UNIVERSITE CADI AYYAD

FACULTE DES SCIENCES

SEMLALIA-MARRAKECH
Département de Physique

Cours
Électronique de Base

Filière SMP-S4
 Electronique de base

Sommaire
Chapitre I : GENERALITES ................................................................................................................... 3
I - Définitions ...................................................................................................................................... 3
I – 1 - Dipôle électrique - caractéristique d’un dipôle .................................................................... 3
II - Théorèmes généraux (Théorèmes simplificateurs) ....................................................................... 6
II – 1 - Diviseur de tension ............................................................................................................. 6
II – 2 - Diviseur de courant ............................................................................................................. 6
II – 3 - Théorème de superposition ................................................................................................. 7
II – 4 - Théorème de Thevenin ....................................................................................................... 7
II – 5 - Théorème de Norton ........................................................................................................... 8
III - Circuits en régime sinusoïdal....................................................................................................... 8
III – 1 - Définitions ......................................................................................................................... 9
III – 2 - Eléments passifs en alternatifs........................................................................................... 9
III – 3 - Notation complexe ......................................................................................................... 10
III – 4 - Régime statique et régime dynamique ............................................................................ 11
Chapitre II: QUADRIPOLES et FILTRES PASSIFS ........................................................................... 13
I – Quadripôles .................................................................................................................................. 13
I – 1 - Définition ........................................................................................................................... 13
I – 2 - Description matricielle d’un quadripôle............................................................................. 13
I - 3 - Grandeurs caractéristiques d’un quadripôle........................................................................ 19
I - 4 - Groupement de quadripôles ................................................................................................ 21
II - Les filtres passifs......................................................................................................................... 23
II - 1 - Définitions ......................................................................................................................... 23
II – 2 - Lieu de transfert dans le plan de Bode .............................................................................. 25
Chapitre III : LA DIODE ...................................................................................................................... 34
I - Conducteurs - Isolants .................................................................................................................. 34
II - Notion sur les semi conducteurs ................................................................................................. 34
II – 1 - Semi conducteur intrinsèque............................................................................................. 35
II – 2 - Semi conducteur extrinsèque : dopage ............................................................................. 35
III – La diode ou Jonction PN ........................................................................................................... 37
III – 1 - Jonction PN à l’équilibre (non polarisée) ........................................................................ 38
III – 2 - Diode polarisée ................................................................................................................ 39
III – 3 - Caractéristique courant-tension ....................................................................................... 40
III – 4 - Schémas équivalents de la diode ..................................................................................... 42
IV - Applications : circuits à diode ................................................................................................... 44
IV – 1 - Redressement simple (ou mono alternance) et filtrage ................................................... 44
IV – 2 – Filtrage............................................................................................................................ 45
IV – 3 - Redressement double alternance (Pont de Graetz) .......................................................... 45
IV – 4 - Filtrage ............................................................................................................................ 46
IV – 5 - Diode Zener : Claquage de la jonction ............................................................................ 46
Chapitre IV: LE TRANSISTOR ........................................................................................................... 49
I - Introduction .................................................................................................................................. 49
II – Transistor bipolaire..................................................................................................................... 49
II – 1 - Structure et fonctionnement .............................................................................................. 49
II – 2 - Caractéristiques statiques du transistor ............................................................................. 53
II – 3 - Polarisation d’un Transistor .............................................................................................. 55
II – 4 - Circuits de polarisation ..................................................................................................... 58
III - Transistors à Effet de Champ ou FET (field effect transistor) ................................................... 61
III – 1 - Structure .......................................................................................................................... 61
III – 3 - Réseau de caractéristiques ............................................................................................... 64
III – 4 - Circuits de polarisation .................................................................................................... 66

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 Electronique de base

Chapitre I : GENERALITES

I - Définitions
I – 1 - Dipôle électrique - caractéristique d’un dipôle
Un dipôle est un système comportant deux pôles de branchement dans
lequel peut circuler un courant électrique. Le comportement d'un dipôle est
caractérisé par la relation entre la tension U à ses bornes et le courant I qui le
traverse: I = f(U) (une courbe dans le plan (U, I)).
Si cette relation est linéaire le dipôle est dit linéaire sinon le dipôle est
non linéaire.
Exemple :
 Une résistance est un dipôle linéaire
 Une diode est un dipôle non linéaire

I – 1 – 1 - Générateur
On appelle générateur un dipôle actif capable de convertir en énergie
électrique une autre forme d'énergie. Un dipôle est un générateur lorsqu'il
fournit de l'énergie (p < 0).

Convention de sens pour le générateur : Le courant et la tension sont de

même sens à travers le générateur (les deux sont positifs ou négatifs).

Générateur de tension
Le générateur de tension impose la d.d.p. entres ses bornes quel que soit le
courant qui le traverse (pour toute charge non nulle)

 Générateur de tension parfait (ou idéal): (sa résistance interne est

nulle).

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 Générateur de tension réel : il possède une résistance interne RG

E/RG= ICC est le courant de court-circuit (on court-circuite le générateur 

on prend RC=0)
E est la tension à vide (le générateur est ouvert entre ses bornes  on
débranche RC)

Générateur de courant
Le générateur de courant impose la valeur du courant qui le traverse quel
que soit la tension (d.d.p.) entre ses bornes.
 Générateur de courant parfait (ou idéal) : (sa résistance interne est
nulle).

 Générateur de courant réel : il possède une résistance interne RG

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 Electronique de base

I – 1 – 2 - Récepteur
On appelle récepteur tout dispositif convertissant de l'énergie électrique en
une autre forme d'énergie. Un dipôle est un récepteur lorsqu'il consomme de
l'énergie (p>0).
Si le récepteur convertit toute l'énergie électrique qu'il reçoit en chaleur ou
en rayonnement thermique, on dit qu'il s'agit d'un récepteur passif. S'il la
convertit autrement (en énergie lumineuse, par exemple), on dit qu'il s'agit d'un
récepteur actif. Une ampoule, un moteur à courant continu, sont des récepteurs
actifs.
Convention de sens pour un récepteur : Le courant et la tension sont de sens
opposé (Tous les deux positifs ou négatifs).

I – 1 – 3 - Dipôle actif utilisé comme récepteur

La tension et le courant sont de sens inverse. E est la force contre
électromotrice du récepteur (f.c.e.m) (un moteur par exemple)

I – 1 – 4 - Droite de charge et point de fonctionnement (point de repos, point de

polarisation)
La caractéristique d’un dipôle est une donnée du concepteur du
composant, c’est une relation entre le courant I qui traverse le dipôle et la
tension U à ses bornes.
La droite de charge est une deuxième relation entre I et U dans un circuit
donné. Cette relation est fixée par l’utilisateur en fonction des composants du
circuit.
Le point de fonctionnement (I0, U0) est l’intersection de ces deux courbes.
I0 et U0 sont les valeurs mesurées ou calculées du dipôle en question.

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Exemple:

Caractéristique du dipôle: la caractéristique du dipôle D est non linéaire

U Eg
Droite de charge: U  E g  R g I  I   
Rg Rg

II - Théorèmes généraux (Théorèmes simplificateurs)

Les théorèmes généraux sont déduits des lois de Kirchoff et permettent de
simplifier les méthodes de résolution des circuits électriques
II – 1 - Diviseur de tension
Les résistances R1 et R2 sont traversées par le même courant (le circuit est
ouvert et A n’est pas un nœud) :

Attention: Les résistances sont traversées par le même courant et doivent

être donc en série

II – 2 - Diviseur de courant
Le courant Io se divise en I1 et I2 (le circuit est ouvert) et la tension U est
la même entre R1 et R2.

Attention: Les résistances doivent être en parallèle et donc la tension à leur

bornes est la même.
G1 G2
On peut utiliser les conductances Gi = 1/Ri : I1  I0 et I 2  I0
G1  G2 G1  G2

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 Electronique de base

II – 3 - Théorème de superposition
Dans un réseau, dont tous les éléments sont linéaires, l'intensité qui circule
dans un dipôle est la somme algébrique des intensités créées dans ce dipôle par
chaque générateur du circuit pris seul, les autres générateurs étant remplacés par
leurs résistances internes.

Exemple: Calculer le courant I3 qui traverse R3 à l’aide du théorème de

superposition

R1 
I3'  I '2 (diviseur de courant) 
R1  R 3  R1E 2
  I3' 
E2 (R1  R 3 )E 2 R1R 3  R1R 2  R 2 R 3
et I '2   
R1 // R 3  R 2 R1R 3  R1R 2  R 2 R 3 

R2 
I 3' '  I1' ' (diviseur de courant) 
R2  R3  R 2 E1
  I 3' ' 
E1 (R 2  R 3 )E1 R 1R 3  R 1R 2  R 2 R 3
et I1' '   
R 2 // R 3  R 1 R 1R 3  R 1R 2  R 2 R 3 


 I3  I3'  I3' ' de même I 2  I '2  I 2' '

II – 4 - Théorème de Thevenin
On peut remplacer tout circuit linéaire, qui alimente par les bornes A et B
un dipôle D, par un générateur de tension idéal de f.e.m Eth en série avec une
résistance Rth. (Eth, Rth) est le générateur de Thevenin:

 Eth est la tension à vide, c’est la d.d.p. entre A et B quand le dipôle D est
débranché.
 La résistance Rth est la résistance équivalente du circuit entre A et B, les
générateurs sont remplacés par leurs résistances internes.

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II – 5 - Théorème de Norton
On peut remplacer tout circuit linéaire, qui alimente par les bornes A et B
un dipôle D, par un générateur de courant idéal IN en parallèle avec une
résistance RN. (IN, RN) est le générateur de Norton :
 IN représente le courant de court-circuit du réseau entre A et B (on court-
circuite le dipôle D càd on relie A à B)
 La résistance RN est la résistance équivalente du circuit entre A et B, les
générateurs sont remplacés par leurs résistances internes (RN = Rth).

Equivalence Thevenin-Norton

III - Circuits en régime sinusoïdal

Importance du régime sinusoïdal
 La plus grande partie de l’énergie électrique est produite sous forme de
courant alternatif sinusoïdal;

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 les fonctions sinusoïdales sont simples à manipuler mathématiquement

et électriquement ;
 toute fonction périodique de forme quelconque peut être décomposée en
une somme de signaux sinusoïdaux (série de Fourier).

