Cours Electronique

MINISTÈRE DE L’ENSEIGNEMENT SUPÉRIEUR
ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
ISET & Ecole Polytechnique Centrale
COURS
ÉLECTRONIQUE
1ÈRE ANNÉE LICENCE MECATRONIQUE
Moez AYADI & Mohamed khalil KRICHI
A.U. : 2020/ 2021

Avant-propos
Ce cours a été réalisé pour servir comme support aux étudiants de l’école
Polytechnique Centrale et de l’ISET . Il ne prétende en aucun cas regrouper
toute la science de l’électronique, mais se place plutôt comme un document
permettant une initiation à cette science en présentant quelques-unes de ses
multiples facettes.
Son élaboration est le fruit d’un travail minutieux de recueil, de lecture et de
synthèse de diverses sources documentaires : livres, cours et sites internet.
L’auteur tient à mentionner que la plupart des figures et illustrations
présentes dans ce cours sont à la propriété des détendeurs du droit d’auteur
et que leur reproduction dans ce cours est uniquement pour une utilisation
pédagogique.
SOMMAIRE
CHAPITRE I : LES DIODES 1
1. La diode à jonction 2
1.1. Semi-conducteurs 2
1.1.1. Semi-conducteurs intrinsèques 2
1.1.2. Semi-conducteurs extrinsèques 2
1.1.3. Jonction PN : Diode 3
1.1.4. Barrière de potentiel 3
1.1.5. Caractéristiques statiques 4
1.1.6. Résistance dynamique 5
1.1.7. Avalanche de la diode 5
1.1.8. Schémas équivalents à une diode 7
2. Diodes spéciales 9
2.1. Contrôle de l’avalanche en inverse : Diode Zener 9
2.2. Création d’une jonction rapide : Diode Schottky 9
2.3. Contrôle de la capacité inverse : Diode varicap 10
2.4. Effet quantique : Diode tunnel 10
2.5. Optoélectronique : Diodes électroluminescentes (DEL) 10
3. Applications des diodes : redressement 11
3.1. Redressement simple alternance 11
3.2. Redressement double alternance 13
3.2.1. Avec transformateur double enroulement 13
3.2.2. Avec pont de Graëtz 13
CHAPITRE II : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE 15
1. Généralités 16
1.1. Structure d’un transistor 16
1.2. Réseaux de caractéristiques 16
1.2.1. Le montage émetteur commun 17
1.2.2. Montage pour le relevé des caractéristiques 17
1.2.3. Réseaux des caractéristiques 17
1.3. Paramètres en h, circuit équivalent 18
1.3.1. Définition des paramètres 18
1.3.2. Interprétation des paramètres 18
1.3.3. Schéma équivalent simplifié 20
2. Transistor en commutation 20
3. Transistor en amplification 21
3.1. Polarisation du transistor 21
3.1.1. Montage à résistance de base 21
3.1.2. Montage à résistance d’émetteur 22
3.2. Amplificateur émetteur commun 23
3.3. Amplificateur collecteur commun 24
3.4. Amplificateur base commune 25
CHAPITRE III : LES AMPLIFICATEURS OPERATIONELS 26
1. Introduction 27
2. L'amplificateur opérationnel 27
2.1. Présentation de l'A.O 27
2.2. Caractéristiques des amplificateurs opérationnels 28
3. L'amplificateur opérationnel réel 31
3.1. Défauts d'un amplificateur opérationnel 31
4. L'amplificateur opérationnel idéal 32
4.1. Caractéristiques 32
4.2. Montages de base 32
4.2.1. Fonctionnement en régime linéaire 33
4.2.2. Fonctionnement en régime linéaire 36
4.2.3. Fonctionnement en régime de saturation 37
EXAMENS 44
Cours électronique
CHAPITRE I
LES DIODES
Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 1

Cours électronique
LES DIODES
1. La diode à jonction
1.1. Semi-conducteurs
Un semi-conducteur est un corps dont les propriétés sont à mi-chemin entre un
conducteur (de type métallique par exemple) et un isolant. Il en existe plusieurs entourés
en orange dans le tableau périodique des éléments comme montre la figure 1. Les
éléments qui sont entourés en vert sont utilisés également mais particulièrement pour le
dopage ou pour des composants spéciaux.
1.1.1. Semi-conducteurs intrinsèques

Ce sont les semi-conducteurs dits purs ayant moins d’une impureté pour 1015 atomes. Ils
possèdent des caractéristiques proches des isolants. Ils ont un coefficient de température
négatif (leur résistance diminue en fonction de la température) contrairement aux
métaux.
1.1.2. Semi-conducteurs extrinsèques

Lorsqu’on lui rajoute des impuretés de l’ordre d’une impureté pour 105 à 108 atomes de
Si, la résistance du semi-conducteur chute très fortement. On dit alors qu’il est dopé. Il
peut être dopé avec des impuretés plus ou moins riches en électrons périphériques. Cela
donne un :
Type P pour des dopages avec des impuretés déficitaires en électrons (Al).

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Type N pour des dopages avec des impuretés excédentaires en électrons (As).
1.1.3. Jonction PN : Diode

La jonction PN n’est rien d’autre que la liaison de deux types complémentaires. On
retiendra qu’une jonction PN réagit de façon dissymétrique au passage du courant.
Elle laisse passer le courant facilement du P vers le N et bloque dans le sens inverse.
On retiendra les schémas suivants :
La jonction PN est représentée avec un symbole en forme de flèche. Elle indique
ainsi le sens du courant dans la jonction. Dans l’autre sens, la jonction se bloque et
s’oppose au passage du courant comme le cas d’une valve de vélo pour l’air
comprimé.
P N P N
+ - - +
Vd Vd
A K A K
Id
+ - - +
1.1.4. Barrière de potentiel

Au moment où se forme la jonction, les électrons excédentaires de la zone N migrent
naturellement vers la zone P déficitaire. La raison en est que les couches périphériques
des atomes ont tendance à se combler malgré l’équilibre électrique de l’atome. Cela a
pour conséquence de créer un déséquilibre électrique localement. C’est comme si les
atomes sont ionisés naturellement. Cette ionisation forme un champ électrique
empêchant tous les électrons de migrer de l’autre côté. Le champ ainsi produit se
stabilise à un potentiel d’équilibre nommé « barrière de potentiel ».

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Zone N Zone P
E
Champ électrique
dû au déplacement
des électrons
1.1.5. Caractéristiques statiques
On s’intéresse habituellement aux caractéristiques physiques pour obtenir un modèle

mathématique simple. La théorie cinétique des gaz a permis d’élaborer un modèle
simple par le principe que les nuages d’électrons se comportent comme des gaz.
C’est ainsi qu’on utilise la constante que Boltzmann avait initialement établi pour
ces derniers. Les équations permettent de lier ensemble la tension de jonction Vd au
courant Id.
𝑞∙𝑉
On obtient : 𝐼 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝐾∙𝑇 − 1)
P N
I
Anode Cathode

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Le côté P est aussi nommé « Anode ».

