Cours PV - CH II-2

II.
1 - Physique des semi-conducteurs
Statistique d’occupation des niveaux

Jusqu’à présent, on connait : - Structure de bandes proche du gap et n(E)
- Niveaux quantiques localisés liés à l’existence de dopants
Quelle est le nombre de charges mobiles (dans BC et BV) et la nature de ces charges (e- ou trou)
à l’équilibre thermodynamique ?
 Calcul à température T, des proba d’occupation des niveaux d’énergies accessibles
f (E ) =
1 EF  niveau de Fermi
Statistique de Fermi-Dirac : kB= cste de Boltzmann
 E − EF 
1 + exp  
=k=1,38.10-23 J/K
 B 
k T
Pour étudier cette fonction par rapport à T, nous allons supposer que EF est indépendant de la
température (en fait dépend très peu de T)
-Si E > EF alors exp[E-EF/kT]  +∞ et donc f(E)=0 états énergie vides

• Lorsque T0 :
-Si E < EF alors exp[E-EF/kT]  0 et donc f(E)=1 états pleins
 EF délimite donc dans le système les états occupés et les états vides
• Lorsque T≠0 : - Pour E = EF alors exp[E-EF/kT]=1, et donc f(EF)= ½ quelque soit T, toutes les
courbes passent par ½
- Symétrie par rapport à EF, les graphes sont symétriques par rapport au pt (EF, ½)
II.1 - Physique des semi-conducteurs
f (E ) =
1
Fonction Fermi-Dirac pour différentes T°C
 E − EF 
1 + exp   1
f(E)  B 
k T
0,8 300 K
200 K
100 K
1 20 K
0,6
T=0K
f(W)
f(E)
4,4 kBT
0,4
1/2 0,2
T≠0K EF
0
WF
E
E
0 EF
A une température T quelconque,

- Il y a des niveaux vides en dessous de EF et des niveaux pleins au dessus (différents que pour T=0K)
- En raison de la symétrie de la courbe, il y a autant de chaque sorte de niveaux vides que de pleins
 pour T≠0K, EF est l’énergie pour laquelle le nb de places vides est égal au nb de places remplies.
2
f (E ) =
1
Statistique de Fermi-Dirac
 E − EF 
1 + exp  
 k BT 
Notons que si E-EF >> kT, (si l’énergie vaut plusieurs fois l’énergie thermique kT).
 Dans ce cas, le facteur de Fermi de l’électron peut-être approché par une expression de
type Maxwell-Boltzmann (exp[E-EF/kT] >>1) :
f (E ) =
1  E − EF 
 E − EF  f (E ) = exp − 
1 + exp    k B T 
 k BT 
Statistique de Maxwell-Boltzmann
Ceci implique que f est petit devant 1, donc que l’effet d’exclusion est négligeable : l’électron se
comporte alors du pt de vue statistique comme une particule classique
Quelle statistique utiliser ?

• Maxwell-Boltzmann : pour un semi-conducteur modérément dopé dit non-dégénéré
• Fermi-Dirac : pour un semi-conducteur fortement dopé dit dégénéré
3

E max
Calcul de la concentration en porteurs libres dans BC et BV : ∫ n (E) f (E) dE

E min
à calculer
Emax = +∞ 4π ( 2m * ) 3 2
Dans la BC : on a
Emin = EC
et n (E) = n C (E) = (E − E C )12
Représente
h3 tous les états
disponibles
4π ( 2m * ) 3 2
Dans la BV : on a
Emax = EV
Emin = -∞
et n (E) = n V (E) = 3
(E V − E )1 2 dans BC et BV
h
Voir slides sur la
densité d’état au
• Pour un semi-conducteur non-dégénéré (EF – EC >> kT et EV – EF >> kT) voisinage des
 Statistique de Maxwell-Boltzmann extrema de bandes
Concentration d’électron dans BC : Concentration de trou dans BV :
 E − EC   E − EF 
32 32
 2πm*kT   2πm*kT 
n = N C exp  F  N C = 2   p = N V exp  V  N V = 2  
 kT   kT 
2 2
 h   h 
Densité d’état effective de BC Densité d’état effective de BV
Densité d’électrons dans BC m*  me* Densité de trou dans BV
m*  mt*
Ici, NC et NV joue le rôle de la dégénérescence d’un état unique d’énergie


E max
Calcul de la concentration en porteurs libres dans BC et BV : ∫ n (E) f (E) dE

E min
à calculer
Emax = +∞ 4π ( 2m * ) 3 2
Dans la BC : on a
Emin = EC
et n (E) = n C (E) = (E − E C )12
Représente
h3 tous les états
disponibles
4π ( 2m * ) 3 2
Dans la BV : on a
Emax = EV
Emin = -∞
et n (E) = n V (E) = 3
(E V − E )1 2 dans BC et BV
h
• Pour un semi-conducteur dégénéré (EF – EC ~ kT et EV – EF ~ kT)

 Statistique de Fermi-Dirac
Concentration d’électron dans BC : Concentration de trou dans BV :

32
32
1  8π 2 m* 
1  8π m  (E V − E F )3 2
2 *
n=   (E F − E C )3 2 p = 2  
3π 2  h 2 3π  h 2 

m*  me* Densité de trou dans BV m*  mt*
Densité d’électrons dans BC
La densité de porteurs n et p est indépendant T !!!

Pour résumer sur la statistique des porteurs à T° ambiant
Impuretés donneurs non ionisés

(électrons « quasi-libres »)
Sans
demo (dopant) Impuretés acceptrices non ionisés
(trous « quasi-libres »)
N  N 
Sans
Position du niveau de Fermi E F = E C + kT ln  d  E F = E V − kT ln  a 
demo
 NC   NV 
n i2 = p i2 = n × p loi action-masse Eg : énergie du gap

Porteurs de charge
 E − EV   Eg 
intrinsèques avant dopage
n i2 = N C N V exp − C  ⇒ n i = ( N C N V )12
exp − 
 kT   2 kT 
Pour résumer sur la statistique des porteurs à T° ambiant

T=300K diagramme
bandes
densité
d’états
fonction
d’occupation
Concentration de
porteurs
Semi-conducteur
intrinsèque EF au milieu
(non-dopé) du gap
majoritaire
Semi-conducteur de
type n EF est plus
proche de BC
(modérément dopé) (mais tjs en
minoritaire
dessous de Ed)
minoritaire
Semi-conducteur de EF est plus
type p proche de BV
(modérément dopé) majoritaire
(mais tjs au
dessus de Ea)
7
Remarque : semi-conducteur conducteur ou isolant ?