III – 1 - Définitions
 Une tension sinusoïdale est une grandeur périodique et alternative pouvant
s’écrire sous la forme : u(t) = Um sin(t +)

Um ≡ est l’amplitude en Volt, c’est la valeur maximale de u(t)

t est le temps en secondes (s)
est la pulsation en radians par seconde (rad/s) ;
t  est la phase instantanée en radians (rad) ;
 est la phase à l’origine en radians (rad ou en °).
UCC = 2.Um est la valeur crête à crête

 Valeur efficace
La valeur efficace d’une fonction périodique u(t) est définie par :
T
1 2
T 0
U2  u ( t )dt

Um
Si u(t) est sinusoïdale d’amplitude Um alors : U 
2
 Valeur moyenne
La valeur moyenne d’une fonction périodique u(t) est définie par :
T
1
U moy 
T 
u ( t )dt
0
III – 2 - Eléments passifs en alternatifs
En plus de la résistance on a :

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o La bobine (ou Self)

o Le condensateur

III – 3 - Notation complexe

A toute fonction sinusoïdale y(t) d'amplitude A et de phase instantanée (
t  nous pouvons faire correspondre un nombre complexe défini par :

y(t)  A[cos(t  )  j.sin( t  )]  A. e j( t )  A.e

j jt
e

y(t)  Y e jt avec Y  Ae

j

d y(t) jt 1 jt

dt
 jωY e et  y(t)dt  jω
Ye

La représentation vectorielle (Fresnel) des relations courant-tension en

régime sinusoïdal est une manière de ne garder du signal qu'un déphasage et une
amplitude. Ce résultat peut aussi être obtenu grâce à l'utilisation de nombres
complexes

dy( t ) 1
y(t)  Y  Ae j ,  jωY et  y(t )dt  Y
dt jω
Loi d’ohm en alternatif

U  ZI

U m j j
Z  impédance complexe : Z  e Ze
Im
Souvent on décompose Z
Z  Z .cos  j. Z .sin  R  jS
R  0  résistance du dipole
S  réactance

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o Impédance d’une bobine

di( t )
u(t)  L  U  jLI  Z L  jL 
dt

o Impédance d’un condensateur

du ( t ) I 1
i( t )  C  I  jCU  U   ZC 
dt jC jC

III – 4 - Régime statique et régime dynamique

En général un circuit est soumis au régime statique et au régime
dynamique. Le premier régime est lié aux composantes continues (valeurs
moyennes ou valeurs statiques), quant au 2ème régime il est lié aux composantes
variables :
v(t) = ve(t) + VE
ve = signal sinusoïdal, à valeur moyenne nulle, VE = signal continu

Régime statique
On prend ve(t) = 0 et on détermine les valeurs continues des grandeurs
électriques. Dans ce cas:
- Une source de tension variable, de valeur moyenne nulle est court-circuitée
- Une source de courant variable, de valeur moyenne nulle est ouverte
- Une capacité est remplacée par un circuit ouvert (=0).
- Une self est remplacée par une résistance nulle (=0)

Régime dynamique
VE = 0 et on détermine les composantes variables des grandeurs électriques.
Dans ce cas :
- Une source de tension statique (continue) est court-circuitée
- Une source de courant statique (continue) est ouverte
Régime globale = régime statique + régime dynamique d’après le théorème de
superposition :

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Exemple

 

Figure a Figure b

La source statique VE est à l’origine de VR2 et la source ve est à l’origine de vr2

R2
Régime statique : ve = 0  VR 2  VE
R1  R 2

R2
Régime dynamique : VE = 0  v r 2  ve
R1  R 2

Régime complet (Théorème de superposition)

v R2 
R2
VE 
R2
ve 
R2
VE  ve 
R1  R 2 R1  R 2 R1  R 2

Important
Toutes les règles de calcul et théorèmes en régime continu restent valables
en régime alternatif à condition de remplacer les grandeurs continues par les
variables complexes.

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Chapitre II: QUADRIPOLES et FILTRES PASSIFS

I – Quadripôles
I – 1 - Définition
Un quadripôle est un composant ou un circuit (ensemble de composants) à
deux entrées et deux sorties, permettant le transfert d'énergie entre deux dipôles.
Les signaux électriques en entrée et en sortie peuvent être de natures différentes
(tension, courant, puissance). Le quadripôle est caractérisé par deux grandeurs
(i1, v1) à l’entrée et deux grandeurs (i2, v2) à la sortie. Par convention le courant
i2 est supposé entrant au quadripôle.
i1 i2

v1 Q v2
i1 i2

En général le quadripôle est alimenté par un dipôle générateur (source de

tension ou source de courant) et est chargé par un dipôle récepteur (charge Z C).
Son rôle principal consiste à adapter les conditions de fonctionnement du dipôle
générateur et du dipôle récepteur destinés à être connectés l'un à l'autre.

Les quatre paramètres (i1, v1, i2, v2) peuvent être reliés de différentes manières.

I – 2 - Description matricielle d’un quadripôle

I – 2 – 1 - Matrice impédance Z
 V1  z11 I1  z12 I 2  V1   z z   I1  z z 
      11 12     Z   11 12 
V 2  z 21 I1  z 22 I 2 V 2  z 21 z 22  I 2  z 21 z 22 
Les éléments zij de la matrice Z sont des impédances (s’expriment en ).

 Définitions :
- un quadripôle est dit réciproque si les termes de la seconde diagonale sont
égaux : 𝑍12 = 𝑍21 . Cette propriété est caractéristique des quadripôles composés
d’éléments passifs (sans générateurs de courant ou de tension).

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 Electronique de base

- Si de plus, les termes de la première diagonale sont égaux : Z11 = Z22 , alors
le quadripôle est symétrique.

Signification physique des paramètres zij

 V1 
 z11    : impédance d’entrée à vide (sortie ouverte). Cette
 I1  I2 0
impédance est mesurable.
 V2 
 z 22    : impédance de sotie à entrée ouverte.
 I 2  I10
 V2 
 z 21    : impédance de transfert inverse ou transimpédance
 I 1  I 2 0
inverse à vide (sortie ouverte). Cette impédance est mesurable.
 V1 
 z12    : impédance de transfert directe ou transimpédance
 I 2  I10
directe à entrée ouverte.

Schéma équivalent
Le schéma équivalent traduit les équations mathématiques en circuits
électriques
Les équations précédentes peuvent être représentées par le circuit électrique
suivant:

 Exemple 1 : Quadripôle en T
i1 Z1 Z2 i2

u1 Z3 u2

i1 i1+i2 i2

Calcul direct
En appliquant la loi des mailles, nous avons les deux relations suivantes :

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𝑢1 = 𝑍1 𝑖1 + 𝑍3 𝑖1 + 𝑖2 = 𝑍1 + 𝑍3 𝑖1 + 𝑍3 𝑖2
𝑢2 = 𝑍2 𝑖2 + 𝑍3 𝑖1 + 𝑖2 = 𝑍3 𝑖1 + 𝑍2 + 𝑍3 𝑖2
Ainsi on a :
𝑍1 + 𝑍3 𝑍3
𝑍=
𝑍3 𝑍2 + 𝑍3

Ce quadripôle est réciproque (𝑍12 = 𝑍21 ). Il est symétrique à la condition que :

𝑍1 = 𝑍2 .

Utilisation des définitions des paramètres

- Cas 𝒊𝟐 = 𝟎 :
i1 Z1
𝑢1
𝑍11 = = 𝑍1 + 𝑍3
𝑖1 𝑖2 =0
𝑢2 u1 Z3 u2
𝑍21 = = 𝑍3
𝑖1 𝑖 =0
2

i1 i1

- Cas 𝒊𝟏 = 𝟎 :
Z2 i2
𝑢1
𝑍12 = = 𝑍3
𝑖2 𝑖1 =0
𝑢2 Z3
𝑍22 = = 𝑍2 + 𝑍3 u1 u2
𝑖2 𝑖1 =0
i2 i2

On retrouve les résultats calculés précédemment.

 Exemple 2 : Quadripôle en 
i1 i Z3 i2

u1 Z1 Z2 u2

i1 i1-i i2+i i2

On procède de la même manière :

- Cas 𝒊𝟐 = 𝟎 :

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𝑢1 𝑍1 𝑍2 + 𝑍3
𝑍11 = = 𝑍1 // 𝑍2 + 𝑍3 = i Z3
𝑖1 𝑖2 =0
𝑍1 + 𝑍2 + 𝑍3

𝑢2 𝑢2 𝑢1 Z1 Z2 u2
𝑍21 = = u1
𝑖1 𝑖2 =0
𝑢1 𝑖1 𝑖2 =0
i1 i1- i i
𝑢2 𝑍2
=
𝑢1 𝑍2 + 𝑍3

𝑢1 𝑍1 𝑍2 +𝑍3
=
𝑖1 𝑍1 +𝑍2 +𝑍3

𝑍1 𝑍2
Donc : 𝑍21 =
𝑍1 + 𝑍2 + 𝑍3

- Cas 𝒊𝟏 = 𝟎 :
𝑢2 𝑍2 𝑍1 + 𝑍3
𝑍22 = = 𝑍2 // 𝑍1 + 𝑍3 = i Z3 i2
𝑖2 𝑖1 =0
𝑍1 + 𝑍2 + 𝑍3

𝑢1 𝑢1 𝑢2
𝑍12 =
𝑖2
=
𝑢2 𝑖2 u1 Z1 Z2 u
𝑖1 =0 𝑖1 =0
2
i i2+i i2
𝑢1 𝑍1 𝑢2 𝑍2 𝑍1 +𝑍3
= =
𝑢2 𝑍1 +𝑍3 𝑖2 𝑍1 +𝑍2 +𝑍3

𝑍1 𝑍2
Donc : 𝑍12 =
𝑍1 + 𝑍2 + 𝑍3

I – 2 – 2 - Matrice admittance Y

On exprime les courants (i1, i2) en fonction des tensions (v1, v2)

 I1  y11 V1  y12 V 2  I1   y y   V1  y y 
      11 12     Y   11 12 
I 2  y 21 V1  y 22 V 2 I 2   y 21 y 22  V 2   y 21 y 22 

Les éléments yij de la matrice Y sont des admittances (s’expriment en ).

