Sujets Circuits Anal+Num 1994 - 2008

www.africespacenet.
com
PROBATOIRE F3 SESSION 94
Exercice1 : Electronique
Dans le montage de la figure1, les diodes sont parfaites, les tensions v1 et v2 sont deux
tensions sinusoïdales de valeur efficace 24V et de fréquence 50Hz, en opposition de phase.
Le transformateur qui délivre v1 et v2 est à point milieu. R1 = R2 = 100Ω ; u1 et u2 sont les
tensions respectivement aux bornes de R1 et R2.
D1
v1 R1 u1
D2
v2 R2 u2
D3
Figure1
D4
1.1 Expliquer le fonctionnement du montage
1.2 Représenter les tensions v1, v2, u1 et u2 en fonction du temps
1.3 On monte en série à R1, deux ampèremètres dont l’un est ferromagnétique et l’autre
magnétoélectrique, donner l’indication de chaque ampèremètre.
1.4 On ajoute en parallèle aux résistances R1 et R2 deux condensateurs électroniques de
filtrage.
a) indiquer leur branchement
b) quelle est la valeur maximale que peuvent atteindre les tensions U1 et –U2
1.5 Donner une application très pratique de ce montage.
Exercice 2 : Electrotechnique 2Ω 3Ω
X
10V 10Ω 0,5A
Y
Figure2
En appliquant les théorèmes de NORTON et de THEVENIN au circuit de la figure2 ci-dessus.

2.1 Trouver la valeur de la résistance qui connectée entre les bornes X et Y dissiperait la
puissance maximale.
2.2 Déduire alors la valeur de cette puissance maximale.
Exercice 3 : Technique logique

Considérons le montage de la figure3 qui comprend :
- Une résistance RC inconnue - Une porte de commande TTL74LS00
- Une résistance RB = 10Ω - Une porte de commandée CMOS4011
- Un transistor : β = 50 et VCEsat = 0 4V
Première partie
1.1 Donner la nature des deux portes
1.2 L’entrée étant au niveau logique haut (1), déterminer :
a) l’état du transistor
b) la tension de sortie du montage
1.3 L’entrée étant au niveau logique bas (0), déterminer :
a) l’état du transistor
b) En utilisant la notice du constructeur, identifier les trois modes de fonctionnement de la
porte CMOS4011 en fonction de VCE
PLEINS PHARES SUR LES CIRCUITS ELECTRONIQUES INDUSTRIELS ET NUMERIQUES. CONTACTS : 7472004 1
tampenazer2002@yahoo.fr
www.africespacenet.com
c) Déduire pour chaque mode de fonctionnement la valeur de la tension de sortie VS
Deuxième partie
2.1 Le transistor conduit, calculer la valeur minimale du courant de base IB
2.2 Si à la saturation, le courant IB garde cette valeur minimale, calculer :
a) la valeur maximale de IC
b) la valeur minimale de RC
c) la puissance dissipée dans RC
Troisième partie
Le transistor dans ce montage fonctionne en régime de commutation, expliquer pourquoi la
porte commandée n’a en pratique que deux modes de fonctionnement.
VDD = +10V
VCC = +5V
RC
RB &
& VCE VS
VE
VBE
Figure3
Notice du constructeur des circuits logiques TTL74LS00 et CMOS4011
TYPE VCC (V) VDD (V) VIHmin VILmax VOHmin VOLmax

TTL74S00 4 - 2 0,8 2,7 0,4
CMOS4011 - 5 3,5 1,5 4,95 0,05
- - 10 7 3 9,95 0,05
- - 15 11 4 14,95 0,05
- VCC = Tension d’alimentation des circuits TTL - VILmax = Tension maximale d’entrée à l’état bas
-VDD= Tension d’alimentation des circuits CMOS -VOLmax = Tension maximale de sortie à l’état bas
-VIHmin = Tension minimale d’entrée à l’état haut -VOHmin = Tension minimale de sortie à l’état haut
Exercice 4 : Technologie des composants

1) Les composants discrets peuvent théoriquement être remplacés par des circuits (modèles)
électriques équivalents donner :
1.1 Le modèle équivalent en diode d’un transistor PNP
1.2 Le modèle équivalent d’un thyristor :
a) avec des diodes b) avec des transistors
2) La figure 4 représente la caractéristique statique de sortie iD = f (VDS) à tension d’entrée
VGS constante d’un transistor à effet de champ TEC. Identifier sur cette caractéristique, les
trois régions de fonctionnement du TEC.
iD (A)
Figure4
VDS (V)
0
2 PLEINS PHARES SUR LES CIRCUITS ELECTRONIQUES INDUSTRIELS ET NUMERIQUES. CONTACTS : 7472004 tampenazer2002@yahoo.fr
PROBATOIRE F3 SESSION 1994 - CORRECTION
Exercice 1 : Electronique
Dans le montage ci-dessous, les diodes sont parfaites, les tensions v1 et v2 sont deux
tensions sinusoïdales de valeur efficace 24V – 50Hz
D1
v1 R1 u1
D2
v2 R2 u2
D3
Figure1
D4
1.1 Expliquons le fonctionnement du montage.
T T
Supposons : - 0 < t < , v1 > 0 et v2 < 0. - < t < T, v1 < 0 et v2 > 0
2 2
T
- 0 < t < les diodes D1et D4 sont passantes et, D2 et D3 bloquées.
2
La maille V1D1R1, nous donne : v1 - vD1 - u1 = 0. Or, diodes parfaites. Ainsi, u1 = v1
La maille V1D2R2, nous donne : v1 + vD2 - u2 = 0. Or, pas de courant (I2 = 0). Ainsi, vD2 = -v1
La maille V2D4R2, nous donne : v2 + vD4 - u2 = 0. Or, diodes parfaites. Ainsi, u2 = v2.
La maille V2D3R1, nous donne : v2 – vD3 - u1 = 0. Or, pas de courant (I1 = 0). Ainsi, vD3 =v2
T
- < t < T. les diodes D2 et D3 sont passante et, D1 et D4 bloquées.
2
La maille V1D1R1, nous donne : v1 – vD1 - u1 = 0. Or, pas de courant (I1 = 0). Ainsi, vD1 = v1
La maille V1D2R2, nous donne : v1 + vD2 - u2 = 0. Or, diodes parfaites. Ainsi, u1 = v2.
1.2 Représentons les tensions v1, v2, u1 et u2 en fonction du temps.

v1
t
0
v2
t
0
u1
t
0
u2 t
0
PLEINS PHARES SUR LES CIRCUITS ELECTRONIQUES INDUSTRIELS ET NUMERIQUES. CONTACTS : 77472004 tampenazer2002@yahoo.fr 3
1.3 On monte en série à R1, deux ampères dont l’un est ferromagnétique et l’autre
magnétoélectrique, donnons l’indication de chacun ;
U 24
Ampèremètre ferromagnétique : courant efficace (I) = = = 0, 24 A
R 100
Ampèremètre magnétoélectrique : courant moyen (I) =

2U 2
=
48 × 2 (
= 0, 216 A
)
π .R 314
1.4 On ajoute en parallèle aux résistances R1 et R2, deux condensations électrochimiques de
filtrage.
a-) Leur branchement s’effectue en raccordant leur pôle négatif au point milieu du
transformateur et leur pôle positif à chaque point restant des bornes des résistances.
b-) la valeur maximale que peuvent atteindre les tensions u1 et u2 est : 24 2 V
1.5 Donnons une application très pratique de ce montage : alimentation symétrique.
Exercice 2 : Électrotechnique
2Ω 3Ω
X
10V 10Ω 0,5A
Y
Figure2
En appliquant les théorèmes de Norton et de Thévenin au circuit ci-dessus.

2-1 Trouvons la valeur de la résistance qui connectée entre les bornes X et Y dissiperait la
puissance maximale.
- Théorème de Norton.
Ce circuit devient :
3Ω
X
5A 2Ω 10Ω 0,5A
Y
Ce circuit est équivalent à celui ci-dessous :
X
5A 2Ω 13Ω 0,38A
Y
Ce circuit est encore équivalent à celui ci-dessous :
70 A 26 X
Ω
13 15 Y
Soit R la résistance connectée entre X et Y,
4
PLEINS PHARES SUR LES CIRCUITS ELECTRONIQUES INDUSTRIELS ET NUMERIQUES. CONTACTS : 77472004 tampenazer2002@yahoo.fr
⎡ ⎤
⎢ ⎥
⎛ 26 ⎞ IN
- Courant dans R : I = ⎢⎜ ⎟ . ⎥
⎢⎝ 15 ⎠ ⎛ ⎛ 26 ⎞ ⎞ ⎥
⎢ ⎜ R + ⎜ 15 ⎟ ⎟ ⎥
⎢⎣ ⎝ ⎝ ⎠ ⎠ ⎥⎦
2
⎡ ⎤
⎢ ⎥
⎛ 26 ⎞ IN
-Puissance dissipée dans R : P(R) = R.I2 = R. ⎢⎜ ⎟ . ⎥
⎢⎝ 15 ⎠ ⎛ ⎛ 26 ⎞ ⎞ ⎥
⎢ ⎜ R + ⎜ 15 ⎟ ⎟ ⎥
⎢⎣ ⎝ ⎝ ⎠ ⎠ ⎥⎦
- Etant une fonction de R, cette puissance sera maximale lorsque sa dérivée par rapport à R
est nulle.
⎛ ⎛ 26 ⎞ ⎞ ⎛ ⎛ 26 ⎞ 2 ⎛ 26 ⎞ ⎞
3 2
⎜ R + . .I −
⎜ ⎟ ⎟ ⎜⎜ ⎜ ⎟ N ⎜ ⎟ .R.I N ⎟⎟
2
dP( R) ⎝ ⎝ 15 ⎠ ⎠ ⎝ ⎝ 15 ⎠ ⎝ 15 ⎠ ⎠ . Alors, R = ⎛ 26 ⎞ Ω
Ainsi, = ⎜ ⎟
⎝ 15 ⎠
4
dR ⎛ ⎛ 26 ⎞ ⎞
⎜ R + ⎜ 15 ⎟ ⎟
⎝ ⎝ ⎠⎠
- Théorème de THEVENIN
Ce circuit devient : 26
Ω
2Ω 3Ω 15
10Ω
10V
X
Y
≡ 140 V
15
X
Y
5V
Soit R la résistance connectée entre X et Y.

⎛ 140 ⎞
⎜ ⎟
- courant dans R : I = ⎜ 15 ⎟
⎜⎛ ⎛ 26 ⎞ ⎞ ⎟
⎜⎜ ⎜ R + ⎜ ⎟ ⎟ ⎟⎟
⎝⎝ ⎝ 15 ⎠ ⎠ ⎠
2
⎛ 140 ⎞
⎜ ⎟
2
- puissance dissipée dans R : P(R) = R.I = R. ⎜ 15 ⎟
⎜⎛ ⎛ 26 ⎞ ⎞ ⎟
⎜⎜ ⎜ R + ⎜ ⎟ ⎟ ⎟⎟
⎝⎝ ⎝ 15 ⎠ ⎠ ⎠
⎛ 26 ⎞
En procédant tout comme ci-dessus, nous avons : R = ⎜ ⎟ Ω .
⎝ 15 ⎠
2-2 Déduisons la valeur de cette puissance maximale
2
⎡⎛ 140 ⎞ ⎤
⎛ 26 ⎞ ⎛ 26 ⎞ ⎢⎜ 15 ⎟ ⎥
2
⎛ 26 ⎞ ⎛ 140 ⎞
Pmax = P ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ ⎢⎜ ⎟⎥ = ⎜ ⎟ .⎜ ⎟ = 12,56W
⎝ 15 ⎠ ⎝ 15 ⎠ ⎢⎜ 52 ⎟ ⎥ ⎝ 15 ⎠ ⎝ 52 ⎠
⎜ ⎟
⎣⎢⎝ 15 ⎠ ⎦⎥
Exercice 3 : Technique logique.