Ca va dépendre de la fonction d’occupation f(E) et de la position du niveau de Fermi EF
EC – EV < 0,5eV
Il y a quelques places occupées dans
Étain (Sn), InSb… BC mais aucune dans la BV.
Certains éléments Niveau de Fermi se trouve dans la BC
colonne V : As , Sb
 Légère conduction
EC – EV > 3eV
L’écart en énergie est tel que f(E) ≈0

Diamant….
est quasi nul pour BC.
Le matériau reste isolant
0,5 <EC – EV < 3eV
Il y a quelques places occupées dans

BC et quelques places vides dans BV.
8
Concentration de porteurs et comportement des dopants en T°C
Précédemment, nous avons schématisé les niveaux de dopants comme ceci :
Type n Type p
0,05eV
Est-ce toujours vrai quelque soit la température ?
9
Concentration de porteurs libres et comportement des dopants en T°C
Expressions pour un type p,

On peut montrer que (sans démonstration) pour un semi-cond de type n: se déduisent directement
1) Semi-conducteur intrinsèque n×p=ni ²
 Eg  Eg 3kT  m*t 
n i = (N C N V ) exp − EF ≈ + ln  * 
12
 2 4  me 
 2 kT  midgap
Variation en T3/2 Faible correction
 Faible variation de porteurs et du EF en fonction de T
2) Semi-conducteur extrinsèque type n

Faible correction
 E − Ed 
12
N N  E C + E d kT  N d 
n =  C V  exp − C 
- Basse t°c T<Tgel :  2   2 kT  EF = + ln  
2 2  2 NC 
p=0
n i2 N 
- Interm t°c Tgel<T<Tint : n = Nd et p = << N d E F = E C + kT ln  d 
Nd  NC 
 Eg  Eg kT  N V 
- Haute t°c T>Tint : n = p = n i = (N C N V ) exp − EF = +
12
 ln  
 kT  2 2  NC  10
Expressions pour un type p,

On peut montrer que (sans démonstration) pour un semi-cond de type n: se déduisent directement
1) Semi-conducteur intrinsèque n×p=ni ²
 Eg  Eg 3kT  m*t 
n i = (N C N V ) exp − EF ≈ + ln  * 
12
 2 4  me 
 2 kT  midgap
Variation en T3/2 Faible correction
 Faible variation de porteurs et du EF en fonction de T
2) Semi-conducteur extrinsèque type n
- Basse t°c T<Tgel : régime ionisation (extrinsèque) (on dit aussi gel des porteurs)
- Interm t°c Tgel<T<Tint : régime d’épuisement des impuretés (ici des donneurs)
comportement extrinsèque
- Haute t°c T>Tint : régime intrinsèque (épuisement des impuretés)

11

Ex : Silicium dopé As type n:
Régime d’ionisation extrinsèque Régime d’épuisement Régime intrinsèque

(gel des porteurs) des impuretés T > Tint
T < Tgel Tgel <T < Tint
Tgel ~ 50K
• Ionisation des donneurs est faible • concentration n=p

• EF se situe entre Ed et EC • EF se situe en midgap
• Concentration trou négligeable p~0  On retrouve le comportement
 gel des porteurs d’un sc intrinsèque 12

Variation de la concentration en porteurs (type n) en fonction de 1/T
Variation de la concentration en porteurs (type n)
et du EF en fonction de 1/T
Niveau de
Fermi EF
T<Tgel
Tgel<T<Tint
T >Tint 13
Exemple de Tgel et Tint pour Ge, Si, GaAs pour différents taux de dopage (type n):
Ge, Si : dopage au phosphore (type n) GaAs: dopage au silicium (type n)
• Le domaine Tgel et Tint est très large (plusieurs centaines de degrés)

• Pour dopages très fort (dégénéré)  ionisation totale même à 300K
• Pour GaAs, aux basses températures, EF est élevé  Pas de gel de porteurs (Tgel n’existe pas)
• Par contre Tint existe, et est plus élevé que pour Si et Ge
 GaAs autorise un fonctionnement à des températures plus élevées que Si et Ge 14
Phénomène de transport dans les semi-conducteurs

Trajectoire e- avec et sans champs E
Il existe 2 courants de charges dans les semi-conducteurs:
1) Courant de dérive ou conduction (drift) :

en lien avec la conductivité électrique (loi d’ohm)
Dans le modèle de Drude [gaz parfait de porteurs et collisions entre porteurs et imperfections du cristal (mais pas e- - e-)]
Temps de collision
 
Densité de courant : J = −n e v  eτ  ne2 τ
  v= E et σ= = n eµ
Loi d’Ohm : J = σ E m m
Vitesse (m/s) conductivité (Ω-1.m-1) Mobilité (m²/V.s)
Pour un semi-conducteur, on peut définir un courant pour chaque porteurs de charge :

   n e 2 τe
- Pour les électrons : J e = − n e v e = σ e E avec σe = = n eµ e
m*e
   p e2 τt
- Pour les trous : J t = −n e v t = σ t E avec σt = = p eµ t
m*t
Le courant de dérive total va donc s’exprimer ainsi :

 
J = σE avec σ = σe + σ t = n e µ e + p e µ t
15
Il existe 2 courants de charges dans les semi-conducteurs:
2) Courant de diffusion : migration des porteurs par gradient de concentration (loi de Fick)
Temps de collision
  kT τ
1ère loi de Fick : J = −D grad c = −D ∇c avec D=
m
coeff de diffusion
Pour un semi-conducteur, on peut définir un courant pour chaque porteurs de charge :

  kT τe
- Pour les électrons : J e = e D e ∇n avec De =
m*e
  kT τ t
- Pour les trous : J t = − e D t ∇p avec Dt =
m*t
Le courant de diffusion total va donc s’exprimer ainsi :

    
J = J e + J t = e D e ∇n − e D t ∇p
Relation Einstein : D e D t kT
= = Cette relation permet de déterminer
µe µ t e les mobilités à T=300K
16
Potentiel thermique

Expression du courant total : Somme des courants de dérive et des courants de diffusion
  
- Pour les électrons : J e = n e µ e E + e D e ∇n (contribution des électrons de la BC)
  
- Pour les trous : J t = n e µ t E − e D t ∇p (contribution des trous de la BV)
Le courant total va donc s’exprimer ainsi :
      
J = J e + J t = n e µ e E + e D e ∇ n + p e µ t E − e D t ∇p
dérive e- diffusion e- dérive trou diffusion trou
• Limite du modèle de Drude (statistique « classique ») :

Permet de retrouver loi d’Ohm et constante D dans loi de Fick
Mais peu réaliste car ne prend pas en compte les interactions e-—e- ainsi que les interactions en
conséquence avec la périodicité du réseau….
• Modèle plus rigoureux : eq de transport de Boltzmann (statistique « semi-classique ») :

