REPUBLIQUE DU CAMEROUN REPUBLIC OF CAMEROON

Paix – Travail – Patrie Peace – work - fatherland

I. BUT DE LA MANIPULATION :
Le but de ce travail pratique est d’amener les étudiants à reconnaitre les types de
diodes (silicium, germanium et Zener) et à les caractériser.

II. MATERIELS REQUIS

o cordon d’alimentation
o diodes à jonction
o diode Zener
o plaque à essais
o oscilloscope
o multimètre numérique
o générateur de fonction
o alimentation stabilisée

III. PARTIE THEORIQUE

• LES DIFFERENTES DIODES ET LEUR MODE D’UTILISATION

Il existe différentes diodes qui sont utilisées dans les montages selon l’objectif recherché.
Nous pouvons citer :
Les diodes de redressement : Elles sont utilisées essentiellement dans les montages
redresseurs pour passer d'une tension alternative à une tension continue. Elles présentent
généralement les caractéristiques suivantes : fort courant direct, de quelques 10A à quelques
milliers d'ampères, une forte tension inverse, plusieurs centaines de volts, une forte
dissipation de puissante, peu rapide de quelques dizaines de Hz.

 Les ponts de diodes : il s’agit d’un assemblage de quatre diodes montées en pont
(montage similaire à celui d'un pont de Wheatstone) qui, en régime monophasé,
redresse le courant alternatif en courant continu, c’est-à-dire ne circulant que dans un
seul sens.

 La diode interrupteur en plus de leur utilisation dans les circuits de redresseurs de

courant, les diodes peuvent servir dans les circuits mélangeant différents signaux, dans
les détecteurs de signaux et agir comme un interrupteur de courant.

 Les diodes Zener : elles sont fréquemment utilisées pour réguler la tension dans un
circuit. Lorsqu'on la connecte en inverse en parallèle avec une source de tension
variable, une diode Zener devient conductrice lorsque la tension atteint la tension
d'avalanche de la diode. Elle maintient ensuite la tension à cette valeur.
 La LED : est un dispositif opto -électronique capable d’émettre de la lumière lorsqu’il
est parcouru par un courant électrique. Une diode électroluminescente ne laisse passer

le courant électrique que dans un seul sens (le sens passant, comme une diode
classique, l'inverse étant le sens bloquant) et produit un rayonnement
monochromatique ou poly chromatique non cohérent à partir de la conversion
d’énergie électrique lorsqu'un courant la traverse.

Les diodes électroluminescentes (LED ou DEL) présentent la particularité d'émettre de la

lumière dans un spectre plus ou moins large suivant la conception de la diode. L'ensemble
du spectre visible est actuellement couvert, mais on trouve aussi des diodes infrarouges.
La tension de seuil de la diode est d'autant plus grande que le spectre émis est énergétique.
Ces diodes ne supportent généralement que quelques volts de tension inverse. Les diodes
électroluminescentes sont utilisées en traitement du signal
dans les photos coupleurs.


 La photodiode : Diode à semi-conducteur produisant une variation du courant
électrique grâce à un rayonnement lumineux incident utilisé. Elle peut être utilisée
dans les applications telles que les détecteurs de lumière.

 La diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension directe très bas et un temps
de commutation très rapide. Ceci permet la détection des signaux HF faibles et
hyperfréquences, la rendant utile par exemple en radioastronomie. On l'utilise aussi
pour sa capacité à laisser transiter de relativement fortes intensités pour le
redressement de puissance.
 Diode varicap : La diode varicap est une diode dont la capacité varie en fonction de la
tension continue qui lui est appliquée. On peut la considérer comme une capacité
variable ; la capacité est du côté de la Cathode.