Considérons le montage ci-dessous :
VDD = +10V
VCC = +5V
RC
RB &
& VCE VS
VE
VBE
Figure3
Première Partie.
1-1 Donnons la nature des deux portes : Ce sont des portes non ET
La première est en technologie TTL Schottky et la seconde en CMOS.
1-2 L’entrée étant au niveau logique haut (1), déterminons :
a- L’état du transistor : il est bloqué.
b- La tension de sortie du montage : VS est au niveau bas de la porte CMOS4011.
1-3 L’entrée étant au niveau logique bas (0), déterminons :
a- l’état du transistor : il est passant.
b- En utilisant la notice du constructeur, identifions les trois modes de fonctionnement de la
porte CMOS4011 en fonction de VCE.
- VCE < 3V, la sortie de la porte est au niveau logique haut. (VS > 9,95V)
- VCE > 7V, la sortie de la porte est au niveau logique bas (VS < 0,05 V)
- 3 < VCE < 7V, la sortie de la porte est à un état indéterminé (VS non définie)
c- Déduisons pour chaque mode de fonctionnement la valeur de la tension de sortie VS
- VCE < 3V ; VS > 9,95V
- VCE > 7V ; VS < 0,05V
- 3 < VCE < 7V ; VS non définie.
Deuxième Partie.
2-1) la transistor conduit, calculons la valeur minimale du courant de base IB
Lorsque le transistor conduit, nous avons l’équation de maille :
(V − VBE )
VOHmin - RB.IBmin – VBE = 0 ⇒ IBmin = OH min
RB
2, 7 − 0, 7
A.N. : IBmin = = 0, 2 × 103 A soit 0, 2mA
10 × 10 3
2) Pour le courant IB égale à sa valeur minimale à la situation.

Calculons :
a) la valeur maximale de IC
Nous savons que : IC = β.IB ⇒ ICmax = β.IBmax > β.IBmin
A.N. : ICmax > 50 x 0,2 x 103 = 10mA
b) la valeur minimale de RC
A la saturation, nous avons l’équation de maille : VDD – RC.IC –VCEsat = 0
(V − VCEsat ) (V − VCEsat )
Alors, RC = DD ⇒ RC min < DD
IC I C max
(10 − 0, 4 )
A.N. : RCmin < = 960Ω
10 × 103
c) la puissance dissipée dans RC
Nous savons que : P = RC.IC2
A.N. : P = 960 x (10 x 10-3)2 = 0,096 W
Troisième Partie.
6
Dans ce montage, le transistor fonctionne en régime de commutation et la porte

commandée n’a en pratique que deux modes de fonctionnement parce qu’elle n’agit que sur
des seuils de basculement (VIHmin et VILmax)
Exercice 4 :
1) Les composants discrets peuvent théoriquement être remplacés par des circuits (modèles)
électriques équivalents, donnons :
1-1 Le modèle équivalent en diode d’un transistor PNP. C
B N
E
1-2 Le modèle équivalent d’un thyristor :
a) Avec des diodes
A K
G
b) Avec des transistors A
K
2) La figure ci-dessous représente la caractéristique statique de sortie ID = f (VDS) à
VGS = cste d’un TEC. Identifions sur cette caractéristique les trois régions de fonctionnement
du TEC
iD (A)
VDS (V)
0
A B C
Région OA : région ohmique

Région AB : région de saturation
Région BC : région de claquage
Exercice 1 : Technologie
1– Transistors
1.1 Définir le point de fonctionnement d’un transistor, citer les grandeurs qui caractérisent ce
point.
1.2 Donnez l’expression de l’hyperbole de dissipation maximale de puissance.
1.3 Considérer un transistor de paramètres : β = 120 ; VCEsat = 0,2V ; Pmax = 2W ;
ICmax = 1A et VCEmax = 10 V. Tracez l’hyperbole de dissipation maximale et localiser dans le
plan, la zone utile et la zone interdite.
2- Circuits Intégrés
Un circuit intègre porte l’indication suivante : SN74LS73N.
Donnez la signification de chaque séquence de cette indication.
Exercice 2 : Transistors Effet de Champ (TEC)

Considérez un TEC dont les caractéristiques sont données dans la figure1. Ce TEC est
utilisé dans le montage figure 2. On donne :
- Tension d’alimentation VDD = 12V
- Le point de fonctionnement est choisi tel que la tension VDM = 8V.
2.1 Calculer l’intensité du courant ID et en déduire la tension VGS.
2.2 Déterminer la valeur de la résistance RS
2.3 Donner la tension de pincement VP
2.4 Tracer la droite de charge sur la caractéristique de sortie, en déduire la valeur de la
tension VDS.
2.5 Dans ce montage, la résistance RG doit avoir une valeur élevée, expliquer pourquoi.
ID (mA) iD
A
VGS = 0V VDD
VDS = 5V 12 Figure2 RD
VGS = -1V D
Figure1 8
iG G
VGS = -2V VDS VDM
4 S
VGS (V) VDS (V) RG
R
-3 -2 -1 0 5 10 15 M
Exercice 3 : Comparateur Numérique

En technique numérique, on est souvent amené à réaliser des tests de comparaison de deux
nombres binaires. Le montage figure3 représente un comparateur numérique à deux entrées
(A, B) et trois sorties (S, E, I). On se propose de comparer les deux nombres A et B, de un
bit chacun.
3.1 Donnez l’équation logique de chacune des sorties E, S et I.
3.2 Etablir la table de vérité du comparateur logique.
3.3 Déterminer la valeur logique (0 ou 1) des sorties (E, S, I) pour chacun des cas suivants :
a) A > B
b) A = B
c) A < B
8
Compléter alors le tableau figure4 ci-dessous :
S E I
A>B
A=B
A<B
A
1
B
1
& & & &
Figure3
≥1
S E I

Exercice1 : Technologie
1– Transistors
1.1 -Le point de fonctionnement d’un transistor est le point au tour du quel on peut établir
tout fonctionnement du transistor sans le risque de le détruire.
-Les grandeurs qui caractérisent le point de fonctionnement d’un transistor sont :
IBO, ICO, VCEO, et VBEO.
P
1.2 Expression de l’hyperbole de dissipation : IC = max . L’hyperbole de dissipation montre les
VCE
différentes zones de fonctionnement ainsi que les valeurs maximales à ne pas dépasser :
ICmax, VCEmax, Pmax.
1.3 Considérons un transistor de paramètre β = 120 ; VCEsat = 0,2V ; Pmax = 2W ;
ICmax = 1A et VCEmax = 10A.
P 2
On a l’équation : IC = max ⇔ IC =
VCE VCE
Pour VCE = 10V, IC = 0,2A, Pour IC = 1A, VCE = 2A
IC(A)
1
Zone Interdite
Zone Utile
VCE(V)
2- Circuit Intègre 10
Un circuit intègre porte les indications suivantes : SN74LS73N
SN : sigle de marque
74 : famille
LS : sous famille
73 : fonction
N : type de boîtier.
Exercice 2 : Transistor à Effet de Champ (TEC)

iD
A
VDD
RD
1
D
iG G
VDS VDM
S
RG
2 R
M
2.1 Calcul de ID
(VDD − VDM )
La maille 1 nous donne : VDD – RD.ID – VDM = 0 ⇒ ID =
RD
(12 − 8)
A.N. : ID = = 4mA
1000
10
- Détermination de VGS
ID (mA)
VGS = 0V
VDS = 5V 12
VGS = -1V
Figure1 8
VGS = -2V
4
VGS (V) VDS (V)
-3 -2 -1 0 5 10 15
La détermination est graphique et donne : VGS = -2V
2.2 Détermination de RS
−VGS
La maille 2 nous donne : RG.IG – VGS – RS.ID = 0 ⇒ RS = . Car IG = 0.
ID
2
A.N. : RS = × 103 = 500Ω
4
2.3 Tension de pincement : elle se détermine à ID = 0
D’après la caractéristique, VP = 3V
2.4 Tracé de la droite de charge.

V − VDS
VDD = (RS + RD).ID + VDS ⇒ ID = DD
( RS + RD )
⎛V ⎞
A.N. : ID = - ⎜ DS ⎟ + 8 × 10−3
⎝ 1500 ⎠
Pour ID = 0, VDS = 12V et Pour VDS = 0, ID = 8 x 10-3 A
Pour la détermination de VDS, on prend l’intersection de la droite de charge avec la droite :
VGS = - 2V ce qui nous donne : VDS = 6V
2.5 La résistance RG doit avoir une valeur élevée parce que la commande du TEC se fait en
tension, et que le courant de grille IG doit être nul.
Exercice 3 : Comparateur Numérique.

3.1 Equation logique de E, S, et I.
E = A.B + A.B ; S = A.B ; I = A.B
3.2 Table de vérité du comparateur
A B E S I
0 0 1 0 0
0 1 0 0 1
1 0 0 1 0
1 1 1 0 0
3.3 Valeurs logiques de sortie E, S, I
S E I
A>B 1 0 0
A=B 0 1 0
A<B 0 0 1
PLEINS PHARES SUR LES CIRCUITS ELECTRONIQUES INDUSTRIELS ET NUMERIQUES. CONTACTS : 77472004 tampenazer2002@yahoo.fr11
PROBATOIRE F3 - SESSION 1996
Exercice 1 :
Ecrire l’équation réduite de M correspondant au tableau de KARNAUGH et tracer son
logigramme en utilisant uniquement les portes NAND à deux ou trois entrées
ab
00 01 11 10
cd
00 1 0 0 1
01 0 0 0 1
11 1 1 0 1
10 1 1 0 1
Exercice 2 :
a) Qu’appelle-t-on bascule ?
b) Montrer comment on peut obtenir une bascule D à l’aide d’une bascule RS synchrone
et une bascule JK synchrone.
c) Quelle différence fondamentale faites vous entre une bascule RS synchrone et une
bascule JK ?
d) Combien de bascules faut-il pour réaliser un compteur asynchrone permettant de
compter les secondes d’une minute ?
e) Compléter le chronogramme du circuit illustré à la figure ci-dessous.
Q0 Q1 Q2
J Q J Q J Q
H
K Q K Q K Q
1
Q0
Q1
Q2
Exercice 3 :
Soit le montage ci-dessous : R = 100Ω
D1 D2 D3
10V
30V 15V 12V
Dans ce montage, les diodes D1, D2 et D3 sont idéales.

a) Donner l’état de chaque diode.
b) Calculer le courant dans chaque branche du circuit.
12
Exercice 4 :
RP
D Ua
~ u
Pour le montage ci-dessus, on donne : résistance de protection RP = 0,5Ω , tension de seuil

de la diode US = 0,8V, tension d’alimentation u alternative de valeur efficace 10V et de
fréquence 50Hz.
a) Déterminer les conditions à remplir par u pour que D conduise.
b) Calculer la valeur maximale de i.
c) Calculer la valeur de la tension inverse aux bornes de la diode D.
Exercice 5 :
Soit le montage ci-dessous :
R1 RC = 100Ω
VCC = 10V
R2
Dans le montage, le transistor a un gain en courant : β = 100.

a) Déterminer le courant collecteur IC et le courant de base IB si UCE = 5V et UBE = 0,8V.
b) Sachant que la résistance R2 = 200Ω, déterminer la valeur de R1.
c) Quelle valeur faudrait-il donner à R1 pour bloquer le transistor sachant UBE ≤ 0,6V et
que IB est négligeable ?
d) En diminuant R1, on accroît IB. Pour une valeur de R1, IB = 3mA. Montrer que le
transistor est saturé. Quelle est la valeur de IC ? Déterminer R1 qui conduit à cette
saturation. Prendre UBE = 0,8V.
Exercice 6 :
Soit le montage ci-dessous : R1 RF
R2
R3
-
Ve2 + US
Ve1 Ve3
a) Donner l’expression littérale de VS en fonction de Ve1, Ve2, Ve3, R1, R2, R3 et RF.
b) Calculer VS pour R1 =10kΩ , R2 = 20kΩ , R3 = 30kΩ , RF =100kΩ et Ve1 =Ve2 =Ve3 = 1V.
c) Etablir une relation entre R1, R2, R3 et RF pour que VS = - (Ve1+ Ve2+ Ve3). Quelle serait
alors la fonction réalisée par un tel circuit ?
Exercice 1 :
Equation réduite de M correspondant au tableau de KARNAUGH
ab
00 01 11 10
cd
00 1 0 0 1
01 0 0 0 1
11 1 1 0 1
10 1 1 0 1
M = a.b + b.c + a.c.d ⇒ M = a.b + b.c + a.c.d = a.b . b.c . a.c.d
Traçons le logigramme en utilisant uniquement des portes NAND à 2 ou 3 entrées

a b c d
Exercice 2 :
a) On appelle bascule : les éléments de base de la logique séquentielle, permettant la
mémorisation d’un seul élément binaire.
b) Pour obtenir une bascule D à l’aide d’une bascule RS, on impose la complémentation
d’une des entrées d’une bascule RS (R = S)
D S Q
H
1 R Q
c) La différence fondamentale que nous faisons entre une bascule RS synchrone et une
bascule JK synchrone est que l’état numéro 4, R = S = 1 correspond à un état de
sortie indéterminée pour la bascule RS synchrone est éliminée par deux bouclages
supplémentaires dans la bascule JK synchrone.
d) Pour réaliser un compteur synchrone permettant de compter les secondes d’une
minute, il faut : 2N-1 < 60 < 2N ; car, une minute = 60secondes. Ainsi, nous avons N = 6
e) Complétons le chronogramme du circuit illustré à la figure ci-dessous :
Q0
Q1
Q2
14
Exercice 3 :
R = 100Ω
D1 D2 D3
10V
30V 15V 12V
a) Donnons l’état de chaque diode