Le côté N est nommé « Cathode ».
Les notations anglo-saxonnes les nomment : Cathode K et Anode A
On prend pour valeurs de paramètres :
Is : Courant de saturation (ce courant dépend de la fabrication du semi-conducteur)
V : Tension appliquées aux bornes de la jonction
K : Constante de Boltzmann 1,38 10-23 J/°
T : Température de la jonction en °K
Q : Charge de l’électron 1,6 10-19 C
Représentation graphique de la caractéristique :
Id
Vd
Vseuil
1.1.6. Résistance dynamique

Le problème trouvé généralement est de remplacer le composant non linéaire par un
autre plus simple et donc à priori linéaire. Pour un courant donné on cherchera l’équation
des droites correspondantes.
Id
I0
Vd
Vseuil V0

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Au point (V0, I0) on a la tangente à la courbe de la caractéristique. Cela signifie que pour
des petites variations de courant ΔId, on aura une variation de tension correspondante
ΔVd.
V
La résistance dynamique au point considéré vaudra donc Rd =
I
Id
I0 I Rd
Vseuil
V
Vd
Vseuil V0
Au point de fonctionnement considéré on a un modèle équivalent pour chacune des

droites.
1.1.7. Avalanche de la diode

Lorsqu’on polarise une diode en inverse, elle bloque le courant. Si la tension devient
trop forte, on observe un seuil où il peut à nouveau passer.
On dira qu’il y a avalanche à une tension Vz.

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On constate que la tension aux bornes de la diode en inverse est beaucoup plus élevée
que la tension de seuil direct. Cela a pour effet de dissiper plus des puissances qu’en
direct. Il y a donc risque de destruction rapide de la jonction si le courant n’est pas limité
correctement. La caractéristique devient alors :
Id
P max
Vz
Vd
Vseuil
P max
Pour illustrer le phénomène on peut utiliser une analogie hydraulique qui permet
d’illustrer le principe :
eau
Blocage
Clapet fermé par la pression de l'eau
eau
Le sens d'ouverture du clapet permet à l'eau de s'écouler
Débordement
écoulement
inverse
eau
Blocage du clapet
Analogie hydraulique de la diode

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1.1.8. Schémas équivalents à une diode
Id
Vd
Id
Caractéristique
Rdz directe
Vz Pmax
Vz
Vd
E0
Pmax Caractéristique
inverse
Caractéristiques d'une diode à jonction
Id
Rd
te
assan
Diode bloquée
p
Diode
Pmax
Vd
E0
Vd
Id
Rd E0
Caractéristiques idéalisées d'une diode à jonction
Id
Diode passante
Diode bloquée Diode passante
Vd
Caractéristiques simplifiées d'une diode à jonction

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2. Diodes spéciales
A part le principe redresseur des propriétés secondaires sont mises à profit pour donner
lieu à d’autres types de diodes.
2.1. Contrôle de l’avalanche en inverse : Diode Zener

Quand la diode est fortement polarisée en inverse, le champ électrique donne aux
porteurs minoritaires une accélération suffisante pour en arracher d’autres aux atomes
du semi-conducteur par une succession de chocs ionisants. Le processus s’emballe et
conduit à un phénomène d’avalanche. Ce phénomène est destructif pour la plupart des
diodes. Mais l’effet Zener permet de contrôler les porteurs pour limiter le courant et
assurer la réversibilité du processus.
La tension inverse est constante (tension Zener) pour un courant variable.
Les diodes Zener s’emploient essentiellement dans les références de tension. On en

trouve de 2,4 jusqu’à 270 V.
2.2. Création d’une jonction rapide : Diode Schottky

Au lieu de réaliser la jonction avec des semi-conducteurs de types différents, on succède
une couche métallique au semi-conducteur P ou N. La caractéristique de la diode
obtenue est semblable à celle d’une diode de redressement, mais avec une tension directe
plus faible (diminution de la tension de seuil, ≈0,3 V). L’avantage essentiel découle de
l’absence de charges stockées durant la conduction. Le temps de recouvrement est
diminué (trr < 500 ns) : la diode est plus rapide.

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Ces diodes s’utilisent dans les redresseurs rapides petits signaux et dans les composants
logiques rapides.
2.3. Contrôle de la capacité inverse : Diode varicap

Lorsque la jonction de la diode est polarisée en inverse, la barrière de potentiel est
renforcée. La zone de charge d’espace semble comme un isolant entre les deux parties
semi-conductrices : La jonction se comporte comme un condensateur dont la capacité
est fonction de la tension inverse.
Ce type de diode est employé en haute fréquence dans les circuits oscillants accordés
qui prennent place dans les oscillateurs commandés en tension pour la radio.
2.4. Effet quantique : Diode tunnel

L'effet tunnel est une conséquence de la mécanique quantique. Le principe de cet effet
repose sur la probabilité non nulle pour un électron en mouvement de franchir une
barrière de potentiel d’énergie supérieure à son énergie cinétique.
L’effet tunnel est obtenu avec une jonction créée avec des semi-conducteurs fortement
dopés. La conséquence se joint à un effet d’avalanche en direct. Le courant qui augmente
rapidement puis décroît et reprend sa croissance exponentielle (comme pour une diode
classique).

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2.5. Optoélectronique : Diodes électroluminescentes (DEL)

On utilise souvent l’abréviation LED (Light Emitting Diode).
En sens direct, ces diodes ont la propriété d’émettre un rayonnement visible (ou proche
de cette bande) dont la couleur dépend du matériau semi-conducteur utilisé.
Si la caractéristique tension-courant reste la même, on observe une tension de seuil plus

élevée (jusqu’à 2 V). Elles ne supportent pas les tensions inverses très élevées (jusqu’à
5 V), ni les courants directs dépassant 20 mA.
3. Applications des diodes : redressement

Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative
du secteur pour faire des générateurs de tension continue.
- Caractéristiques physiques
Les diodes de redressement standard sont les moins sophistiquées, et ne font l’objet
d’aucun traitement particulier, les conditions d'utilisations étant peu difficiles. Elles ont
des tensions VR comprises entre 50 et 1000V environ, et les courants IF vont de 1A à
plusieurs centaines d'ampères.
Avant le système de redressement, on a presque toujours un transformateur qui sert à
abaisser la tension secteur (les montages électroniques marchent souvent sous des
tensions de polarisation allant de quelques volts à quelques dizaines de volts), et qui sert
aussi à isoler les montages du secteur.