 La diode Transil : ou diode de suppression de tensions transitoires ou

(transient-voltage-suppression (TVS) en anglais est un composant de
protection de type para surtenseur destiné à protéger le matériel électrique
contre les surtensions transitoires élevées. Il s'agit d'une diode qui utilise le
même effet d'avalanche que la diode Zener, mais dans un but exclusif de

protection des circuits.

 le thyristor est un composant électronique semi-conducteur composé de quatre

couches de silicium dopées alternativement positivement et négativement. Dans sa
structure en couches P-N-P-N le thyristor peut être modélisé par deux transistors PNP
et NPN.
 La diode tunnel
Est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les
circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu'à 5 GHz ).
La région de résistance négative est la plus importante caractéristique d’une diode
tunnel. En utilisant une polarisation directe entre le pic et la vallée, la diode peut
devenir un oscillateur ou un amplificateur dans une grande variété de fréquences et
d’applications. L’utilisation à très haute fréquence permet une très faible distorsion du
signal car le passage dans le « tunnel » est quasi-instantané. Ces diodes sont donc
utilisées très fréquemment dans les circuits interrupteurs à haute vitesse.
• LES CARACTERISTIQUES D’UNE DIODE AU SILICIUM AU
GERMANIUM ET ZENER SONT LES SUIVANTES :

o DIODE AU SILICIUM
 o DIODE AU GERMANIUM

o DIODE ZENER

DROITE DE CHARGE STATIQUE ET POINT DE FONCTIONNEMENT

La droite de charge statique d’une diode est la courbe qui représente les variations
du courant traversant cette diode en fonction de la tension à ces bornes : Id=f(Vd);
Tracer cette courbe sur le même graphique que celle de la caractéristique de la diode

p
 ermet de déterminer le point de fonctionnement ; car il est le point d’intersection
entre les deux.

• DETERMINATION DE LA RESISTANCE DYNAMIQUE

Pour déterminer la résistance dynamique on procède comme suit :

𝑉𝑑
On a 𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 (𝑒 − 1) on entre une petite variation v (hypothèse v/(Vt) <<1)
𝑉𝑡

Cela entraîne une petite variation de courant id

𝑉𝑑 +𝑣
On a donc 𝐼𝑑 + 𝑖𝑑 = 𝐼𝑠 �𝑒 𝑉𝑡 − 1�
Propriété de l’exponentiel exp(a+b) = exp(a)*exp(b)
𝑉𝑑 𝑣
On a donc 𝐼𝑑 + 𝑖𝑑 = 𝐼𝑠 �𝑒 𝑉𝑡 𝑒 𝑉𝑡 − 1�
On va utiliser le DL à l’ordre 1 de l’exp : exp(x) = 1 + x si x<<1 ou v/Vt <<1
𝑉𝑑
𝑣
On a donc 𝐼𝑑 + 𝑖𝑑 = 𝐼𝑠 �𝑒 𝑉𝑡 �1 + 𝑉 � − 1�
𝑡
𝑉𝑑 𝑉𝑑
𝑣
Soit 𝐼𝑑 + 𝑖𝑑 = 𝐼𝑠 �𝑒 𝑉𝑡 +𝑒 𝑉𝑡 ∗ 𝑉 − 1�
𝑡
𝑉𝑑
𝑣
On obtient donc 𝐼𝑑 + 𝑖𝑑 = 𝐼𝑑 + 𝐼𝑠 ∗ 𝑒 𝑉𝑡 ∗ 𝑉
𝑡
𝑉𝑑
𝑣
Ensuite on a 𝑖𝑑 = 𝐼𝑠 ∗ 𝑒 𝑉𝑡 ∗𝑉
𝑡
Par définition rd = v/id
𝑣 𝑉𝑡 𝑉
En utilisant le résultat précédent on obtient : 𝑟𝑑 = 𝑖𝑑 = 𝑉𝑑 = 𝐼𝑡
𝑑
𝐼𝑠 ∗𝑒 𝑉𝑡
 La résistance inverse d’une diode est tout simplement la résistance de la
diode quand elle est montée en inverse dans le circuit. Et sa détermination est
identique à celle de la résistance dynamique.
 La tension seuil d’une diode est la valeur de la tension à partir de laquelle la
diode devient passante.

On a alors le tableau suivant qui résume les caractéristiques des différentes diodes selon leur
nature :
IV. ETUDE EXPERIMENTALE DES DIODES AU SILICIUM, AU GERMANIUM ET
ZENER

1- Réalisons le montage suivant avec respectivement les diodes Zener au silicium et au

germanium :

Réalisation sur Proteus :

  Réalisation du montage avec une diode au silicium

Caractéristiques des composants utilisés :

- La résistance R : 795 Ὡ
- La diode Zener de tension zener 62V.

