Université Ferhat Abbas Sétif1 01, Sétif, Algérie

Faculté de Technologie
Département Enseignement de base en Technologie & Electronique
Module : Electronique Fondamentale 01
Niveau : 2ème Année LMD 2020
Dr. L. Guessas
30 janvier 2021
Table des matières

3 Jonction PN et Diodes 1
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
3.2 Symbole et Caractéristiques d’une diode : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
3.2.1 Principales propriétés de la diode idéale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
3.3 Caractériestique tension- courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
3.3.1 Analyse de simples circuits comprenant une diode . . . . . . . . . . . . . . . 3
3.4 Modélisation des diodes réelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.5 Assouciation des diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.5.1 Assouciation en série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.5.2 Assouciation parallèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.6 Circuits redresseurs à diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.6.1 Définition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.6.2 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.6.3 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.7 Écrêteur pour la protection d’un circuit fragile à deux diodes . . . . . . . . . . . . . . 7
3.8 Diodes pour applications spéciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.8.1 Diode Zéner . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.8.2 Stabilisation par diode Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3.9 Annexe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.10 Rappels élémentaire sur la physique des semi-conducteurs : . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.10.1 Semi-conducteur intrinsèque ou cristal pur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.10.2 Semi-conducteur extrinsèque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.11 Jonction PN non polarisée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3.11.1 La jonction PN polarisée en directe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
3.11.2 Polarisation en inverse : sens bloquant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

i
TABLE DES MATIÈRES ii

Avant-propos
Ce polycopié peut être utiliser comme un support pédagogique du cours Electronique Fondamentale
1, destiné aux étudiants de 2ieme Année des Licences LMD L2 assurées au département d’électronique.
Ce polycopié regroupe l’analyse des circuits électriques résistifs (calcul des courant et le tensions des
branches) par les lois de Kirchoff, des différent types de matrices représentatives des quadripôles, initia-
tion aux semi-conducteur des études profondes des diodes, des transistors ainsi que les amplificateurs
opérationels.
Le polyopié comporte cinq chapitres :
le premier chapitre, intitulé Réseaux Électriques et Théorèmes Fondamentaux, est consacré aux rela-
tions courant-tensions dans les composants électrique, les lois de Kirchoff, leurs résolutions par des
méthodes pratiques et les théorèmes fondamentaux pour l’analyse des circuits électriques résistifs.
Le deuxième chapitre, intitulé les Quadripôles, est consacré à la représentation des quadripôles par des
différentes matrices ainsi que l’étude des fonctions de transfert pour la classification des filtres.

L.GUESSAS : EF 01 2020
TABLE DES MATIÈRES iii

Pour l’étudiant
Pour comprendre le contenu de ce texte, l’étudiant est supposé avoir une connaissance de base du calcul
mathématique, ainsi que les notions de base sur l’éléctricité.

L.GUESSAS : EF 01 2020
Chapitre 3

Jonction PN et Diodes

3.1 Introduction
La diode est un composant électrique employée dans de nombreux fonctions de l’électronique.
c’est un semi-conducteur le plus simple, elle est généralement le premier composant semi-conducteur
présenté dans tous les cours d’électronique. Ceci vient du fait que parmi les différents composants
semi-conducteurs, la diode possède une structure interne la plus simple.
— Son fonctionnement est celui d’un interrupteur commandé par une tension qui ne laisse passer
le courant que dans un seul sens.
— La première fonction de base d’une diode, c’est de redresser une grandeur électrique (tension
ou courant), c’est à dire de convertir une grandeur alternative en une grandeur exclusivement
positive.
— La deuxième fonction de base que peut remplir une diode, c’est de limiter la tension sur d’autres
composants, ce qu’on appelle écrêtage. Cette limitation de tension peut par exemple servir à :
1. Protéger ces autres composants d’éventuelles surtensions.
2. Maintenir une tension constante à leurs bornes (régulation de tension).
— Il existe plusieurs types de diodes, la diode la plus classique est la diode à jonction PN.