Retrouve les mêmes expressions que Drude mais où τ(E )E 3 2 exp[− E kT ]dE
τ =
∫ τ = cst × E −1 2
× T −1
le temps de collision dépend de l’énergie τ(E) E 3 2 exp[− E kT ]dE

∫ 32
T 
Mais ne marche pas pour collisions e- avec impuretés non-ionisés et phonons µ =µ × 0 
0
T
• Modèle encore plus rigoureux car « purement quantique » : théorie 2nd quantification 17

Voici quelques abaques concernant la mobilité et coefficient diffusion du Si, Ge, GaAs
µe et µt en fonction de (Nd + Na)

Valeurs pour T=300K
pour Ge, Si et GaAs
Variation de µe et µt en fonction de T
pour Si
A basse t°c, les mobilités ne suivent

pas une loi en T -3\2 comme le prévoit
la théorie semi-classique.
Les mobilités dépendent aussi légèrement
de la concentration des dopants non prédit 18
par la théorie semi-classique.
Effet de la lumière
2 réactions peuvent avoir lieu au sein d’un semi-conducteur exposé à la lumière (hν > Eg) :
Lumière électron + trou électron + trou énergie
Absorption optique Recombinaison radiative
Dispositifs optroniques : cellule photoélectrique et solaire, photocopieur…..
Proba de passer d’un état initial |i > à un état final |f > au cours du temps : |i >
Règle d’or de Fermi :
Conservation de l’énergie et du vecteur d’onde (important selon gap direct ou indirect) hν
 règle de sélection des états de Bloch |i > (pour BV) et |f > (pour BC)
|f >
On peut montrer que E tot ∝ hυ − E g dépend du gap du semi-conducteur.
Remarque :
• Pour des énergies supérieures au gap (hν > Eg), la conservation du moment (vecteur onde k) implique
que la transition à la vertical à l’échelle de la 1ère ZB n’est possible que dans les sc à gap direct .
• Dans les sc à gap indirect, la conservation du moment (tjs pour hν > Eg) nécessite de faire intervenir une
autre quasi-particule : le phonon
19
La Génération – Recombinaison radiative
Radiative : processus avec émission de lumière (sinon non-radiative)
• La génération G : création de porteurs dans le sc [nb de porteurs par volume et temps (cm-3.s-1)]
Elle peut provenir de l’absorption de photons, ou de l’émission de porteurs depuis des niveaux pièges
dans la bande interdite.
Le taux de génération G est spécifique du processus mis en jeu dans l’exitation du semi-conducteur.
• La recombinaison R : disparition de porteurs dans le sc [nb de porteurs par volume et temps (cm-3.s-1)]
Elle peut s’effectuer directement par paires électron-trou, ou par l’intermédiaire de niveaux pièges dans
la bande interdite.
Le taux de recombinaison R est un paramètre spécifique du matériau.
Quelque soit le processus d’excitation utilisé (optique, thermique, électrique), la variation du

nb de porteurs en fonction du temps s’écrit :
dn dp R  Taux de recombinaison de porteurs

ou = G−R G  Taux de génération de porteurs
dt dt
20
Voyons les expressions de l’évolution des porteurs après excitation thermique (retour à l’équilibre)
Equilibre  Relaxation des processus de recombinaison
• Pour un semi-conducteur intrinsèque :
Pour les électrons : n= n0 + Δn n0 et p0  population à l’équilibre

Pour les trous : p= p0 + Δp Δn et Δp  e- et trou crées par excitation thermique
On peut alors exprimer la variation de n et p par les eq suivantes :

recombinaison
dn n dp p τn et τp  Durée de vies des porteurs
= G 0 (T ) − et = G 0 (T ) − G0(T)  Taux de création de porteurs
dt génération τ n dt τp
τn peut varier avec p (i.e τp peut varier avec n) et à l’équilibre n=n0 et p=p0
n 0 p0 τn,0 et τp,0  Valeurs de τ pour n=n0 et p=p0

A l’équilibre G0 = =
τn ,0 τp,0
Génération = recombinaison
d∆n n 0 n d∆p p 0 p
Ainsi, on peut écrire les eq suivantes : = − = −
dt τn ,0 τn dt τp,0 τp 21
Les choses se simplifient si semi-conducteur dopé soumis à une excitation lumineuse pas trop intense
• Pour un semi-conducteur extrinsèque (type n) : Type n : n0 >> p0

Faible injection : n0 >> Δn et Δp
Au cours du retour à l’équilibre, n change peu. d∆p p 0 p ∆p
 τp indépendant de Δn et τp,0 = τp
= − =−
dt τp τp τp
Si on fait l’hypothèse qu’un trou et qu’un e- vont se recombiner instantanément alors :

création par kT recombinaison on pose
dn dp 1 β est une
= = G (T ) + G L − β × n × p A l’équilibre G (T ) + G L ≈ β × n 0 =
constante
dt dt τp
Neutralité électrique création par lumière τp  Durée de vies des porteurs minoritaires
En absence d’excitation, on peut montrer alors que (sans démonstration) :
d∆n ∆n d∆p ∆p La constante de temps de disparition des électrons et

= − = − trous est la même dans un sc dopé n, mais est égale à
dt τp dt τp la durée de vie des porteurs minoritaires (les trous).
τp diminue quand la concentration n augmente
Ce sont les porteurs minoritaires qui
pilotent les processus de recombinaison 22
Les différents mécanismes de recombinaison
1) Recombinaison directe : (idem que slide précédent)

R np = β × n × p
A l’équilibre, on doit avoir dn dp

BC = = G np = R np = β × n 0 × p 0
dt dt
En dehors de l’équilibre, on a un terme de génération supplémentaire
BV liée à l’absorption de photon GL.
On va maintenant définir le taux de recombinaison net Rnet comme étant :
∆n ∆p
R net = − =− τminoritaire  Durée de vies des porteurs minoritaires
τ min oritaire τ min oritaire
Comme c’est les porteurs minoritaires qui gouvernent
Expression identique qu’au slide précédent la recombinaison
(Rnet = GL = R – Gth)
23
2) Recombinaison indirecte : recombinaison par des niveaux dans le gap dite SRH
Théorie de Shockley-Read-Hall
EC
Niveaux pièges
Etrap profonds
EV
Les taux de transition sont :

1. R 1 = c n n N trap (1 − f ) cn,p  coefficient capture (cm3/s)
en,p  fréquence d’émission (cm3/s)
  E C − E trap  
2. R 2 = e n N trap f = N trap f ×  v th σ n N C exp −  
  kT 
f  fonction de Fermi-Dirac
3. R 3 = c p p N trap f vth  vitesse thermique
  E trap − E V   σ  section efficace de capture
4. R 4 = e p N trap (1 − f ) = N trap (1 − f )×  v th σ p N V exp −  
 kT  Ntrap  densité d’état dans le
24piège