Varions la tension d’alimentation continue E de 0 à 10 V et notons le courant et la tension

obtenu aux bornes de cette diode; les valeurs ainsi notées ont été recueillies dans le tableau
qui suit:
POLARISATION EN DIRECT
E(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V(V) 0 0.57 0.62 0.65 0.67 0.68 0.69 0.7 0.71 0.72 0.73
I(A) 0 0.42 1.3 2.3 3.24 4.36 5.22 6.21 7.19 8.20 9.18
 POLARISATION EN INVERSE
V(V) - -1 - - -3.9 -5 - - - -9.05 -10.6
0.16 2.02 3.02 6.02 7.03 8.07
I(A) 0 0 0 0 0 0 - - - -9.05 -10.6
6.02 7.03 8.07

 Réalisation du montage au germanium

E(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V(V) 0 0.61 0.67 0.69 0.70 0.72 0.73 0.73 0.74 0.74 0.75
I(mA) 0 0.39 1.33 2.31 3.33 4.28 5.27 6.27 7.26 8.26 9.25
 Tableaux comparatifs de ces deux diodes :

Silicium germanium
Tension seuil 0.6 0.3
Point de fonctionnement (0.62,1.3) (0.57, 3.5)
Résistance dynamique 2 2
2- Réalisation le circuit suivant avec les diodes au silicium et au germanium :

Comme il l’a été demandé, nous avons pris RV=2kΩ et RM=1kΩ ; nous avons ensuite
branchez les deux voies de l’oscilloscope aux niveaux des voies A et B, M étant bien sûr
le point de masse. Après avoir mis la tension du GBF à 0 volt, l’on augmente alors
lentement la tension du GBF jusqu'à l’obtention de la Caractéristique.
Ce qui nous donne la figure : èèèèèèèèèèèèèèèèèèèèèèè
La reproduction de cette caractéristique sur papier millimètre nous donne alors :

Réalisation du circuit sur Proteus :

Montage de la diode polarisée en direct

Montage de la diode polarisée en inverse

P=5k
Potentiomètre 0 20 40 50 60 80 100
Diode V (volts) 0 0.33 0.35 0.36 0.37 0.4 0.47
polarisée I(milliampères) 0 2.04 3.48 4.29 5.29 8.67 9.5
en direct
Diode V (volts) 0 4 8 9.85 9.92 9.96 10
polarisée I(milliampères) 0 0 0 0.06 0.95 3.35 9.97
en inverse

Tracé de la caractéristique I=f(V)

La résistance d’une diode Zener polarisée en inverse diminue considérablement au-

delà de la tension Zener.
Le comportement de la diode Zener en direct ne diffère absolument pas de celui de la
diode à jonction.
Droites de charges et caractéristiques :

On recueille alors :

tension zener 9.3V

point de (0.62,1.3)
 fonctionnement
résistance 2
dynamique
Résistance inverse 0.5

TABLEAU COMPARATIF DES TROIS DIODES + APPLICATIONS

PRATIQUES

Tableau comparatif

Caractéristiques Diode au silicium Diode au germanium Diode Zener

Fonctionnement Oui Oui oui

en directe

Fonctionnement Non Non oui

en inverse

Résistance a la Résistance moyenne Petite résistance Grande résistance

détérioration

Applications Utilisés dans presque tous -circuits électriques de
les circuits électriques où faible puissance
une diode est nécessaire
-circuits de précision, où les
fluctuations de tension
doivent être maintenues à
un minimum
-Les circuits de stabilisation
de tension ou "régulateur
Zener"
- Les circuits générateurs de
tension de référence

CONCLUSION :

Parvenus au terme de notre analyse où il était question de faire une étude

expérimentale des diodes au silicium, au germanium, et de la diode Zener, il en
ressort effectivement que , comme les prévoie les études théoriques, chacun de ces
types de diodes a un comportement bien spécifique en fonction des caractéristiques du
montage, et dont les applications d’après le dernier tableau comparatif, varient d’une
diode à l’autre.