1. C’est un dipôle électrique (composant áă deux bornes).

2. Unidirectionnel, au contraire des résistances, dans une diode le courant va toujours de l’anode
vers la cathode.

3.2 Symbole et Caractéristiques d’une diode :

La diode possède donc un sens et elle est symbolisé dans les circuits éléctriques par :

1
3.3 Caractériestique tension- courant 2

Figure 3.1 – jonction PN ou diode

3.2.1 Principales propriétés de la diode idéale

— La diode n’admet de courant que dans le sens A → K, dans le sens indiqué par le symbole
de la diode lui-même.
— La diode est un composant passif, il est donc logique d’orienter la flèche de tension dans le sens
opposé à celui de la flèche de courant.
— Si VA est le potentiel de l’anode et VK est celui de la cathode alors la diode possède deux états :
1. La diode est dite passante si VA > VK .
2. La diode est dite bloquée si VA < VK .

3.3 Caractériestique tension- courant

La caractéristique tension-courant d’une diode est une courbe donnant la variation du courant ID
traversant la diode en fonction de la tension à ses bornes VAK , cette courbe comporte :

Figure 3.2 – Caractéristique tension-courant

— Dans la partie positive, la polarisation en directe, V0 est le seuil de tension à partir duquel on a
un courant de diode non nul.
— Dans la partie négative, la polarisation en inverse, VZ , est le seuil de tension au delà on a le
phénomène d’avalanche.
Remarque :

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.3 Caractériestique tension- courant 3

1. Pour une diode idéale VS = 0(Caractéristique tension- courant est un angle droit).
2. En polarisation directe, la résistance de la diode est nulle et elle se comporte comme un
interrupteur fermé.
3. En polarisation inverse, la résistance de la diode est infinie et elle se comporte comme un
interrupteur ouvert.
Une diode réelle passante peut être assimilée à une source de tension idéale de valeur v s = 0.6V, en
aucun cas on peut utiliser le principe de la superposition. Les valeurs exactes de ID et de VAK vues par
la diode à un instant donné seront fixés par le circuit extérieur.

3.3.1 Analyse de simples circuits comprenant une diode

Analyse statique point de fonctionnement

RS RT H
ID ID

+ +
VS − RL VT H −

L’analyse statique consiste à déterminer le courant et la tension de la diode (ID , VD ) , par l’intersection
de la droite de charge statique VD = f (VT H , RT H , ID ) avec la caractéristique tension- courant.
Avec VT H , RT H Générateur de Thevenin vu entre les bornes de la diode. O u

VT H = VS etRT H = RS + RL

Les coordonnées du point d’intersection Q point de repos ou (point de fonctionnement) donne les
valeurs de (ID , VD ), et On peut définir une résistance statique

VD
rs =
ID

Analyse dynamique

rS RT H
ID iD

vs RL vT h

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.4 Modélisation des diodes réelles 4

Figure 3.3 – Point de fonctionnement

Avec vT h = VT h + vth superposition d’une tension sinusoîdale et une continue.

L’analyse dynamique reste toujours le même, la détermination de (iD , vD ) par l’intersection de la droite
de charge dynamique du générateur vD = vtH − RT H iD avec la caractéristique tension- courant vD =
f (iD ).
Les coordonnées du point d’intersection Q donne les valeurs de

(iD = ID + id , vD = VD + vd

La tangente à la caractériestique tension-courant en ce point donne la résistance dynamique de la diode.

∆ vD
rd =
∆iD

3.4 Modélisation des diodes réelles

Plusieurs modèles sont utilisables pour les diodes à jonction P − N. Dans tous ces modèles on
suppose que la résistance dynamique de la diode constante et égale à rd .
On peut prendre :
— Diode idéale : rd = 0 et v s = 0, un fil (appélée aussi première approximation).
— Diode réelle :
1. rd = 0 v s , 0, générateur idéale v s (appélée aussi deuxième approximation).
2. rd , 0 v s , 0, un générateur de tension v s et de résistance rd (appélée aussi troisième
approximation).