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Caractéristiques électriques :
- Courant : 1 à 10 A ;
- Tension : 50 à 3000 V ;
- Temps de recouvrement : de l’ordre de 20 μs.
Caractéristiques électriques des diodes de puissances :
- Tension : 50 à 3200 V ;
- Courant : 5 à 800 A.
3.1. Redressement simple alternance

C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du
transformateur Vt dépasse la tension de seuil, la diode conduit, laissant passer le courant
direct dans la charge. La tension aux bornes de la charge Vr est alors égale à la tension
aux bornes du transformateur moins la tension de seuil V0 de la diode.
Quand la tension aux bornes du transformateur devient inférieure à la tension de seuil,

la diode se bloque ; il ne reste que le courant de fuite, qui est négligeable en comparaison
du courant direct. La tension aux bornes de la diode est alors égale à celle aux bornes du
transformateur, il faudra choisir une diode dont la tension VR au minimum égale à la
tension crête du secondaire du transformateur.
• Tension moyenne :
T T /2 T /2
1 1 1
Vmoy =  Vr (t )dt = 0 Vt (t )dt = T V sin wtdt = V max
T 0 T 0
max


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3.2. Redressement double alternance

3.2.1. Avec transfo double enroulement ou transformateur à point
milieu
Le montage précédent dévoile l'inconvénient de ne laisser passer que la moitié du
courant délivrer par le transformateur. Pour éviter cela, on utilise un transformateur avec
deux enroulements secondaires que l'on connecte de manière qu'ils délivrent des
tensions en opposition de phase.
Alternance positive Alternance négative
Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques à celui du
montage simple alternance, l’un pour l'alternance positive et l'autre pour l'alternance
négative. On vérifie bien que le courant dans la charge est toujours orienté dans le même
sens.
On notera que la chute de tension dans les diodes devient non négligeable quand les
tensions alternatives sont faibles, en dessous d’une vingtaine de volts.
• Tension moyenne : Vmoy = 2V max
3.2.2. Avec pont de Graëtz
Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne nécessitant

pas un transformateur à double enroulement en utilisant 4 diodes montées en pont, dit «
pont de Graëtz ». Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce, permettant de
diminuer le nombre de composants du montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et
quand elle est négative, D2 et D3 conduisent.

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Alternance positive Alternance négative
Chaque diode n'a à supporter qu'une fois la tension crête du secondaire du

transformateur, contre deux fois pour le montage précédent, mais en revanche, on a deux
tensions directes de diode en série. La puissance totale dissipée dans les diodes est
double par rapport à la solution précédente.

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CHAPITRE II
LE TRANSISTOR
BIPOLAIRE

Cours électronique
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
1. Généralités
1.1. Structure d’un transistor
La juxtaposition de deux jonctions P-N conduit au transistor à jonctions dans lequel
participent les deux types de porteurs d'où l’appellation de transistor bipolaire. On doit
distinguer les configurations NPN et PNP. Les trois électrodes d’un transistor bipolaire
se nomment : émetteur, base et collecteur. Pour un NPN on a :
• Un émetteur (zone N) fortement dopé,
• Une base (zone P) très mince et faiblement dopée,
• Un collecteur (zone N) peu dopé.
La structure réelle est très différente du schéma de principe et dépend de la méthode de

fabrication du transistor (alliage, diffusion, épitaxie). Puisqu’il y a des différences de
dopage entre l’émetteur et le collecteur, le transistor ne fonctionne pas comme deux
diodes montées tête-bêche.
Sur le schéma électrique du transistor, une flèche marque la jonction base-émetteur.
Cette flèche est orientée dans le sens où la jonction base-émetteur est passante.
1.2. Réseaux de caractéristiques
Pour caractériser complètement le fonctionnement d’un transistor, il faut déterminer 6
grandeurs : IC, IB, IE et VCE, VBE, VBC.
Les relations : IC + IB + IE = 0 et VCE + VBE + VBC = 0 font qu’en fait quatre de ces
grandeurs sont indépendantes.

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On considère le transistor comme un quadripôle dont une électrode est commune à

l’entrée et la sortie. Trois montages sont donc à envisager :
- Base commune utilisé en haute fréquence
- Collecteur commun utilisé en adaptation d’impédance
- Emetteur commun utilisé en amplification et le plus commun.
1.2.1. Le montage émetteur commun

Les bornes d'entrée du transistor sont la base et l’émetteur ; les grandeurs d’entrée sont :
IB et VBE. La sortie se fait entre le collecteur et l’émetteur ; les grandeurs
correspondantes sont : IC et VCE.
VBE   H 11 H 12   I B 
 I  =  H H  V 
 C   21 22   CE 
On utilise les paramètres hybrides dont l’intérêt sera justifié après la description des
caractéristiques.
1.2.2. Montage pour le relevé des caractéristiques
Pour relever les caractéristiques, on utilise le montage ci-dessous. Les paramètres
d’entrée IB et VBE sont maintenus constants et on mesure IC lorsque VCE varie.
1.2.3. Réseaux des caractéristiques

On étudie un transistor au silicium de faible puissance. Pour les transistors au silicium
la tension de seuil de la jonction émetteur-base est voisine de 0,6 V.
a) Réseau de sortie

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C’est le réseau IC = f(VCE) avec IB comme paramètre (coefficient H22). Dans ce réseau,
on distingue 3 zones :
- VCE faible : La jonction BC est polarisée en direct : IC varie linéairement avec VCE.
- VCE grand : il y a claquage inverse de la jonction et croissance du courant par
avalanche. Sur le schéma seule la première caractéristique a été prolongée jusqu’au
claquage. Selon les transistors la tension de claquage varie de 30 V à 250 V.
- VCE intermédiaires : Il y a une légère croissance du courant avec VCE.
En pratique, on utilisera la relation simplifiée : IC = ß.IB
ß est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et les conditions
de fabrication, sa valeur varie entre 20 et 500. Le gain des transistors de puissance est
faible. Des transistors de même référence peuvent avoir des gains très différents. Le gain
varie avec le courant collecteur.
b) Réseau de transfert en courant
C’est le réseau IC = f(IB) avec VCE comme paramètre (coefficient H21).

Ce réseau est constitué par un éventail de courbes presque linéaires passant par le point
IB = 0 et IC = ICE0. (IC = ß.IB + ICE0).
c) Réseau d’entrée
C’est le réseau IB = f(VBE) avec VCE comme paramètre (coefficient H11-1).

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Dès que VCE est supérieur à 0,65 V, toutes les courbes sont pratiquement confondues
car l’influence de la tension de sortie sur le courant d’entrée est négligeable. La courbe
est identique à la caractéristique d’une diode qui est constituée par la jonction base
émetteur.
Pour un transistor au silicium, VBE varie très peu et reste voisin de la tension de seuil de
la jonction base-émetteur soit 0,65 V.
d) Réseau de transfert en tension
C’est le réseau VBE = f(VCE) avec IB comme paramètre (coefficient H12).

On constate que les variations de la tension de sortie sont sans effet sur la tension
d’entrée.
1.3. Paramètres en h, circuit équivalent
1.3.1. Définition des paramètres
L’examen des caractéristiques du transistor montre qu’il existe des zones avec un
comportement pratiquement linéaire. Si l’on choisit le point de fonctionnement dans ces
zones linéaires, on peut écrire que les variations des grandeurs d’entrée et de sortie sont
reliées par les relations :
v BE   h11 h12   i B 
 i  =  h h  v 
 C   21 22   CE 
1.3.2. Interprétation des paramètres
➢ h11 = vBE / iB à VCE = Constante.

C’est la résistance d’entrée du transistor. C’est aussi la pente de la caractéristique
d’entrée.
➢ h21 = iC / iB à VCE = Constante.
C’est le gain en courant du transistor. Il est très voisin de ß qui est la pente de la
caractéristique de transfert en courant.
➢ h22 = iC / vCE à IB = Constante.
C’est l’admittance de sortie du transistor. Elle est en général faible et correspond à la
pente des caractéristiques du réseau de sortie ; h22 est fonction du courant collecteur ;
h22-1 est de l’ordre de 20 k pour des courants collecteurs de l’ordre de quelques
milliampères.
➢ h12 = vBE / vCE à IB = Constante.