Nous savons que la diode est passante lorsqu’elle est polarisée en directe et bloquée
lorsqu’elle l’est en inverse. Ainsi, revenant à ce montage, nous avons D1 polarisée en directe
et D2, D3 polarisée en inverse. D’où, D1 est passante et D2, D3 bloquée.
b) Calculons le courant dans chaque branche du circuit
- Circuits de D2 et D3, le courant est nul.
- Circuit de D1, nous avons l’équation de maille : 30 – R.I – 10 = 0. Car, diodes
30 − 10
idéales (VD = 0). Ainsi, I = = 0,2A
100
Exercice 4 :
Rp
D Ua
~ u
RP = 0,5Ω , US = 0,8V, U = 10V - 50Hz.

a- Déterminons la condition à remplir par u pour que D conduise.
(U − U s − U a )
La maille nous donne : u – RP.I – US – Ua = 0 ⇒ I =
Rp
D conduit ssi: I > 0 ⇒ u – US – Ua > 0 ⇒ u > US + Ua
b- Calculons la valeur maximale de i
suivant la maille nous avons : Umax – RP.Imax – US – Ua = 0
(U max − U s − U a )
ainsi, Imax =
RP
A.N. : Imax =
(10. 2 − 0,8 − U a )=
0,5
c- Calculons la valeur maximale de la tension inverse aux bornes de la diode D.
de la maille, u – RP.I – US – Ua = 0,
la diode D est bloquée si I = 0 ⇒ u – US – Ua = 0 ⇒ Uinv = U – Ua
Cette valeur maximale est : Uinvmax = Umax - Ua
Exercice 5 :
I1
R1 S
2 VCE
IB
VCC = 10V
I2
1
R2
Dans le montage, le transistor a un gain en courant : β = 100.

a- Si VCE = 5V et VBE = 0,8V. Déterminons :
- Le courant collecteur
(V − VCE )
La maille 1 nous donne : VCC – RC.IC = 0 ⇒ IC = CC
RC
(10 − 5 )
A.N : IC = = 0,05 A soit 50mA
100
- le courant de base
I
Nous savons que : IC = β.IB ⇒ IB = C
β
⎛ 0,05 ⎞
A.N. IB = ⎜ ⎟ = 0,0005 ASoit 0,5mA
⎝ 100 ⎠
b- Sachant que la résistance R2 =200Ω. Déterminons la valeur de R1
V 0,8
Courant dans R2 : I2 = BE = = 0,004 A
R2 200
Courant dans R1: I1 = I2 + IB = 0,004 + 0,0005 = 0,0045A
(V − VBE )
La maille 2 nous donne : VCC – R1.I1 – VBE = 0 ⇒ R1 = CC
I1
(10 − 0,8 )
A.N. R1 = = 2044Ω
45 × 10−4
c- Valeur qu’il faut donner a R1 pour bloquer le transistor sachant que VBE ≤0,6V et que IB ≈
0.
Avec ces conditions, le maille 2 devient : VCC – R1.I1 –VBE = 0. Alors,
(V − VBE 0 )
VBE = VCC – R1.I1≤ VBE0 ⇒ R1 ≥ CC
I2
(10 − 0,6 )
A.N. R1 ≥ = 2350Ω
4 × 10−3
d- Pour une certaine valeur de R1, IB = 3mA
Montrons que le transistor est saturé ; il suffit de montrer que IB > IBsat
V 10
Calculons le courant e base de saturation : IBsat ≈ CC = = 1mA
β .RC 100 × 100
Ainsi, nous constatons que : IB > IBsat (3mA > 1mA). Alors, le transistor est saturé.
Valeur de IC. Nous savons que : IC = β.IB . Or, IB = IBsat.
A.N. IC = 100 x 1 x 10-3 = 0,1A
Déterminons R1 qui conduit a cette saturation VBE = 0,8V
16
(VCC − VBE )
D’après la maille 2, R1 =
I1
(10 − 0,8 )
A.N. R1 = = 1840Ω
( 0,004 + 0,001)
Exercice 6.
Soit le montage ci-dessous
R1 RF
R2
R3
-
Ve2 + US
Ve1 Ve3
a- Donnons l’expression littérale de VS en fonction de Ve1, Ve2, Ve3, R1, R2, R3 et RF. Ce
montage peut être équivalent a :
R1 i1
R2 i2 - iF RF iS
R3 i3 +
Ve2 US
Ve1 Ve3
D’après la 2e règle, l’entrée – est virtuellement reliée à la masse. Car + est à la masse. Ainsi,
V
Ve1 = R1.i1 ⇒ i1 = e1
R1
V V V V
Ve2 = R2.i2 ⇒ i2 = e 2 . Or, iF = i1 + i2 + i3 = e1 + e 2 + e 3 = -iS.
R2 R1 R2 R3
V
Ve3 = R3.i3 ⇒ i3 = e 3
R3
VS ⎡⎛ V ⎞ ⎛ V ⎞ ⎛ V ⎞ ⎤ ⎡⎛ V ⎞ ⎛ V ⎞ ⎛ V ⎞ ⎤
Alors, VS = RF.iS ⇒ iS = = − ⎢⎜ e1 ⎟ + ⎜ e 2 ⎟ + ⎜ e 3 ⎟ ⎥ . D’où, VS = -RF. ⎢⎜ e1 ⎟ + ⎜ e 2 ⎟ + ⎜ e 3 ⎟ ⎥
RF ⎢⎣⎝ R1 ⎠ ⎝ R2 ⎠ ⎝ R3 ⎠ ⎦⎥ ⎢⎣⎝ R1 ⎠ ⎝ R2 ⎠ ⎝ R3 ⎠ ⎦⎥
b- Calculons VS pour R1 = 10kΩ, R2 = 20kΩ, R3 = 30kΩ, RF = 100kΩ et Ve1 = Ve2 = Ve3 = 1V.
⎡⎛ 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞ ⎤
A.N. VS = -100 x ⎢⎜ ⎟ + ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟ ⎥ = −18,33V
⎣⎝ 10 ⎠ ⎝ 20 ⎠ ⎝ 30 ⎠ ⎦
c- Etablissons la relation entre R1, R2, R3 et RF pour que VS = - (Ve1 + Ve2 + Ve3)
VS = - (Ve1 + Ve2 + Ve3) ⇒ R1 = R2 = R3 = RF.
La fonction réalisée par un tel circuit est une somme inversée (Sommateur inverseur).
I- TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS.

1.1 Les régimes variables.
a) Définir les expressions suivantes :
- tension moyenne d’une tension variable.
- tension efficace d’une tension variable.
b) Compléter le tableau suivant :
Umoy Ueff
+Umax
t Créneaux
symétriques
-Umax
+Umax
Créneaux positifs
t
+Umax Sinusoïdal redressé

simple alternance
t
+Umax Sinusoïdal redressé

t
double alternance
+Umax
t Sinusoïdal
-Umax
1.2 Le transistor bipolaire.

a) Etablir un schéma représentant un transistor polarisé en fonctionnement normal, sans
valeurs numériques, dans le cas suivant :
- NPN en montage émetteur commun
- PNP en montage émetteur commun
- NPN en montage base commune.
b) On teste deux a deux et à l’ohmmètre les électrodes d’un transistor.
- comment reconnaît-on la base du transistor ?
- la base du transistor est connue, donner un moyen de savoir (à l’ohmmètre) s’il s’agit d’un
transistor PNP ou d’un transistor NPN.
Référence Type Boîtier PTOT VCEO(V) VEBO(V) ICMAX(mA) βMini βMaxi

2N2222 NPN TO92 0,5 30 5 800 100 300
Que signifie PTOT ; VCE0 ; VEB0 ; ICMAX ; β
18
1.3 Circuit intégré linéaire

Un circuit intégré linéaire a les caractéristiques suivantes :
Type VCC(V) ICC(mA) A0 Ri(MΩ) R0(Ω) SR(V/μS)

741C ±18 1,7 2x105 3 75 0,5
Expliquer VCC ; ICC ; A0 ; R0 ; SR
2- CIRCUITS ANALOGIQUES
Exercice1 : Les réseaux en courant alternatif

Soit le circuit ci-dessous, avec C = 50μF ; L = 12,8mH ; e = 120 2 Cos100π t
L
A K
~ e C Z
B
1) Calculer les paramètres du modèle de THEVENIN du dipôle AB
2) En déduire le module de NORTON
3) Calculez l’intensité du courant qui traverse Z quand on ferme K sachant que, à la
fréquence du signal, Z = 5 + 4j Ω
Exercice 2 : Le circuit intégré linéaire.

1) Donner les règles de fonctionnement en régime linéaire.
2) Donner les règles de fonctionnement en régime de saturation
3) Tracer la caractéristique de transfert idéalisée d’un amplificateur opérationnel.
4) Considérons le montage ci-dessous.
a) Calculer les intensités des courants et la tension de sortie lorsque V1 = 2V et V2 = -1V
i0 R3
R1 i1
R2 i2
- R1 = 5kΩ, R2 = 2kΩ , R3 = 10kΩ,
i+ |Vsat| = 14V
+ VS
V1 V2
R4
b) Calculer les intensités des courants et la tension de sortie lorsque V1 = 2V et V2 = 3V

c) Comment appelle t-on ce montage ?
3- CIRCUITS NUMERIQUES
Exercice 3 : Complémenteur à 2
Complémenter est une étape vers la construction d’un soustracteur ;
Complémenter à 2 un nombre binaire c’est :
- charger tous ses bits ;
- ajouter 1 au résultat.
Exemple : le complément à 2 de 1101011010 est 00010100101 + 1 = 0010100110.