2) Recombinaison indirecte : recombinaison par des niveaux dans le gap dite SRH
Théorie de Shockley-Read-Hall
EC
Niveaux pièges
Etrap profonds
EV
En absence d’excitation, on peut montrer alors que (sans démonstration) :
R net
∆p
= − ≈ v th σ N trap
(p − p n ,0 )
n Pour des défauts situés proche du midgap,
le taux de recombinaison est max
τp 2 ni  E F − E trap 
1+ Cosh   (donc régime faible injection)
Pour type n n n ,0  kT  ∆p
R net = −
τp
vth  vitesse thermique Ntrap  densité d’état dans le piège
τ p = 1 v p σ p N trap 25
σ  section efficace de capture (identique n et p)
3) Recombinaison Auger : (processus direct non-radiative)
1. Un électron retombe dans la BV et l’énergie correspondante BC

est cédée à un autre électron de conduction qui monte en
énergie dans la BC 1 2
Si électron atteint le niveau du vide  électron Auger
BV
2. Un électron retombe dans la BV et l’énergie correspondante est
cédée à un autre trou qui descend en énergie dans la BV
pour le processus à 2 électrons et 1 trou : ( )

R 1net = A p pn 2 − n 02 p 0
• Taux de recombinaison :
pour le processus à 2 trous et 1 électron : 2 =
R net A (p n − p n )
n
2 2
0 0
• Pour un semi-conducteur dopé de concentration Na ou Nd, la durée de vie des porteurs minoritaires
liés à l’effet Auger sera donnée en régime de faible injection par :
1 1
Type n : = A p N d2 Type p : = A n N a2
τ p, Auger τ n , Auger
26
Les processus Auger sont plus important pour des fortes concentrations en porteur (petit gap, fort dopage, haute T°)
4) Recombinaison de surface et interface :
Rupture de la périodicité du réseau par la surface telle que toutes les liaisons chimiques des atomes ne
peuvent être satisfaites.
 Etats quantiques localisés près de la surfa ce dont l’énergie se situe souvent dans le gap « état de surface »
N(E)
E
EV Ed EC
Ces états de surface sont responsables de recombinaisons SRH

Liaisons brisées (pendantes) (comme pour les états de volume)
États dans le gap
 charges dans ces états R net
= N trap
(
vth ,n σ n vth , p σ p N surf np − n 2 )
dépendent de la position de EF  E −E   E −E 
surf
vth , p σ p  p + ni exp  F surf   + vth ,n σ n  n + ni exp F surf  

  kT    kT 
Relation entre Génération/Recombinaison et α Coefficient d’absorption
x
Point de vue macroscopique ondulatoire : I0 , F0 , … I(x) = I0 e-αx
maté
Le flux F ou l’intensité I (etc...) est atténué de façon riau
exponentiel avec l’épaisseur du matériau et suit une loi
de Beer-Lambert: x
dI
= −α I α  coefficient d’absorption
I(x) = I0 e-αx Loi de Beer-Lambert dx ……..macro du matériau
• Pour des photons hν>Eg, l’absorption est liée à la création de paires e--trou :
Gn (E , x ) = G p (E , x ) = F (E , x ) × α (E , x ) avec F = I hν
proportionnalité entre génération, flux et α
• Pour éclairement monochrom de longueur d’onde λ :
Gn (λ , x ) = G p (λ , x ) = F0 × (1 − r )× α e −αx
2
E = hυ = hc λ Coefficient de réflexion (dépend  n −1 
r =  r  28
de l’indice nr du matériau)
 nr + 1 
Injection de porteurs
Quand un sc est soumis à un flux de lumière (hν>Eg), le taux de création de paire e- - trou varie dans
l’espace car la lumière est progressivement absorbée.
 Apparition de courants de diffusion liés à l’injection de porteurs hors équilibre par la lumière.
Equations qui traduisent la conservation du nb de porteurs doivent tenir compte de la recombinaison.

Type n Type p
   
∂ p min oritaire p − p 0 div J t ∇. J t ∂ n min oritaire n − n 0 div J e ∇. J e
= Gp − + = Gp − Rp + = Gn − + = Gn − Rn +
∂t τp q q ∂t τn q q
Équation de continuité ( porteurs minoritaires )
      
On rappel que : J = J e + J t = n e µ e E + e D e∇n + p e µ t E − e D t ∇p
dérive e- diffusion e- dérive trou diffusion trou
Pour les porteurs majoritaires, il faut que la neutralité soit conservée si bien que :
Type n Type p
n majo − n 0majo = p min o − p 0min o p majo − p 0majo = n min o − n 0min o
Équation de neutralité (porteurs majoritaires )

La neutralité est conservé même en présence d’une excitation extérieure (quasi-neutralité) 29
Intermède avant de passer à la diode PN
Différents types de potentiel

 
• Potentiel électrostatique V : E = − grad V = − ∇V
• Potentiel chimique µ : (Expressions données par les lois de la thermodynamique)
Pour un système de particules non chargées, la variation d’énergie s’écrit : dU = − PdV + TdS + ∑ µ i dN i
i
 ∂F 
A partir de l’énergie libre F=U-TS, on obtient : µ i =  
∂
 i  T ,V ,n j
n
~ :
• Potentiel électrochimique µ
dU = − PdV + TdS + ∑ µ i dN i + ∑ Vq i dN i
Pour un système de particules chargées, et en présence d’un i i
potentiel électrostatique V, la variation d’énergie s’écrit : ~ =µ +q V

µ i i i
(méca quantique)
~ =E
µ L’énergie de Fermi
Pour les électrons, on démontre en physique statistique que : e F
Pour être rigoureux, il faudrait écrire E F = −qϕ = µ e − qV ϕ  Potentiel électrochimique
Ainsi, si par exemple on applique une tension avec un générateur entre 2 points A et B, on applique
une différences de potentiel électrochimique ϕ A − ϕ B (i.e VA-VB).
30

Coordonnée
Coordonnée
spatiale Semi-conducteur spatiale
Vide E=0
qV Zéro des énergies
qV
qφ=-Ws,métal
qϕS N’a pas réellement
EF de sens physique qφ
pour un semicond qϕS qχ
car pas d’e- à EF
EC
métal EF
Eg
EV
Le travail de Il s'agit du travail Ws à fournir en moyenne pour extraire une particule du système sans
sortie WS : l'emmener à l'infini mais en la laissant à proximité immédiate du système. (où elle reste
soumise au même potentiel électrostatique macroscopique V que celui régnant à l’intérieur du matériau)
WS = −qφ = qφS − qV ϕS  Potentiel de sortie

χ Affinité Utilisé pour les semi-conducteurs car le bas de bande de BC (et BV) varie spatialement
électronique : avec le potentiel électrostatique.
E C = E C, 0 − qV = −χ − qV qχ = − E C , 0
31

Coordonnée
Coordonnée
spatiale Semi-conducteur spatiale
Vide E=0
qV Zéro des énergies
qV
qφ=-Ws,métal
qϕS N’a pas réellement
EF de sens physique qφ
pour un semicond qϕS qχ
car pas d’e- à EF
EC
métal EF
Eg
EV
Conséquences :
• Si on réalise une jonction entre 2 matériaux de travaux de sortie ϕA et ϕB différents.