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C’est la pente des caractéristiques du réseau de transfert en tension.

Ce paramètre étant voisin de zéro (typiquement 10–5 à 10–6) sera toujours négligé.
1.3.3. Schéma équivalent simplifié

Il existe des capacités entre les électrodes d’un transistor. Ces capacités sont faibles et
présentent en basse fréquence des impédances si grandes que leurs effets peuvent être
négligé.
Par contre en haute fréquence, les impédances de ces capacités parasites modifient le
fonctionnement du transistor
Comme h12 est voisin de 0 et que h22 est petit, on peut encore simplifier le schéma.
2. Transistor en commutation
a) Exemple de structure
Si Ve = 0 le transistor est bloqué
Le transistor est saturé si Ic < β.Ib, c’est à dire si Vcc / Rc < β.(Ve – Vbe) / Rb.

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b) Exemple de commande d’un relais :
Le transistor permet de commander le relais en tout ou rien à partir du signal Ve. Le

relais R comprend entre ses bornes un bobinage que l’on peut assimiler à une inductance
L en série avec une résistance r. La diode D est une diode de roue libre qui assure la
continuité du courant dans l’inductance du relais lorsque le transistor est bloqué. Sans
la diode D, une surtension destructrice pour le transistor se produirait.
3. Transistor en amplification
Le transistor est un composant unidirectionnel, pour amplifier des signaux sinusoïdaux
il faut donc ajouter une composante continue appelée « polarisation » à chaque grandeur
qui sollicite le transistor. Alors X = X0 + x où x est le signal à amplifier et X0 la
composante continue. Il faut dans tous les cas pour un transistor NPN X > 0. Donc la
composante continue X0 doit être plus grande que l’amplitude de x.
En régime linéaire le principe de superposition est applicable, on distinguera donc
l’étude de la polarisation et de l’amplification des signaux.
3.1. Polarisation du transistor
3.1.1. Montage à résistance de base
Dans ce montage on à :
Ic0 = β. (E – Vbe0) / Rb
Le point de repos dépend beaucoup de β. Mais β varie d’un transistor à l’autre bien que
la référence soit la même et pour un même transistor en fonction de la température. Ce
montage très simple est donc difficilement utilisable.

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3.1.2. Montage à résistance d’émetteur
Dans ce montage, le pont R1, R2 sur Vcc peut être remplacé par son modèle de
Thévenin ; où Vb = E.R2 / (R1+R2) et Rb = R1.R2 / (R1+R2)
Ic0 = β.(Vb – Vbe0) / (Rb + [β+1].Re)
En choisissant Rb faible devant [β+1]Re alors Ic0 ≈ (Vb – Vbe0) / Re devient

pratiquement insensible à β.

Cours électronique
Dans ce cas le point de polarisation est donc stable en température et l’interchangeabilité

des transistors est possible.
3.2. Amplificateur émetteur commun
Les petits signaux à amplifier sont introduits au travers d’un condensateur de liaison Ce.
Ainsi la polarisation n’est pas modifiée par le branchement du générateur Ve. De même
la charge RL est attaquée au travers du condensateur de liaison Cs. Le condensateur C
permet par sa très faible impédance par rapport à Re dans la bande passante d’appliquer
Ve sur la jonction base-émetteur.
La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux.
Pour les petits signaux et dans la bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs
ainsi que C ont des impédances négligeables devant celles du circuit et la structure se
comporte comme le schéma suivant :
On en déduit :
- L’amplification en tension, Av = vs / ve = - β.(ρ//Rc//RL) / rbe.

- L’impédance d’entrée, Ze = (R1//R2//rbe).
- L’impédance de sortie, Zs = (Rc//ρ).

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3.3. Amplificateur collecteur commun
Le schéma équivalent est le suivant :
On en déduit :
- L’amplification en tension, Av = vs / ve ≈ 1
- L’impédance d’entrée, Ze = (R1//R2// [rbe+β{ρ//Re//RL}])
- L’impédance de sortie, Zs = rbe/(β+1).
Cette structure se comporte en étage suiveur avec une relativement forte impédance
d’entrée et une faible impédance de sortie.

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3.4. Amplificateur base commune
Le schéma équivalent est suivant (si on considère ρ très grand)
On en déduit :
- L’amplification en tension, Av = vs / ve = β.(Rc//RL) / rbe.
- L’impédance d’entrée, Ze = (Re//rbe).
- L’impédance de sortie, Zs = Rc. Cette structure se comporte en amplificateur non
inverseur.

Cours électronique
CHAPITRE III
LES
AMPLIFICATEURS
OPERATIONELS

Cours électronique
LES AMPLIFICATEURS
OPERATIONNELS
1. Introduction
L'amplificateur opérationnel est un circuit intégré à entrées symétrique et à sortie non
symétrique, dont les paramètres dynamiques principaux dans la bande passante se
rapprochent de ceux d'un amplificateur idéal (gain en tension infiniment grand,
résistance d'entrée infiniment grande et résistance de sortie nulle). La dénomination
"opérationnel" est historique. Elle provient du fait que les amplificateurs à tels
paramètres (presque idéaux) étaient utilisés avant même l'apparition des circuits
intégrés dans les ordinateurs analogiques pour effectuer des opérations mathématiques
(addition, soustraction, différentiation, intégration, etc.) sur des tensions et des courants.
Aujourd'hui les calculs mathématiques s'effectuent dans la plupart des cas avec des
ordinateurs numériques. Néanmoins, le rôle des amplificateurs opérationnels est devenu
beaucoup plus important. Ce sont les circuits intégrés analogiques les plus utilisés à
cause de leur universalité, leur simplicité et leur performance.
2. L'amplificateur opérationnel
2.1. Présentation de l'A.O
a) Définition et symbole :
Les amplificateurs opérationnels (A.O.), sont les composants de base de l'électronique
moderne. Les composants les plus courants, tels que le μA741 de Fairchaild ou le TLO81
de Texas Instrument, se présentent la plupart du temps en boîtiers plastiques à 8 broches
DIL (dual in line). D'autres présentations sont possibles, en boîtiers 14 broches par
exemple, ou bien en boîtiers métalliques ronds. Il présente les bornes suivantes (cas du μ
A 741 et du TL081) :
- Deux bornes d'entrées : non inverseuse e+ (3)
et inverseuse e- (2).
- Une borne de sortie S (6).
- Deux bornes pour l'alimentation Vcc : positive
(7) et négative (4).
- Les bornes 1 et 5 peuvent servir à la
connexion des résistances et des capacités
(pour le réglage d'offset et la correction en
fréquence).
- La borne 8 est non utilisée.

Cours électronique
La représentation normalisée d'un amplificateur opérationnel et celle indiquée par la figure

suivante.
(a) (b)
Symboles et alimentation d'un A. O.
- Le « triangle » signifie qu'il s'agit d'un composant unidirectionnel.

