Intitulé de module : Electronique analogique et

numérique.
Filière : Génie des télécommunications

Compte rendu de TP Diodes et transistors

Bipolaires Application.

Réalisé par :
BIDA ALEX SAMUEL Kilopa
MAKROUM Zakaria

OUASSARNI Dounya
RAGOUBY Mouad

Année Universitaire : 2023/2024

Table des matières
INTRODUCTION .......................................................................................................................................................... 3

BUT DU TP.................................................................................................................................................................... 3

MATERIEL .................................................................................................................................................................... 3

REDRESSEMENT MONO-ALTERNANCE ........................................................................................................................ 3

PARTIE EXPERIMENTAL ............................................................................................................................................... 4

Montage de redressement mono-alternance ........................................................................................................... 5

Montage de redressement mono-alternance ........................................................................................................... 5

REGULATION PAR DIODE ZENER ................................................................................................................................ 6

CONCLUSION .............................................................................................................................................................. 8

Transistors ................................................................................................................................................................... 8

Etude statique : ........................................................................................................................................................... 9

Etude en régime dynamique ..................................................................................................................................... 10

Après nous appliquez une tension EG sinusoïdale d’amplitude E=200mV crête-crête de fréquence f=10kHz......... 11

................................................................................................................................................................................... 11

Conclusion : ............................................................................................................................................................... 11

Figure 1 : Diodes ........................................................................................................................................................... 3

Figure 3 : Diode Zener ................................................................................................................................................ 6
Figure 4 : Montage diode Zener .................................................................................................................................... 7
Figure 5 : transistors ...................................................................................................................................................... 8
Figure 6 : Montage statique ........................................................................................................................................... 9
Figure 7 : Montage dynamique ................................................................................................................................... 10
Figure 8 : Montage dynamique avec proteus .............................................................................................................. 11

Tableau 1 : ID en fonction de VD ................................................................................................................................... 4

Tableau 2 : Montage de diode zener ............................................................................................................................ 7
 INTRODUCTION
La diode est un élément actif comportant deux Électrodes désignées généralement par
Anode et cathode. La Diode PN résulte de la jonction de deux Éléments semi-
conducteurs généralement en silicium.

Figure 1 : Diodes

BUT DU TP
– Modélisation de la diode,
– Applications courantes en électronique de la diode,
– Modélisation de la diode Zener,
– Application de la diode Zener à la régulation de tension.

MATERIEL
Afin de réaliser ce TP, on était besoin de :

- Générateur de tension (GBF)

- Oscilloscope
- Résistance
- Diode 1N4004
- Diode Zener
- Condensateur

REDRESSEMENT MONO-ALTERNANCE
PARTIE THEORIQUE
 La tension 𝑣𝑖 est sinusoïdale : 𝑣𝑖 = 𝑉𝑚𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡) de fréquence 𝑓 = 𝜔/2𝜋=1/ 𝑇. Avec 𝑇 est la période
du signal. Si le courant 𝑖 > 0 ; la diode idéale est un court-circuit. La loi des mailles s’écrit :
𝑣𝑖 - 𝑉𝐷0= 𝑣𝑐 = 𝑅. 𝑖 > Donc, si : 𝑣𝑖 > 𝑉𝐷0, 𝑣𝑐 = 𝑣𝑂 = 𝑣𝑖 - 𝑉𝐷0 ;
Si 𝑣𝐴𝐾 = (𝑣𝐴 - 𝑣𝐾) < 0, la diode idéale est un circuit ouvert, 𝑣𝐴 = 𝑉𝑖 ; 𝑣𝐾 = 𝑉𝐷0 ; 𝑣𝑐 = 𝑣𝑂 = 0. Donc,
si : 𝑣𝑖 < 𝑉𝐷0 ; 𝑣𝑂 = 0.

PARTIE EXPERIMENTAL

Dans cette manipulation on cherche ID en fonction de VD .

Ve (V) 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2

ID (μA) 6,98 81,2 227,9 398,95 579,63 765,27
VD (mV) 193 318,8 372,1 401,1 420,4 434,7
Tableau 1 : ID en fonction de VD
Après avoir ces résultat on peut maintenant dessiner ID(VD) .

1000
ID(VD)
800
600
ID

400
200
0
193 318.8 372.1 401.1 420.4 434.7
VD
 Montage de redressement mono-alternance Montage de redressement mono-alternance
VR avec Equipment VR avec avec Proteus

-Afin d’obtenir une tension de VRmoy de 5V on fixe VE sur la valeur 5,75 V (Avec C= 100µF ;
R=15KΩ) puis on varie la résistance R de 500Ω à 15KΩ et on obtient la caractéristique VRmoy en
fonction de R suivante
 5,05

4,95

4,9

4,85

4,8

4,75

4,7

4,65
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000 16000
R

REGULATION PAR DIODE ZENER

PARTIE THEORIQUE

Figure 2 : Diode Zener

On suppose que la résistance R déconnectée et que la résistance RZ de la diode Zener est
négligée (RZ = 0),
• Si u > Uz alors us = Uz
• Si u < Uz alors us = u
Il faut donc que u > UZ pour que la tension de sortie soit constante (stabilisée).