Problème : Concevoir un circuit qui réalise le complément à 2 de tout nombre binaire 4bits ;
1- compléter le tableau suivant :
Entrées Sorties
A4 A3 A2 A1 Y4 Y3 Y2 Y1
0 0 0 0 0 0 0 0
1 1 1 1 0 0 0 0
N.B. Le nombre Y4Y3Y2Y1 est le complément à 2 du nombre A4A3A2A1. Le complément à 2

de 0000 est 0000(seul cas particulier)
2- Utiliser les tableaux de KARNAUGH pour réaliser la mise en équation de chacune des 4
sorties. On vérifiera que les résultats sont les suivantes : Y1 = A1 ; Y2 = A2 ⊕ A1 ;
Y3 = A3 ⊕ (A1 ⊕ A2) ; Y4 = A4 ⊕ (A1+A2+A3)
3- Réaliser le circuit en utilisant les portes logiques.
Exercice 4 : Circuits en logique C-MOS

1 Donner le symbole de chaque type de transistor MOS
2 Soit le montage suivant ou les transistors considérés parfaits, fonctionnant en commutation.
A
UA
S2
G2
T2
E D2 S
G
U1 D1 U2
G1
T1
S1
a) U1 = 0. Déterminer la valeur de U2 (les calculs intermédiaires sont exigés)

b) U1 = UA. Déterminer la valeur de U2
c) Donner la table de vérité du circuit sachant que l’entrée est U1 et la sortie U2 ; la
tension nulle donne l’état logique 0, UA donne l’état 1
d) En déduire l’état et la fonction réalisée.
20
I- TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS

1-1 Les Régimes variables
a) Définition des expressions suivantes :
- Tension moyenne d’une tension variable : C’est la tension correspondante à l’intensité d’un
courant continu constant qui transporte, pendant le même temps la même quantité
d’électricité que le courant variable.
- Tension efficace d’une tension variable : C’est la tension correspondante à l’intensité que
devrait avoir un courant continu constant pour produire dans la même résistance et pendant
le même temps la même énergie calorifique que le courant variable.
b) Complétons le tableau suivant :
Umoy Ueff
+Umax
t Créneaux
0 Umax
symétriques
-Umax
+Umax Umax Umax

Créneaux positifs
t 2 2
+Umax Sinusoïdal redressé Umax Umax

t simple alternance π 2
+Umax Sinusoïdal redressé 2Umax Umax

t double alternance π 2
+Umax
t Umax
Sinusoïdal 0
2
-Umax
1-2 Le transistor bipolaire

a) Établissons un schéma représentant un transistor bipolaire polarisé en fonctionnement
normal. Dans les cas suivants :
- NPN en montage émetteur commun IC
RC
C
R B VCC
IB
VBE E
VBB
IE
- PNP en montage émetteur commun
IC
RC
C
R B VCC
IB
VBE E
VBB
IE
- NPN en montage base commune

RC C E RE
IC
VBE
VCC B VBB
b) On teste deux à deux et à l’ohmmètre les électrodes d’un transistor

- reconnaissance de la base du transistor.
On la reconnaît, en isolant la paire d’électrodes bloquée dans les deux sens.
- pour savoir s’il s’agit d’un transistor PNP ou d’un transistor NPN à l’ohmmètre, connaissant
la base : on teste les deux jonctions B – C et B – E.
* si elles sont passantes dans le sens B – E et B – C, on a, à faire, à un NPN.
* si elles sont passantes dans le sens E – B et C – B on a, à faire, à un PNP.
c) Le tableau ci-dessous est l’extrait d’un catalogue :
Référence Type Boîtier PTOT VCEO(V) VEBO(V) ICMAX(mA) βMini βMaxi

2N2222 NPN TO92 0,5 30 5 800 100 300
Signification des termes

PTOT : Puissance totale (dissipation maximale)
VCEO : Tension entre le collecteur et l’émetteur au repos
VEBO : Tension entre l’émetteur et la base au repos
ICMAX : Courant collecteur maximale à ne pas dépasser
β : Amplificateur en courant en régime statique
1.3 Circuit Intègre Linéaire
Un circuit intégré linéaire a les caractéristiques suivantes :
Type VCC(V) ICC(mA) A0 Ri(MΩ) R0(Ω) SR(V/μS)

741C ±18 1,7 2x105 3 75 0,5
Explications
VCC : Tension d’alimentation
ICC : Courant fourni par la source d’alimentation
A0 : Amplificateur à vide
Ri : Résistance d’entrée
R0 : Résistance de sortie
SR : Vitesse critique de croissance de la tension
2- CIRCUIT ANALOGIQUE
Exercice 1 : Les réseaux en courant alternatif

Soit le circuit ci-dessous, avec C = 50μF ; L = 12,8mH ; e = 120 2 Cos(100π.t).
22
L
A K
~ e C Z
1-) Calculons les paramètres du modèle de THEVENIN du dipôle AB. De ce dipôle,

l’inductance et la capacité sont en parallèle pour avoir ZTh(e = 0).
1
JLω.
JCω = JLω
ZTh =
1 ( −LCω 2 + 1)
JLω +
JCω
j12,8 × 10−3 × 100π
A.N : ZTh = = j 4,29Ω
(
⎡ −12,8 × 10−3 × 50 × 10−6 × (100π )2 + 1⎤
⎣⎢ )
⎦⎥
1
ETh = UAB = e. JCω =
e
⎡ ⎛ 1 ⎞ ⎤ (1 − LCω 2 )
⎢ JLω + ⎜ JCω ⎟ ⎥
⎣ ⎝ ⎠⎦
120
A.N : ETh = = 128,09V
(
⎡1 − 12,8 × 10−3 × 50 × 10 −6 × (100π )2 ⎤
⎣⎢ ⎦⎥ )
2-) Déduisons-en le modèle de NORTON.
X
IN ZN = ZTh
Y
ETh 128,09
IN = = = 29,84 A
ZTh 4,29
3-) Calculons l’intensité du courant qui traverse Z quand on ferme K sachant que, à la
fréquence du signal, Z = 5 + j4.
Avec le modèle de Thevenin le circuit devient :
ZTh I
Z
ETh
ETh
ETh = (ZTh + Z).I ⇒ I =
ZTh + Z
128,09
A.N : I = = 6,83 − J11,33 = [13,23; − 58,92°]
( J 4,29 + 5 + J 4 )
Exercice 2 : Le Circuit Intègre Linéaire

1-) Les règles de fonctionnement en régime linéaire :
- Les intensités i- et i+ qui pénètrent dans l’amplificateur par les bornes e- et e+ sont
négligeables devant toutes les autres intensités du montage.
- La tension qui existe entre les deux bornes e- et e+ est négligée devant les autres
tensions du montage (e- = e+).
2-) Les règles de fonctionnement en régime de saturation :
- La tension qui existe entre les deux bornes e– et e+ n’est plus négligée.
- La tension de sortie ne peut prendre que deux valeurs distinctes notées VSh et VSl
- Le changement d’état de la sortie est la conséquence directe du changement de
polarité de la tension différentielle d’entrée.
3-) Caractéristique de transfert idéalisée d’un amplificateur opérationnel.
VS
+VSat
Vd
Saturation Linéaire Saturation

-VSat
4-) Considérons le montage ci-dessous :

i0 R3
R1 i1
R2 i2
-
i+ R1 = 5kΩ, R2 = 2kΩ ,
+ VS R3 = 10kΩ, |Vsat| = 14V
V1 V2
R4
a) Calculons les intensités des courants et la tension de sortie lorsque V1 = 2V et V2 = -1V

Ce montage peut être équivalent a :
R1 i1
i0 R3 iS
R2 i2
- VS
+
V1 V2
R4
D’après la deuxième règle, l’entrée – est virtuellement reliée à la masse ; car + est à la
V
masse et (+) – (-) ≈ 0. Ainsi, V1 = R1.i1 ⇒ i1 = 1 .
R1
2
A.N. i1 = = 0,4 × 10−3 A Soit 0,4mA
5 × 103
V
V2 = R2.i2 ⇒ i 2 = 2
R2
24
−1
A.N. i2 = = −0,5 × 10−3 A. Ainsi, i2 = 0,5x10-3A soit 0,5mA avec le sens contraire.
2 × 103
i0 = i1 + i2 = 0,4 - 0,5 = -0,1. Ainsi, i0 = 0,1mA avec le sens contraire
Tension de sortie : VS = R3.iS = -R3.i0
A.N : VS = (-10 x 103) x (-0,1 x 10-3) =1V
b) Calculons les intensités des courants et la tension de sortie lorsque V1 = 2V et V2 = 3V.

Conservant le même schéma équivalent, nous avons :
D’après la deuxième règle, l’entrée – est virtuellement à la masse ; car + est à la masse et
V
(+) – (-) ≈ 0. Ainsi, V1 = R1.i1 ⇒ i1 = 1
R1
2
A.N. i1 = = 0,4 × 10−3 ASoit 0,4mA
5 × 10 3
V
V2 = R2.i2 ⇒ i 2 = 2
R2
3
A.N i2 = = 1,5 × 10−3 Soit 1,5mA
2 × 10 3
i 0 = i1 + i 2
A.N: i0 = 0,4 + 1,5 = 1,9 mA
Tension de sortie: VS = R3.i3 = -R3.iS
A.N. VS = -10 x 103 x 1,9 x 10-3 = -19V
c) Ce montage est un sommateur inverseur.
3- CIRCUITS NUMERIQUES
Exercice 3 : Complémenteur à 2
Complémenter à 2 un nombre binaire, c’est : - changer tous ses bits et ajouter 1 au résultat.
Exemple : Le complément à 2 de 1101011010 est : 0010100101 + 1 = 0010100110
Problème : concevoir un circuit qui réalise le complément à 2 de tout nombre binaire 4 bits.
1- Complétons le tableau suivant :
Entrée Entrée changée Sortie

A4 A3 A2 A1 A’4 A’3 A’2 A’1 +1 Y4 Y3 Y2 Y1
0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0
0 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1
0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0
0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1
0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0
0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1
0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0
0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1
1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0
1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1
1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0
1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1
1 1 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0
1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1
1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0
1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1
2- La mise en équation de chacune des 4 sorties en utilisant les tableaux de KARNAUGH.

A1A2 A1A2
00 01 11 10 00 01 11 10
A3A4 A3A4
00 0 0 1 1 00 0 1 0 1
01 0 0 1 1 01 0 1 0 1
11 0 0 1 1 11 0 1 0 1
10 0 0 1 1 10 0 1 0 1
Y1 = A1 Y2 = A1.A2 + A1.A2 = A1 A2
A1A2 A1A2
00 01 11 10 00 01 11 10
A3A4 A3A4
00 0 1 1 1 00 0 1 1 1
01 0 1 1 1 01 1 0 0 0
11 1 0 0 0 11 0 0 0 0
10 1 0 0 0 10 1 1 1 1
Y3 = A1.A2.A3 + A2.A3 + A1.A3 Y4 = A1.A2.A3.A4 + A3.A4 + A2.A4 + A1.A4
= A3 (A1 + A2) = A4 (A1 + A2 + A3)
3- En utilisant les portes logiques, réalisons le circuit.
Y1
Y2
Y3
Y4
A1 A2 A3 A4
Exercice 4 : Circuit en logique C-MOS

1- Donnons le symbole de chaque type de transistor MOS. D
D
Substrat
G Substrat G
S S
MOS à canal P ou PMOS MOS à canal N ou NMOS
2-) Soit le montage suivant ou les transistor, considérés parfaits, fonctionne en commutation.
26
S2
UA
G2 VD2S2
T2
D2
E
D1
VD1S1 U2
U1
G1 T1
S1
M M
a-) U1 = 0. Déterminons la valeur de U2.

De la maille 1, nous avons : U1 – VG1S1 = 0 ⇒ U1 = VG1S1. D’où, U1 = 0 ⇒ VG1S1 = 0. Alors, T1
est Bloqué.
La maille 2, nous donne : UA + VD2S2 – U2 = 0 ⇒ U2 = UA + VD2S2
La maille 3, nous donne : UA + VG2S2 – U1 = 0 ⇒ VG2S2 = - UA. Car U1 = 0. Ainsi, T2 est
passant. Alors, VD2S2 ≈ 0 ⇒ U2 = UA.
b-) U1 = UA. Déterminons la valeur de U2.
La maille 1, nous donne : U1 – VG1S1 = 0 ⇒ U1 = VG1S1 = UA. Ainsi, T1 est passant.
La maille 2, nous donne : UA + VD2S2 – U2 = 0 ⇒ U2 = UA + VD2S2.
La maille 3, nous donne : UA + VD2S2 – U1 = 0 ⇒ VG2S2 = 0. Car U1 = UA. Ainsi, T2 est bloqué.
Alors, T1 passant et T2 bloqué ⇒ S et M sont au même potentiel. D’où U2 = 0
c-) Donnons la table de vérité du circuit, avec U1 entrée et U2 sortie.
U1 U2
0 1
1 0
d-) La fonction réalisée est : la fonction non.
Exercice 1
Soit le circuit donné à la figure ci-dessous dans lequel e1 est la f.e.m. d’un générateur
sinusoïdal et E2 celle d’un générateur continu. En appliquant le théorème de superposition
des états linéaires. Déterminer la tension u = f(t).
On donne : r1 = 0,8kΩ ; r2 = 2kΩ ; r3 = 1kΩ ; e1 = 3sinωt (volts) et E2 = 10V
2) on remplace le générateur continu par un générateur sinusoïdal de f.é.m.e2 de même
⎛π ⎞
fréquence que e1 et d’expression e2 = 10sin [ω t + ⎜ ⎟
⎝2⎠
3) déterminer u = f(t).
B
R1 R2 R2
A
E2
R3 U
e1
Exercice 2
On considère l’interface de commande d’un transistor de puissance de figure ci-dessous.
iC
5V
1,2
(T) 10A
ie iB
T.P
8,2
iE -5V
a) On injecte à l’entrée un courant ie de façon que T soit saturé. Etudier la circulation des
courants.
b) Calculer le courant iC sachant que VCEsat = 0,7V pour T et VBE = 1V pour T.P.
c) Calculer le courant iE et en déduire le courant iB (on négligera le courant ie devant le
courant de collecteur)
d) Sachant que le courant dans T.P est de 15A et que βmin = 10, préciser si ce transistor est
saturé.
e) Que se passe-t-il lorsque ie est annulé ?
Exercice 3.
On considère le montage ci-dessous dans lequel R1max = R2 =10kΩ ; VSat = ±14V
a) Analyser le régime de fonctionnement de l’amplificateur opérationnel.
b) Etablir l’expression V+ en fonction de R1 et de R2.
28
c) R1 = 4kΩ ; déterminer la valeur de V+ et celle de VS lorsque Ve = 5V.