- La tension d'entrée différentielle est : ε = e+- e-
- Les bornes d'alimentations ne sont pas en général représentées sur les
schémas.
L'alimentation d'un A.O (figure 2-b) est assurée par deux sources de tension continues en
Vcc (7) et VEE (4), en général identiques (VEE = -Vcc, ce n'est pas obligatoire) mais doivent
rester dans des limites imposées (par exemple de 2,5 V à 18 V pour un μA 741 ou un TL
081).
Le point commun des alimentations (masse) n'est pas connecté au circuit intégré, mais
constitue la référence des potentiels du montage.
b) Constitution :
Pratiquement tous les amplificateurs opérationnels ont la même structure interne : ce sont
des circuits monolithiques dont une “puce” de silicium constitue le substrat commun.
Ils comportent :
- L'étage d'entrée est un amplificateur de différence caractérisé par une
grande amplification différentielle et une très grande impédance d'entrée.
- L'étage intermédiaire fonctionne en amplificateur de tension a émetteur
commun pour augmenter le gain en tension.
- L'étage de sortie est un amplificateur de puissance à collecteur commun
qui possède une faible impédance de sortie.
Entrée Etage Etage Etage Sortie

différentiel EC CC

Cours électronique
2.2. Caractéristiques des amplificateurs opérationnels

a) Régimes de fonctionnement :
La tension de sortie de l'A.O peut varier entre deux limites +V sat et -Vsat. Ces tensions
maximales sont les tensions de saturation de l'A.O, dans cet état la tension Vs n'évolue
plus, la tension de sortie est indépendante de la tension d'entrée, l'A.O. est saturé. La
saturation peut être positive ou négative.
Saturation négative zone linéaire Saturation positive
linéaire
Régimes de fonctionnement d'un A.O
Entre ces deux valeurs extrêmes la tension de sortie est proportionnelle à la
différence ε = e+- e-. L’A.O. est en régime linéaire : Vs= A. ε, le coefficient
d'amplification est A, il est constant dans la zone de fonctionnement linéaire.
b) Utilisations des A.O :

i. Conditions d'utilisation :
Considérons les valeurs numériques de A pour le TLO81 comme pour le μA741, A
est de l'ordre de 2.105 en continu. Si l'A.O. fonctionne en régime linéaire, la tension de
sortie doit être inférieure à Vsat, ce qui suppose que l'on ait : e+ - e- < Vsat/ A. Soit Vsat
=14V, A=2.105 on obtient donc : e+ -e < 70μV
Plus A est grand, plus la tension différentielle d'entrée doit être faible pour rester en
régime linéaire.
Les tensions parasites et le bruit ont une amplitude du même ordre de grandeur que la
tension d'entrée différentielle maximale admissible en régime linéaire. Ceci signifie que
l'A.O. a une amplification trop importante pour être utilisé seul, on doit lui appliquer une
contre-réaction. La contre-réaction a pour effet, comme nous l'avons déjà vu, de réduire
l'amplification globale du montage par rapport à la valeur A du système en boucle ouverte.

Cours électronique
ii. Stabilité des montages :

Le fonctionnement en régime linéaire du montage à A.O. suppose que le signal de
réaction soit réinjecté sur l'entrée - de l'A.O. Si le système fonctionne en amplificateur,
la sortie est proportionnelle à l'entrée et ne dépend que d'elle. L'entrée étant constante,
si un parasite vient perturber la sortie, celle-ci doit naturellement revenir à sa position
d'équilibre fixée par l'entrée. Le système est stable. Examinons les réactions d'un montage
à A.O. bouclé successivement sur l'entrée + et sur l'entrée -.
Considérons le montage suivant ou l’A.O. a une amplification A>0.
Ve Vs
Contre réaction négative.

Supposons que ve soit constante et que pour une raison quelconque vs augmente
brusquement. Le système est stable si vs a tendance à revenir d'elle-même à sa valeur
initiale. Soit vs >0, dvs>0 et donc de- > 0.
La tension e- varie dans le même sens que vs, la tension dε =de+-de- = -de- varie en sens
inverse et tend à faire revenir vs à sa valeur initiale : le système est stable.
Le même raisonnement s'applique si vs décroît, avec la même conclusion.
Considérons le montage suivant ou l’A.O. a une amplification A>0.
Ve Vs
Contre réaction positive.
Supposons que ve constante et vs > 0, si vs croît brusquement, dvs>0 et donc de+>0. La tension
e+ varie dans le même sens que vs, la tension ε = e+ varie aussi dans le même sens. La
croissance de vs est confirmée par celle de ε, le phénomène est cumulatif et très
rapidement l'amplificateur atteint la zone de saturation, positive dans notre cas.

Cours électronique
3. L'amplificateur opérationnel réel

3.1. Défauts d'un amplificateur opérationnel
L'observation d'un A.O réel conduit à différentes imperfections qui se regroupent suivant
deux catégories : celles qui apparaissent au repos (pas de variations) sont des
imperfections statiques (DC electrical characteristics) et celles qui apparaissent pour des
signaux variables sont des imperfections dynamiques (AC electrical characteristics).
a) Les imperfections statiques (Défauts en continu) :

A l'intérieur d'un circuit intégré linéaire il y a toujours une dissymétrie inévitable. Les
caractéristiques des transistors ne sont pas parfaitement identiques, les résistances ne sont
jamais rigoureusement appariées. Ces dissymétries d'éléments se traduisent par une tension
de sortie non nulle même si les entrées sont à la masse : on dit qu'il y à décalage de
l'amplificateur différentiel. Pour conserver les idées claires, on ne tient compte que d'un
seul défaut à la fois.
i. Décalage en tension
En pratique, lorsqu'on relie les deux bornes d'entrées à la masse (v+ = v- = 0), il apparaît
à la sortie une tension différente de zéro. On cherche la tension différentielle ed qu'on doit
appliquer à l'entrée et qui permet d'annuler cette tension de sortie : c'est la tension de
décalage d'entrée ou tension d'offset (offset input voltage). La tension de décalage est
définie comme la tension qui serait appliquée sur l'entrée non inverseuse d'un A.O ne
présentant pas ce défaut.
AO réel AO idéal
Tension de décalage.
vsd = A0 (ed + − ed − ) = A0 .ed : C'est la tension de décalage à la sortie.
ed = ed + − ed − : C’est la tension de décalage à l'entrée ou tension d'offset.

ii. Décalage en courant
Si on relie les deux bornes d'entrées d'un A.O à la masse à travers deux résistances R1 et
R2, une tension de sortie continue apparaît et une chute de tension aux bornes des
résistances est constatée.

