07/02/2022 Compte rendu 

:
Electronique analogique

Réalisé par  :
AADEL Ghizlane
AJOUADI Selma
AMARIR Oumayma
Section
A EL FATHI Hajar
SABIRI Salma

API2 Année scolaire  :2021/2022

Table des matières
Les Diodes..............................................................................................................................................2
TP : Diode à Jonction – Diode Zener.......................................................................................................2
1. Diode à jonction :.......................................................................................................................2
A. La partie théorique :...............................................................................................................2
B. La partie expérimentale :........................................................................................................2
2. Diode ZENER :.............................................................................................................................4
A. La partie théorique :...............................................................................................................4
Encadré par  :
B .La partie expérimentale :............................................................................................................5
3- Visualisation des caractéristiques :.................................................................................................6
Monsieur Mostafa BAGHOURI
4-Application :....................................................................................................................................6
A. Diode à jonction :....................................................................................................................6
Redressement mono-alternance :..................................................................................................6
Redressement bi-alternance :........................................................................................................8
Dans ce type de redressement, on a besoin de quatre diodes à jonctions identiques...................8
B. Diode Zener :..........................................................................................................................9
Stabilisateur de tension :................................................................................................................9
Transistor Bipolaire.............................................................................................................................11
A. La partie théorique :.............................................................................................................11
B .La partie expérimentale : (MULTISIM)......................................................................................11
Caractéristiques d’entrée VBE =f( IB ) VCE = Cte.......................................................................11
Caractéristique de sortie IC = f(VCE ) IB =cte..............................................................................12
Conclusion............................................................................................................................................15
Le transistor bipolaire…………………………………………………………………………………………………………………..10

Introduction………………………………………………………………………………………………………………………………..10

Manipulation………………………………………………………………………………………………………………………………11

2.1-Caractéristiques d’entrée VBE = f(IB) VCE= Cte……………………………………………………………..11

2.2-Caractéristique de sortie IC = f(VCE) IB=cte…………………………………………………………………….12

2.3-Caractéristique de transfert en courant Ic=f(IB) Vce = Cte……………………………………………….13

Conclusion……………………………………………………………………………………………………………………………………14

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 Les Diodes
TP : Diode à Jonction – Diode Zener
1. Diode à jonction :
A. La partie théorique :
Définition  :
Une diode à jonction est un composant électronique non linéaire constitué de deux
électrodes : l’Anode (A) et la Cathode (K). Elle est formée d’une jonction PN.

Symbole d’une diode  :

Application  :
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du
secteur pour faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages
électroniques.

B. La partie expérimentale :
Caractéristique Id(Vd) d’une diode  :
o Caractéristique directe

Le schéma de la diode à l’aide de MULTISM :

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En variant la tension E ( de 0.1V à 0.7V ), on obtient le tableau suivant : (Les valeurs
théoriques)

Vd(V) 0.1 0.25 0.4 0.5 0.6

Id(mA) 9.85*10−4 5.301*10−6 0.216 0.589 3.5

Les valeurs expérimentales :

Vd(V) 0.1 0.25 0.4 0.5 0.6

Id(mA) 2*10−3 3.33*10−3 4*10−3 5*10−3 6*10−3

o Caractéristique inverse :
Le schéma de la diode à l’aide de MULTISM :

En variant la tension E , on obtient le tableau suivant :

Vd(V) 1 2 3 4 5 6

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 Id(mA) 3.2*10−5 3.3*10−5 3.4*10−5 3.5*10−5 3.6

o Graphe :

2. Diode ZENER :
A. La partie théorique :
Définition  :
Une diode semi-conductrice fortement dopée qui est conçu pour fonctionner en sens
inverse est connu sous le nom de diode Zener. En d’autres termes, la diode spécialement
conçue pour optimiser la région de claquage est connue sous le nom de diode Zener .

Symbole d’une diode ZENER  :

Application  :
Parmi les applications d’une diode à jonction ; le redressement, la protection, la réalisation
des fonctions logiques.

B .La partie expérimentale :

Caractéristique Vz(Iz) d’une diode  :

o Caractéristique directe :
Le schéma de la diode à l’aide de MULTISM :

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 Les valeurs théoriques :

E (V) 4 10.4 24 32.8 50.4 71.2

Vd (V) 0.546 0.553 0.575 0.584 0.595 0.60

Id (mA) 3.47 9.84 23.42 32.216 49.8 70

Les valeurs expérimentales :

E (V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 10
Vd(V) 0 5.2 5.4 5.45 5.5 5.6 5.8 5.9 10 10
Id(mA) 0 86*10(-3) 266*10(-3) 460*10(-3) 0.73 0.96 1.16 1.33 1.53 1.93

o Caractéristique inverse :
on fait varier la tension E de 0 v, afin de fixer la valeur de Vd. Puis on relève la valeur du
courant Id.

E (V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 10
Vd(V) 0 5.2 5.4 5.45 5.5 5.6 5.8 5.9 10 10
Id(mA) 0 86*10(- 266*10(- 460*10(- 0.73 0.96 1.16 1.33 1.53 1.93
3) 3) 3)
3- Visualisation des caractéristiques :
L’oscilloscope permet sur la postions X-Y la visualisation de Vch2 en fonction de Vch1 avec:
Vch1 : Tension appliqué à la voie 1.
Vch2 : Tension appliqué à la voie 2.
On peut donc visualiser aisément la caractéristique I(V) d’un composant, la tension prise aux
bornes d’une résistance placée en série avec le composant permet de voir l’image du
courant I qui le traverse.
 La diode à jonction:

