TD4 Eln-2015

Université Blida 1 1 ‫جامعة البليدة‬
Département d’Electronique TD Electronique Fondamentale 1 ‫قسم اإللكترونيك‬

S3- S.C Génie Electrique ‫م هندسة كهربائية‬.‫ ج‬-3‫س‬
TD4
LES DIODES SEMI-CONDUCTRICES
Exercice 1: la conduction dans les SC pures ou intrinsèques
a) Si ni = AT3/2 exp( -Wa/2KT ) est la concentration intrinsèque d'un SC en germanium .

Calculer la résistivité de Ge intrinsèque.
b) Calculer la résistivité du germanium dopé par un atome donneur pour 108 atomes de
germanium. Comparer entre les deux résistivités?
On donne: μn = 0.36 m2/V.S , μp = 0.17 m2/V.S , M= 72.6g , d = 5.35 g/cm3 , Wa = 0,75 eV

A = 1022 (SI) , k = 1.38 10-23 J/°k , e = 1.6 10-19 C
Exercice 2: la conduction dans les SC extrinsèques ou dopés

a) On introduit un élément donneur de concentration Nd , dans un SC intrinsèque de
concentration ni , ce qui conduit à la disparition de quelques électrons e- et trous e+ initiaux .
1) Si x est la concentration des e- et e+ initiaux restant après dopage, démontrer que x
s'obtient par la racine positive de l'équation du 2° degré: x2 + Nd.x – ni 2 = 0
2) En déduire les concentrations n des e- et p des e+ après dopage.
Démontrer que p<< n pour ni = Nd/10 ?
3) Pour quelle valeur de ni , on obtient n = 2Nd ?
b) On introduit un élément donneur de concentration Nd et un élément accepteur de

concentration Na, dans un SC intrinsèque de concentration ni , ce qui conduit à une variation de
la concentration initiale des électrons e- et trous e+ .
1) Démontrer que la concentration en e- ou e+ initiaux x est donnée à l'équilibre après
dopage, par la racine de l'équation : x2 + ǀ Na - Ndǀ.x – ni 2 = 0
2) En déduire les concentrations n des e- et p des e+ libres après dopage, dans un SC de Ge
à 20°C de concentration ni = 3.8 1019 m-3 dopé par des éléments donneurs de concentration
Nd = 2.1014 c m-3 et accepteurs de concentration Na = 3.1014 c m-3.
3) Quel est le type du SC dopé et sa conductivité ?
On donne: μn = 0.36 m2/V.S , μp = 0.17 m2/V.S
Exercice 3: la jonction ou diode PN

a) Le courant de saturation d'une diode au Silicium est de 2nA à 25°C . Calculer Is à 75°C
et à 125°C ?
b) Pour quelle tension , le courant inverse d'une jonction PN atteint 90% de la valeur du
courant de saturation à 27°C ?
c) Déterminer le rapport Id/Ii du courant direct au courant inverse dans une diode ?
AN : T = 27°C , V= 0.05V
Exercice 4: Caractéristiques d'une diode PN en tant que dispositif électronique
Le tableau ci-dessous présente les valeurs de la caractéristique I(V) d'une diode
I(mA) 0 0 0 1 10 20 50 100 200 300 400

V(V) -2 -1 0 0.5 0.58 0.63 0.71 0.77 0.85 0.93 1.01
1/12
1) Tracer la caractéristique I(V) de cette diode

2) Démontrer pour des valeurs précisées de la tension appliquée que cette caractéristique peut
être exprimée par l'équation : I = ( V – E0)/rd , déterminer E0 et rd ?
3) Démontrer pour -2V < V < 1V que I(V) peut être exprimée par deux droites ? En déduire
un modèle de la diode.
Exercice 5: Applications
On suppose dans le circuit ci-contre que la diode est en Slicium:

1) Calculer le courant ID ? pour Ve = 15 V , R1= 68 kΩ , R2= 15 kΩ
R3= 33 kΩ
2) On suppose dans le circuit que Ve = - 200 V , R1= R2= 10 kΩ
Préciser parmi les diodes exposées dans le tableau ci-dessous, celles
qui seront détruites après leur montage.
D PIV Imax
1N 914 75 V 200 mA Figure1
1N 4001 50 V 1A
1N 1185 120 V 35 A
Exercice 6:
a) Soit le circuit de la figure1. On donne Ve = 12 V , R1= 30 kΩ , R3= 5 kΩ . Calculer R2 pour

que le courant de diode soit de 0.25 mA.
b) Retracer le circuit de la figure1 tel que UTh = 4V, R3= 100 kΩ et le générateur équivalent au
diviseur de tension soit une source de tension continue ?
c) Soit le circuit de la figure1. On donne Ve = 12 V , R1= 30 kΩ , R3= 5 kΩ . On coupe

l'alimentation et on met la borne supérieure de R1 à la masse, puis à l'aide d'un ohmmètre on
lit la résistance directe et la résistance inverse de la diode. Ces deux résistances sont égales .
Que lit l'ohmmètre ?
Exercice 7:
On munit certains systèmes, tels les dispositifs anti-vols, les ordinateurs, etc.., de batteries de
secours pour remplacer la source principale d'alimentation si elle défaillait. Décrire le
fonctionnement du circuit représenté à la figure2 , permettant de connecter automatiquement une
batterie de secours.
Figure2
2/12
Exercice 8: redressement
On suppose dans les montages des figures 3 a), b), et c) que la tension secteur est de 240V/50 Hz
1. Comment appelle t-on ces montages. Expliquer le rôle et le fonctionnement de la diode
2. Quelles sont les valeurs crête, moyenne et continue de la tension de sortie dans le cas de
diodes idéales
3. Tracer la forme du signal de sortie.
4. Quelles sont les tensions inverses de crêtes (PIV) des montages.
Exercice 9:
1) Reprendre les questions 2) et 3) et 4) de l'exercice précédent en utilisant la deuxième
approximation de la diode.
2) Si la tension secteur du montage c) varie de 210 V à 250 V , quelles sont les valeurs
maximale et minimale de la tension continue à la sortie?
Figure3 (a) Figure3 (b) Figure3 (c)
Exercice 10: Filtrage