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.5 Assouciation des diodes 5

Figure 3.4 – Caractéristique et modèle de diode idéale

Figure 3.5 – Caractéristique et modèle de diode réelle

3.5 Assouciation des diodes

3.5.1 Assouciation en série
la caractéristique du dipôle équivalent s’obtient graphiquement en considérant que la tension aux
bornes de l’ensemble est la somme des tensions aux bornes des deux diodes.

3.5.2 Assouciation parallèle

Il y a additivité des courants dans les deux dipôles, mais l’étude de chaque diode se fait chacune à
part.

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.6 Circuits redresseurs à diodes 6

3.6 Circuits redresseurs à diodes

3.6.1 Définition
Le redressement consiste à transformer une tension bidirectionnelle en une tension unidirection-
nelle appelée tension redressée.

Redressement simple alternance

Figure 3.6 – Redresseur simple alternance

3.6.2 Principe de fonctionnement

On suppose que la diode est idéale et e = em sin(ω t) .
— Pendant l’alternance positive de la tension e, (e > 0 ), la diode D est polarisée en direct donc
elle est passante (i >, 0) et ud = 0 donc uR = u − ud = e.
— Pendant l’alternance négative de la tension e (e < 0), la diode D est polarisée en inverse donc
elle est bloquée (i = 0) et ud < 0) donc uR = 0.

Redressement double alternances

Figure 3.7 – Redresseur double alternancse

3.6.3 Principe de fonctionnement

On suppose que les diodes sont idéales.

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3.7 Écrêteur pour la protection d’un circuit fragile à deux diodes 7

? Le premier montage contient un transformateur à point milieu qui sert de référence pour les
tensions u1 et u2 .

• Pendant l’alternance positive de la tension u1 , (u > 0), la diode D1 est polarisée en direct
donc elle est passante (i > 0 et ud = 0 donc uR = u − ud = u1 .
• Pendant l’alternance négative de la tension u2 (u < 0), la diode D2 est polarisée en direct
donc elle est passante i >, 0 et (ud = 0) donc uR = −u2 .
? Le deuxième montage contient un pont de diode appelé pont de Graitz et u = um sin(ω t) une
tension sinusoidale.
• Pendant l’alternance positive de la tension u > 0 sens du courant positive, les diodes D4 et
D3 sont polarisées en direct donc elles sont passantes donc uR = u.
• Pendant l’alternance négative de la tension u < 0 sens du courant négative, les diodes D2
et D1 sont polarisées en direct donc elles sont passantes donc uR = − u.

3.7 Écrêteur pour la protection d’un circuit fragile à deux diodes

R i
RL v
u D1 D2

R i

u D1 v1 D2 v2RL v

Prenons la maille contenant la tension u et les résistances R et RL , comme les branches sont parallèles
on peut écrire :

RL ∗ u
= ; v1 = v; v2 = −v


 v
+



 R L R
RL ∗ u


v1 =


RL + R





 RL ∗ u
 v2 = − R + R




L

Plusieurs cas peuvent se présenter et les diodes sont supposées avec tension de seuil égale à vd et une
résistance dynamique rd et RL >> R :
RL ∗ u RL + R
1. D1 est bloquée donc v1 < vd soit < vd ⇒ u < ∗ vd ⇒ u < vd .
RL + R RL
RL ∗ u RL + R
D2 est bloquée donc v2 < vd soit − < vd ⇒ u > − ∗ vd ⇒ u > −vd .
RL + R RL

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.7 Écrêteur pour la protection d’un circuit fragile à deux diodes 8

Les autres cas sont résumés sur l’axe suivants :