On a Y = Z-1

 Exemple : Quadripôle en 

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 Electronique de base

i1 i Z3 i2

u1 Z1 Z2 u2

i1 i1- i i2+i i2
Soit :
1 1 1
𝑌1 = , 𝑌2 = , 𝑌3 = .
𝑍1 𝑍2 𝑍3

Les équations associées à la matrice admittance sont les suivantes :

𝑖1 = 𝑖1 − 𝑖 + 𝑖 = 𝑌1 𝑢1 + 𝑌3 𝑢1 − 𝑢2 = 𝑌1 + 𝑌3 𝑢1 − 𝑌3 𝑢2
𝑖2 = 𝑖2 + 𝑖 − 𝑖 = 𝑌2 𝑢2 − 𝑌3 𝑢1 − 𝑢2 = −𝑌3 𝑢1 + 𝑌2 + 𝑌3 𝑢2

Les éléments de la matrice admittance sont donc :

𝑌1 + 𝑌3 − 𝑌3
𝑌=
−𝑌3 𝑌2 + 𝑌3

Ces résultats de la matrice admittance peuvent être vérifiés en utilisant les

relations entre les éléments de la matrice admittance Y et ceux de la matrice
impédance Z calculés précédemment.
DEFINITION DES PARAMETTRES Y
Schéma équivalent
Le schéma équivalent traduit les équations mathématiques en circuits
électriques
Les équations précédentes peuvent être représentées par le circuit électrique
suivant:
A AJOUTER ??????

I – 2 – 3 - Matrice hybride H
Les matrices hybrides sont utilisées plus particulièrement dans l’étude des
transistors où les paramètres indépendants sont de natures différentes (tension
d’entrée v1 et courant de sortie i2). On utilise les deux équations suivantes pour
décrire le quadripôle :

V1  h11 I1  h12 V 2 V1   h h   I1  h h12 

      11 12     H   11 
 I 2  h 21 I1  h 22 V 2  I 2  h 21 h 22  V 2  h 21 h 22 

Signification physique des paramètres hij

 V1 
 h11    : impédance d’entrée à sortie court-circuitée
 I1  V2 0

Filière SMP/S4 17
 Electronique de base

 V1 
 h12    : inverse du gain en tension à entrée ouverte.
 V 2  I10
 I2 
 h 21    : gain en courant à sortie court-circuitée.
  V 2 0
I1

 I2 
 h 22    : admittance de sortie à entrée ouverte.
 V 2  I10

Schéma équivalent
h11

1/ h22

I – 2 – 4 - Matrice de transfert (ou matrice chaîne) T

La matrice de transfert présente un grand intérêt particulier dans le cas de

la mise en cascade (en série) de plusieurs quadripôles.

Les relations définissant la matrice de transfert T sont les suivantes:

V1  AV 2  BI 2 V1  A B  V 2  A B 
       T 
 I1  CV 2  DI 2  I1   C D  I 2   C D

Contrairement aux autres représentations matricielles, pour la matrice de

transfert T on utilise le courant –i2 (courant sortant du quadripôle) à la place du
courant i2 (courant entrant dans le quadripôle). Ce formalisme permet de
simplifier les calculs lorsque nous associerons plusieurs quadripôles en cascade.

Exemples

Quadripôle en ligne

Filière SMP/S4 18
 Electronique de base

La matrice impédance Z n’existe pas puisque la matrice Y n’est pas

inversible
Quadripôle en I

La matrice admittance Y n’existe pas puisque la matrice Z n’est pas

inversible

I - 3 - Grandeurs caractéristiques d’un quadripôle

Le quadripôle peut être caractérisé par d’autres paramètres, appelés
fonctions de transferts. On définit :
V1
 Impédance d’entrée : Ze 
I1
C’est l’impédance équivalente à l’entrée du quadripôle lorsqu’il débite sur une
charge Zc.
i1
Si on utilise les paramètres Impédances :
v1 Q Zc
V1  z11I1  z12 I 2 et V 2  z 21I1  z 22 I 2  Zc I 2
z 21I1
 - z 21I1  (z 22  Zc )  I 2  
z 22  Zc
z 21z12 z z
 V1  I1 (z11  )  Ze  z11  21 12
z 22  Zc z 22  Zc
L’impédance d’entrée à vide correspond à Zc=∞, dans ce cas : Ze = z11 .
Un bon quadripôle ne doit pas dégrader les performances de son
alimentation : pertes par effet Joule. Soit un quadripôle de résistance d’entrée Re
alimenté par un générateur de résistance interne r.
Les pertes par effet Joule dans le générateur sont (U1 et Ue sont les valeurs
efficaces):

Filière SMP/S4 19
 Electronique de base

𝑈1 − 𝑈𝑒 2
𝑈1 =
𝑅𝑒
𝑈𝑒 i1 r
𝑃𝑗 = avec 𝑅𝑒 +𝑟
𝑟

𝑟 ue u1 Re
Donc 𝑃𝑗 = 𝑈2
2 𝑒
𝑅𝑒 + 𝑟

Donc pour minimiser les pertes par effet Joule dans le générateur il faut que
Re >> r

 V2 
 Impédance de sortie : Zs   
 I 2 e g  0
C’est l’impédance équivalente vue à la i2
sortie du quadripôle quand son entrée est
fermée sur l’impédance interne du v2
Zg V1 Q
générateur Zg.

De même :
V1  z11I1  z12 I 2  -Zg I1 et V 2  z 21I1  z 22 I 2
z12 I 2 z z z z
I1    V 2  I 2 ( z22  21 12 )  Zs  z22  21 12
z11  Z g z11  Z g z11  Z g

Un bon quadripôle doit présenter la même

caractéristique de sortie (Rs), indépendamment de
la charge.
Considérons un quadripôle de résistance de
sortie Rs, chargé par la résistance Rc. La
résistance équivalente à ses deux résistances Rs Rc
mises en parallèle est :
𝑅𝑠 𝑅𝑐
𝑅𝑒𝑞 =
𝑅𝑠 +𝑅𝑐

Pour que Req soit très proche de Rs, il faut que Rs soit très petite devant Rc.
V2
 Gain en tension : A v 
V1
I2
 Gain en courant : A i 
I1

N. B. : Le gain en tension et l’impédance d’entrée dépendent de la charge ZC ,

alors que l’impédance de sortie dépend de l’impédance interne de l’alimentation.
Schéma équivalent en utilisant les caractéristiques

Filière SMP/S4 20
 Electronique de base

Vu entre ses bornes d’entrée le quadripôle peut être représenté par son
impédance d’entrée Ze.
En utilisant le théorème de Thevenin on peut montrer que vu de la sortie
le quadripôle est équivalent à la tension à vide (ZC est infini) en série avec
l’impédance Zs.
Si Ao est le gain en tension à vide, alors la tension à vide est Ao.V1. D’où
le schéma équivalent du quadripôle en utilisant ses caractéristiques :

I - 4 - Groupement de quadripôles
Suivant l’association de quadripôles, nous choisirons la matrice la plus
appropriée

I - 4 – 1 - Groupement série-série
On utilise les matrices impédances Z

 V'1   z'11 z'12   I'1   V"1   z"11 z"12   I"1 

    et    
V'2  z'21 z'22  I'2   2  z"21 z"22  I"2 
V"
Or

 V1  V'1  V"1  I1  I'1  I"1
 et 
V 2  V'2  V"2
 I 2  I' 2  I"2
Donc
 V1   z'11  z"11 z'12  z"12   I1   z11 z12   z'11  z"11 z'12  z"12 
      z  
V 2  z'21  z"21 z'22  z"22  I 2   21 z 22  z'21  z"21 z'22  z"22 

Filière SMP/S4 21
 Electronique de base

On déduit Z = Z’+Z"

I - 4 – 2 - Groupement parallèle-parallèle
On utilise les matrices admittances Y et on obtient Y=Y’+Y"

I - 4 – 3 - Groupement série-parallèle

On utilise les matrices hybrides H et on obtient H = H’ + H’’

I - 4 – 4 - Groupement parallèle-série

On utilise les matrices hybrides inverses G et on a G = G’ + G’’ avec G

-1
=H

Filière SMP/S4 22
 Electronique de base

I - 4 – 5 – Groupement en cascade (ou en chaine)

On utilise les matrices de transfert T et on obtient T = T’.T’’

Remarque : le produit matriciel n’est pas commutatif.

II - Les filtres passifs

II - 1 - Définitions
Un filtre est un quadripôle qui atténue certaines composantes d’un signal
et en laisse passer d’autres. Un filtre passif est constitué d’éléments passifs (R,
L, C)
Il existe plusieurs types de filtres, dont les plus connus sont:

filtre passe-haut, filtre passe-bas, filtre passe-bande et filtre coupe

bande (ou réjecteur de bande)
Fonction de transfert
Soient ve(t) et vs(t) respectivement l’entrée et la sortie d’un quadripôle, la
fonction de transfert est définie par :
V ( j)
G ( j)  s
Ve ( j)
Ve( j ) et Vs( j ) sont les grandeurs complexes de ve(t) et vs(t) ) respectivement
Elle est aussi appelée transmittance complexe ou amplification.
Réponse fréquentielle d’un filtre (Réponse en fréquence)
La réponse (la sortie) fréquentielle (Réponse harmonique) d’un filtre est la
réponse en régime permanent du système à une entrée sinusoïdale. Elle est
obtenue par variation de .

La fonction de transfert G(j) est un complexe caractérisé par un module

et un argument
Le module de la fonction de transfert est appelée Gain et correspond au rapport
des valeurs efficaces :
V ( j)
G ( j)  s
Ve ( j)
On définit le gain en décibel (dB) GdB par la relation :

Filière SMP/S4 23
 Electronique de base

Vs
G dB  G ( j) dB  20 Log10
Ve
Si G  1  G dB  0 , le filtre amplifie alors que si G  1  G dB  0 , il
atténue.
L’argument de la fonction de transfert G(j) correspond au déphasage de
la tension de sortie vs(t) par rapport à la tension d’entrée ve(t).
V
()  arg( s )  arg Vs - argVe
Ve
L’étude du module et de la phase de G(j) permet de prévoir le
comportement d’un filtre et en particulier prévoir l’amplitude et la phase du
signal de sortie en fonction de la fréquence, de l’amplitude et de la phase du
signal d’entrée.