 Existence d’une variation de potentiel (dans la direction perpendiculaire à la jonction) tel que :
VA –VB= ϕA - ϕB attention vrai suffisamment loin de la jonction (voir plus tard)
• Il peut exister une courbure de bandes (due aux variations de V) au voisinage de l’interface
32
II.2 - La diode PN
Hétérostructures semi-conductrices
Hétérostructure :
Jonction formée de 2 (ou plusieurs) semi-conducteurs différents ou de classes différentes ( métal/sc,
métal/isolant/semiconducteur).
 Assemblage correspondant à de nombreux dispositifs électroniques et optroniques
Ex : Diode  métal/Sc, Sc(p)/Sc(n) Transistor bipolaire  Sc(p)/Sc(n)/Sc(p) et Sc(n)/Sc(p)/Sc(n)

Transistor à effet de champ  métal/Isolant/Sc (MOSFET)…
Jonction PN : jonction entre deux zones semi-conductrices, l'une dopée p, l'autre dopée n.
- Homojonction : lorsque les deux zones sont obtenues à partir du même semi-conducteur,
par exemple Si(p)/Si(n)
- Hétérojonction : si les deux zones concernent des semi-conducteurs différents,

par exemple une hétérojonction GaAs(p)/AlGaAs(n).
33
II.2 - La diode PN
Hétérostructures semi-conductrices
Hétérostructure :
Jonction formée de 2 (ou plusieurs) semi-conducteurs différents ou de classes différentes ( métal/sc,
métal/isolant/semiconducteur).
 Assemblage correspondant à de nombreux dispositifs électroniques et optroniques
Ex : Diode  métal/Sc, Sc(p)/Sc(n) Transistor bipolaire  Sc(p)/Sc(n)/Sc(p) et Sc(n)/Sc(p)/Sc(n)

Transistor à effet de champ  métal/Isolant/Sc (MOSFET)…
Cas d’une jonction entre 2 semi-conducteurs A et B :
Que se passe t-il lorsque l’on applique

une tension entre les 2 matériaux ?
A B
Modification de la structure de
bandes dans la jonction commune
VA –VB = (VA –VB)eq + φA –φB

 Jonction hors équilibre
ddp VA -VB  φA –φB
34
II.2 - La diode PN
Diagramme de bandes d’énergie à l’équilibre
On peut montrer que quelque soit le dispositif (aussi compliqué

A l’équilibre thermodynamique (V=0) :
soit-il) que EF est constant et identique en tout point
(ni variation spatial, ni énergétique)
Pour les 2 matériaux isolés pris séparément (« seul au monde »)
SC B dopé n Pour chaque SC, la position du EF est définie :
 E − EF   E − EC 
p = N V exp  V  n = N C exp  F 
 kT   kT 
Pour le SC A Pour le SC B
Pour une homojonction:

χA=χB et ΕgA=ΕgB
et ΦA > ΦB si A est le matériau de type p
Lors de la jonction :
- Loin de l’interface les niveaux de Fermi
doivent s’aligner.
- La différence d’affinité électronique (χA-χB)
doit rester constante dans la jonction 35
II.2 - La diode PN
SC dopé p SC dopé n
Zéro des énergies
qVA
qVB
qΦA qχA
qχB qΦB
EC
EC
EF
EV
EV
1. On trace une horizontale pour le niveau de Fermi

2. Loin de la jonction, de chaque coté, on trace le travail de sortie à partir de EF pour chacun des 2 matériaux
3. Loin de la jonction, on positionne les bords de bandes EC et EV par rapport à EF à partir de l’affinité électronique
4. On complète le tracé en allant vers la jonction, en assurant la continuité du potentiel électrostatique.

Les variations de EC et EV sont celles de -qV. Leur forme exacte est obtenue par résolution de l’équation de Poisson
36
II.2 - La diode PN
Jonction PN à l’équilibre
Zéro des énergies
Attention : ici pour illustrer on discute en

terme de porteurs et non de courants (je; jt)
E
Flux des électrons par diffusion

EC
EC
EF
EV
EV
Flux des trous par diffusion
- Flux des porteurs de charge par phénomène de diffusion par gradient de concentration (loi de Fick) :
diffusion des électrons de droite à gauche, trou de gauche à droite
- Présence d’un champs électrique E (car courbure) qui va séparer les porteurs de charge (drift) et
s’opposer à la diffusion des porteurs
 Equilibre qui s’établit dans la jonction PN
II.2 - La diode PN
Zéro des énergies
Attention : ici pour illustrer on discute en

terme de porteurs et non de courants (je; jt)
E
EC
Recombinaison car
porteurs minoritaires EC
en excès
EF
Zone de charge d’espace (ZCE) Recombinaison car
EV w porteurs minoritaires
en excès
EV
- Les porteurs minoritaires en excès se recombinent de chaque coté

- Au centre : nombre de porteurs libres très faible :  2ε N + N d 
12
Zone de charge d’espace d’épaisseur w w =  × a  (Φ p − Φn )

12
 e Na Nd 
Φ=Φpn=Vbi
II.2 - La diode PN
Zéro des énergies
Barrière de potentiel q(Φpn)

EC
q(Vn-Vp) = q(Φp- Φn)
EC
EF
EV
EV
- La neutralité électrique n’est donc pas conservée ρ(x , y, z ) eq de poisson
∆V(x , y, z ) = −
partout , la densité de charge ρ(x,y,z) suit la loi : ε
La variation du potentiel électrostatique V(x,y,z) peut alors être obtenue en intégrant l’équation de poisson
- Création d’une barrière de potentiel entre les régions p et n.  N × Nd 

qΦ pn = E g + kT × Ln  a 
 Cette barrière va empêcher la diffusion de porteurs de charge  N C × NV 
<0
II.2 - La diode PN
Zéro des énergies
Barrière de potentiel q(Φpn)

EC
q(Vn-Vp) = q(Φp- Φn) = Vbi
EC
EF
EV
EV
Que ce passe t-il maintenant si on polarise nous même la jonction par une ddp ?
 Jonction hors équilibre

