charge et relever le courant Is et la tension Vs
 Tracer Vs(Is).
 Conclure
b. FLUCTUATION DE L’ENTREE
 Fixer Rch à 100
 Faites varier E autour de 15V, et relever Vs.
 Conclure
15
Le Transistor Bipolaire
BUT
Le but de cette manipulation est le tracé des réseaux de caractéristiques d’un transistor bipolaire et leur exploitation
dans la détermination de ces différents paramètres.
1. Généralités
Un transistor est constitué de trois zones de semi-conducteur de connectivités différentes et alternativement opposées
formant deux jonctions. Deux structures sont possibles : PNP et NPN. Leur fonctionnement est identique, seuls
les sens de courants et des tensions sont inverses.
1.1. Le transistor NPN
Il est représenté par le symbole suivant :
Nous avons : IB + IC = IE
VE + VCB + VEC = 0
1.2. Réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN
Le schéma ci-dessous représente les réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN
16
1. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte

2. Réseau d’entrée : IB = f(VBE) à VCE = Cte
3. Réseau de transfert en courant IC = f(IB) à VCE = Cte
4. Réseau de transfert en tension : VBE = f(VCE) à IB = Cte
Pour tracer les caractéristiques d’un réseau, on prend une grandeur en fonction d’une autre tout en gardant une
troisième fixe.
a. Réseau d’entrée : IB = f(VBE) à VCE = Cte
Il représente l’évolution du courant de base IB en fonction de la tension entre la base et l’émetteur VBE. C’est la
caractéristique d’une diode à jonction.
b. Réseau de transfert en courant : IC = f(IB) à VCE = Cte
Le courant qui parcourt le collecteur IC est proportionnel au courant de base IB. C’est l’effet amplificateur du
transistor.
c. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte
Pour un courant IB donne, le courant collecté IC reste constant même si VCE varie. Le réseau de sortie est donc
un réseau de courbes sensiblement parallèle paramétré par IB.
1.3. Paramètres hybrides
17
Le transistor peut être considéré comme un quadripôle pour les faibles signaux.
vbe = h11 ib + h12 vce ic = h21

ib + h22 vce
Tel que :
 h11 = Re = (Δvbe /Δib)vce=cte Résistance d’entrée

 h12 = (Δvbe /Δvce)ib=cte Coefficient de réaction interne
 h21 = = (Δic /Δib)vce=cte Coefficient d’amplification de courant
 h22 = 1/Rce = (Δic /Δvce)ib=cte Conductance de sortie
2. Manipulation
2.1 Caractéristiques d’entrrée VBE = f(IB) VCE = Cte Montage
En variant la tension VBB, mesurer la tension VBE pour différentes valeurs de IB ;
IB (µA) 0 50 100 150 200 250
VBE(mV)
 Tracer la courbe VBE = f(IB).

 Déterminer la valeur de IB à partir de laquelle VBE peut être considérée comme égale à 0,6 V.
 Déterminer la résistance d’entrée Re = (Δvbe /Δib)vce=cte
 Conclusion
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
18
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
19
2.2 Caractéristique de sortie Ic = f(VCE) IB =

Cte Montage
 Fixer IB
 En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de VCE.
IB = 100 IC(mA)
µA
VCE(V) 2 4 6 8 10 12
IB = 200 IC(mA)
µA
VCE(V) 2 4 6 8 10 12
 Tracer la courbe IC = f(VCE)

 Déterminer Rs = (Δvce /Δib)ib=cte
 Conclusion
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
20
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
2.3 Caractéristique de transfert en courant Ic = f(IB) VCE =

Cte Montage
 Fixer VCE
 En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de IB.
VCE = 5 V IC(mA)
IB(µA) 2 4 6 8 10 12
VCE = 10 V IC(mA)
IB(µA) 2 4 6 8 10 12
 Tracer la courbe IC = f(IB)


Déterminer le coefficient d’amplification en courant β = (Δic/Δib)vce=cte

Conclusion
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
21
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
22
23

Université Abdelmalek Essaadi Faculté Polydisciplinaire de Larache Travaux Pratiques

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Université Abdelmalek Essaadi Faculté Polydisciplinaire de Larache Travaux Pratiques

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

FP de Larache 2019-2020 SMP-S4

Université Abdelmalek Essaadi

LES DIODES : Diode à Jonction – Diode Zener

 Réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN

 Réseaux de transfert en courant

 Caractéristique de transfert en courant

Diode à jonction – Diode Zener

Le but de cette manipulation est de :

 Tracer les caractéristiques courant/tension de la diode à jonction et diode Zener.

Symbole d’une diode

Caractéristiques d’une diode

Les grandeurs électriques caractéristiques d’une diode à jonction sont :

 Le courant direct moyen

2. Caractéristique Id(Vd) d’une diode

Vd(V) 0,1 0,25 0,4 0,5 ... 0,7

2.2 Caractéristique inverse

2.3 Exploration de la caractéristique Vd(Id)

 Quel est le schéma équivalent de la diode inverse.

II. DIODE ZENER

Caractéristiques d’une diode Zener

Symbole d’une diode Zener

Une diode Zener est caractérisée essentiellement par :

 La tension inverse Vz,

2. Caractéristique de la diode Zener

Relever la tension Vd et le courant Id correspondant en faisant varier E.

Ne pas dépasser un courant Id de 70 mA.

2.2 Caractéristique inverse

Relever, en faisant varier E, Vd et Id correspondant. Ne pas dépasser un courant Id de 30 mA.

2.3 Exploitation de la caractéristique

 Quel est le schéma équivalent de la diode inverse.

3. VISUALISATION DES CARACTERISTIQUES

 Vch1 : Tension appliqué à la voie 1.

3.1 Diode à jonction

4.1. Diode à jonction

a. Redressement mono alternance

 Choisir sur le GBF la fonction Sinusoïdale, la fréquence 50 Hz.

Dans ce type de redressement, on a besoin de quatre diodes à jonctions identiques.

 Comparer les deux montages (forme de Vs).

4.2 Diode Zener

4.2.1 Stabilisateur de tension

On propose d’étudier la stabilisation de la tension de sortie Vs pour :

 Une tension de la charge Vs(Is)

1.1. Le transistor NPN

Il est représenté par le symbole suivant :

1.2. Réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN

Le schéma ci-dessous représente les réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN

1. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte

a. Réseau d’entrée : IB = f(VBE) à VCE = Cte

b. Réseau de transfert en courant : IC = f(IB) à VCE = Cte

c. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte

1.3. Paramètres hybrides

vbe = h11 ib + h12 vce ic = h21

 h11 = Re = (Δvbe /Δib)vce=cte Résistance d’entrée

2.1 Caractéristiques d’entrrée VBE = f(IB) VCE = Cte Montage

En variant la tension VBB, mesurer la tension VBE pour différentes valeurs de IB ;

IB (µA) 0 50 100 150 200 250

 Tracer la courbe VBE = f(IB).

2.2 Caractéristique de sortie Ic = f(VCE) IB =

 Tracer la courbe IC = f(VCE)

2.3 Caractéristique de transfert en courant Ic = f(IB) VCE =

 Tracer la courbe IC = f(IB)

Vous aimerez peut-être aussi