Paramètres caractéristiques d’un filtre

 On appelle pulsation de coupure 𝜔𝑐 (ou fréquence de coupure 𝑓𝑐 = 𝜔2𝜋𝑐 ) d’un
filtre de fonction de transfert G(j) , la pulsation pour laquelle on a :
G 
G dB (c )  20 Log10  max   (G max ) dB  3dB
 2 
 On appelle bande passante BP d’un filtre l’intervalle de fréquences pour
lequel le gain de la fonction de transfert est compris entre son maximum et -3dB
relatif.
 On appelle gain statique le gain de la fonction de transfert lorsque la
pulsation 𝜔 tend vers 0.

Lieu de transfert - Diagramme de Bode

On appelle lieu de transfert le lieu des points G(j) quand la pulsation 
varie de 0 à l’infini.
Le lieu de Bode (diagramme de Bode) correspond à deux courbes:

G( j) dB  f () et Arg[G(j)]  g()

Etant donné que l’étude des fonctions de transfert des filtres se fait sur des
plages de fréquences très vastes, l’utilisation du papier millimétré devient
inappropriée, alors on a recours à du papier semi-logarithmique, ce qui permet
de dilater la partie basses fréquences.
Le diagramme de Bode consiste donc à représenter le gain 𝐺𝑑𝐵 et la phase 𝜑 non
pas en fonction de , mais en fonction de Log10 ()
Echelle logarithmique

Filière SMP/S4 24
 Electronique de base

Echelle linéaire
0 0.3 1 2 3

1 2 3 10 100 1000
une octave
Echelle logarithmique une décade
décade
II – 2 - Lieu de transfert dans le plan de Bode
Pour tracer le diagramme de Bode d’une fonction de transfert, il faut suivre
les étapes suivantes :
 Mise de la fonction de transfert sous forme canonique.
 Approximation de la fonction de transfert : 𝜔 → 0 (basses fréquences) et
𝜔 → ∞ (hautes fréquences) et détermination des expressions du gain en
décibel et de la phase correspondants (en basses et en hautes fréquences).
 Calcul du gain et de la phase aux points particuliers (pulsations propres).
 Tracé des asymptotes.
 Tracé des courbes du gain et de la phase.

II – 2 – 1 - Intégrateur :
1 1 1
G ( j)   
p j 
j
c
 
G( j) dB  20 Log j  20 log  - 20 Log   20 Log c , c’est une
c c
droite qui passe par :
 
  c   20 Log  0 dB
c 
  pente - 20dB/décad e

  10 c   20 Log  20 dB
c 

Ou
 
  c   20 Log  0 dB 
c 
  pente - 6 dB/octave

  2 c   20 Log  6 dB
c 


G ( j) dB  - 20 Log est droite de pente – 20dB/décade
c

Arg (G( j))  
2

Filière SMP/S4 25
 Electronique de base

II – 2 – 2 - Dérivateur :

G( j)  p  j  j
c
 
G( j) dB  20 Log j  20 log  20 Log   20 Log c , c’est une droite de
c c
pente +20dB/décade


G( j) dB  20 Log est une droite de pente +20dB/décade
c

Arg (G( j)) 
2

II – 2 – 3 - Filtre passe-bas du 1er ordre

Exemple : Circuit RC

S( j) 1
G( j)  
E( j) 1  jRC 
1 1 1
En posant c   , on obtient la forme canonique : G ( j) 
RC  
1 j
c
c = fréquence (pulsation) de coupure
Dans le plan de Bode, on représente les deux courbes suivantes :
2
 
 G( j) dB  20 Log (1)  20 Log 1  j   20 Log 1   
c  c 

Filière SMP/S4 26
 Electronique de base

 
 ()  Arg (G( j))  Arg (1  j )  Arctg
c c
Tracé des asymptotes

o   c   1 (basses fréquences)
c
 G( j) dB  20 Log 1  0 dB , l’axe horizontal est une asymptote en
basse fréquence
 Arg (G( j))  0 rd (ou 0 ) l’axe horizontal = 0 est une asymptote

o   c   1 (hautes fréquences)
c
 
 G( j) dB  20 Log j  20 log  - 20 Log   20 Log c , c’est
c c
une droite de pente -20dB/décade
 
 Arg (G( j))  Arg ( j )  Arctg ()  - l’axe horizontal
c 2
= - /2 est une asymptote.

A  = c on a :
G( jc ) dB  - 3dB

Arg(G(jc)) = - /4
On peut regrouper ces résultats dans un tableau
0 c ∞
G( j) dB 0dB -20dB/décade
Arg(G(j)) 0 -/2 (- 90°)

𝐺𝑑𝐵

30

20

10
𝜔𝑐 10𝜔𝑐
0
-20 dB/décade ou -6dB/octave
−10 𝑙𝑜𝑔10 𝜔

−20

−30

Filière SMP/S4 27
 Electronique de base

90

45

0
𝜔𝑐
−45 𝑙𝑜𝑔10 𝜔

−90

Ces courbes caractérisent un filtre passe bas (le système atténue les haute
fréquences)
La bande de fréquence [0, c] est la bande passante du filtre
II – 2 – 4 - Filtre passe-haut du 1er ordre
Exemple : Circuit CR

S( j) R jRC 
G ( j)   
E( j) R  1 1  jRC 
jC 

j
1 1 c
En posant c   , on obtient la forme canonique : G ( j) 
RC  
1 j
c
c = fréquence (pulsation) de coupure
Dans le plan de Bode, on représente les deux courbes suivantes :
2
    
 G( j) dB  20 Log  20 Log 1  j  20 Log  20 Log 1   
c c c  c 

   
 Arg (G( j))   Arg (1  j )   Arctg
2 c 2 c
Tracé des asymptotes

o   c   1 (basses fréquences)
c

Filière SMP/S4 28
 Electronique de base

 
G( j) dB  20 Log j  20 log  20 Log   20 Log c , c’est une
c c
droite de pente 20dB/décade

Arg (G( j))  rd (ou 90) l’axe horizontal = 90° est une asymptote
2

o   c   1 (hautes fréquences)
c
G( j) dB  0 dB , l’axe horizontal est une asymptote en haute fréquence
 
Arg (G( j))  -  0, l’axe horizontal = 0 est une asymptote.
2 2
A  = c on a :
G( j) dB  - 3dB , on dit que le gain a chuté de 3 dB
Arg(G(j)) = + /4

0 c ∞
G( j) dB +20dB/décade 0dB
Arg(G(j)) +/2 (+90°) 0

𝐺𝑑𝐵

30
20 + 20 dB/décade

10
0 𝜔𝑐

−10 𝑙𝑜𝑔10 𝜔

−20
−30

90

45

0
𝜔𝑐
−45 𝑙𝑜𝑔10 𝜔

−90

Filière SMP/S4 29
 Electronique de base

Ces courbes caractérisent un filtre passe-haut (le système atténue les basses
fréquences)
La bande de fréquence [c,  [ est la bande passante du filtre.

On peut écrire la fonction de transfert G(j) comme le produit de deux formes

canoniques G1 (passe-bas) et G2 (dérivateur) et regrouper les résultats dans des
tableaux :

j
c 1 
G ( j)   xj  G1 ( j).G 2 ( j)
  c
1 j 1 j
c c
G( j) dB  G1 ( j) dB  G 2 ( j) dB et Arg(G)  Arg(G1 )  Arg (G 2 )
0 c ∞
G1 ( j) dB 0dB -20dB/décade
G 2 ( j) dB +20dB/decade +20dB/décade
G( j) dB +20dB/decade 0dB

0 c ∞
1 0dB -/2 (-90°)
2 +/2 (90°) +/2 (90°)
 +/2 (90°) 0

II – 2– 5 - Filtre passe-bande

Circuit RLC série

L
e(t) C R s(t)

S R jRC 
G ( j)   
E 1
 R  jL  1  jRC   LC ( j) 2

jC 

Filière SMP/S4 30
 Electronique de base

1 1 L Lo
On pose o  la fréquence propre et Q o   le facteur de
LC R C R
qualité
G(j) peut se mettre sous la forme :
1 1
G ( j)   G ( j) 
  2
1  jQ o (  o ) 
 o 
o  1  Q o2   

 o  
   
arg(G ( j))   arctg Q o (  o ) 
 o  
Bande passante

G max
G ( jo )  ou G( jo ) dB  G max dB
 3dB
2

On trouve deux fréquences ωc1 et ωc2 et BP = [ωc1, ωc2]

G( j)
1

Sélectivité du filtre
La largeur de la bande passante   C2  C1 dépend du facteur de qualité
o
du filtre et de la fréquence centrale o. On a la relation  
Qo
Plus Q o est grand plus la largeur de la bande passante est étroite,
on dit que le filtre est sélectif lorsque  est petite autour de la fréquence
centrale o. Qo caractérise la sélectivité du filtre passe-bande
R L
Filtre passe-bas du second ordre
e(t) C s(t)

Filière SMP/S4 31
 Electronique de base

1
S( j) jC  1
G ( j)   
E( j) R  jL   1 1  jRC   LC2
jC 
1 1 L Lo
Avec o  la fréquence propre et Q o   le facteur de qualité
LC R C R
on peut l’écrire sous forme canonique :
1
G ( j) 
1  2
1 j 
Q o o2
 Gain en dB et Phase:
1

    1  
2
2 2  2
G ( j)   1  2     
    o 

 o  Q

1
2 − 2
𝜔2 𝜔2 2 𝜔2 𝜔2
𝐺𝑑𝐵 (𝜔) = 20𝑙𝑜𝑔10 1− + = −10𝑙𝑜𝑔10 1− +
ω 20 Q 2 ω 20 ω 20 Q 2 ω 20

 1  
 
1  2  Q o 
()  arg(G ( j))   arg(1  j  2 )  arctg 
Q o o 2
1 2 
  
 o 
 Asymptotes :
o Gain
Pour ω ≪ ω0 : 𝐺𝑑𝐵 (ω) ≈ −10𝑙𝑜𝑔10 1 = 0
C’est une asymptote horizontale vers ω = 0.

𝜔2
Pour ω ≫ ω0 : 𝐺𝑑𝐵 (𝜔) ≈ −20𝑙𝑜𝑔10 ω 20
= −40𝑙𝑜𝑔10 ω + 40𝑙𝑜𝑔10 ω0
C’est une droite de pente -40dB/Décade passant par 𝐺𝑑𝐵 = 0 pour 𝜔 = ω0 .
o Phase
Pour ω ≪ ω0 : 𝜑 ω ≈ −arctan 0 = 0°
Pour ω ≫ ω0 : 𝜑 ω ≈ −arctan +∞ = −180°

 Gain en dB et Phase à la fréquence particulière (o) :

𝐺𝑑𝐵 𝜔0 = 20𝑙𝑜𝑔10 𝑄 𝑑𝐵.