d) on applique en entrée le signal en dents de scie de la figure ci-dessous.
1) Représenter les chronogrammes de Ve et de VS lorsque V+ = 4V.
2) Déterminer le rapport cyclique du signal de sortie.
3) Entre quelles limites doit-on faire évoluer R1 pour que le rapport cyclique varie de 0 à 1 ?
+15V
R2 Ve
5V
1
Ve VS
V+
R1
0,2 t
0 0,1
Exercice 4 :
Soit à étudier le circuit suivant :
R1 = 47kΩ et R2 = 200kΩ
R2
VDD
VDD
R1
1 1
VE V1 V2 VS
Les portes CMOS sont idéales (la tension de basculement est égale à 0,5VDD soit 2,5V et la
résistance d’entrée est infinie).
a) Exprimer V1 en fonction de VE et de VS.
b) On suppose que VS = 0.
1) Quelle est la valeur de V2 ?
2) En déduire une condition sur V1.
3) Lorsque VE croit depuis zéro, pour quelle valeur un nouveau basculement se produira t-il ?
c) Représenter la caractéristique de transfert VE → VS du circuit lorsque VE croit de 0 à 5V
puis de 5V à 0 (on précisera les deux seuils et le sens de parcours du graphe appelé « cycle
d’hystérésis »).

Figure1 : c’est le schéma global de la table traçante qui comprend : la commande du moteur,
l’alimentation du moteur et la mécanique de traçage. V1
RB
T1
I1
R AO1
AO2
M
R
VC VE VS I2
RB
T2
V2
Liaison mécanique
M1
V'
Sens 1
M0
sens 2
VB V'
M2
(P)
Exercice 1
Etude de la commande figure2 R
R AO1
AO2
VB R
VC VE VS
1) Exprimer la tension de la borne inverseuse de AO1 en fonction de VB et de VE

2) Exprimer la tension de la borne non inverseuse de AO1 en fonction de VC
3) Déduire des deux expressions précédentes celle de la tension VE en fonction de VC et VB
4) Déterminer les valeurs de VS lorsque VC > VB et lorsque VC < VB.
Exercice 2
Etude de l’alimentation du moteur. V1
D1 RB C1
E1 I1
M
I2
VS E2
D2 RB
C2 V2
36
Le moteur M est alimenté par deux sources de tension V1 = V2 = 8V et par l’intermédiaire de

deux transistors complémentaires T1 (NPN) et T2 (PNP) pour lesquels on a : β = 70 et
|VBE| = 0,6V. Les diodes D1 et D2 sont supposées parfaites.
On applique une tension VS = + 12V puis une tension VS = -12V
1) Etudier dans les deux cas le comportement de chacun des transistors T1 et T2 (passant ou
bloqués)
2) Comparer les sens de rotation du moteur
3) On veut que le moteur fonctionne en charge avec un courant d’induit constant d’intensité
égale à 0,8A : déterminer la valeur de RB permettant ce fonctionnement sachant que D1 et D2
sont parfaites.
Exercice 3 :
Etude de la chaîne complète (voir figure 1)
Une liaison mécanique permet au moteur M de déplacer le curseur C d’un potentiomètre (P)
linéaire ; ce curseur est solidaire du stylet de la table traçante. Le potentiomètre (P) est
alimenté par deux sources de tensions V’ = 5V montées en série. Selon les indications de la
figure1, lorsque le courant alimentant M a un sens de I1, C se déplace dans le sens 1, et,
lorsque M est alimenté par un courant ayant le sens de I2 ; C se déplace dans le sens 2. Par
expérience il a été démontrer que lorsque la tension VE est très voisine de 0 le moteur ne
tourne pas.
1) Quelles sont les valeurs de VB si le curseur C se trouve à l’extrémité M1 de (P), puis à
l’extrémité M2 de (P), puis au milieu M0 de (P) ?
2) Le curseur C est initialement en M0 lorsque la tension VC varie de 0 à +3V, exprimer
qualitativement le sens de placement du curseur lié au stylet ; préciser la position finale par
rapport à M0 si la longueur M1M2 est égale à 40cm.
3) Faire la même étude lorsque la tension VC varie de 0 à -3V
Exercice 4 :
En informatique on est souvent amené à réaliser des test de comparaison de deux nombres
binaires le montage de la figure ci-dessous représente un comparateur élémentaire
A
1
B
1
& & & &
S E I
On se propose de comparer les deux nombres A et B, de un bit chacun
1) Exprimer l’équation logique de chacune des grandeurs de sortie
2) En déduire la table de vérité de ce comparateur logique
3) Vérifier que :
a) A > B ⇒ S = 1 ; E = 0 et I = 0
b) A = B ⇒ E = 1 ; S = 0 et I = 0
c) A < B ⇒ I = 1 ; S = 0 et E = 0.
PROBATIRE F3 SESSION 1999 - CORRECTION

Exercice 1:
Etude de la commande. R
R AO1
AO2
VB R
VC VE VS
1) Exprimons la tension de la borne inverseuse de A01 en fonction de VB et de VE

Le schéma équivalent A01 est le suivant :
R E- R i
VB R E+ VE
VC
R
(VB + VE )
En utilisant la méthode de superposition, nous avons : E- =
2
2) Exprimons la tension de la borne non inverseuse de A01 en fonction de VC. Suivant le
V
schéma ci-dessus, le diviseur de tension nous donne : E+ = C
2
3) Des 2 expressions précédentes, déduisons celle de la tension VE en fonction de VC et VB
D’après la deuxième règle de fonctionnement linéaire d’un amplificateur opérationnel
(E+) – (E-) ≈ 0, nous avons :
V (V + VE )
E+ = E- ⇔ C = B ⇒ VE = VC − VB
2 2
4) Déterminons les valeurs de VS :
- Lorsque VC > VB
VC > VB ⇔ VC – VB > 0 ⇒ VE > 0
A02 fonctionnant en commutation (non inverseur), pour VE > 0 nous avons VS = VSH.
- Lorsque VC < VB
VC < VB ⇔ VC – VB < 0 ⇒ VE < 0
A02 fonctionnant en commutation (non inverseur), pour VE < 0 nous avons VS = VSL.
Exercice 2 :
Etude de l’alimentation du moteur V1
D1 RB C1
E1 I1
M
I2
VS E2
D2 RB
C2 V2
38
Le moteur M est alimenté par 2 sources de tension V1 = V2 = 8V et par l’intermédiaire de 2

transistors complémentaires T1 (NPN) et T2 (PNP) pour lesquels on a : β = 70 et |VBE| = 0,6V.
Les diodes D1 et D2 sont supposées parfaites.
1) Etude du comportement de chacun des transistors T1 et T2.
- VS = + 12V
D1 passante de D2 bloquée d’où T1 passant. Alors, V1 alimente le moteur.
- VS = -12V
D2 passante de D1 bloquée d’où T2 passant. Alors, V2 alimente le moteur.
2) Comparons les sens de rotation du moteur.
Les deux cas présentent le sens de rotation contraires.
3) Le moteur fonctionne en charge avec un courant d’induit constant d’intensité 0,8A ;
déterminons RB pour ce fonctionnement. Nous savons que :
I
IE = IB + IC = IB (1+ β) ⇒ IB = E
2+ β
(1 + β ) . (VS − VBE )
La maille 1 nous donne : VS = RB.IB + VBE ⇒ RB =
IE
71× 12 − 0,6
A.N. RB = = 1011,75Ω
0,8
Exercice 3 :
Etude de la chaîne complète.
1) Trouvons les valeurs de VB :
Le curseur C se trouve à l’extrémité M1 de (P).
M1
V'
Sens 1
M0
sens 2
VB V'
M2
(P)
-A l’extrémité M1 de (P), VB = V’ = 5V
- A l’extrémité M2 de (P), VB = -V’ = -5V
- Au milieu M0 de (P), les mailles 1 et 2 nous donnent :
⎛P ⎞ 2. (VB + V ' )
1 : VB + V’ - ⎜ ⎟ .I = 0 ⇒ I =
⎝2⎠ P
P 2. (V '− VB )
2 : VB + .I − V ' = 0 ⇒ I =
2 P
Ainsi, VB + V’ = V’ – VB ⇒ 2VB = 0
2) Le curseur (C) est initialement en M0(VB = 0).
- lorsque 0 ≤ VC ≤ 3V , VC > VB . Alors,VE > 0 d ' ouVS = VSH . Le moteur est alimenté par I1 et C se
déplace dans le sens 1.
Par expérience, VE ≈ 0, le moteur ne tourne pas. Et VE = VC – VB ≈ 0 ⇒ VC ≈ VB.
- M1M2 = 40Cm ⇒ M0M1 = 20Cm qui est équivalent à VB = 5V.
Ainsi, VB ≈ VC = 3V ⇒ M0M1’= 12Cm
3) Lorsque -3V ≤ VC ≤ 0, VC < VB. Alors, VE < 0 ; d’où VS = VSb. Alors, le moteur est alimenté
par I2 et C se déplace dans le sens 2.
Par expérience, VE ≈ 0, le moteur ne tourne pas. Et VE = VC – VB ≈ 0 ⇒ VC ≈ VB.
- M1M2 = 40Cm ⇒ M0M1 = 20Cm qui est équivalent à VB = 5V.
Ainsi, VB ≈ VC = 3V ⇒ M0M1’ = 12Cm
Exercice 4
A
1
B
1
& & & &
S E I
1) Equation logique de chacune des grandeurs de sortie.
S = A.B;
E = A.B + A.B;
I = A.B
2) déduisons-en la table de vérité de ce comparateur logique.

Comparant deux nombres, nous aurons 2 entrées c’est-à-dire 22 combinaisons.
A B S E I
0 0 0 1 0
0 1 0 0 1
1 0 1 0 0
1 1 0 1 0
3) Vérifions que :
a) A > B ⇒ S = 1 ; E = 0 et I = 0
- A > B, nous avons la 3e combinaison qui donne en sortie : S = 1 ; E = 0 et I = 0
b) A = B ⇒ E = 1 ; S = 0 et I = 0
- A = B, nous avons la 1ère et la 4ème combinaison qui donne en sortie : S = 0 ; E = 1 et I = 0
c) A < B ⇒ I = 1 ; S = 0 et E = 0
- A < B, nous avons la 2ème combinaisons qui donne en sortie : S = 0 ; E = 0 et I = 1
40
Exercice1
D
Figure1 1 2
K
~ v R C R’
Dans le circuit de la figure1, D est une diode parfaite, V une tension sinusoïdale de valeur
efficace 50V et de fréquence 50Hz. Le condensateur C a une capacité de 100μF.
R = R’ et E = 50V.
A- L’interrupteur K se trouve dans la position (1)
A-1 Représenter l’allure de la tension aux bornes de la résistance R.
A-2 Quel doit être la valeur de la résistance R pour que la valeur maximale du courant dans
le circuit ne dépasse pas 500 μA.
A- 3 Quel est la tension inverse maximale aux bornes de la diode.
B- L’interrupteur K se trouve dans la position (2)
B-1 Au début quel est la valeur du courant dans la résistance R et dans R’ sachant que le
condensateur a une charge initiale nulle.
B-2 Calculer la constante de temps de charge et donner l’allure de la tension aux bornes du
condensateur en fonction du temps.
Exercice 2
Figure 2 A
5Ω 10Ω 15Ω 20Ω

5Ω
20V 10V 30V 5V
B
1-) Dessiner le circuit équivalent du circuit de la figure 2 en utilisant les générateurs de
NORTON.
2-) Dessiner alors le circuit final de NORTON et calculer le courant dans la charge.
3-) Comment appelle-t-on la méthode utilisée dans cet exercice ?
Exercice 3
A1)
1101111101
+1111111001
A2)
1001111010
-110111101
B- Demi- soustracteur
On veut réaliser un demi- soustracteur, pour cela on considère que A et B sont les
entrées et, D la différence B – A et C le rapport ou retenue.
B1 – compléter le tableau suivant :
A B D C
0 0
0 1
1 0
1 1
B2- Mettre D sous forme d’équation.