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 4-Application :
A. Diode à jonction :
Redressement mono-alternance :
Le redressement consiste à transformer une tension alternative en une tension
unidirectionnelle appelée tension redressée. Le principe des redresseurs mono-alternance
est basé sur les propriétés des diodes. En effet, la diode se bloque lorsque la tension à ses
bornes est négative, elle supprime les alternances négatives du signal d'entrée. Pendant les
alternances positives, elle se comporte comme un court-circuit et n'altère donc pas le signal
d'entrée.
Le schéma de la diode à l’aide de MULTISM :

o L’allure de Ve et Vs :

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 o Interprétation :
D’après l’oscilloscope, on remarque que la tension d’entrée Ve varie d’une façon sinusoïdale
avec une amplitude Vmax = 12V. Par contre la tension de sortie Vs garde que la partie
positive de la courbe de Ve avec une amplitude faiblement inferieure à Vmax. On peut
justifier l’élimination de la partie négative de la courbe par le fait que la diode se comporte
comme un interrupteur ouvert quand le sens du courant s’inverse (I passe de N à P) , dans ce
cas la diode devient bloquée (VD < 0,7 V) et par la suite Vs = 0.

Redressement bi-alternance :
Dans ce type de redressement, on a besoin de quatre diodes à jonctions identiques.

En gardant la même tension

d’entrée que précédemment, on visualise uniquement la tension Vs dans le logiciel

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 o
L’allure de Ve et
Vs :

o Interprétation :
On ne peut pas visualiser simultanément les deux tensions Ve et Vs, car on va Court-circuiter
la diode D2 (masses connectées de l’oscilloscope).

o Remarque :
On voit qu'il y a seulement des alternances positives dans la figure contrairement au
précédent. Dans ce montage on a : Vs > 0 Alors le redressement bi-alternance consiste à
garder l'alternance positive et d'inverser l'alternance négative.

B. Diode Zener :
Stabilisateur de tension :
La stabilisation d’une tension ondulée consiste à obtenir une tension pratiquement
constante. Cette fonction peut être réalisée par une diode Zener.

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Le schéma de la diode à l’aide de MULTISM :

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 Transistor Bipolaire
A. La partie théorique :
Introduction  :
Le transistor est constitué de deux jonctions, placées en série proches l'une de l'autre et de
polarité opposée. On distingue le transistor NPN et le transistor PNP dont voici les symboles
et les conventions :

Les caractéristiques d’un transistor bipolaire :

Le transistor ressemble énormément à une diode à laquelle on aurait ajouté un étage. On
dit bipolaire, puisqu'il y a deux types de porteur d'électricité : électrons et trous. Il présente
une consommation relativement importante, ce qui limite la densité d'intégration. Un
transistor comporte trois éléments E : l'Émetteur qui émet les électrons. –C : le Collecteur
qui recueille les électrons. - B : la Base qui contrôle le passage des électrons entre E et C.

Mode de fonctionnement d’un transistor NPN :

Pour faire fonctionner un transistor il faut le polariser, c’est-à-dire appliquer des tensions
différentes sur ses broches E, B, C. Le transistor peut se trouver soit dans un état bloqué «
aucun courant ne circule dans le transistor et il est bloqué », soit dans un état saturé « les
deux jonctions du transistor conduisent le courant ».

Les objectives du TP :
 Étude des montages en forts et petits signaux.
 Le but de cette manipulation est de tracer des réseaux de caractéristiques d'un
transistor bipolaire et leur exploitation dans la détermination de ces différents
paramètres.

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 B .La partie
expérimentale : (MULTISIM)
Caractéristiques d’entrée VBE =f( I B) V CE= Cte

o Montage

En variant la tension V BB, après la mesure de la tension V BEdifférentes valeurs de I B :

IB (mA) 0 50 100 150 200

VBE (V) 0 0 ,13 0,2 0,4 0,5
o La courbe :

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 On remarque que la valeur de
I B, à partir de laquelle V BE=0,6V est I B,= 250mA

Conclusion :
On remarque, quand la valeur de I B, augmente V BE, augmente aussi.

Caractéristique de sortie IC = f(V CE) I B=cte

o Montage

On a fixé I B et on a mesuré I Cpour différentes valeurs de V CE,n variant la tension Vcc:

I B = 100 I C (mA) 15 ,86 16, 34 16,73 17,15 17, 6 17 ,97
µA V CE (V) 2 4 6 8 10 12

I B = 200 I C (mA) 29,65 30,48 31 ,25 32,05 32,814 33,64

µA V CE (V) 2 4 6 8 10 12

o La courbe I C = f(V CE) :

I B= 100 µA

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 I B = 200 µA

Conclusion :
On déduit que l'évolution de i c entraîne une évolution de i b .

Caractéristique de transfert en courant IC = f( I B) V CE = Cte

o Montage

On a fixé V CE ; En variant la tension V CC , on mesure Ic pour différentes valeurs de I B :

V CE = 5V I C (mA) 15,86 16,34 16,73 17,15 17,6 17,97

I B (µA) 2 4 6 8 10 12
V CE = 10 I C (mA) 29,65 30,48 31,25 31 ,05 32,81 33,64
V I B (µA) 2 4 6 8 10 12

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 o La courbe IC = f(V CE) :

Conclusion
On voit que I B et V CE sont proportionnelles ; L’augmentation de I B entraîne
l'augmentation de V CE

Conclusion
En guise de conclusion de ce compte rendu, on peut dire que nous avons réussi à atteindre
les objectifs de ce TP en ce qui concerne l’utilisation du logiciel Mutisme, et ce en simulant
les différents fonctionnements des montages proposés.
Ainsi, grâce aux explications et à la supervision du professeur Mr M.BAGHOURI, nous
avons pu surmonter les difficultés rencontrées et renforcer nos connaissances dans le
domaine de la simulation électronique comme étant l’un des outils majeurs pour l’étude de

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 systèmes électroniques
existants.

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