II.2 - La diode PN
Diagramme de bandes d’énergie hors équilibre
On va appliquer une tension continue Vdc sur la jonction PN Sc P Vdc

1) A l’équilibre Vdc =0 Sc N
EC
EC
EF
EV
EV
41
II.2 - La diode PN

2) Polarisation directe Vdc >0 : Sc N
Les bandes BC et BV montent d’une valeur de qVdc

 EF,n monte alors que EF,p reste immobile tel que EF,n -EF,p = -qVdc<0
EC q((Vn-Vp)eq -Vdc)= q(Φ-Vdc)

EC
EF,p EF,n
diminution de la ZCE Vdc>0
EV
EV
Pour polarisation directe : Va facilité le passage des

- Diminution de la barrière de potentiel porteurs de charge
- Diminution de la zone de charge d’espace Sens passant du courant
(similaire à une diode)
42
II.2 - La diode PN

3) Polarisation inverse Vdc <0 : Sc N
Les bandes BC et BV descendent d’une valeur de qVdc

 EF,n descend alors que EF,p reste immobile tel que EF,n -EF,p = -qVdc > 0
EC
q((Vn-Vp)eq -Vdc)= q(Φ-Vdc)
EF,p
extension de la ZCE EC
EV EF,n
Vdc<0
EV
Pour polarisation inverse :

Va empêcher le passage des
- Augmentation de la barrière de potentiel porteurs de charge
- Extension de la zone de charge d’espace Sens bloquant du courant
(similaire à une diode) 43
II.2 - La diode PN
Focus sur la Zone de Charge d’Espace

Exemple : jonction dissymétrique Na>>Nd
SC dopé p+ SC dopé n Continuité électrique en x=0 :
E w p × N a = wn × N d
Charges
résultantes ρ(x) Après diffusion, les e- laissent
Aire = Aire
wp des donneurs ionisés en
concentration Nd
Après diffusion, les trous Charge locale n’est pas nulle et la
laissent des accepteurs wn
ionisés en concentration Na neutralité n’est plus respectée
 Zone Charge d’espace (ZCE)
wZCE = wn + w p
Charges libres Désertion de charges libres ZCE:

dans ZCE - Faible densité en porteurs libres
(considérée comme nulle)
- s’étend dans la région la moins dopée
(ici elle s’étend dans région n)
44
ZCE w = wn +wp
II.2 - La diode PN
Caractéristique Courant-Tension d’une jonction PN S
Représentation électrique d’une jonction PN idéale : Sc P Vdc

Sc N
 qV  
 app  
I = I s exp − 1
 k T  
 B  
Vdc=Vapp=ϕp-ϕn
J = I/S densité de courant (A/m²)
Tension appliquée
 De Dt    q(ϕp − ϕn ) 

J = q  n min o + 
p min o  × exp   − 1 Loi de Shockley
 e
L L t    kT  
avec Lt = (Dt×τp)1/2 et Le = (De×τn)1/2 longueur de diffusion des trous et électrons respectivement
D D 
On pose souvent Js la densité de courant de saturation : J S = q  e n min o + t p min o 
 Le Lt 
Js ne fait intervenir que les concentrations de porteurs minoritaires
Forte dépendance avec la T°

45
Forte dépendance avec la tension lorsque polarisée en directe
II.2 - La diode PN
Caractéristique Courant-Tension d’une jonction PN
Cas des jonctions dissymétriques (cas le plus courant) :

(dit aussi écrantage)
Longueur de Debye dans région n
• Jonction P+N : Na >> Nd  nmino << pmino
 D    q(ϕp − ϕn ) 
12
 2ε 
J =  q t p min o  × exp   − 1 w =   ϕp − ϕn = L D,n × ϕp − ϕn
 Lt    kT    eN d 
avec Lt = (Dt×τp)1/2 longueur de diffusion des trous

ZCE
Le courant d’électrons traversant la jonction devient négligeable Zone P+ Zone N
 La ZCE s’étend principalement dans la région n (la moins dopée)
• Jonction PN+ : Nd >> Na  pmino << nmino
 De    q(ϕp − ϕn )   2ε 
12
J =  q n min o  × exp
   − 1 w =   ϕp − ϕn = L D,p × ϕp − ϕn
 Le    kT    eN a 
avec Le = (De×τn)1/2 longueur de diffusion des électrons
Longueur de Debye dans région p
Le courant de trous traversant la jonction devient négligeable
La ZCE s’étend principalement dans la région p (la moins dopée) 46
II.2 - La diode PN
Représentation électrique d’une jonction PN idéale :
 qV  
 app  
I = I s exp − 1
 k T  
 B  
Vdc=Vapp=ϕp-ϕn
Tension appliquée
J
Echelle semi-logarithmique
Echelle linéaire
|J|
Vdc |JSC|
-JSC
Vdc
Comportement redresseur de la diode 47
II.2 - La diode PN

Représentation électrique d’une jonction PN réelle :
A partir d’une jonction PN, on réalise une diode si

on contact avec un fil (contact avant et arrière)
Facteur
d’idéalité
48
II.2 - La diode PN

Représentation électrique d’une jonction PN réelle :
Liée à des résistances de contacts

supplémentaires dans le dispositif
complet
Liée à des canaux de conduction
parasites dans le sc
Un modèle à 2 diodes est encore plus réaliste (non montré ici)

49
II.2 - La diode PN
Fonctionnement en régime non continu

Régime alternatif de petit signaux : cas jonction PN
Φ=(Φp- Φn) = Vbi = potentiel de diffusion
E
Condensateur ε= ε0×εr
- E +
Vdc=0 eΦ - +
dQ ε S
≡
- +
- + C= =
- + dt w
- +
- + (En F/m²)
w w
Application de Vdc sur jonction  Effet capacitif lié à la variation de la charge dans ZCE
Vdc> 0 : polarisation directe Vdc< 0 : polarisation inverse
e (Φ-Vdc)
e (Φ-Vdc)
w w
50
réduction w  C augmente extension w  C diminue
II.2 - La diode PN
Fonctionnement en régime non continu

Mesure Capacité en fonction tension C(V) : (à l’aide d’un capacimètre ou pont RLC)
Application d’une tension alternative Vac de faible valeur (Vac~20 mV rms) à une certaine fréquence f (de qq
Hz à 1MHz) superposée à Vdc.
Variation AC de la ZCE : Mesure ΔQ qui donne accès à C
Possibilité de jouer sur la fréquence Régime haute fréquence (~ 1 MHz) : ZCE