Cours électronique
Courants de décalage
- Courant de polarisation (Input Bias Current):
Les entrées exigent un certain courant pour être correctement polarisées ce qui fait que
les courants d'entrées ne sont pas nuls. Si on note Id+ et Id- ces courants, le courant de
Id + − Id −
polarisation Ip s'exprime par : Ip =
2
- Courant de décalage (Input Offset Current) :
Les courants Id+ et Id- ne sont pas égaux ; le courant de décalage correspond à l'écart
maximum entre ces deux courants : Id = Id+ - Id-
Id Id
Id = Id + − Id − et 2 Ip = Id + − Id − d' ou Id + = Ip + et Id − = Ip −
2 2
Vs = A0 . = A0 (ed − R1 Id + + R2 Id − )
4. L'amplificateur opérationnel idéal

4.1. Caractéristiques
Un A.O. supposé idéal est caractérisé par :
o Une amplification A infinie.
o Une amplification A indépendante de la fréquence, on dit que la bande passante de
l'AO est infinie.
o Un décalage en sortie nul, c'est à dire que si e+ = e- =0 alors vs= 0.
o Une résistance de sortie nulle.
o Une impédance d'entrée différentielle infinie.
o Une impédance de mode commun infinie.
Conséquences :
✓ La tension de sortie étant finie, la tension d'entrée différentielle є doit être nulle :є = 0.
✓ Les impédances d'entrées étant infinies, les courants d'entrés sont nuls : i + = i- =0.
✓ Si la tension d'entrée є n'est pas nulle, la tension de sortie prend sa valeur maximale qui est
la tension de saturation de l'amplificateur. Vs= +Vsat si є >0 ; Vs= -Vsat si є< 0.

Cours électronique
La caractéristique de l'A.O. idéal est représentée ci-dessous :
Modèle et caractéristiques de transfert idéalisés d'un A.O
4.2. Montages de base

4.2.1. Fonctionnement en régime linéaire, indépendant de la fréquence
a) Montage non inverseur :
Montage non inverseur.
Le signal à amplifier est appliqué sur l'entrée +. L'A.O. est idéal : e+ = e- et i+ = i- = 0.

A l'aide du théorème de Millman on calcule le potentiel e-, il s'agit donc d'un
amplificateur non inverseur de gain (1+R2/R1)>1, Vs et Ve sont en phase.
Remarques :
• Si la tension d’entrée Ve est trop grande, il y aura saturation de la sortie : la
relation précédente n'est valable que si Vs < Vsai.
• La fréquence du signal d'entrée doit être inférieure à une fréquence limite qui
est fonction du gain.

Cours électronique
b) Montage suiveur :
II est destiné à permettre l'adaptation d'impédance entre deux étages successifs d'un
dispositif. Ce montage constitue un adaptateur d'impédance de gain unité. Vs=Ve
Suiveur.
c) Montage inverseur
Le signal à amplifier est appliqué sur l'entrée inverseuse. L'A.O. est idéal : e+ =e- et i+ =
i- = 0. A l'aide du théorème de Millman on calcule e- :
Vs Ve
+
− R2 R1 R1Vs + R2Ve R
e = = et, e + = 0  Vs = − 2 Ve
1 1 R1 + R2 R1
+
R1 R2
Donc il s'agit d'un amplificateur inverseur de gainR2/R1.
R2
R1
V
R
Montage inverseur.
d) Convertisseur courant-tension
Le réseau de contre-réaction est réalisé à l'aide d'une résistance série, alimenté par un
générateur de courant.
L'A.O. est idéal : e+ = e- et i+ = i- = 0. L'A.O. est en régime linéaire donc : Vs = - R.i
Nous recueillons à la sortie de l'A.O. une tension Vs proportionnelle au courant i.

Cours électronique
On remarque que le convertisseur courant-tension ainsi réalisé est idéal :

- L'impédance d'entrée Ze = 0
- La résistance de sortie Rs =0.
Convertisseur courant-tension.
e) Amplificateur de différence :
A cause des problèmes de saturation, il est impossible d'utiliser directement un
amplificateur opérationnel comme amplificateur différentiel. On utilise souvent le
montage de la figuresi dessous. Comme il n'y a pas de courant prélevé par l'entrée non
inverseuse, R3 et R4 constituent un diviseur de tension idéal pour la tension V2. L'A.O.
est idéal e+ =e- et i+= i- =0.
V1 Vs V2
+
R R2 R .V + R1.Vs R3 R4V2
e− = 1 = 2 1 et, e + = =
1 1 R1 + R2 1 1 R3 + R4
+ +
R1 R2 R3 R4
R4 .V2 R V + R1Vs  R  R4  R
e + = e − donc, = 2 1  Vs = 1 + 2  V2 − 2 V1
R3 + R 4 R1 + R2  R1  R3 + R4  R1
Principe de l'amplificateur différentiel

Cours électronique
R 
Vs =  2 (V2 − V1 )
Si on choisit R3 = R2 et R4 = R1, il vient :
 R1 
4.2.2. Fonctionnement en régime linéaire, dépendant de la fréquence
a) Montage intégrateur
Intégrateur idéal
ve(t )
Le signal d'entrée est ve (t). Dans le modèle idéal, e+ =0 ; donc : i(t ) =
R
Le courant dans le condensateur est :
d’où dvs(t ) dvs(t ) 1
i (t ) = −C. =− .ve(t )
dt dt RC
1
RC 
Par intégration, on tire : vs(t ) = K − ve(t )dt
En continu, le condensateur se comporte comme un circuit ouvert, le montage n’est plus

bouclé donc l’A.O part en saturation. Pour remédier à ces problèmes on ajoute une
résistance en parallèle avec le condensateur.
- Pseudo-Intégrateur:
Pseudo-Intégrateur.

Cours électronique
b) Montage dérivateur
Principe de dérivateur
Par permutation du condensateur et de la résistance, on obtient un dérivateur. Le courant
dans le condensateur est :
dq(t ) dve(t )
i (t ) = = C.
dt dt
C'est aussi le courant qui circule dans la résistance R : vs (t) = -R.i (t)
Donc
dve(t )
Vs (t ) = − RC .
dt
4.2.3. Fonctionnement en régime de saturation

La caractéristique essentielle du fonctionnement en commutation est donc que la
tension de sortie ne peut prendre que deux valeurs distinctes +Vsat et -Vsat- Le
changement d'état de la sortie est la conséquence directe du changement de polarité de
la tension différentielle d'entrée. La tension de sortie ne reflète donc plus les variations
de la tension d'entrée, elle est constante à polarité de l'entrée ε fixée.
Il est inutile de calculer le rapport Vs / Ve , celui-ci n'a aucun sens, puisque les deux
grandeurs ne sont pas proportionnelles. Pour un A.O. idéal (A infini) : Vs = signe( ).Vsat
et ε ≠ 0
Deux configurations sont possibles pour l'A.O. :
- En boucle ouverte donc sans réseau de contre-réaction.
- Avec une réaction positive, qui a tendance à augmenter le gain de l'A.O.
Auquel elle est appliquée.
a) L'A. O. en boucle ouverte :
L'A.O. étant supposé idéal, sa caractéristique est la suivante :

Cours électronique
L'amplification A étant infinie, le basculement de la tension de sortie s'effectue au

passage par 0 de la tension différentielle d'entrée. L'A.O. se comporte naturellement
comme un comparateur non inverseur : Vs>0 si ε>0 et Vs<0 si ε >0.
i. Détecteurs de passage par zéro :
Si nous appliquons la tension Ve à l'une des entrées + ou - de l'A.O., l'autre étant à la
masse, le basculement a lieu quand ε passe par zéro donc quand Ve passe par zéro.