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 Electronique de base

𝜑 𝜔0 = −arctan +∞ = −90°.

𝐺𝑑𝐵
𝑄 = 10
20

10

0
𝜔0 10𝜔𝑐
−10
𝑄 = 0.3
−20 𝑙𝑜𝑔10 𝜔
−30

−40

180

90

0
𝜔0
−90 𝑙𝑜𝑔10 𝜔

−180

Filière SMP/S4 33
 Electronique de base

Chapitre III : LA DIODE

I - Conducteurs - Isolants
Les matériaux ayant la plus faible résistivité à température ambiante, ( <
-5
10 Ωcm), sont les métaux (cuivre, or, argent, aluminium...). La conduction
électrique s’effectue essentiellement par les électrons libres. L’augmentation de
la température va accroître l'agitation des particules dans la matière, et ainsi
gêner leur déplacement lors de l'application d'un champ électrique externe. La
résistivité du matériau va donc augmenter suivant est une loi linéaire qu’on peut
mettre sous la forme : ρ  ρo (1  a(T  To ))
Les matériaux dont la résistivité est typiquement supérieure à 108 Ωcm
sont considérés comme isolants, c’est le cas pour le verre, le mica, la silice
(SiO2), le carbone (diamant). Cette fois l’augmentation de la température peut
provoquer la libération d’électrons (ainsi que de ″trous″) qui peuvent participer à
la conduction électrique, ce qui provoque une baisse de la résistivité avec la
température.

II - Notion sur les semi conducteurs

Entre les métaux et les isolants se trouvent les semi-conducteurs (SC) dont
la résistivité varie de 10-3 à 105 Ωcm (ou plus). Un semi conducteur est constitué
par un réseau cristallin de matériau très pur (soit des éléments de la colonne 4 du
tableau périodique, soit des combinaisons de matériaux des colonnes 3 et 5). Les
atomes sont liés entre eux par des liaisons covalentes. Pour arracher des
électrons à des atomes, il faut fournir une énergie de l’ordre de 1eV (0,1eV pour
les conducteurs et 5eV pour les isolants).
La conduction électrique se fait par les électrons et les trous, ou de façon
préférentielle par l’un ou l’autre type de porteurs. Leur résistivité obéit la loi:
E
(- )
ρ  ρoe KT
. Si la température augmente, la résistivité diminue, donc en
chauffant un SC il devient conducteur.
En électronique, les trois principaux semi-conducteurs les plus utilisés sont
:
 le silicium (Si): c'est le plus utilisé pour la fabrication des composants
électroniques.
 le germanium (Ge) : il est d’utilisation plus limitée (trop sensible en
température, courants de fuite importants)
 l'arséniure de gallium (AsGa) : il est très utilisé dans la fabrication de
composants optoélectroniques, il permet aussi de fabriquer des composants

Filière SMP/S4 34
 Electronique de base

plus rapides que ceux en silicium. Ces applications sont cependant

relativement faibles.
Un semi-conducteur peut être soit pur auquel cas il est dit ″intrinsèque″, soit
dopé par des impuretés auquel cas il est dit ″extrinsèque″.
II – 1 - Semi conducteur intrinsèque
Un SC est dit intrinsèque lorsqu’il est parfaitement pur (n’est pas pollué par
des impuretés). A T = 0°K, tous les électrons sont fixés dans leurs liaisons de
covalence. Donc sous l’action d’un champ électrique extérieur E, ces électrons
ne peuvent pas se déplacer  I = 0 ρ = ∞ le SC est isolant. A T > 0°K,
l’agitation thermique conduit à une rupture de liaison covalente entre deux
atomes. Cette rupture libère un électron qui laisse à sa place un vide appelé trou
de charge positive et l’atome du SC n’est plus neutre, il devient ion positif. Un
électron qui arrive à proximité de cet ion sera capté par celui-ci et l’atome
redeviendra neutre: c’est le phénomène de recombinaison. On peut parler donc
du déplacement d’e- de charges – e et de trous (en sens inverse) de charges +e.

SC

E
I
+E-

Les e- sont des porteurs de charges négatives

Les trous sont des porteurs de charges positives
On définit la concentration en porteurs par le nombre de porteurs par unité
de volume. Pour un semi conducteur intrinsèque la concentration (pi) en
porteurs positifs est égale à la concentration (ni) en porteurs négatifs (il y a
autant de trous que d’e-)
La conductivité des semi conducteurs peut être augmentée par l’addition
d’impuretés. Ce procédé est appelé dopage. Dans ce cas le semi conducteur est
dit extrinsèque.

Dopage ≡ Introduction de charges libres.

II – 2 - Semi conducteur extrinsèque : dopage

L’introduction de certaines impuretés dans un matériau semi-conducteur
permet d’y modifier le nombre de porteurs libres, de choisir le type de
conduction (par électrons ou par trous) et de contrôler la conductivité. Si on
prend, par exemple, du Silicium assez pur et qu’on lui ajoute un atome de Bore

Filière SMP/S4 35
 Electronique de base

ou de Phosphore pour 105 atomes de Silicium, sa résistivité passe de 103 à

environ 10-2 Ωcm.

 Semi conducteur extrinsèque type N

Le silicium possède 4e- libre sur la couche externe, on peut introduire des
impuretés de la 5ème colonne (5e- libre) comme le phosphore (Ph) par
exemple. 4e- du Ph seront liés aux 4e- du Si et 1e- sera libre. L’agitation
thermique permet donc la libération d’un e- par atome de Ph. On augmente
ainsi la concentration en e-. On obtient un conducteur extrinsèque de type N.

A T=0°K A T≠0°K

 Les e- sont porteurs majoritaires,

 Les trous sont porteurs minoritaires,
 Les atomes donneurs (Ph) deviennent des ions positifs qui restent
immobiles dans le réseau cristallin

Remarque
La conductivité intrinsèque subsiste toujours mais reste négligeable devant la
conductivité due aux impuretés.

 Semi conducteur extrinsèque type P

Dans ce cas on utilise les éléments de la 3ème colonne (3e- sur la couche
externe) comme le bore Br par exemple. L’agitation thermique permet de
libérer un trou par atome d’impureté. On augmente ainsi la concentration en
trou, on obtient un semi conducteur extrinsèque de type P.

Filière SMP/S4 36
 Electronique de base

A T=0°K A T≠0°K

 Les trous sont porteurs majoritaires,

 Les e- sont porteurs minoritaires.
 Les atomes accepteurs (Br) deviennent des ions négatifs qui restent
immobiles dans le réseau cristallin

III – La diode ou Jonction PN

La jonction PN est l’élément fondamental des composants électroniques (diodes,
transistors, thyristors…). La jonction PN est la zone qui sépare deux semi
conducteurs extrinsèques de types différents : type P et type N.

La diode PN est obtenue en établissant un contact parfait entre un cristal de

silicium dopé P (Si P) et un autre dopé N (Si N). Des contacts métalliques sont
déposés sur le semi-conducteur pour constituer l’anode (contact avec la région
P) et la cathode (contact avec la région N).

A K

La bague noire indique la cathode K

Filière SMP/S4 37
 Electronique de base

III – 1 - Jonction PN à l’équilibre (non polarisée)

Au voisinage de la jonction il y a une importance différence de
concentration en porteurs libres. Il se produit un phénomène de diffusion des
porteurs majoritaires : un trou diffuse de P vers N laissant derrière lui un ion
négatif ou accepteur et un électron diffuse de N vers P laissant derrière lui un
ion positif ou donneur. Ces ions sont immobiles dans le réseau cristallin. De
nombreuses recombinaisons se produisent (disparition d’e- et de trous libres de
part et d’autre de la jonction) créant ainsi une zone de déplétion (zone d’espace
ou zone de transition ou zone désertée) d’une largeur d’environ w = 1µm, où la
concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Ce déséquilibre de charges
donne naissance à un champ électrique interne Ei , dirigé de N vers P, qui
stoppera la diffusion des porteurs majoritaires de charge : il arrêtera le
déplacement des trous vers la région N et des électrons vers la région P. La
jonction est alors en équilibre. Le champ interne Ei , favorise la diffusion des
porteurs minoritaires. Loin de la jonction la neutralité électrique est assurée.

Au champ interne correspond une différence de potentiel VD = VN − VP

appelée barrière de potentiel ou tension de diffusion

Filière SMP/S4 38
 Electronique de base

x V(x)

P VN

VD x

VP
N

w
La barrière de potentiel dépend de la température, des concentrations de dopage
et du gap énergétique du matériau. Pour une diode de Silicium : VD = 0.75V.
VD 0.75
 Ei = = −6 = 75.104 V/m : champ électrique interne.
w 10

III – 2 - Diode polarisée

Lorsqu’on applique une tension continue aux bornes de la diode on dit que la
diode est polarisée
 Polarisation inverse : La polarisation inverse augmente la barrière de
potentiel, ce qui se traduit physiquement par l’élargissement de la zone
d’espace, qui s’oppose au passage des porteurs majoritaires.
Un champ E vient s’ajouter au champ interne. Le courant de diffusion (du
au porteurs majoritaires) diminue et le courant de saturation (du aux porteurs
minoritaires) devient prépondérant.
Pour polariser la diode en inverse on doit porter la zone N à un potentiel
supérieur à celui de P.

 Polarisation directe : La polarisation directe diminue la barrière de

potentiel et favorise donc le passage des porteurs majoritaires. On applique
un champ qui s’oppose au champ interne E i . Le courant de diffusion
devient prépondérant. On l’appelle courant direct, sa valeur est importante
puisqu’il est du aux porteurs majoritaires.

Filière SMP/S4 39
 Electronique de base

La diode est polarisée en direct lorsque le potentiel de la région P est

supérieur à celui de la région N.