D1 Bloque D bloque D2 bloque
1

− vd vd
u
D2 passante D2 bloque D1 passante

1. Première région : D1 bloquée et D2 passante u > −vd , le schéma équivalent des diodes est
donné par :
R i
rd
RL vs
u D1 D2 vd

En appliquant le théorème de Millman, on obtient :

u
R
− vd
rd
+ 0
RL
vs = 1
R
+ 1
rd
+ 1
RL

2. deuxième région : D1 bloquée et D2 bloquée −VZ < u < vd , le schéma équivalent des diodes
est donné par :
R i

RL vs
u D1 D2

RL ∗ u
vs = ≈ u
RL + R
3. troisième région : D1 passante et D2 bloquée u > vd :
R i
rd
RL vs
u D1 vd D2

En appliquant le théorème de Millman, on obtient :

u
R
+ vd
rd
+ 0
RL
vs = 1
R
+ 1
rd
+ 1
RL

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.8 Diodes pour applications spéciales 9

3.8 Diodes pour applications spéciales

3.8.1 Diode Zéner
La diode Zéner est une diode que le constructeur a optimée pour opérer dans la zone de claquage. La
diode Zéner au claquage présente un coude de tension inverse très net, suivi d’une croissance verticale
du courant. La tension est presque constante, c’est la tension Zener VZ . Les fiches techniques donnent
la tension VZ pour un courant de test IZT .
Son symbole est :

Anode Cathode

Caractéristique de la diode Zéner

Une diode Zéner est une diode spécialement conçue pour exploiter le claquage inverse. La tension
de claquage est appelée tension Zéner. Lorsque la diode est polarisé en sens inverse et la tension à ses

Figure 3.8 – Caractéristique de la diode Zéner

bornes est trop forte on assiste au phénomène d’avalanche. Le courant inverse qui traverse la diode
augmente subitement. On parle d’effet Zéner.
Quel que soit le courant qui la traverse, la diode Zéner présente à ses bornes, une tension quasiment
constante appelée tension Zéner qui est de l’ordre (Vz = qqV à qq0.1kV). Cette propriété est très uti-
lisée dans les montages régulateurs (stabilisation) de tension ou (protection des montages). Dans la
caractériqtique de la diode Zenner plusieurs cas peuvent se présenter :
1. Diode Zéner est polarisée en direct VAK > Vs elle est passante donc son schéma équivalent est
celui d’une diode de troisième approximation (Schéma équivalent une source Vs suivi d’une
résistance rd .
2. Diode Zéner est polarisée en inverse et inférieur à sa tension de claquage −Vz < VAK < Vs elle
est bloquée donc son schéma équivalent est interrupteur ouvert.

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.8 Diodes pour applications spéciales 10

3. Diode Zéner est polarisée en inverse et supérieur à sa tension de claquage VAK < −Vz elle est
est en mode de claquage donc son schéma équivalent est source de tension en inverse VZ et le
courant circule dans le sens inverse.

3.8.2 Stabilisation par diode Zener

La stabilisation d’une tension ondulée consiste à obtenir une tension pratiquement constante. Cette
fonction peut être réalisée par une diode Zéner.
RS RS

E RL V E VDZ RL V

En calculant la tension à vide de la diode de Zéner on trouve ;

RL ∗ E RL ∗ E
V = ; VDZ = − V = −
R L + RS RL + RS

On distingue trois cas :

RS RS RS

rd rd
E R L Vs E RL Vs E RL Vs
VZ vd

Mode de Clackage Mode de Blocage Mode de Passage

1. Pour le premier cas : V = − RRLL+R

∗E
S
< Vz soit E > RLR+R
L
S
∗ Vz .
la diode Zener est au claquage et peut être remplacée par une source de tension VZ et une
résistance rZ . En appliquant Millman :