Régime basse fréquence (qq Hz jusqu’ au 1 kHz) : défauts
12
 2ε  Na + Nd 
C(F/m²) w =    
 Φ
 e  Na × Nd 
HF
12
 eε N a × N d 
Φ C (Vdc ) = S ×   Φ − Vdc
 2 Na + Nd 
• Mesure en tension donne accès :

- au taux de dopage et longueur caractéristiques
- à la hauteur de la barrière Φ
• Mesure en fréquence donne accès :

Vdc - aux caractéristiques des défauts s’il y en a
dans la BI du semi-conducteur 51
II.3 - La Cellule solaire
Cellule Solaire : dispositif
Schéma d’une cellule PV en Si
Cellule Solaire = diode à jonction PN
52
Conversion photovoltaïque
Cellule Solaire : c’est une diode à jonction PN fonctionnant sous illumination
Principe du fonctionnement PV
Étape 1
Par la suite Vf sera noté Voc Étape 2, 3
et If sera noté Isc
Principe du fonctionnement :
Soit une jonction PN à l’équilibre de barrière de potentiel eΦpn soumise à rayonnement :
1. Pour hν>Eg  création de paires électron-trou (porteurs minoritaires excédentaires accélérés par E)
2. Séparation des porteurs de charge  création d’un champ électrique E’ opposé au champ interne E
3. Réduction de la barrière de potentiel d’une valeur Vf (tension photovoltaïque) . Cette réduction de barrière
….est équivalent à l’effet d’une ddp de Vf >0 appliquée aux bornes de la jonction.
4. Cette tension Vf va engendrer un courant -If (sens opposé au courant direct) qui va être récupérée et réinjectée
….dans le réseau électrique.
53
La tension maximum de Vf est Φpn qui est elle-même inférieure à Eg/e .
Un peu d’histoire du photovoltaïque…. (jusqu’aux années 70)
Etymologie : Du grec Photo (lumière) et Volta (nom du physicien italien Alessandro Volta)
1839: Découverte de l’effet photovoltaïque par le Français Antoine C. Becquerel sur un couple électrochimique
1873: Découverte par l’Américain Willoughby Smith des propriétés photosensibles du sélénium
………..(élément chimique découvert en 1817).
1877: Explication de l’effet photovoltaïque par W.G Adams et R.E. Day
1883: Première cellule en sélénium et or (rendement de 1%)
1905: Albert Einstein publie un article sur l’effet photoélectrique (Prix Nobel de physique en 1922).
1918: Développement d’un procédé permettant de créer du silicium monocristallin par le scientifique
………..polonais Jan Czochralski
1939: Découverte de la jonction P-N par le chercheur américain Russel Ohl, développement de la
………..1ère cellule solaire au silicium
1954: Les chercheurs américains Gerald Pearson, Darryl Chapin et Calvin Fuller mettent au point une
………..cellule photovoltaïque haut rendement en silicium pour les laboratoires Bell.
60-70: Amélioration des rendements et puissances, applications des modules solaires dans l’espace.
1971: Elliot Berman crée la société Solarpower pour développer des applications terrestres pour les
………….modules photovoltaïques. 54
Caractéristique Courant-Tension sous illumination
Représentation électrique d’une jonction PN sous lumière idéale :
  qVapp  
I = I phot − Isat ×  exp   − 1
  kT   55
Représentation électrique d’une jonction PN sous lumière plus complet :
  (ϕp − ϕn ) + (I × R s )   (ϕp − ϕn ) + (I × R s ) 
I = I phot − Isat ×  exp q  − 1 −  
  η × kT    R sh 
  qVapp    Vapp 
I = I phot − Isat ×  exp   − 1 −  
  η × kT    sh  R
Un modèle à 2 diodes est encore plus réaliste (non montré ici) 56

Paramètres importants pour mesurer le rendement d’une cellule :
AM1.5G : 1 kW/m² = 100 mW/cm²
Pour une cellule solaire   qV  

J = − J sc + J sat ×  exp  oc  − 1 (représentation idéale)
en fonctionnement :   kT  
57
Etude d’une cellule solaire en TP au LGEP…..
Photocourant et Réponse Spectrale
Etude des caractéristiques électriques d’une cellule solaire en fonction de la longueur d’onde λ du
flux lumineux incident.
La réponse spectrale RS d’une cellule va apporter des informations utiles sur la capacité à produire
un photocourant en fonction de λ (par exemple, pour hν>Eg, l’énergie excédentaire perdue sera
fonction de la longueur d’onde λ).
J (λ )
RS (λ ) = SC JSC  J court-circuit pour chaque λ (A.cm-2/nm)
Pin (λ ) Pin  puissance lumineuse incidente (W.cm-2/nm)
On définit aussi le rendement quantique interne (IQE pour internal Quantum Efficiency) :
J (λ ) R  coefficient de réflexion du matériau (dépend aussi de λ)

IQE (λ ) = − SC q (1-R) F0  la densité de courant correspondant à un flux de charges
qF0 (1 − R ) élémentaires égal au flux de photons absorbé. C’est le photocourant qu’il
y aurait si chaque photon pénétrant dans la cellule contribuait pour une
Ici flux plutôt que puissance car dépend charge élémentaire au courant.
temps d’intégration
comme étant le rapport du nombre de charges électroniques collectées sur le nombre de photons
incidents absorbés.
L’optimum est obtenu pour IQE = 1, dans ce cas chaque photon absorbé contribue à une création
d’une paire électron-trou. 58
Limite de Schokley-Queisser Journal of Applied Physics 32, 510 (1961)
Efficacité de conversion max pour homojonction PN ????
hν>Eg perte d’énergie par thermalisation

photons
incidents perte d’énergie par transparence
hν<Eg
Cette limite SQ dépend de 3 facteurs principaux :

Voc =Eg
1. Radiation du corps noir cellule : perte d’énergie par chaleur

(~7% à 300K)
Recombin.
surface
2. Recombinaison : va limiter le Voc (Voc ≠Eg)
3. Perte spectre: va limiter le Jsc

Seule une partie du spectre du soleil est absorbé par la cellule (hν>Eg)
Plus le gap est grand et plus le courant collecté sera faible.
Pelec J SC × VOC × FF
r= =
Pin _ sun Pin _ sun
 Compétition entre Voc et Jsc
59
Meilleurs rendements 2001
Limite de Schokley-Queisser Journal of Applied Physics 32, 510 (1961)
Calculé dans condition AM1.5G (1000 W/m²)
~ 34 % Pas d’absorption
Tsun=6000K (corps noir) pour hν<Eg
Tcell=300K
Recombin. surf.
Perte thermalisation
Si GaAs
Irrandiance reçut pour cellule gap optimum de 1,4eV (GaAs)