B3- A l’aide des portes logiques dessiner le logigramme de ce demi-soustracteur.
Exercice 4 :
Figure 3 :
RD
C1
D E = 30V
G
S RC
∼ uGS RG
R C2
Le transistor de la figure 3 est tel que quand la tension VDS est comprise entre 5V et 25V, le
2
⎡ ⎛ V ⎞⎤
courant de drain est donné par la formule ; ID = 30. ⎢1 + ⎜ GS ⎟ ⎥ en mA.
⎣ ⎝ 10 ⎠ ⎦
Dans cet exercice, la valeur de la résistance RG est considérée très grande.
Questions préliminaires :
a) Pourquoi RG doit être trop élevée ?
b) Quel type de montage est réalisé sur la figure 3 ?
c) Citer les autres types de montage possible.
d) Est-il possible dans ce montage d’obtenir une amplification en courant.
e) Comment appelle-t-on les condensateurs C1 et C2, quel est leur rôle dans le
circuit ?
1-) On veut que le point de polarisation corresponde à VGS = -4V et VDS = 15V. Calculer RS et
RD.
2-) Utiliser les valeurs normalisées de RS et de RD dans la série E12 des résistances
suivantes : 100 ; 120 ; 150 ; 180 ; 220 ; 270 ; 330 ; 390 ; 470 ;560 ;680 ; 820 ; 1000 ;1200 ;
1500 ; etc…
3-) Calculer alors les valeurs exactes de VGS, ID et VDS, dans cette question, RS et RD sont les
valeurs choisies à la question 2.
⎛ di ⎞
4-) Sachant que gm = ⎜ D ⎟ v DS , déterminer gm pour vDS égale à la valeur calculée à la
⎝ dv GS ⎠
question 3.
5-) Dessiner le circuit équivalent du régime dynamique (petits signaux) pour ρ = 20k
6-) Calculer la résistance de sortie du circuit.
42

Exercice1 :
D
1 2
K 2
~ v 1 R C R’
E
D : diode parfaite
v : tension sinusoïdale de valeur efficace 50V et fréquence 50Hz
C : condensateur de capacité C = 100 μF
R = R’ ; E = 50V
A- L’interrupteur k en position (1)

A-1- représentons l’allure de la tension aux bornes de la résistance R.
50 2
t
0
−50
−50 2
50 + 50 2
t
0
A-2- Calculons la valeur de la résistance R pour que la valeur maximale du courant dans le
circuit ne dépasse pas 500μA.
La maille (1), nous donne : V – R.i + E = 0 (diode parfaite).
(Vmax + E )
Ainsi, Vmax – R.Imax + E = 0. Alors, R =
Im ax
A.N. R =
(50 2 + 50 ) = 241421,35Ω
500 × 10−6
A-3- La tension inverse maximale aux bornes de la diode
- Diode bloquée, i = 0. Alors, de la maille (1), nous avons : V – VD + E = 0 ⇒ VD = E + V
A.N.VD = 50 -50 2 = -20,71V
B- L’interrupteur K en position (2)
B-1 Sachant que QC = 0 au début, calculons la valeur du courant dans R et R’
E
La maille (2) nous donne : E = R.I ⇒ I = .
R
50
A.N : I = = 0,206mA
241421,35
B-2 Calculons la constante de temps de charge.
Le condensateur C se charge à travers la résistance (R//R’)
τ = (R//R’).C
241421,35
A.N. τ = × 100 × 10 −6 = 12,07s
2
Allure de la tension UC = f(t).
UC (V)
E
t (s)
0
Exercice 2
1-) Le circuit équivalent de Norton du circuit de la figure 2
A
5Ω 10Ω 15Ω 20Ω

5Ω
20V 10V 30V 5V
Le générateur de NORTON utilise les sources de courant. Ainsi, nous avons/

A
4A 5Ω 1A 10Ω 2A 15Ω 0,25A 20Ω 5Ω
2-) Le circuit final de NORTON et calculons le courant dans la charge.

IN = ICC = 4 + 1 + 2 + 0,25 = 7,25A
5 × 10 × 15 × 20
RN = = 2,4Ω
⎡⎣( 5 × 10 × 15 ) + ( 5 × 10 × 20 ) + ( 5 × 15 × 20 ) + (10 × 15 × 20 ) ⎤⎦
- Circuit final: A
IN RN 5Ω
B
Calcul du courant dans la charge.
U ( 5 // RN ) IN .RN
I = AB = IN .Re q =
5 5 5 + RN
2,4 × 7,25
A.N. I = = 2,35 A
5 + 2,4
3-) la méthode utilisée dans cet exercice s’appelle méthode de Norton.
44
Exercice 3
A-1
1101111101
+1111111001
11101110110
A2)
1001111010
-110111101
0010111101
B- Demi soustracteur.
Considérons les entrées A et B ; la différence D = B – A et le report C.
B-1 Complétons le tableau suivant :
A B D C
0 0 0 0
0 1 1 0
1 0 1 1
1 1 0 0
B-2 Mettons D sous forme d’équation
D = A.B + A.B = A ⊕ B
B-3 Dessinons le logigramme de ce demi soustracteur à l’aide des portes logiques. C = A.B
A
D
B
Exercice 4
RD
C1
D E = 30V
G
S RC
∼ uGS
R C2
2
⎡ ⎛ V ⎞⎤
Données sur le transistor : 5V ≤ VDS ≤ 25V et ID = 30. ⎢1 + ⎜ GS ⎟ ⎥ en mA
⎣ ⎝ 10 ⎠ ⎦
Dans cet exercice, la valeur de RG est considérée très grande ;
a) RG doit être trop élevée pour empêcher la circulation du courant entre G et M
lors de la polarisation.
b) Le montage réalisé est du type AUTO-POLALISATION.
c) Citons les autres types de montage possible
- polarisation par PONT
- polarisation par la Source.
d) Dans ce montage, il n’est pas possible d’obtenir une amplification en courant.
e) Les condensateurs C1 et C2 :
C1 : Condensateur de couplage, couple la charge RC en régime dynamique.
C2 : Condensateur de découplage, découple la résistance RS en régime dynamique.

1-) Calculons RS et RD pour que le point de polarisation corresponde à :
VGS = -4V et VDS = 15V
2
⎡ ⎛ −4 ⎞ ⎤
VDS = 15V ⇒ ID = 30 × ⎢1 + ⎜ ⎟ ⎥ = 10,8mA
⎣ ⎝ 100 ⎠ ⎦
−VGS
VGM = VGS + VSM ⇔ RG.iGM = VGS + RS.ID. Or iGM = 0. D’ou, VGS + RS.ID = 0. Alors RS =
ID
4
A.N. RS = = 370,37Ω
10,8 × 10−3
E − VDS + VGS
Nous avons aussi : E = RD.ID + VDS + RS.ID ⇒ RD =
ID
30 − 15 − 4
A.N. RD = = 1018,51Ω
10,8 × 10 −3
2-) Donnons les valeurs normalisées de RS et de RD dans la série E12.
RS = 390Ω et RD = 1200Ω
3-) Calculons les valeurs exactes de VGS, ID et VDS.
-VGS = RS.ID (1)
E = RD.ID =VDS + RS.ID (2)
2
⎡ V ⎤ V
ID = 30. ⎢1 + GS ⎥ = − GS (3)
⎣ 10 ⎦ RS
2
⎡ V ⎤ ⎛ V ⎞
(3) ⇔ 30. ⎢1 + GS ⎥ = ⎜ − GS ⎟ × 103 ⇒ 117VGS
2
+ 3340VGS + 11700 = 0
⎣ 10 ⎦ ⎝ R S ⎠
La résolution, nous donne : VGS = -24,46V et VGS = -4,09V

- VGS = -24,46V ; ID = 62,72mA et VDS = -69,72V
- VGS = -4,09V ; ID = 10,48mA et VDS = 13,33V BON.
⎛ di ⎞
4-) Sachant que gm = ⎜ D ⎟ v DS = cste , déterminons gm.
⎝ dv GS ⎠
2
⎡ V ⎤
Nous avons : ID = 30 x ⎢1 + GS ⎥ × 10−3
⎣ 10 ⎦
⎛ di ⎞ ⎡ V ⎤
Ainsi, ⎜ D ⎟ = 60 × 10−3 × 0,1× ⎢1 + GS ⎥ = 3,55mS
⎝ dv GS ⎠ ⎣ 10 ⎦
5-) Dessinons le circuit équivalent du régime dynamique ρ = 20kΩ
iD iS
vS
∼ vGS RG gm.vGS ρ RD RC
6-) Calculons la résistance de sortie du circuit.

v
Nous savons que : RS = S v E = 0
iS
RD .ρ
Ainsi, RS = RD // ρ =
RD + ρ
1200 × 20000
A.N. RS = = 1132,07Ω
21200
46
1- Technologie des Composants
1.1- Comment peut-on savoir à l’aide d’un ohmmètre :

a) Qu’une diode à jonction est bonne
b) Qu’une diode à jonction est défectueuse
1.2-
a) Quelles sont les 2 différentes familles technologiques des circuits intégrés numériques
b) Pour chacune de ces familles technologiques, donner 2 Séries sui la composent et la
tension d’alimentation.
1.3- Qu’est ce qu’un registre ? Donner les 2 différents types de registres.
1.4- Définir multiplexeur, et donner une application dans chaque cas.
1.5- Donner la différence entre un circuit séquentiel et un circuit combinatoire.
Exercice 2
Dans le montage de la figure ci-dessous, on veut limiter le courant dans la diode à
50mA, en direct et en inverse. La tension peut prendre l’une des 2 valeurs + 10V, ou -10V
D
R2
R1
e VZ = 3,1V
2.1- Analyser le fonctionnement du système ;

a) Lorsque e = +10V
b) Lorsque e = -10V
2.2- Calculer les valeurs à adopter pour les résistances R1 et R2.
Exercice 3
Pour le montage de la figure ci-dessous, déterminer l’intensité i du courant en fonction
de E et R :
3.1- Par la méthode de superposition
3.2- Par la méthode de THEVENIN
R i
R
R
2E
E
Exercice 4
Dans le montage ci-dessous, les amplificateurs opérationnels sont considérés comme
idéaux et alimentés en +12V et -12V.
V3(V)
ETAGE N°1 R3 ETAGE N°2
10
R1 AO1
AO2
1
V1 R2
V2 V3 V4 t(s)
R5 2
R4 u
-10
4.1- Etude de l’étage 1

On suppose que l’amplificateur opérationnel fonctionne en régime linéaire.
a) Exprimer V3 en fonction de V1, V2, R1, R2 et R3
b) Donner l’expression de V3 en fonction de V1 et V2, pour R1 = 4,7Ω, R2 = R3 = 10kΩ
c) Quelle condition doit-on avoir entre R1, R2 et R3, pour que V3 = -V1 – V2
a) Le fonctionnement de l’amplificateur opérationnel est-il linéaire ?
b) On suppose R4 = R5 = 12kΩ
i) Exprimer u en fonction de V4
ii) Si V3 > u, quelle est la valeur de V4 ? Quelle est alors la valeur de u ?
iii) Si V3 < u, quelle est la valeur de V4 ? Quelle est alors la valeur de u ?
c) On fait varier V3 entre les instants 0 et 4 secondes, selon la courbe de la figure ci-
dessous. Tracer les variations de V4 en fonction du temps.
Exercice 5
5.1- Quel est le plus grand nombre décimal que l’on peut transcrire en nombre binaire,
a) De 4 bits
b) De N bits
5.2- On considère le nombre décimal n pouvant être transcrit en nombre binaire de N bits. On
double n ; combien faut-il de bit pour écrire le nombre binaire correspondant ?
5.3-
a) Quelle est la propriété intéressante d’une bascule lorsque J = K = 1 ?
b) Combien faut-il mettre de bascules JK en série pour réaliser un compteur décimal ?
Exercice 6
On considère un nombre binaire de 4 chiffres A3A2A1A0, dans lequel :
A0 est le bit de poids le plus faible
A3 est le bit de poids le plus fort.
Dans le but de décoder le nombre binaire appliqué à l’entrée, c’est-à-dire de trouver sa
valeur décimale, on réalise un montage partiellement représenté par la figure ci-dessous.
A3 A2 A1 A0
1 1 1 1
Sn
&
48
6.1- Pour quel nombre binaire obtient-on le niveau logique 1 à la sortie de la porte ET ? Quel
est son équivalent décimal ?
6.2- Compléter le schéma en représentant les portes ET des sorties respectives S0, S3, S6,
S8 et S9, en vue de détecter les nombres décimaux 0, 3, 6, 8, et 9.
Exercice 7
Soit le circuit suivant :
Q0 Q1 Q2 Q3
J Q J Q J Q J Q
H
K Q K Q K Q K Q
1
Q3Q2Q1Q0 représente le nombre binaire à la sortie des bascules

Q3 : bit de poids le plus fort
Q0 : bit de poids le plus faible
H : Horloge
Q0
Q1
Q2
Q3
7.1- Sur quel front d’horloge commutent les bascules ? Pourquoi ?