E
RS
+ VZ
RZ
+ 0
RL
Vs = 1
RS
+ 1
RZ
+ 1
RL

2. Pour le deuxième cas VZ , ≤ V = − RRLL+R

∗E
S
≥ Vd soit − RLR+R
L
S
∗ Vd ≤ E ≤ RL +RS
RL
∗ Vz .
la diode est bloquée.
RL ∗ E
Vs =
RL + RS
3. Pour le troisième cas V = − RRLL+R
∗E
S
> Vd soit E < − RLR+R
L
S
∗ Vd .
la diode conduit, on remplace la diode Zener par une source de tension Vd et une resistance rd

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.9 Annexe 11

soit :
E
RS
− VZ
RZ
+ 0
RL
Vs = 1
RS
+ 1
RZ
+ 1
RL

3.9 Annexe
3.10 Rappels élémentaire sur la physique des semi-conducteurs :
Dans la nature on trouve trois types de matériaux conducteurs, isolants et semi-conducteurs.
1. Un corps est isolant s’il ne contient pas d’électrons mobiles.
2. Dans un conducteur, des électrons sont peu liés aux noyaux et peuvent se déplacer dans le
réseau cristallin.
3. Un semi-conducteur ne peut fonctionner que si sa structure cristalline est altérée (modifiée).
Ceci peut se produire par un choc mécanique ou par un échauffement thermique excessif, mais
il est clair qu’il existe une limite au niveau de la température (T) que le semi-conducteur peut
supporter sans dommage.
La résistance des conducteurs est de quelques µΩ, celle des isolants est de MΩ alors que la résistance
des semi-conducteurs et de quelques Ω.
Les semi-conducteurs comme le silicium (Si), le germanium (Ge) et l’Arsenic de gallium (AsGa) ont
une résistance plus élevée que celle des conducteurs métalliques, mais beaucoup plus faible que celle
des isolants. ILs doivent leur nom au fait que leur conductivité (résistivité) est intermédiaire entre celle
des conducteurs comme les métaux et celle des isolants, la résistance d’un fil métallique augmente
avec la température, celle d’un semi-conducteur diminue. Les semi-conducteurs les plus utilisés sont
le silicium S i14 et le germanium Ge32 .

Bandes d’énergies
Les conducteurs sont constitués d’un très grand nombre d’atomes et chaque atome contient au
moins un électron libre qui peut se déplacer d’un atome à un autre, La dernière orbite de chaque atome
est appelée orbite de valence qui détermine l’activité chimique de l’élement.
Par exemple pour le S i14 qui possède 4 e− sur l’orbite de valence ou la couche périphérique et à l’état
naturel (aucun apport auxiliaire d’énergies ), les 4e− occupent les niveau d’énergies les plus basses 0.
Il est difficile de distinguer les niveaux d’énergies, mais ils sont classés en 3 bandes d’énergies :
— Bande de valence (niveau d’énergies les plus bas).
— Bande de conduction (niveau d’énergie le plus élevé).
— Bande interdite (Aucun niveau d’énergies), c’est une frontière entre la Bande de valence et
Bande de conduction ( Barrière de potentiel).

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.10 Rappels élémentaire sur la physique des semi-conducteurs : 12

La largeur énergétique de cette bande joue un trés grand rôle dans l’interprétation des propriètés élec-
trique des matériaux.

Classification électrique des matériaux

Les matériaux sont classés en 3 catégories :

Figure 3.9 – Classification des matériaux selon les bandes énergétiques.

— Les conducteurs : la bande de valence et la bande de conduction se coupent.

L’application d’une faible tension est suffisante pour faire passer un très grand nombre d’e− (les porteurs
de charges) de la bande de valence vers la bande de conduction.
— Les isolants : caractérisés par une large bande interdite et une bande de valence qui ne contient
aucun e− .
— Les semi-conducteurs : caractérisés par une bande interdite relativement petite de l’ordre de 1ev
et les e− occupent les niveaux d’énergies qui sont dans la bande de valence au 0◦ K absolu.