Symbole d’une diode

III – 3 - Caractéristique courant-tension

La loi de variation du courant ID qui traverse la diode en fonction de la

tension VD aux bornes de la diode est donnée par la relation suivante:

eVD
I D  Is [exp( ) - 1]
KT

e = charge élémentaire (1,6 .10-19 C)

T= température absolue en °K
K= constante de Booltzmann (1,38.10-23
J/°K)

Filière SMP/S4 40
 Electronique de base

Polarisation directe (courant direct)

eVD eV
VD  0  exp( )  1  I D  Is exp( D )
KT KT
c’est le courant direct

Polarisation inverse

eVD
VD  0  exp( )  1  I D  - Is  Ii
KT
c’est le courant inverse

Tension seuil d’une diode (Vo)

C’est la tension au dessous de laquelle le courant qui traverse la diode est
très faible (qq A à qq mA) selon le type de la diode. C’est une caractéristique
importante de la diode. D’après le relevé de la caractéristique cette tension vaut
environ : 0,6 V pour le Si et 0,2 V pour le Ge.

III – 3 – 1 - Point de fonctionnement d’une diode

C’est le point d’intersection de la caractéristique I=f(V) de la diode,
donnée par le constructeur, et de la droite de charge du circuit à diode, fixée par
l’utilisateur.

Soit le circuit

 Droite de charge

 I D  0  VD  Val
VaL  VD 
ID   V  0  I  Val
Rp  D D
Rp


La droite de charge ne dépend pas de la caractéristique ID(VD) de la diode

On peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement Q(VDQ,
IDQ): c’est l’intersection de la caractéristique ID(VD) et de la droite de charge.

Filière SMP/S4 41
 Electronique de base

Si on utilise des appareils de mesures les valeurs VDQ, IDQ seront affichées.
De même les valeurs VDQ, IDQ peuvent être calculées en utilisant le
modèle simplifié basé sur la linéarisation de la caractéristique ID(VD).

 Résistance dynamique
La résistance de
la diode au point de
fonctionnement M est
définie par :
V  Vo V
Rd  1 
I1  I o I
(l’inverse de la
tangente à la courbe
au point M)

 Linéarisation de la caractéristique
La caractéristique de la diode n’est pas linéaire et
la modélisation des signaux à ces bornes devient
complexe. On se ramène habituellement au cas linéaire
en effectuant une linéarisation de la caractéristique.
Dans ce cas les différents morceaux de la courbe sont
assimilés à des droites :

On distingue deux zones de fonctionnement :

 V > Vo le courant est non nul et varie linéairement en fonction de la tension,
on dit que la diode est passante
 V < Vo le courant est pratiquement nul, on dit que la diode est bloquée

III – 4 - Schémas équivalents de la diode

Pour analyser un circuit électrique on doit remplacer la diode par son
schéma équivalent selon la tension à ses bornes

III – 4 – 1 - Zone de conduction V > Vo

La diode est passante et la relation entre le courant et la tension est
linéaire et de la forme V = aI + b
V
a  R d  pente dynamique et b  Vo  tension seuil
I

On remplace donc la diode par le schéma suivant :

Filière SMP/S4 42
 Electronique de base

III – 4 – 2 - Zone de blocage V < Vo

Le courant qui traverse la diode est pratiquement nul. La diode est
équivalente à une très grande résistance Ri. On prend en général une
résistance de valeur infinie (circuit ouvert)
La diode est donc remplacée par un circuit ouvert.

Cas particulier : Diode idéale ou parfaite

Dans ce cas V0 = 0, Rd = 0 et Ri = ∞
Dans la zone de conduction la diode est équivalente à un circuit fermé et
elle est équivalente à un circuit ouvert dans la zone de blocage

III – 4 – 3 - Calcul du point de fonctionnement

Problème: le schéma d’un circuit à diode dépend de l’état de la diode
Important:
Une diode est passante si le courant qui la traverse est positif ID > 0
Une diode est bloquée si la tension à ses bornes est négative VD< 0
(ou < V0)
Démarche:
a. Supposer un schéma équivalent de la diode (la plus logique)
b. Calculer le point de fonctionnement Q de la diode càd:
le courant ID si on a supposé que la diode est passante
la tension VD si on a supposé que la diode est bloquée
c. Vérifier la cohérence (hypothèse-résultat), si contradiction refaire les
calculs avec l’autre schéma de la diode
Exemple
Calculer le point de fonctionnement Q du circuit suivant:

avec : Vo=0,6V (diode au Si), Rd = 0 et Ri = ∞

Filière SMP/S4 43
 Electronique de base

Supposons que la diode est passante, on la remplace par la tension seuil et

on a le circuit suivant :


Thevenin

2,5  0,6
Id   1,85mA  0 et Vd  2,5  1025I d  0,603V
1025
Le courant est positif  hypothèse vraie la diode est donc passante.

Supposons que la diode est bloquée, on la remplace par un circuit ouvert

Vd  VTh  2,5V
La tension aux bornes de la diode est positive  hypothèse fausse donc la diode
ne se bloque pas.

IV - Applications : circuits à diode

Une des principales applications de la diode est le redressement de la
tension alternative du secteur pour réaliser des générateurs de tensions continues
destinés à alimenter des montages électroniques.
IV – 1 - Redressement simple (ou mono alternance) et filtrage

Filière SMP/S4 44
 Electronique de base

T
o Vt > Vo ( t  [0, ] ), la diode est polarisée en direct (passante)  Vr  Vt (
2
Vr  Vt  Vo )
T
o Vt < Vo ( t  [ , T] ), la diode est polarisée en inverse (bloquée)  Vr  0
2
La valeur moyenne de Vr est non nulle
Vm
Si Vt  Vm .sin( .t )  Vrmoy 

IV – 2 – Filtrage
Pour filtrer la tension redressée on ajoute un condensateur en parallèle avec la
résistance :

T
o Entre 0 et la diode est passante et la capacité se charge avec une
4
constante de temps  = RdC et on a Vc  Vr  Vt .
T
o A t  la charge de la capacité est maximale (Vcmax =Vm – Vo).
4
T
o Après t  la tension Vt décroit et lorsque (Vt – Vc) < Vo la diode se
4
bloque et la capacité se décharge à travers la résistance R avec une
constante de temps  = RC.
T
o A un instant t o  on aura (Vt – Vc) > Vo la diode se polarise en direct
2
et reconduit et la capacité se recharge à partir de la valeur correspondant à
to.
On a augmenté ainsi la valeur moyenne de la tension redressée. Pour  =
RC = ∞ la capacité ne se décharge pas et on obtient une tension continue de
valeur (Vm – Vo).

IV – 3 - Redressement double alternance (Pont de Graetz)

Filière SMP/S4 45
 Electronique de base

Permet d’augmenter la valeur moyenne et apporte une nette amélioration.

Vi > 1,2V  D1 et D4 sont passantes, D2 et D3 sont bloquées

Vi< -1,2V  D1 et D4 sont bloquées, D2 et D3 sont passantes
Quelque soit le signe de la tension du secondaire, le courant traverse RC
toujours dans le même sens
2.Vm
Si Vi  Vm .sin( .t )  Vsmoy 


IV – 4 - Filtrage

Vs

Vi

IV – 5 - Diode Zener : Claquage de la jonction

Le claquage de la jonction est le résultat de deux effets successifs :

Filière SMP/S4 46
 Electronique de base

 Si on augmente la tension inverse appliquée on augmente le champ E qui

s’oppose au passage des majoritaires. A partir d’une certaine valeur ce
champ provoque la rupture de liaisons covalentes donc une augmentation de
la concentration en porteurs minoritaires et le courant inverse augmente :
c’est l’effet Zener
 Les porteurs minoritaires libérés sont accélérés par le champ. Par collision
avec les atomes du réseau, de nouveaux porteurs sont libérés. L’effet est
cumulatif et on a un accroissement considérable du courant inverse : c’est
l’effet d’avalanche.
Ce claquage est exploité dans les diodes Zener et dépend essentiellement
du dopage en impuretés du semi conducteur.

Remarque: Pour les diodes ordinaires le claquage entraine une destruction de la

jonction.

En direct la diode Zener se comporte comme une diode ordinaire

En inverse elle permet de stabiliser la tension à une valeur bien

déterminée de valeur Vz. C’est l’application essentielle de la diode Zener.

La diode Zener est toujours polarisée en inverse

Application : Stabilisation d’une tension.

Filière SMP/S4 47
 Electronique de base

Si on désire protéger un appareil contre les surtensions, on utilise une

diode Zener.
Supposons un appareil qui ne supporte pas une tension supérieure à 10V,
pour la protéger il suffit de bancher entre ses bornes une diode Zener de tension
VZ = 10V (Schéma ci-dessous).

Si la tension U aux bornes de l’appareil est inférieure à 10V, la diode est

bloquée et le courant total traverse l’appareil.
Lorsque la tension U atteint la valeur 10V, la diode devient conductrice et
la tension U se stabilise à 10V même si on augmente la valeur de E

Filière SMP/S4 48
 Electronique de base

Chapitre IV: LE TRANSISTOR

I - Introduction
Le Transistor est l’élément “clef” de l’électronique il peut:
o amplifier un signal : amplificateur de tension, courant, puissance,...
utilisé en source de courant
o interrupteur commandé (mémoire binaire) essentiel en électronique
numérique
Il existe soit en composant discret soit en circuit intégré.
On distingue le transistor bipolaire et le transistor à effet de champ.
Ils agissent, en 1ère approximation, en tant que source de courant commandé:

II – Transistor bipolaire
II – 1 - Structure et fonctionnement
 Un transistor bipolaire est un semi-conducteur formé de deux jonctions
PN, montées en tête bêche. On dispose donc de deux types de transistors
qui sont complémentaires : un transistor NPN (courants et tensions sont
positifs) et un transistor PNP (courants et tensions sont négatifs). Leur
étude est conduite strictement de la même façon et les propriétés de l'un
valent pour l'autre :
 Un transistor est constitué de trois zones semi-conductrices différentes,
l’émetteur E, la base B et le collecteur C, qui se distinguent par la nature
du dopage.
 Les deux « jonctions PN » (ou diodes) émetteur/base et base/collecteur
se partagent la région centrale : la « base ». Le couplage entre les
jonctions est à l’origine de l’ « effet transistor »: le courant dans l’une des
diodes (généralement dans la jonction base/émetteur) détermine le courant
dans la seconde.
 Symétrie NPN/PNP: Les transistors PNP et NPN ont un comportement
analogue à condition d’inverser les polarités des tensions.

Filière SMP/S4 49
 Electronique de base

Attention: le transistor n’est pas identique à deux diodes placées en tête à

queue.

Remarque: le transistor n’est pas symétrique à cause de la différence du taux de

dopage (l’émetteur est toujours plus fortement dopé que le
collecteur).