7.2- Le circuit ci-dessus représente un compteur asynchrone.
a) Etablir les chronogrammes de Q0, Q1, Q2 et Q3
b) Donner le modulo du compteur ainsi réalisé.
7.3- Transformer ce compteur en un compteur décimal.
1- Technologie des composants

1-1 A l’aide d’un ohmmètre, on peut savoir que :
a) une diode à jonction est bonne, lorsque l’ohmmètre affiche tour à tour une valeur
nulle et une valeur infinie en permutant ses bornes aux bornes de la diode à jonction PN.
b) une diode à jonction est défectueuse, lorsque l’ohmmètre affiche tour à tour une
même valeur nulle en permutant ses bornes aux bornes de la diode à jonction PN.
1-2-
a) Les 2 différentes familles technologiques de circuit intégré numériques sont :
- Famille TTL
- Famille CMOS
b) Pour chacune de ces familles technologiques, donnons 2 séries qui la composent et
la tension d’alimentation. Ainsi, on choisira 2 parmi celles citées ci-dessous :
Famille Série Tension d’alimentation

-TTL N (Normale)
- TTL H (High Speat)
- TTL S ( Schottky)
TTL - TTL L (Low Power) 5V ± 5%
-TTL LS
- TTL ALS
- TTL AS
- C M O S HC
- C M O S AC
CMOS 2 à 18V
- C M O S HCT
- C M O S Série 4000
1-3- Un registre: est un groupement de bascules qui permet de stocker les données. Ou
encore un dispositif de stockage de mot.
Les 2 différents types de registres :
- Registre parallèle
- Registre série ou à décalage
1-4- Définissons :
Un multiplexeur : est un circuit combinatoire à 2n entrées et une sortie qui transmet une des
entrées au choix. Ou encore un dispositif d’aiguillage qui aiguille plusieurs informations sur
une seule voie.
Application :
- Communication (Voies ferrées et studios de reportage)
- Utilisation en générateur de fonction.
- Aiguillage des informations
- Conversion parallèle série
Un dé multiplexeur : est un circuit combinatoire à une entrée d’information et 2n sorties. Ou
encore un dispositif d’aiguillage qui aiguille une information sur plusieurs voies. Il réalise
l’opération inverse du multiplexeur.
L’opération inverse du multiplexeur ;
Application :
- Communication (voies ferrées et studios d’émission)
- Conversion série parallèle
- Décodeur binaire décimal.
1-5- La différents entre un circuit séquentiel et un circuit combinatoire réside au niveau du

temps. En effet, dans un circuit combinatoire, la variable temps n’intervient pas dans la
50
détermination de l’état des sorties ; car elles dépendent seulement des entrées. Alors que
dans un circuit séquentiel, les sorties dépendent des entrées et du temps.
Exercice 2
Dans le montage de la figure ci-dessus, on veut limiter le courant dans la diode à
50mA, en direct et en inverse. La tension peut prendre l’une des 2 valeurs +10V, ou -10V
D
R2
R1
e VZ = 3,1V
2-1- Analysons le fonctionnement du système :

a) Lorsque e = +10V, la diode D est polarisée en direct. D’où elle conduit ; la diode
zener est polarisée en inverse d’où elle fonctionne en stabilisation. Ainsi, le courant se
boucle par : Générateur – Diode D ou Résistance R1 – Résistance R2 – Diode zener –
Générateur.
b) Lorsque e = -10V, la diode D est polarisée en inverse. D’où elle est bloquée : la
diode zener est polarisée en direct. D’où elle fonctionne comme une diode à jonction PN.
Ainsi, le courant se boucle par : Générateur – Diode zener – Résistance R2 – Résistance R1
– Générateur.
2-2- Calculons les valeurs à adopter pour les résistances R1 et R2.
Lorsque e = + 10V, nous pouvons écrire la maille suivante :
( e − Vs − Vz )
E – VS – R2.Izinv – Vz = 0 ⇒ R2 =
Izinv
(10 − 0,7 − 3,1)
A.N. R1 = = 124Ω
50 × 10−3
Si la diode D est idéale, VS= 0V. Alors, R2 = 138Ω
Lorsque e = -10V, nous pouvons écrire la maille suivante :
⎛ e ⎞
-e – VzD + (R2 + R1).IzD = 0 ⇒ R1 = ⎜ ⎟ − R2 car VzD = 0V
⎝ D⎠
Iz
⎛ 10 ⎞
A.N. R1 = ⎜ −3 ⎟
− 138 = 62Ω
⎝ 50 × 10 ⎠
Dans la série E12, on peut adopter : R1 = 68Ω et R2 = 150Ω
Exercice 3
R i
R
R
2E
E
3-1- Déterminons i en fonction de E et R par la méthode de superposition

- La source E agit seule ; le schéma devient :
i1 V1
R
R R
⎛ R // R ⎞
En appliquant le diviseur de tension, nous avons : V1 = ⎜
⎜ ( R // R ) + R ⎟⎟
.E
⎝ ⎠
1 V E
Ainsi, V1 = .E . Or, i1 = 1 . Alors, i1 =
3 R 3R
- La source 2E agit seule ; le schéma devient :
R i2 V2
R R
2E
⎛ R // R ⎞
En appliquant le diviseur de tension, nous avons : V2 = ⎜
⎜ ( R // R ) + R ⎟⎟
.2E
⎝ ⎠
2 V 2E
Ainsi, V2 = .E. Or , i 2 = 2 . Alors, i 2 =
3 R 3R
E 2E E
Alors, le courant i vaut : i = i1 + i2 = + =
3R 3R R
3-2- Déterminons i en fonction de E et R par la méthode de THEVENIN. C’est-à-dire Eth et
Rth ; Déconnectons la charge.
A
R
R
2E
E
⎛ 2E − U AB ⎞ ⎛ U AB − E ⎞ ( 2E + E ) 3
Ainsi, nous avons : ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ ⇒ U AB = R. . Alors, Eth = UAB = .E
⎝ R ⎠ ⎝ R ⎠ 2R 2
Rth est la résistance équivalente vue les bornes A et B quand les sources sont court-
R
circuitées. Ainsi, Rth =
2
D’où le montage devient :
A
Rth i
R
Eth
B
52
Eth E
Le courant i a pour expression : i = =
Rth + R R
Exercice 4
Dans le montage ci-dessous, les amplificateurs opérationnels sont considérés comme
idéaux et alimentés en +12V et -12V.
V3(V)
ETAGE N°1 R3 ETAGE N°2
10
4
R1 AO1
4
1 2 AO2
1
3
V1 R2 8
8 t(s)
V2 V3 V4
R5 2
R4 u
-10

On suppose que l’amplificateur opérationnel fonctionne en régime linéaire.
a) Exprimons : V3 en fonction de V1, V2, R1, R2 et R3
Par la méthode de superposition, nous avons :
−R2 −R1 R3 R3
e− = .V3 = .V3 = .V1 = .V2
R2 + R3 R1 + R3 R1 + R3 R2 + R3
−R3 −R3 ⎛V V ⎞
Ainsi, V31 = .V1 et .V2 . Alors, V3 = V31 + V32 = -R3. ⎜ 1 + 2 ⎟
V32 =
R1 R2 ⎝ R1 R2 ⎠
b) Donnons l’expression de V3 en fonction de V1 et V2, pour R1 = 4,7kΩ,
R2 = R3 = 10kΩ
V3 = -(2127,66V1 + V2)
c) Condition entre R1, R2 et R3 pour que V3 = -V1 – V2
Il faut que : R1 = R2 = R3

a) Le fonctionnement de l’amplificateur opérationnel n’est plus linéaire ; car il n’existe pas de
boucle de réaction entre la sortie et la borne inverseuse. L’amplificateur opérationnel est en
régime de saturation.
b) On suppose R4 = R5 = 14kΩ
i) exprimons U en fonction de V4
R4 1
La formule du diviseur de tension nous donne : U = .V4 .Or, R4 = R5. Alors, U = .V4
R4 + R5 2
ii) si V3 > U, la valeur de V4 est : V4 = -VSat = -12V.
1 1
Alors, la valeur de U est : U = .V4 = . ( −12 ) = −6V
2 2
iii) Si V3 < U, la valeur de V4 est : V4 = +VSat = +12V.
1 1
Alors, la valeur de U est : U = .V4 = .12 = 6V
2 2
c) On fait varier V3 entre les instants 0 et 4 secondes, traçons les variations de V4 en fonction
du temps.
V3(V)
12
10
t(s)
2
-6
-10
-12
V3 >-6V, V4 = -12V. C’est-à-dire, V3 <-6V, V4 = 12V. D’où la commutation s’effectue à V3 = 6V

V3 < 6V, V4 = 12V, c’est-à-dire, V3 > 6V, V4 = -12V.d’où la commutation s’effectue à V3 = -6V
Exercice 5
5-1. Le plus grand nombre décimal que l’on peut transcrire en nombre binaire
a) De 4 bits : ND = 15
b) De N bits : ND = 2N-1
5-2. On considère le nombre décimal n pouvant être transcrit en nombre binaire de N bits. On
double n. La valeur maximale de n = 2N-1. Alors, 2n = 2.(2N-1). D’où, 2n = 2N+1-2. Donc il faut
prévoir (N+1) bits pour écrire 2n.
5-3.
a) La propriété intéressante d’un bascule JK, lorsque J = K = 1, est qu’elle fonctionne en
commutation lorsque l’horloge est active.
b) Pour réaliser un compteur décimal, il faut mettre en série n bascules JK avec, 2N-1<10<2n.
Alors, n = 4. D’où il faut mettre 4 bascules JK en série.
Exercice 6 :
On considère un nombre binaire de 4 chiffres A3A2A1A0, dans lequel :
A0 est le bit de poids le plus faible (LSB)
A3 est le bit de poids le plus fort (MSB)
6-1 Pour obtenir le niveau logique 1 à la sortie de la porte ET, il faut que : A0 = 1 ; A1 = 0 ;
A2 = 1 et A3 = 0. D’où nous avons le nombre binaire NB = 0101 et son équivalent en décimal
est : ND = 5
6-2.Complétons le schéma en représentant les portes ET des sorties S0 ; S3 ; S6 ; S8 et S9,
en vue de détecter les nombres décimaux 0, 3 ; 6 ; 8 et 9.
S0 =A3A2A1A0
S3 = A3A2A1A0
S6 = A3A2A1A0
S8 = A3A2A1A0
S9 = A3A2A1A0
54
A3 A2 A1 A0
1 1 1 1
1
S0
&
S3
&
S6
&
S8
&
S9
&
Exercice 7:
7-1 D’après le circuit, les bascules commutent sur front descendant. Ceci à cause du
symbole ( ) permettant de complémenter l’entrée de l’horloge.
7-2. Le circuit donné représente un compteur asynchrone.
a) Etablissons les chronogrammes de Q0, Q1, Q2 et Q3
Q0
Q1
Q2
Q3
b) Le module du compteur ainsi réalisé est 16 ; car il compte de 0 à 15 et revient à 0.