3.10.1 Semi-conducteur intrinsèque ou cristal pur

Définition
C’est un cristal de pur Silicium S i ou pur Germanium Ge. Les atomes du semi-conducteur sont
tétravalents (4 e− sur la couche de valence).
— À 0◦ K , les e− sont dans la bande de valence et la Barrière de potentiel est maximale.
— Si la T % , la Barrière de potentiel diminue et les e− acquissent assez d ’énergies pour passer
vers la bande de conduction.
— Si la T % , le nombre des e− % la Résistance du semi-conducteur & .
— En présence d’un champ électrique extrême, ces e− libres peuvent contribuer à la conduction
électrique.
— des e− libres peuvent aussi produire des atomes ionisées représentant des pièges aux électrons
ou aux trous. Le trou se comporte comme une charge positive avec la même grandeur que celle

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.10 Rappels élémentaire sur la physique des semi-conducteurs : 13

de l’électron.
L’augmentation de température produit des paires électrons-trous qui s’accompagnent d’un phénomène
de Recombinaison (un excès d’électrons ou de trous par rapport à l’état d’équilibre, le phénomène de
Recombinaison essaye de ramener le système à son état d’équilibre).
Dans un semi-conducteur intrinsèque :
— le nombre des e− libres est égal à celui des trous e+ .
— Il existe 2 types de porteurs de charges :
Des porteurs négatifs : les électrons de la bande de conduction,
Des porteurs positifs : les trous de la bande de valence.
La conduction d’un semi-conducteur intrinsèque demeure faible pour des limites raisonnables de tem-
pérature. Il existe un moyen d’augmenter considérablement cette conduction. Ce procédé est appelés
le dopage pour avoir un semi-conducteur extrinsèque.

3.10.2 Semi-conducteur extrinsèque

Définition
Un semi-conducteur est dit dopé ou extrinsèque lorsqu’on substitue dans un cristal de certaines
atomes tétravalents constitutifs ( S i ou Ge ) par des atomes (appelés des impuretés) d’ un autre
élément de valence juste supérieure ou juste inférieure. Le taux de dopage est de 1 atome d’impureté
pour 10 atomes de ( S i ou Ge ) soit 10%. On distingue deux types de semi-conducteurs extrinsèques :

Semi-conducteurs extrinsèques de type N

Ils sont formés par l’introduction d’impurté pentavalente ( élément possédant 5 e− dans l’orbite
de valence) comme le phosphore et l’arsenic dans le cristal de S i ou Ge, 4 e− des 5 vont participer
à la stabilité de l’atome alors que le 5ème sera libre.
À 25◦ , les e− sont dans la bande de conduction, et par conséquent si on applique une différence de
tension aux bornes du semi-conducteur on obtient un courant qui est dû aux :
— e− des impuretés où appelés des atomes donneurs.
— e− ayant assez d’énergies pour passer vers la bande de conduction.
— Des trous dans la bande de valence due au départ des e− vers la bande de conduction.
Remarques
1. L’électron quittant la liaison de valence (liaison de stabilité) à laquelle il appartenait démasque
une charge positive du noyau correspondant. Le trou peut être occupé par un autre électron de
valence qui laisse à son tour un trou derrière lui : tout se passe comme si le trou s’était déplacé,
ce qui lui vaut la qualification de charge libre.

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.11 Jonction PN non polarisée 14

2. Le courant du aux e− est plus important que le courant dû aux trous, les e− sont plus mobiles,
ils sont les porteurs de charges majoritaires.

