COMPTE RENDU TP

ELECTRONIQUE
ANALOGIQUE

Encadrée par : M.
CHARADI

Réaliser par : Aya BERDAY

Année Universitaire 2023/2024
2AP/17
 TP1 : Caractéristiques des
diodes
I-Introduction :
La diode est un semi-conducteur à jonction PN de base. Ses
deux bornes sont repérées comme suit : Anode (A) et Cathode
(K). Son fonctionnement est assimilable à celui d’un
interrupteur qui ne laisse passer le courant que dans un seul
sens.
La diode fait partie des composants indispensables de
l’électronique.
La diode utilisée pratiquement est de la forme suivante :

II-Objectifs :
L'objectif de ce TP est d'étudier théoriquement la
caractéristique d'une diode 1N4007 en validant la loi de la
caractéristique Id=f(Vd). De plus, nous avons cherché à
 déterminer la tension de seuil (Vs) et la résistance dynamique
(Rd) de la diode.
III-Manipulations :
Caractérisation d’une diode :
Dans un montage avec une
Resistance de 1K ohm et une
diode 1N4007 et un
générateur quand va régler
par la suite, on pourra
déterminer la caractéristique
Id=F(Vd). Tous d’abord on branchera un Voltmètre :
-Polarisation DIRECTE :

E(V) - - -5 -1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2
15 10
Vd(V) 0 0.2 0.4 0.52 0.53 0.5 0.6 0.61 0.61 0.62 0.63
8
Id(mA)
- Polarisation INVERSE :
E(V) - - - -1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2
15 10 5
Vd(V) - - - - 0 0.2 0.4 0.52 0.53 0.58 0.6 0.61 0.61 0.62 0.63
15 10 5 0.58
Id(mA)
Maintenant on branchera un Ampèremètre :
Polarisation DIRECTE :

E(V) - - - -1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2
15 10 5
Vd(V) - - - - 0 0.2 0.4 0.52 0.53 0.58 0.6 0.61 0.61 0.62 0.63
15 10 5 0.58
Id(mA) 0 0 0 0.08 0.24 0.42 0.6 0.79 0.99 1.18 1.37

- Polarisation INVERSE :
E(V) - - - -1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2
15 10 5
Vd(V) - - - - 0 0.2 0.4 0.52 0.53 0.58 0.6 0.61 0.61 0.62 0.63
15 10 5 0.58
Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0.08 0.24 0.42 0.6 0.79 0.99 1.18 1.37
Pas de passage de courant !

Traçage de la courbe de la caractéristique :

a) Détermination de la tension seuil V0 de la diode :

Pour déterminer la tension seuil V0 de la diode 1N4007,
nous traçons la tangente de la courbe dans la région de la
caractéristique directe, comme le montre la Figure suivante :
 À partir de la Figure, le point d’intersection de la tangente
avec l’axe des X donne la valeur de la tension de seuil de la
diode. Ainsi V0 = 0.64V.
b) Détermination de la résistance dynamique Rd de la diode :
Si on considère que la courbe de la caractéristique directe
est quasiment linéaire à partir de la tension de seuil, la
résistance dynamique de la diode est donnée par la relation

suivante :
c) Le schéma équivalent de la diode :
En polarisation direct, la diode 1N4007 est équivalente à une
source de tension V0 "!0.64V!en!série avec une résistance
Rd =!6.7 , comme le montre la Figure suivante :
III-Conclusion :
Une diode permet le passage du courant électrique dans le
sens direct si et seulement si la tension appliquée à ses
bornes (VAK) est supérieure à la!tension!de!seuil!qui!est!de!
l’ordre!de!0.6V pour les diodes en silicium comme le cas de la
diode 1N4007 étudié par simulation, et de!l’ordre!de!0.4V!
pour!les!diodes!en!germanium. En sens inverse, la diode ne
permet pas le passage du courant, car elle se comporte comme
un interrupteur ouvert ou bien une résistance infinie.