Soit un signal simple alternance de crête 14 V à l'entrée d'un filtre par inductance. Si X L = 1 kΩ
et XC = 50 Ω, quelle est la valeur approchée de l'amplitude crête à crête de l'ondulation aux
bornes du condensateur ? Indiquer les inconvénients qui font que ce filtrage n'est plus utilisé ?
Exercice 11:
1) Quelles sont la tension continue et l'ondulation du montage de la figure4 ? Dessiner la
forme du signal de sortie.
2) Si la tension du secteur descend à 210 V, quelles est la tension continue à la sortie?
3) Quelle est la tension inverse de crête du montage pour la tension secteur initiale ?
4) Si le rapport de transformation passe à 10/1 , que devient la tension inverse de crête?
Exercice 12: Ecrêteurs , limiteurs

Quelles sont pour le montage de la figure5 les tensions de sortie maximales positive et négative.
Tracer la forme du signal de sortie.
Exercice 13: Régénération de niveau DC

Tracer le signal de sortie du montage de la figure6. Quelle est la tension de sortie DC avec des
diodes idéales ? Avec la deuxième approximation ?
Figure4 Figure5 Figure6
3/12
Exercice 14: Double alimentation

1) L'alimentation de tension de la figure7 a deux sorties de tension. Quelles sont leurs
valeurs approximatives ?
2) On ajoute au montage de la figure7 une résistance de surcharge de 4.5 Ω . Indiquer son
rôle et calculer la valeur maximale du courant de surcharge
Exercice 15: Doubleur de tension

1) Quelle est la valeur de la tension de sortie lorsque l'interrupteur est sur la position
indiquée du montage de la figure8 ?
2) Quelle est la nouvelle valeur lorsque l'interrupteur est basculé sur l'autre position ?
Exercice 16:
Que vaut Vout sur le montage de la figure9, si Vin = 40 V et RC>> T de la tension source ?
Figure7 Figure8 Figure9
Exercice 16: Le régulateur Zener

1) Si la diode Zener du montage de la figure10 est débranchée, Quelle est la tension sur la
charge ?
2) Si l'alimentation du montage passe de 20V à 0V, à quelle valeur au cours de cette
descente la diode Zener cesse-t-elle de réguler ? Donner la tension de sortie quand la
régulation n'existe plus.
3) Supposons que l'alimentation passe de 20V à 40V, quel est le courant Zener maximal?
4) Quelle sont les puissances dissipées dans les résistances série et de charge et dans la
diode Zener de la figure9 ?
5) La diode Zener a une résistance Zener de 11.5 Ω . Si l'ondulation de la source est de 1 Vpp
Quelle est l'ondulation sur la charge?
6) Dans le montage de la figure10, la sortie non régulée varie de 18 V à 22 V et la résistance
de charge de 500 Ω à 1.5 kΩ . Est-ce que la régulation va cesser dans ces conditions? Si
oui, quelle devrait être la valeur de la résistance en série pour l'éviter ?
7) Quelle est la résistance de charge minimale qui peut être utilisée dans le montage de la
figure10 sans perdre la régulation ?
Exercice 16: Composant optoélectronique

1) Quelle est le courant de la DEL pour la tension de l'alimentation indiquée sur la figure11.
Que devient ce courant si la tension de l'alimentation augmente jusqu'à 40 V ?
2) Si la résistance du montage décroit jusqu'à 1 kΩ , quelle est le courant dans la DEL?
Figure10 Figure11
4/12
5/12
6/12
7/12
8/12
9/12
10/12
11/12
12/12

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Exercice 1: la conduction dans les SC pures ou intrinsèques

a) Si ni = AT3/2 exp( -Wa/2KT ) est la concentration intrinsèque d'un SC en germanium .

On donne: μn = 0.36 m2/V.S , μp = 0.17 m2/V.S , M= 72.6g , d = 5.35 g/cm3 , Wa = 0,75 eV

Exercice 2: la conduction dans les SC extrinsèques ou dopés

b) On introduit un élément donneur de concentration Nd et un élément accepteur de

On donne: μn = 0.36 m2/V.S , μp = 0.17 m2/V.S

Exercice 3: la jonction ou diode PN

Exercice 4: Caractéristiques d'une diode PN en tant que dispositif électronique

Le tableau ci-dessous présente les valeurs de la caractéristique I(V) d'une diode

I(mA) 0 0 0 1 10 20 50 100 200 300 400

1) Tracer la caractéristique I(V) de cette diode

On suppose dans le circuit ci-contre que la diode est en Slicium:

a) Soit le circuit de la figure1. On donne Ve = 12 V , R1= 30 kΩ , R3= 5 kΩ . Calculer R2 pour

c) Soit le circuit de la figure1. On donne Ve = 12 V , R1= 30 kΩ , R3= 5 kΩ . On coupe

Figure3 (a) Figure3 (b) Figure3 (c)

Exercice 10: Filtrage

Exercice 12: Ecrêteurs , limiteurs

Exercice 13: Régénération de niveau DC

Figure4 Figure5 Figure6

Exercice 14: Double alimentation

Exercice 15: Doubleur de tension

Figure7 Figure8 Figure9

Exercice 16: Le régulateur Zener

Exercice 16: Composant optoélectronique

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