Cours électronique
ii. Détecteurs de seuil différent de zéro

II suffit, de détecter le passage par une tension Vref, de porter l'entrée + ou l'entrée - au
potentiel Vréf suivant le type de montage souhaité
b) L'A.O. avec réaction positive : Trigger de Schmitt :

L'application d'une légère réaction positive, qui consiste à réinjecter une fraction de la
tension de sortie en série avec l'entrée + de l'A.O., conduit à un fonctionnement meilleur
des comparateurs, les basculements étant accélérés. Ceci s'accompagne de l'introduction
d’une hystérésis, c'est à dire que les basculements correspondants aux flancs montants
et descendants se produisent pour des seuils de tensions différents.

Cours électronique
i. Trigger inverseur
Trigger inverseur.
La tension d'entrée est appliquée à l'entrée - de l'A.O. Vs et s sont toujours
liées par le fait que Vs bascule quand 8 change de signe : A.O. idéal. Vs peut
prendre deux valeurs +Vsat ou -Vsat.
➢ Si Vs = +Vsat > 0 :
R1 R1
e+ = .Vsat Donc  = e + − e − = .Vsat − Ve
R1 + R2 R1 + R2
R1
Vs est positive si Ve < e+  Ve  ..Vsat
R1 + R2
R1
Soit V bh = ..Vsat : seuil de basculement haut.
R1 + R2
Ve évolue à Vs constant tant que ε > 0 ou Ve < Vbh

Vs bascule dès que ε devient inférieur à zéro, alors Vs = -Vsat
➢ Si Vs = -Vsat<0:
R1 R1
e+ = − .Vsat = Vbl  = e+ − e− = − .Vsat − Ve
R1 + R2 : seuil de basculement bas, donc R1 + R2
Vs reste égale à -Vsat tant que ε < 0. Ve peut évoluer jusqu'à ce que ε soit égal à zéro.
R1
 Ve  − ..Vsat
R1 + R2
Vs = -Vsat si
Les valeurs des deux tensions de basculement étant différentes, on dit que le système
présente une hystérésis.
Le cycle d'hystérésis est centré sur 0 (A.O. idéal), l'hystérésis est représentée par l'écart

Cours électronique
2 R1 .Vsat
δV : V = Vbh − Vbl donc V = : l'hystérésis est réglable par R1 et (ou) R2.
R1 + R2
Caractéristique de transfert d'un Trigger inverseur.
ii. Trigger Non- inverseur

Le montage est représenté à la figure ci-dessous. Toujours à cause de la réaction positive
la sortie Vs ne peut prendre que 2 valeurs Vsat et -Vsat.
Trigger non inverseur
➢ Si Vs = +Vsat>0:
R1 R2
e+ = .Vsat + .Ve , l’entrée - étant à la masse, l’A.O. bascule pour e+ = 0, soit
R1 + R2 R1 + R2
R1
pour : Ve = − .Vsat = Vbl < 0 : seuil de basculement bas.
R2 .
ε > 0 si Ve >Vbl
Ve évolue à Vs constant et égale à +Vsat tant que Ve >Vbl
➢ Si Vs = -Vsat<0:
R1
Ceci suppose que ε < 0 ou e+ < 0. Donc : Ve < .Vsat = Vbh > 0 : seuil de basculement
R 2.
haut.
Vs reste égale à -Vsat tant que Ve < Vbh, l'A.O. bascule quand il y a égalité.
R1
Ve peut évoluer jusqu'à ce que ε soit égal à zéro. Vs = -Vsat si Ve < .Vsat
R 2.

Cours électronique
Caractéristique de transfert d'un Trigger non inverseur
2 R1
L'hystérésis du montage est égale à : V = Vbh − Vbl donc δV = .Vsat
R2
L'hystérésis est réglable par R1 et R2.

i. Trigger inverseur décentrée :
Soit le montage suivant, dans lequel l’A.O est supposé idéal. La réaction étant positive la
sortie ne peut prendre que deux valeurs +Vsat ou -Vsat
Trigger inverseur décentré.
➢ Si V s = +V sat >0:
R1 R2
e+ = .Vsat + .Vref et e-=Ve
R1 + R2 R1 + R2
R1 R2 R1 R2
 = e+ − e− = .Vsat + Vref − Ve  0  Ve  .Vsat + Vref = Vbh
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2
Tant que Ve < Vbh, Vs = -Vsat.

Cours électronique
➢ Si V s = -V s a t <0:
R1 R2
 = e+ − e− = − .Vsat + Vref − Ve 0
R1 + R2 R1 + R2
R1 R2
 Ve  − .Vsat + Vref = Vbl
R1 + R2 R1 + R2
Tant que Ve > Vbl, Vs = -Vsat. Vbl < 0 si Vref < R1/R2.Vsat

Cours électronique

Cours électronique
EXAMENS
Page 45
Examen électronique
EXAMEN
Matière : Electronique Date : 21/06/2019 Durée : 1h30
Classe : …………….. Enseignant : Mr AYADI.M Documents : non autorisés
EXERCICE1 : (6pts)
Soit les trois figures suivantes :
Figure a Figure b Figure c
Figure d
Sachant que la lampe absorbe un courant de 0.1A, calculer pour chaque montage la
tension au borne de la lampe et donner son état. (Éteinte, s’allume normalement, brille
trop fort ou se détruit) (Les diodes sont supposés idéales)
EXERCICE1 : (4pts)
Soit le montage suivant où les transistors fonctionne en commutation (VCE sat=0)
Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI

1/ compléter le tableau suivant : (S=1 si lampe allumée, S=0 si lampe éteinte)
a b s
0 0 0
0 1 ….
1 0 ….
1 1 ….
2/ Donner la fonction réalisée par le montage.
3/ On met la lampe maintenant en série aves RC. Refaire le tableau précèdent et donner la
nouvelle fonction réalisée par le montage.
Problème: (10pts)
Soi le montage suivant :
I) Etude statique :
On donne Vcc=12v, β=200, Rc=1KΩ, VBE=0.7v, IC=5mA, VCE=5v et
IP=0.25mA.
1) Représenter le schéma en régime statique.
2) Calculer RE, R2 et R1.
II) Etude dynamique
1) Représenter le schéma équivalent du montage.
3) Calculer Re, Rs(en charge), Av, Ai et Ap
On donne : ρ= RL=1KΩ
4) Compléter sur le document-réponse les allures de : ib, ic et vce

Nom…………………………Prénom……………………Classe…………
………………………………………………………………………………………………….

D.S ELECTRONIQUE Date : …………….

Classe : …………. Durée : 1 heure
Enseignant : Mr Krichi Med Khalil
Pour tous les calculs on idéalisera l'Aop à l'aide du modèle des 3 zéros
1°) Amplificateur inverseur :
a/ Déterminer l'expression de l'amplification en tension Av en fonction des résistances.

b/ On désire obtenir Av = -20 avec R1 = 1 k , calculer R2 ?
2° ) Amplificateur non inverseur :
a/ Déterminer l'expression de l'amplification en tension Av en fonction des résistances.

b/ On désire obtenir Av = +21 avec R1 = 1 k , calculer R2 ?
_
3°) Amplificateur suiveur :

a) Déterminer l'expression de l'amplification en tension Av.

b) Déterminer l'expression du rapport Us/Ue pour ce montage :
c) On enlève l’Aop et l’on relie les points A et B par un fil.