(si cellulle=corps noir et sans recombinaison (40,7%)
Rendement max atteignable vaut 34 % (340 W/m²) pour une homojonction P-N
avec Eg=1,1 – 1,4 eV pour des conditions standard réalistes.
(ultime rmax=48% si cellule=corps noir à 300K et sans recombinaison)
60
Limite SQ pour multijonction et autres limites
- Carnot ou Landsberg
réservoir 6000K 300K
95 %
- Cellule solaire 83 %
68 %
55 %
44 %
34 %
Martin green, Univ. New South Whales
61
Optimisation des cellules solaires
Les éléments requis pour réaliser une cellule solaire idéale (parfaite) sont :
1) des matériaux SC de gap suffisant pour absorber un maximum du spectre électromagnétique et

dont leurs BC et BV possèdent de nombreux états disponibles.
2) un IQE= 1 tel que 1 photon absorbé génère exactement une paire électron-trou.
3) les porteurs de charges excités ne se recombinent pas dans le matériau actif et que le transport
électrique se fasse sans perte.
Pour se rapprocher de cet idéal, il faut jouer sur les paramètres physiques intrinsèques aux matériaux :
• Bande interdite gap : - largeur en énergie - ajouter des bandes intermédiaires ?

- associer plusieurs gaps
• Coefficient d’absorption : - augmentant/diminuant l’épaisseur des couches P et N

- qualité cristalline des couches P et N
• Séparation de charges : - courbure de bandes (asymétrie)

- courant de diffusion et courant dérive (drift)
• Transport de charges : - qualité matériau en limitant les canaux parasites (défauts)

- couches avant et arrière (couche anti-reflet, métallique…)
62
- contacts ohmiques
Optimisation des cellules solaires
Les éléments requis pour réaliser une cellule solaire idéale (parfaite) sont :
1) des matériaux SC de gap suffisant pour absorber un maximum du spectre électromagnétique et

dont leurs BC et BV possèdent de nombreux états disponibles.
2) un IQE= 1 tel que 1 photon absorbé génère exactement une paire électron-trou.
3) les porteurs de charges excités ne se recombinent pas dans le matériau actif et que le transport
électrique se fasse sans perte.
Ces différents paramètres intrinsèques aux matériaux vont

imposer la valeur des 4 paramètres clef de la cellule solaire :
Jsc, Voc, FF et r
La Recherche (expérimentale et théorique) progresse dans les domaines :

- Elaboration de matériaux innovants
- Le choix des combinaisons des différents matériaux dans l’empilement
- Caractérisations électriques et optiques des matériaux (étude des défauts, absorption…)
- Croissances des matériaux (amélioration techniques croissances, qualité cristalline)
- Concepts novateurs mettant en scène d’autres processus physiques 63
SOLAIRE MODULE PV RESEAU
Energie Energie ELECTRIQUE
• Diode PN
solaire électrique
• Cellule PV
Chapitre I Ch II : fonctionnement Chapitre IV

(Physique)
Ch III : technologies
(Matériaux) 64

Cours PV - CH II-2

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II.

1 - Physique des semi-conducteurs

Statistique d’occupation des niveaux

-Si E > EF alors exp[E-EF/kT]  +∞ et donc f(E)=0 états énergie vides

Statistique d’occupation des niveaux

A une température T quelconque,

Statistique d’occupation des niveaux

Quelle statistique utiliser ?

Statistique d’occupation des niveaux

Calcul de la concentration en porteurs libres dans BC et BV : ∫ n (E) f (E) dE

Concentration d’électron dans BC : Concentration de trou dans BV :

Ici, NC et NV joue le rôle de la dégénérescence d’un état unique d’énergie

Statistique d’occupation des niveaux

Calcul de la concentration en porteurs libres dans BC et BV : ∫ n (E) f (E) dE

• Pour un semi-conducteur dégénéré (EF – EC ~ kT et EV – EF ~ kT)

Concentration d’électron dans BC : Concentration de trou dans BV :

La densité de porteurs n et p est indépendant T !!!

Pour résumer sur la statistique des porteurs à T° ambiant

Impuretés donneurs non ionisés

n i2 = p i2 = n × p loi action-masse Eg : énergie du gap

Pour résumer sur la statistique des porteurs à T° ambiant

Remarque : semi-conducteur conducteur ou isolant ?

L’écart en énergie est tel que f(E) ≈0

0,5 <EC – EV < 3eV

Il y a quelques places occupées dans

Concentration de porteurs et comportement des dopants en T°C

Précédemment, nous avons schématisé les niveaux de dopants comme ceci :

Est-ce toujours vrai quelque soit la température ?

Concentration de porteurs libres et comportement des dopants en T°C

Expressions pour un type p,

1) Semi-conducteur intrinsèque n×p=ni ²

 Faible variation de porteurs et du EF en fonction de T

2) Semi-conducteur extrinsèque type n

Concentration de porteurs libres et comportement des dopants en T°C

Expressions pour un type p,

1) Semi-conducteur intrinsèque n×p=ni ²

 Faible variation de porteurs et du EF en fonction de T

2) Semi-conducteur extrinsèque type n

- Haute t°c T>Tint : régime intrinsèque (épuisement des impuretés)

Concentration de porteurs libres et comportement des dopants en T°C

Régime d’ionisation extrinsèque Régime d’épuisement Régime intrinsèque

• Ionisation des donneurs est faible • concentration n=p

Concentration de porteurs libres et comportement des dopants en T°C

Concentration de porteurs libres et comportement des dopants en T°C

Ge, Si : dopage au phosphore (type n) GaAs: dopage au silicium (type n)

• Le domaine Tgel et Tint est très large (plusieurs centaines de degrés)

Phénomène de transport dans les semi-conducteurs

1) Courant de dérive ou conduction (drift) :

Pour un semi-conducteur, on peut définir un courant pour chaque porteurs de charge :

Le courant de dérive total va donc s’exprimer ainsi :

Phénomène de transport dans les semi-conducteurs

Il existe 2 courants de charges dans les semi-conducteurs:

Pour un semi-conducteur, on peut définir un courant pour chaque porteurs de charge :

Le courant de diffusion total va donc s’exprimer ainsi :

Phénomène de transport dans les semi-conducteurs

Le courant total va donc s’exprimer ainsi :

• Limite du modèle de Drude (statistique « classique ») :

• Modèle plus rigoureux : eq de transport de Boltzmann (statistique « semi-classique ») :

le temps de collision dépend de l’énergie τ(E) E 3 2 exp[− E kT ]dE

Phénomène de transport dans les semi-conducteurs

µe et µt en fonction de (Nd + Na)

A basse t°c, les mobilités ne suivent

Dispositifs optroniques : cellule photoélectrique et solaire, photocopieur…..