PARTIE EXPERIMENTAL

On réalise le circuit de la figure 2 avec la diode Zener 5V1, la diode 1N4004, C=100 µF,
Rp=220Ω.
On Régle la valeur de R (résistance variable) à 15 kΩ. En modifiant l’amplitude de la tension
sinusoïdale VE et on régle VRmoy à une tension proche de VZ (environ 5 V) par valeur
 supérieure tout en veillant à ne pas dépasser un courant de 45mA dans la diode Zener.

Figure 3 : Montage diode Zener

Ve (V) 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8

Vd 202,16 202,26 397,69 601,79 797 ,2 1009,5 1196,7 1402,2 1596,7 1801,4

(mV)
Id 0,01 0,01 0,0 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0

(μA) 1

Tableau 2 : Montage de diode zener

 CONCLUSION
La réalisation de ce TP décrit les caractéristiques de la diode au silicium, et celui d'une diode
Zener, lors du redressement ou de stabilisation du circuit en fait variant la capacite C du
Condensateur pour qu’on puisse remarquer comment on peut aller d’un courant AC vers DC.

Transistors
Introduction
Un transistor est un composant électronique utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électriques.
Il fait partie intégrante des circuits électroniques modernes et est essentiel dans de nombreuses
applications, y compris les dispositifs électroniques tels que les ordinateurs, les téléphones portables, les
radios, les téléviseurs et bien d'autres.

Un transistor bipolaire, également connu sous l'acronyme BJT (Bipolar Junction Transistor), est un type
de transistor qui utilise deux types de porteurs de charge, des électrons (chargés négativement) et des trous
(déficits d'électrons, chargés positivement), pour contrôler le courant entre ses couches. Il se compose de
trois couches de matériau semi-conducteur : la couche de base (B), la couche émettrice (E) et la couche
collectrice (C).

Figure 4 : transistors

L’objectif de ce TP :
L’objectif de ce TP est donc de réaliser l’étude en régime statique et dynamique.
 Principe de fonctionnement :
Dans ce TP on va s’intéresser au transistor bipolaire NPN monté en émetteur commun
et fonctionnant en mode d’amplification.

Régime de fonctionnements :
Le transistor bipolaire peut fonctionner en deux régimes différents :
- Le régime linéaire (mode amplification) : dans ce mode, le transistor permet
de laisser plus ou moins passer le courant.
- Le régime de saturation (mode de commutation) : dans ce cas, le transistor
possède 2 états : soit bloqué, soit saturé (ou passant). A l'état bloqué le
courant ne parcoure plus le composant.

Le montage ci-dessus est un amplificateur avec un transistor bipolaire monté avec un

pont de base.

Etude statique :
Schéma statique :

Figure 5 : Montage statique

On mesurera les valeurs des tensions VBE, VCE. Et pour cela à chaque fois on
branchera un multimètre position voltmètre aux bornes des deux points
qu’on désire mesurer.
 La tension VB :
Tension VB = 2,62 V

Le courant IB :
Courant IB = 22 μA

La tension VBE :
On lie le voltmètre entre la base(B) et l’émetteur(E) :
VBE = 0,637 V

Le courant IC :
On lie le fil noir du multimètre avec la base du transistor et le fil rouge avec la
masse.
Courant IC = 5,9 mA

Le gain en courant :
D’après la relation du gain qui est :
G= IC / IB = 268,18

La tension VCE :
On lie le voltmètre entre le collecteur(C) et l’émetteur(E) :
VCE = 7,15 V

La tension VRE :
Avec CE : VRE = 1,94 V
Sans CE : VRE = 1,94 V
Remarque : En mode statique, le condensateur agit comme un interrupteur, donc la
tension restera constante même en court circuitant CE.

Etude en régime dynamique

Figure 6 : Montage dynamique

 Après nous appliquez une tension EG sinusoïdale d’amplitude E=200mV crête-crête de fréquence
f=10kHz.
On fera l’étude dynamique à l’aide du logiciel ISIS PROTEUS.

Figure 7 : Montage dynamique avec proteus

Conclusion :
En résumé, les transistors bipolaires sont comme des interrupteurs intelligents qui peuvent amplifier des
signaux électriques. Ils sont essentiels dans beaucoup de choses, comme les téléphones, les
amplificateurs, et les radios. Même si de nouveaux types de transistors existent, les bipolaires restent
importants, surtout quand on a besoin d'une bonne amplification ou de fiabilité. En gros, ce sont des
héros discrets de l'électronique qui font beaucoup de travail dans l'ombre.
En conclusion, ce TP sur les diodes et les transistors nous a permis de mieux comprendre le fonctionnement
de ces composants électroniques fondamentaux. Nous avons observé comment les diodes permettent le
passage du courant dans un seul sens, offrant ainsi une régulation efficace du flux électrique. De plus,
en explorant les différentes applications des diodes, nous avons pu constater leur utilité dans des
domaines variés tels que la rectification du courant alternatif et la protection contre les surtensions.

En ce qui concerne les transistors, nous avons étudié leur capacité à amplifier le signal électrique et à agir
comme des interrupteurs contrôlés. La compréhension des différentes configurations de transistors,
notamment les transistors bipolaires et les transistors à effet de champ, nous a permis d'appréhender la
diversité des applications possibles, de l'amplification du signal à la conception de circuits logiques.

Il est important de noter que la manipulation pratique des composants électroniques a renforcé notre
compréhension théorique, en mettant en évidence des aspects tels que la polarisation des diodes et des
transistors, ainsi que l'importance des caractéristiques spécifiques dans la conception de circuits
électroniques.