II – 1 – 1 - Symboles et sens des courants et tensions

NPN PNP

La flèche de l’émetteur représente le sens réel de circulation du courant dans le

transistor.

 Équations Fondamentales

IE = IB+IC , VCE = VCB +VBE et VEC = VEB + VBC

II – 1 – 2 - Montages de Base
Le transistor est relié au réseau extérieur à travers ses 3 bornes (émetteur,
base et collecteur). Afin de pouvoir considérer le transistor comme un

Filière SMP/S4 50
 Electronique de base

quadripôle, il faut mettre une de ses bornes en commun entre l’entrée et la

sortie. Par conséquent, il existe trois configurations possibles :

IC IE
C E
C IC IE
E
IB IB
B VCE B VEC
VCB VEB
VBE VBC
B
E E B B C C

Emetteur commun Base commune Collecteur commun

II – 1 – 3 - Régimes (ou modes) de fonctionnement

Chacune des jonctions JEB et JBC peut être polarisée de 2 façon (direct –
inverse). Selon la polarisation des jonctions JEB et JBC on a 4 régimes
 Mode (ou régime) Actif: JEB en directe; JBC en inverse. Pour un NPN:
VBE ≥ 0,7V, VCB ≥-0,5V. Ce mode est très utilisé en amplification
 Mode (ou régime) Saturé: JEB en direct; JBC en directe
 Mode (ou régime) Bloqué: JEB en inverse; JBC en inverse. Ces deux
régimes sont utilisés en commutation
 Mode (ou régime) inverse: JEB en inverse; JBC en direct. Ce régime n’est
jamais utilisé

Le transistor permet donc de remplir deux tâches différentes :

- L’amplification (régime linéaire) : il permet de commander un courant de
forte amplitude (iC) par un courant de faible amplitude (iB).
- Commutation (interrupteur électronique) : le transistor est soit saturé
(interrupteur fermé) soit bloqué (interrupteur ouvert) selon la valeur de iB.
II – 1 – 4 - Principe de fonctionnement
Effet transistor
Soit un transistor NPN en mode actif (la jonction base-émetteur est
polarisée en direct et la jonction base-collecteur est polarisée en inverse) comme
le montre la figure suivante :

Filière SMP/S4 51
 Electronique de base

Si la tension VBE est suffisante (VBE > VD ) alors la jonction BE est passante et on
favorise le passage des majoritaires à travers la jonction. Il y adonc injection
des électrons de l’émetteur vers la base et des trous de la base vers l’émetteur.
Or la base est par construction peu dopée et de très faible épaisseur
(quelque µm), en plus, il règne un champ électrique intense entre la base et le
collecteur (jonction BC polarisée en inverse). En conséquence, nombreux
électrons injectés dans la base par l’émetteur ne s’y recombinent pas avec les
trous et se retrouvent happés par le collecteur (i.e. la majorité des électrons
injectés par l’émetteur E dans la base B arrivent au collecteur).

Vu la très faible fraction d’électrons recombinés dans la base, on a : IB << IE et

IE ≈ IC.
Soit α la fraction (pourcentage) des électrons arrivant au collecter alors : IC = α
IE
I
  C : gain en courant continu du montage en BC. C’est une caractéristique
IE
du transistor. Ordre de grandeur : 0,95< α < 0,999
On définit une autre caractéristique du transistor :
I 
  C : gain en courant continu du montage en EC. (   , 20 <  <
IB 1- 
1000)
A coté du courant des majoritaires existe un courant beaucoup plus faible de
minoritaires ICB0 qui est fonction de la température (c’est le courant inverse de
saturation de la jonction JBC) :

IC = α IE + ICB0
Si l’on modifie la tension VBC (dans une certaine limite), le champ
électrique est toujours suffisant pour propulser tous les électrons de l’émetteur

Filière SMP/S4 52
 Electronique de base

vers le collecteur. Le courant du collecteur ne dépend pas donc de la tension V BC

mais uniquement de VBE.

IC = α IE et IB = IE - IC = (1- α ) IE << IE

Ordres de grandeurs: IC ≈ IE qq mA à qq 10mA et IB qq 10µA à qq 100µA

II – 2 - Caractéristiques statiques du transistor

L’état du transistor est déterminé par les différentes grandeurs électriques
(IE, IB, IC, VBE, VCB, VCE), lesquelles sont liées par la loi de conservation du
courant (IE = IB+IC) et du potentiel électrique (VCB+VBE = VCE).
Les caractéristiques électriques du transistor sont décrites sous formes de
courbes qui précisent l’interdépendance entre les différentes grandeurs, imposé
par le transistor. Plusieurs représentations sont possibles.

 Montage BC (peu utilisé)

 Caractéristique d’entrée I E  f (VEB ) VCB cst
 Caractéristique de sortie IC  f (VCB ) I B  cst
 Montage EC (très utilisé)
 Caractéristique d’entrée I B  f (VBE ) VCE cst
 Caractéristique de sortie IC  f (VCE ) IB  cst
 Montage CC (parfois utilisé)
 Caractéristique d’entrée I B  f (VBC ) VEC cst
 Caractéristique de sortie I E  f (VEC ) IB  cst
II – 2 – 1 - Circuit de mesure des caractéristiques statiques.
Nous allons utiliser un transistor NPN monté en EC

Filière SMP/S4 53
 Electronique de base

II – 2 – 2 - Caractéristiques principales

Entrée I B  f (VBE )VCE  cte , sortie IC  f (VCE )IB  cte

 Caractéristique d’Entrée: I B  f (VBE )VCE  cte

Effet Early: Si VCE=VCB+VBE augmente, (VBE=cte), VCB polarise B-C

en inverse augmente  la zone désertée augmente  la largeur
effective W de la base B diminue
Conséquence: α augmente et IB diminue  modulation de W connue
sous le nom: Effet Early, la caractéristique I B  f (VBE )VCE cte est
légèrement influencé par VCE. L’effet de VCE sur la caractéristique
d’entrée est négligeable.

Conséquence : I B  f (VBE )VCE cte est équivalente à la caractéristique d’une

diode

 Caractéristiques de sortie: IC  f (VCE )IB  cte

On a plusieurs courbes appelé réseau de caractéristiques
De ces caractéristiques on peut déduire les caractéristiques de transfert :
I C  f (I B )VCE cte et VBE  f (VCE )IB cte

Filière SMP/S4 54
 Electronique de base

II – 3 - Polarisation d’un Transistor

Polariser un transistor, c'est placer les composants nécessaires pour fixer le
point de fonctionnement P définit par les courants et les tensions entrée-sortie.
Pour un transistor monté en émetteur commun P est définit par (IB0, VBE0, IC0,
VCE0).
On peut déterminer le point de fonctionnement (point de repos)
graphiquement, pour cela on utilise les caractéristiques imposées par la structure
du transistor et les droites de charge entrée-sortie fixées par l’utilisateur.

II – 3 – 1 - Point de fonctionnement
Nous allons déterminer IB0, IC0, VBE0, VCE0 dans le montage suivant. Le
choix des RC, RB, VCC et VB détermine le mode de fonctionnement du transistor.
RC

RB C
B VCC
VBB E

Filière SMP/S4 55
 Electronique de base

Circuit d’entrée  droite d’attaque IB = g(VBE) :

V  VBE
VBB  R B I B  VBE  I B  BB
RB
Circuit de sortie  droite de charge IC = g(VCE) :
V  VCE
VCC  R C I C  VCE  I C  CC
RC
Le point de fonctionnement est l’intersection de ces droites avec les
caractéristiques du transistor

II – 3 – 2 - Zones de fonctionnement
On distingue 2 régimes de fonctionnement directement fixés par le
réglage du point de polarisation :

Filière SMP/S4 56
 Electronique de base

 Fonctionnement en mode actif (ou linéaire) utilisé en Amplification : JBE

passante, JBC bloquée.
P est choisi dans la partie linéaire de la caractéristique 𝐼𝐶 = 𝑓 𝑉𝐶𝐸 . Un signal
placé à l'entrée du transistor va se retrouver à la sortie avec une amplitude
plus grande mais en conservant sa forme. Si le signal est déformé, on dit qu'il
y a distorsion.
VBE  0.7V et VCB >~ - 0.5 V; VCE = VCB +VBE > - 0.5 + 0.7 ~ 0.2 V

I C  I E  (I C  I B )  I C  I B  I B
1 
En mode actif VBE0  0.6-0.7V, avec VB > 0.7V (le transistor est soit actif
ou saturé), pour choisir le régime actif il faut :
VCC  VCEsat VCC
VCEsat  VCE0  VCC et I CBO  I C0  
R R
c c
 Fonctionnement en commutation utilisé en électronique numérique:
 Fonctionnement en Saturation: JBE et JBC passantes
Le courant IC est pratiquement indépendant de IB, le transistor saturé se
comporte comme un interrupteur fermé entre collecteur et émetteur.
IC
Condition de saturation : on s’arrange pour avoir IB >
β
. Généralement,
on prend IB ≃ 10 ICβ0 .
Conséquence : VCE ≃ 0.
IC C C

IB
B IC=IE

IE E
E

.
 Fonctionnement en Blocage: JBE et JBC bloquées
P est choisi sur l’axe VCE. Un transistor bloqué correspond à un
interrupteur ouvert.
Condition de blocage : les deux jonctions sont polarisées en inverse
(IB ≃ 0).
Conséquence: I C ≃ 0.

IC C C
IB IC=0
B

IE E E

Filière SMP/S4 57
 Electronique de base

Schémas Equivalents du transistor en Statique

Mode actif
Mode saturé
Mode bloqué

Remarque : On peut calculer le point de Fonctionnement

Sur le circuit précédent on prend : RB = 30 K, RC = 3 K, VCC = 10 V, VB = 1

V et =100
V  VBE
I B0  BB  10A  IC0  βI B0  1mA  VCE0  VCC  R C IC  7V
RB

On a bien : ~ 0,2 <VCE0 < VCC cohérent avec le mode actif du

transistor

Si on remplace RB par 3kΩ  I B0  100 A  I C0  10mA  VCE0  20V

Ce résultat est incompatible avec le mode actif. Car IB0 augmente  P atteint la
limite de la zone du mode actif VCE0  0,3V et I C0  3,2mA
Le transistor est saturé et la relation IC = IB n’est plus valable

II – 4 - Circuits de polarisation
Le but de la Polarisation est de fixer le point de repos statique du
transistor. Le choix dépend de l’application désirée. Ce point doit appartenir au
domaine de fonctionnement du transistor (IC < Imax, VCE <Vmax,..)