Déterminer le nouveau rapport Us/Ue. Commenter.
4°) Additionneur non inverseur :
Déterminer l'expression de la tension Us en fonction de U1, U2 et des résistances.

Que devient-elle si R4 = 3R3 et R1 = R2 ?
5°) Allure des signaux :

Prendre R2 = 2R1.
La tension maximale en sortie est un peu inférieure à Vcc, on note Vsat la tension de saturation du
circuit. Pour Vcc = 16V on a Vsat = 15V.

a) Tracer Us(t) lorsque Ue (t) est un triangle de fréquence 100 Hz et d’amplitude 6 volts crête à
crête.
b) Faire également un tracé lorsque Ue (t) est un triangle de fréquence 100 Hz et d’amplitude 12
volts crête à crête. Commenter.

Nom……………………………………Prénom………………………………Classe……………

EXAMEN ELECTRONIQUE Date : …………

Classe : ………………… Durée : 1h30mn
Enseignant : Mr AYADI.M & Krichi Med Khalil
Problème : Amplificateurs opérationnels
PARTIE A
Le montage étudié dans cette partie est représenté sur la figure 1 ; l’amplificateur opérationnel AO1
utilisé est considéré comme parfait. La caractéristique vs = f (ve) du montage est représentée sur la figure
2. La résistance R1 est ajustable et R2 = 10 k.
1) Montrer qu'en régime linéaire l’amplification du montage peut s’exprimer sous la forme :
vs R
A= =− 2
ve R1
2) En utilisant le résultat précédent et la caractéristique de la figure 2, déterminer la valeur donnée à la
résistance R1.
3) On applique à l’entrée du montage une tension sinusoïdale de valeur efficace Ve = 2,0V. Un
voltmètre est utilisé en position AC conformément à la figure 3. Quelle est l’indication de cet
appareil ?
4) On applique maintenant à l’entrée du montage la tension représentée sur le document- réponse 1.
a) Compléter le document-réponse en dessinant les variations de la tension de sortie vs.
b) Quelle est la fréquence de la tension ve ?
c) L’indication du voltmètre permet-elle de vérifier expérimentalement le coefficient
d’amplification ?

PARTIE B
L’amplificateur opérationnel AO2 du montage représenté sur la figure 4, est considéré comme parfait ;
ses tensions de saturation sont +15 V et 0 V. Le montage étudié permet de détecter les surintensités à la
sortie d’une alimentation continue ; la sortie de l’amplificateur opérationnel commande une diode
électroluminescente qui doit s’allumer lorsque le courant I délivré par l’alimentation dépasse une certaine
valeur.
Valeur des résistances utilisées : R = 10 m ; R1 = 2,2 k et R2 = 100 k. Le potentiel du point A par
rapport à la masse du montage est fixé : VA = 5,00 V.
1) Quel est le régime de fonctionnement de l’amplificateur opérationnel ?
2) Calculer la valeur de la tension V+.
3) Calculer la valeur de la tension UAB quand le courant débité par l’alimentation a une intensité
I = 5 A. En déduire la valeur du potentiel V -. (UAB = VA – V -)

4) Quelle est dans ces conditions la valeur de vs et l’état de la diode électroluminescente ?
5) En cas de surintensité dans la résistance R, la tension vs change d’état ; calculer la valeur minimale
de l’intensité du courant I qui provoque le changement d’état de la diode.
6) On se place dans le cas où vs = 15 V ; calculer la valeur à donner à la résistance Rp pour que
l’intensité du courant qui traverse la diode soit is = 6,0 mA sachant que la chute de tension à ses
bornes est vdel = 1,6 V.
PARTIE C
R
2
R1
AO1
Ue Us
1) Justifier le mode de fonctionnement de l’amplificateur opérationnel ?

2) Calculer les valeurs de v bh et vbl.
On donne Vsat = 15v, R1 = 10 k et R2 = 12 k.

i2 R2
R1 i1
FIG.1
ve AO1
vs
FIG.2
R2
R1
FIG.3
AO1
UAB v-
AO2 vs is
R1 v+ FIG.4
R2 Rp
VA
vdel

NOM…………………………………………….PRENOM………………………………………CLASSE………..
………………………………………………………………………………………………………………………………………

Cours Electronique

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MINISTÈRE DE L’ENSEIGNEMENT SUPÉRIEUR

1ÈRE ANNÉE LICENCE MECATRONIQUE

Moez AYADI & Mohamed khalil KRICHI

A.U. : 2020/ 2021

CHAPITRE II : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE 15

CHAPITRE III : LES AMPLIFICATEURS OPERATIONELS 26

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 1

1.1.1. Semi-conducteurs intrinsèques

1.1.2. Semi-conducteurs extrinsèques

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 2

1.1.3. Jonction PN : Diode

1.1.4. Barrière de potentiel

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 3

1.1.5. Caractéristiques statiques

On s’intéresse habituellement aux caractéristiques physiques pour obtenir un modèle

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 4

Le côté P est aussi nommé « Anode ».

1.1.6. Résistance dynamique

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 5

Au point de fonctionnement considéré on a un modèle équivalent pour chacune des

1.1.7. Avalanche de la diode

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 6

Le sens d'ouverture du clapet permet à l'eau de s'écouler

Analogie hydraulique de la diode

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 7

1.1.8. Schémas équivalents à une diode

Caractéristiques d'une diode à jonction

Caractéristiques idéalisées d'une diode à jonction

Diode bloquée Diode passante

Caractéristiques simplifiées d'une diode à jonction

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 8

2.1. Contrôle de l’avalanche en inverse : Diode Zener

Les diodes Zener s’emploient essentiellement dans les références de tension. On en

2.2. Création d’une jonction rapide : Diode Schottky

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 9

2.3. Contrôle de la capacité inverse : Diode varicap

2.4. Effet quantique : Diode tunnel

Moez AYADI /Mohamed Khalil KRICHI Page 10

2.5. Optoélectronique : Diodes électroluminescentes (DEL)

Si la caractéristique tension-courant reste la même, on observe une tension de seuil plus

3. Applications des diodes : redressement

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3.1. Redressement simple alternance

Quand la tension aux bornes du transformateur devient inférieure à la tension de seuil,

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3.2. Redressement double alternance

Alternance positive Alternance négative

• Tension moyenne : Vmoy = 2V max

3.2.2. Avec pont de Graëtz

Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne nécessitant

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Alternance positive Alternance négative

Chaque diode n'a à supporter qu'une fois la tension crête du secondaire du

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La structure réelle est très différente du schéma de principe et dépend de la méthode de

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On considère le transistor comme un quadripôle dont une électrode est commune à

1.2.1. Le montage émetteur commun

1.2.3. Réseaux des caractéristiques

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En pratique, on utilisera la relation simplifiée : IC = ß.IB

C’est le réseau IC = f(IB) avec VCE comme paramètre (coefficient H21).