Semi-conducteurs extrinsèques de type P

Ils sont formés par l’introduction d’impureté trivalente ( élément possédant 3 e− dans l’orbite de
valence) comme le bore et l’indium dans le cristal de S i ou Ge, ces 3 e− vont participer à des liaisons
covalentes qui vont manquer d’un e− , le manque d’e− où apelé trou va se déplacer librement dans le
cristal.
Si on applique une source de tension aux bornes du semi-conducteur on obtient un courant qui est du
essentiellement aux :
— Trous des impuretés où des atomes accepteurs.
— e− ayant assez d ’énergies pour passer vers la bande de conduction.
— Trous dans la bande de valence dus au départ des e− vers la bande de conduction.
Le courant du aux trous est plus important que le courant dû aux e− , les trous sont plus mobiles, ils
sont les porteurs de charges majoritaires.

3.11 Jonction PN non polarisée

L’association de plusieurs semi-conducteurs dopés ou extrinsèques permet de créer les composants
Semi-conducteurs. Le plus simple est la jonction PN ou diode. Si on place l’un contre l’autre deux

Figure 3.10 – Jonction PN.

cristaux semi-conducteurs, un de type P et l’autre de type N, au voisinage de la jonction ainsi effectuée :

1. Des électrons majoritaire du coté N vont diffuser vers le côté P,
2. Des trous majoritaires du côté P vont diffuser vers le côté N,
3. Phénomène de Recombinaison,
4. Création d’une région sans porteurs où il n’y a plus que des ions positifs du côté N et des ions
négatifs du côté P,
5. De part et d’autre de la jonction, des charges positifs d’un côté et négatifs de l’autre côté,

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.11 Jonction PN non polarisée 15

6. Création d’un champ électrique interne Ei orienté de N vers P qui va s’opposer à la diffusion
des porteurs de part et d’autre de la jonction.
7. Création d’une barrière de potentiel,
8. Établissement d’un équilibre statique.

Barrière de potentiel
Elle se traduit par une différence de potentiel électrique liée au champs électrique Ei . Une fois
l’équilibre atteint, ce champ électrique est tel qu’il s’oppose à tout déplacement global de charges
libres.
Remarque : La formation de la barrière de potentiel se produit au cours de processus de fabrication de
la diode.

3.11.1 La jonction PN polarisée en directe

On dit qu’une jonction PN est polarisée en directe lorsqu’on relie l’extrémité P au pôle (+) et l’ex-
trémité N au pôle (−) d’un générateur de tension, Le champs externe Eext crée par ce générateur au sein
de la jonction s’oppose au champ interne Ei .
Tant que la tension U du générateur reste inférieure à un certain seuil, Eext reste inférieur à Ei , et les

Figure 3.11 – jonction PN polarisée en directe.

porteur ne peuvent toujours pas traverser la jonction, il n’y a donc pas de courant.
Si la tension du générateur devient supérieure au seuil, Eext devient supérieur à Ei , le champ résultant
Er = Eext − Ei dans la jonction est maintenant orienté de P vers N et va donc favoriser la diffusion des
électron de N vers P et des trous de P vers N. Il se crée alors un courant électrique important de P vers
N au sein de la jonction (de N vers P dans le circuit extérieur). On dit que la diode est passante.
Le seuil de tension à partir duquel la diode devient passante est d’environ 0.2V pour le germanium et
0.65V pour le silicium.

3.11.2 Polarisation en inverse : sens bloquant

On dit qu’une jonction est polarisée en sens inverse Lorsque le potentiel de son extrémité N est
supérieur à celui de son extrémité P. L’action du champ Eext crée par le générateur externe s’ajoute à
celui du champ interne Ei . Aucun courant important ne circule dans la jonction, on dit que la diode est

L.GUESSAS : EF 01 2020
3.11 Jonction PN non polarisée 16

bloquée.
On peut considérer qu’une jonction PN polarisée en inverse correspond à une résistance très élevée ou

Figure 3.12 – jonction PN polarisée en inverse.

même à un circuit ouvert.

Remarques
Une polarisation directe permet le passage d’un courant électrique dans la jonction alors qu’une
polarisation inverse l’empêche.
La jonctionPN est apellée diode avec P comme anode A et N comme cathode K.

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