Caractéristiques du circuit de polarisation:

 sensibilité due à la dispersion de fabrication (incertitude sur β )
 stabilité thermique (coef de température T° des différents paramètres :VBE,
β,…).
 Les courants inverses augmentent avec T, ils doublent tous les 10°C,
alors IC = βIB+ICB0 augmente
 VEB diminue avec T°
 Réciproquement : si VEB est maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente
avec T donc risque d’emballement thermique
T  I C   Puissance dissipée   T  

Filière SMP/S4 58
 Electronique de base

II – 4 – 1 - Polarisation par une résistance sur la base

Le montage de polarisation le plus simple est donné par la figure suivante :
+VCC

RC
RB
C
B
E VCE
VBE

 le courant IC0 est choisi suivant l’application et variera entre une dizaine de
µA (application très faible bruit) et une dizaine de mA (meilleurs performances
en HF)
 VCE0 est souvent choisie égale à : 𝑉𝐶𝐸0 = 𝑉𝐶𝐶 /2, pour garantir une excursion
maximale du signal amplifié
 la résistance RC est alors déduite à partir de la relation :
V  VCE0
VCC  R C I C0  VCE 0  R C  CC
I C0
 Le courant IB0 est alors imposé par le gain en courant du transistor :
I
I B0  C0

 La résistance RB est alors déterminée à partir de la relation avec 𝑉𝐵𝐸0 = 0.7𝑉 :
V  VBE0
R B  CC
I B0
Inconvénient : pour un transistor au silicium, β passe de 55 à 25°C à 100 à
175°C. La tension VBE diminue d'environ 2,2 mV par °C. Ainsi, si β varie
(changement de transistor ou variation due à la température), le courant I C0
varie fortement (𝐼𝐶0 = 𝛽𝐼𝐵0 ), ce qui déplace le point de fonctionnement et on
peut se retrouver dans la zone de saturation ou blocage du transistor et la
fonction amplification n’est plus assurée. On a recours alors au montage de
polarisation par pont de base.

Filière SMP/S4 59
 Electronique de base

Conséquence: β  IC  VCE  Le point de repos dépend fortement de

β  Circuit de polarisation peu utilisé

II – 4 – 2 - Polarisation par pont sur la base

« polarisation à courant (émetteur) constant »
C’est le montage de polarisation le plus couramment utilisé. Il fixe le
courant émetteur IE et c’est IB qui dépend de .
Dans ce montage, la base est polarisée à l’aide du pont (R B1, RB2), dont le
rôle est de fixer la valeur de VBE0, et comme cette tension est voisine de 0.7V, on
est obligé de mettre la résistance RE.

R th  R1 // R 2

R2
Vth  VCC
R1  R 2

Vth  VBE
IC  I E  , VBE ~ 0.7V et VCE  VCC  R C  R E I C
R E  R th / 
R th V  VBE
Peu sensible à β si  R E  I C  th
 RE
Bonne stabilité thermique de IC à condition que Vth >>VBE0

Règles pour la conception du montage :

R th
•  0,1 min ou encore R 2  0,1 min R E  I R 2  10I B
RE
• VE ~VCC/3

Avantages: si IC augmente avec la température  𝐼𝐸 ≃ 𝐼𝐶 augmente  VRE

augmente  VBE diminue car ( VRB2  VBE  VE  cte)  IB diminue  IC
diminue  Le montage s’auto-stabilise.

La résistance RE est un stabilisateur de température

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 Electronique de base

II – 4 – 3 - Polarisation par réaction de collecteur

Le point de fonctionnement reste sensible à β

V  0.7
 I C  CC
R
RC  B

Propriété intéressante du montage : le transistor ne
peut rentrer en saturation puisque VCE ne peut être
inférieur à 0.7V
V  0.7
Cas particulier : RB = 0  I C  CC ,
RC
VCE  0.7V
Le transistor se comporte comme une diode.

Transistor source de courant :

V  0.7V
 I  BB =cste “quelque soit” RC tant
RE
que le transistor est en mode actif.
Domaine de fonctionnement :

VBB  0.7V et
 0  VCE  VCC  R C  R E I C  VCC
V
Condition R Cmax  cc  R E
I
Pour RC supérieure à RCmax le transistor est saturé
Pas de limite inférieure R Cmin  0

III - Transistors à Effet de Champ ou FET (field effect transistor)

III – 1 - Structure
Un transistor à effet de champ à jonction (JFET) est constitué d'un
barreau semi-conducteur uniformément dopé constituant le canal (type N ou P)
dans lequel on a diffusé deux zones (P ou N) de chaque côté.

Principe : Contrôler à l’aide d’une tension (champ électrique) la forme et donc

la conductivité d’un canal dans le matériau semi-conducteur.
Le transistor est composé :

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 Electronique de base

 une électrode qui injecte les porteurs dans la structure : la source S.

 une électrode qui recueille les porteurs : le drain D.
 une électrode où est appliquée la tension de commande : la grille (Gate).

Il existe 2 types : le JFET à canal N et le JFET à Canal P

o Les porteurs circulent de la source (S) vers le drain (D)
o Le courant ID est supposé circulant du Drain vers la Source à travers le
“canal” (ID = IDS)
o La Jonction PN est toujours polarisée en inverse (la jonction Grille-
Canal)
o Le courant IG de la grille est toujours ≈ 0 (Courant inverse)
o Canal N: les porteurs sont des e- qui circulent de S → D
=> sens réel du courant de D → S => IDS> 0
o Canal P: les porteurs sont des e+ qui circulent de S → D
=> sens réel du courant de S → D => IDS < 0
o La zone désertée (Z.D) s’étale dans le Canal => modification de la
section conductrice.
o Si |VGS| ou | VDS| croit la Z.D croit et la section conductrice du canal
décroît

JFET Type N

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 Electronique de base

Symboles et sens des courants et tensions

Canal N Canal P

Remarque: le sens de la flèche sur G indique le sens réel (sens >0) du courant
inverse de la diode, polarisée en inverse.

III – 2 - Fonctionnement pour un transistor canal N

 VDS faible

 La conductance maximale du canal est obtenue pour VGS = 0. Lorsque la

tension VGS devient négative, la zone désertée augmente du coté barreau
donc la conductance G du canal diminue. G est modulé par VGS selon la loi:
  V  12 
1  
G   G 0 1   GS  
R   VP  
 
 Lorsque VGS = Vp = VGSoff , les deux zones désertées se rejoignent et le canal
est fermée. La conductance tend alors vers 0 (impédance infinie).

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 Electronique de base

 VDS > 0

Figure 1 Figure 2 Figure 3

 Pour VDS > 0, le potentiel du drain est supérieur au potentiel de la source. La

tension inverse grille-canal sera donc plus importante du coté du drain. La
zone désertée s’élargit donc du coté drain du transistor (figure1).
 Lorsque VDS augmente, il y a pincement du canal pour VDS = VP (figure 2)
 VDS augmente encore, le canal se rétrécit et le courant est limité (figure 3)

III – 3 - Réseau de caractéristiques

III – 3 – 1 - Circuit de mesures des caractéristiques

III – 3 – 2 - Caractéristiques de sortie :

I D  f (VDS ) VGS  cte

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 Electronique de base

ID C D
A B VGS=0
IDSS
VGS=-1,5

VGS=-3

VGS=-6 VDS
Résis Coude Saturation Avalanche

VP’ VDSmax

Lorsque VDS augmente, ID croit linéairement (zone A) puis atteint la zone

du coude due au début du pincement du canal (zone B) et atteint finalement une
valeur de saturation (zone C). Si VDS dépasse VDSmax le semi-conducteur est
détruit par effet d'avalanche (zone D).

 VGS = 0 , ID est maximal : IDSS

 zone A : zone ohmique, le FET se comporte comme une
résistance
 Zone B : apparition du pincement
 zone C : zone de saturation, le FET se comporte comme une
source de courant commandée en tension (VDS > VP’)
 zone D : zone d'avalanche

III – 3 – 3 - Caractéristiques de transfert : I D  f (VGS )

 La caractéristique est parabolique et on
peut écrire en première approximation :
2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 VP 
 VGSoff = Vp: tension de blocage (ID = 0, ∀
VDS)
 Grandeurs fondamentales: IDSS , VP
 On définit la pente ou facteur
d’amplification:
dI  I  V 
gm  D   2 DSS 1  GS 
dVGS  V cst VP  VP 
DS

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 V  I DSS
g m  g mo 1  GS  avec g mo  2
 VP  VP

Remarque: Les transistors à effet de champ souffrent d’une dispersion

importante de fabrication. Il en résulte une incertitude sur les
paramètres IDSS et VGSoff.
III – 4 - Circuits de polarisation

III – 4 – 1 - Polarisation automatique

La polarisation « automatique » permet de fixer automatiquement la

tension VGS par l’intermédiaire de la résistance RS (IG = 0 VG = 0 
VGS = RS ID) Noter que la résistance RG est nécessaire pour relier la grille à la
masse. Sa valeur va déterminer l’impédance d’entrée des amplificateurs.

III – 4 – 2 - Point de fonctionnement

Equation de la droite d’attaque : R SIS  VGS  R G I G  0  R SIS  VGS
1
 ID   VGS
RS
V  VDS
Equation de la droite de charge: R SI D  VDS  R D I D  VDD I D  DD
R D  RS
Ces deux droites permettent de déterminer le point de fonctionnement :
2
 V  1
I D  I DSS 1  GS  et I D   VGS  IDQ et VGSQ  VDSQ
 VP  RS

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VDD  VDS
ID 
R D  RS

1
ID   VGS
RS

III – 4 – 3 - Polarisation par la grille

On applique une tension de grille constante: VGG

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 Electronique de base

Compte tenu de la dispersion des caractéristiques pour des transistors de

mêmes références, la polarisation par la grille est la plus mauvaise méthode pour
polariser le transistor dans la zone linéaire car le point Q est trop instable.
III – 4 – 4 - Polarisation par diviseur de tension

R2
Le pont diviseur fournit une tension : VG  VDD
R 2  R1
On en déduit la tension VS=VG-VGS et le courant
V  VGS
ID  G avec VGS  0
RS

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