7-3. Transformons ce compteur en un compteur décimal.
Q0 Q1 Q2 Q3
RAZ RAZ RAZ RAZ

J Q J Q J Q J Q
H
K Q K Q K Q K Q
1
Exercice1 :
On considère le schéma électrique suivant dans lequel I = 20A 90°
I A
V1 10Ω
j5Ω
j5Ω V2
-j2Ω
B
1.1- Déterminer l’impédance complexe équivalente vue entre A et B
1.2- En déduire la valeur des tensions complexes V1 et V2
Exercice 2 :
On monte en série :
- Une source de tension continue de 5V
- Une résistance de 220Ω
- Une diode électroluminescente (DEL) dont la partie utile de la caractéristique
Courant Tension est un segment de droite limité par les points (1,5V ; 1mA) et (2,2V ; 20mA)
2.1- Faire le schéma du montage
2.2- Construire la caractéristique courant tension de cette DEL
2.3- Ecrire l’équation de la droite de charge
2.4- Tracer cette droite dans le même plan que la caractéristique courant tension
2.5- Déterminer :
a-) Les coordonnées du point de fonctionnement de cette DEL
b-) La puissance dissipée dans la DEL
Exercice3 :
On considère le schéma du montage suivant dans lequel Rt est une thermistance
(Résistance dont la valeur dépend de la température). T est un transistor NPN.
A
Ra RC
C
IB
B T U0
E
Rt
On donne U0 = 10V ; Ra = 47kΩ ; RC = 1kΩ ; IB = IB0 – ICB0 ; VBE = 0,6V.

3.1- A 25°C, le point de repos est tel que IB0 = 0,05mA ; IC0 = 5mA ; ICB0 = 10nA. Déterminer
la valeur de Rt à cette température.
3.2- Sachant que ICB0 double tous les 6°C, quelle doit être la valeur de Rt pour que le point
de repos soit le même à 85°C qu’à 25°C ?
56
Exercice 4
On donne le schéma de la figure ci-dessous :
R1 R3
V1 +VCC
R2
-
V2
+
VS
VCC = 20V ; R1 = R2 = 10kΩ ; R3 = 20kΩ

4-1- Exprimer VS en fonction de V1 et V2
4.2- Quel nom donne-t-on à ce type de montage ?
4.3- Quelle valeur faut-il donner à R3 pour saturer l’amplificateur opérationnel, si V1 = -4V et
V2 = +2V ? (R1 et R2 restent inchangées)
N B : on rappelle qu’un amplificateur opérationnel est saturé lorsque VS = +VCC
Exercice 5 :
On considère le schéma suivant représentant un multiplexeur câblé en générateur de
fonction.
A B C D
Masse(0)
VCC(1)
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7
A1
A2
A3
V
S S
5.1- Identifier les différentes entrées de ce multiplexeur et donner leur rôle.

5.2- Donner l’équation en sortie de la fonction F.
5.3- Simplifier cette fonction à l’aide d’un tableau de Karnaugh.
5.4- Réaliser la fonction simplifiée à l’aide des portes NAND à 2 entrées.
Exercice 6 :
6.1- Rappeler la propriété intéressante d’une bascule JK lorsque J = K = 1
6.2- Combien faut-il mettre de bascules JK en série pour réaliser un compteur asynchrone
modulo 16 ?
6.3- Représenter le schéma de ce compteur et identifier les différentes sorties
6.4- Représenter les chronogrammes de l’horloge et des sorties
6.5- Transformer le schéma de la question 6.3 pour en faire un compteur décimal.
PROBATOIRE F3 2002 - CORRECTION
Exercice 1
On considère le schéma électrique suivant dans lequel I = 20A 90°
I A
V1 10Ω
j5Ω
j5Ω V2
-j2Ω
B
1-1 Impédance complexe équivalente vue entre A et B.
(10 + j 5 ) ( j 5 − j 3 ) ( 3 + j14 )
Ze = = 15 × = 0,55 + j 2,56
(10 + j 5 + j 5 − j 2 ) 82
1-2 Valeur des tensions complexes
- V1
V1 = Ze.I
= ⎛⎜ ⎞⎟ ( 3 + j14 )( j 20 ) = ⎛⎜ ⎞⎟ ( −140 + j 30 ) = −51, 22 + j10,97
15 15
⎝ 82 ⎠ ⎝ 41 ⎠
- V2
⎛ − j2 ⎞ ⎛ −10 ⎞
V2 = ⎜ ⎟ .V 1 = ⎜ ⎟ . ( −140 + j 30 ) = 34,14 − j 7,31
⎝ j5 − j2 ⎠ ⎝ 41 ⎠
Exercice 2
On monte en série :
2-1 Schéma de montage
I r = 220Ω
E = 5V
2-2 Caractéristique courant – tension de cette DEL
I(mA)
20
15
10
5
U(V)
0
1 2 3 4 5
58
2-3 Equation de la droite de charge.

E − VD
La maille du schéma de montage, nous donne : E – r.ID – VD = 0. Ainsi, ID =
r
5 − VD
D’où d’équation : ID =
220
2-4 Tracé de cette droite (Voir ci-dessus)
VD(V) 0 2 3 4 5
ID(mA) 22,7 13,6 9,09 4,545 0
2-5 Détermination de :
a) cordonnées du point A de fonctionnement de cette DEL : A (2V ; 13,6mA)
b) Puissance dissipée dans la DEL
P = ID.VD
A.N. P = 2 x 13,6 x 10-3 =27,2mW
Exercice 3
On considère le schéma du montage :
On donne U0 = 10V; Ra = 47kΩ ; RC = 1kΩ ; IB = IB0 – ICB0 ; VBE = 0,6V.
3-1- A 25°, le point de repos est tel que IB0 = 0,05mA; IC0 = 5mA; ICB0 = 10nA
Ra RC
1 C
I1
IB
B T U0
I2
2 E
Rt
Détermination de Rt à cette température.

Suivant le schéma ci-dessus, nous pouvons écrire :
U0 – Ra.I1 – VBE = 0
Rt.I2 – VBE = 0
I1 = I2 + IB = I2 + IB0 – ICB0
De (1), nous avons: U0 – Ra.(I2 + IB0 – ICB0) – VBE = 0
U0 − VBE
Ainsi, I2 = − (IB 0 − ICB 0 )
Ra
VBE
De (2), nous avons : Rt =
I2
(10 − 0, 6 )
A.N. I2 =
47 × 103
( )
− 0,05 × 10 −3 − 10 × 10 −9 = 1,5 × 10 −4 A . Soit
0, 6
Rt = = 4K Ω
0,15 × 10 −3
3-2 Sachant que ICB0 double tous les 6°C, valeur de Rt pour que le point de repos soit le
même à 85°C qu’à 25°C.
85 – 25 = 60 = 6 x 10. Ainsi, nous avons une puissance 10 de 2 (signifiant le double).
A 85°C, ICB0 = ICB0 (25°C) x 210
A.N. ICB0 = 10nA x 210 = 10240nA Soit 0,0102mA
Le même raisonnement qu’en 3–1 nous conduit à :

10 − 0, 6
A.N. I2 =
47 × 103
( )
− 0,05 × 10 −3 − 0,01 × 10 −3 = 0,16mA
0, 6
Rt = = 3,75K Ω
0,16 × 10 −3
Exercice 4 :
On donne le schéma de la figure ci-dessous.
R1 R3
V1 +VCC
R2
- VCC = 20V ; R1 = R2 = 10kΩ ;
V2 R3 = 20kΩ.
+
VS
4.1- Exprimons VS en fonction de V1 et V2

Schéma équivalent
R1 i1
R3 iS
R2 i2 -
V1 VS
+
V2
V1 V2 VS
Au nœud (-), nous avons: -iS = i1 + i2. Or, i1 = ; i2 = et iS =
R1 R2 R3
V1 V2 −V ⎛V V ⎞
Ainsi, + = S . Alors, VS = −R3 ⎜ 1 + 2 ⎟
R1 R2 R3 ⎝ R1 R2 ⎠
A.N. VS = -2.(V1+V2)
4-2 A ce type de montage, on donne le nom de doubleur de la somme inverse.

4-3 Valeur à donner à R3 pour saturer l’amplificateur opérationnel.
V1 = -4V et V2 = +2V ; R1 = R2 = 10kΩ
R3
VS = . Or il est saturé pour VS = +VCC
5 × 103
Ainsi, VS = 20V. Alors, R3 = 100kΩ
Exercice 5 :
On considère le schéma suivant représentant un multiplexeur câblé en générateur de
fonction.
60
A B C D
Masse(0)
VCC(1)
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7
A1
A2
A3
V
S S
F
5.1- les différentes entrées de ce multiplexeur et donner leur rôle :
- Entrée des données : permet d’introduire les données dans le multiplexeur.
- Entrée des adresses : permet de valider une des données disponibles
- V : annuler les bruits possibles.
5-2 Equation en sortie de la fonction F. La forme générale est la suivante :
F = A3A2A1E0 + A3A2A1E1 + A3A2A1E2 + A3A2A1E3 + A3A2A1E4 + A3A2A1E5 + A3A2A1E6 + A3A2A1E7. Or,
E0 = E1 = E4 = 0; E5 = E7 = 1 et E2 = E3 = E6 = D. Ainsi, F = CBAD + CBAD + CBA + CBAD + CBA
4.3 Simplification de F à l’aide d’un tableau de KARNAUGH

CB 00 01 11 10
AD
00 0 0 0 0
F = BD + CA
01 0 1 1 0
11 0 1 1 1
10 0 0 1 1
5-4 Réalisation de la fonction à l’aide des portes NAND à 2 entrées.
A B C D
F = BD + CA = BD. CA
Exercice 6 :
6-1 La propriété intéressante d’une bascule JK lorsque J = K = 1 est qu’elle commute
uniquement par rapport à l’horloge.
6-2 Pour réaliser un compteur asynchrone modulo 16, il faut avec n (ce nombre), que :
Nn-1< 16 ≤ 2n ⇒ n = 4 bascules
6-3 Schéma de ce compteur avec les différentes sorties
Q0 Q1 Q2 Q3
J Q J Q J Q J Q
H
K Q K Q K Q K Q
1
6-4 Chronogramme de l’horloge et des sorties
Q0
Q1
Q2
Q3
6-5 Transformation du schéma de la question 6-3 pour en faire un compteur décimal
Q0 Q1 Q2 Q3
RAZ RAZ RAZ RAZ

J Q J Q J Q J Q
H
K Q K Q K Q K Q
1
62
Première Partie : Technologie
1. Pour une porte logique, définir :

a) sortance
b) entrance
2. Donner le nom de chaque composant symbolisé ci-dessous.
NJFET
3. Qu’appelle-t-on taux d’ondulation ?

4. On lit sur une fiche de commande les indications suivantes :
Diode 1N5401 ; VRRM = 100V ; IFSM = 200A ; VF = 1,2V ; IF = 3A et TJ = 150°C
Définir chacune d’elles.
5. Définir : multivibrateur astable, multivibrateur bistable, multivibrateur monostable
6. Citer deux spécifications importantes pour un redresseur
Deuxième Partie : Circuit Analogique
Exercice 1 :
Soit le schéma ci-dessous
1KΩ R
100Ω id 400Ω
100V
1) Calculer la tension de THEVENIN du circuit extérieur à la diode lorsque R = 25Ω

2) Calculer la résistance de THEVENIN du circuit extérieur à la diode lorsque R = 25Ω
3). Calculer le courant Id dans la diode.
4). Déterminer la valeur de R lorsque la diode ne conduit pas.
Exercice 2 :
Soit le circuit ci-dessous
LED1 +12V
5R RF
A2
RC
10R
A1 +
20R T1
A0 - R2
VS1 + VS3 RB
Fig1
R1 R3
VS2 -
5R RF T2
B2
Fig3
10R LED1
B1 +
20R
B0 - RC
-12V
Fig2
Fig4
On donne:
β1 = β2 = 100; VLED1 = VLED2 = 1.5V, VSat = 5V R1 = R2 = R3 = 1MΩ;
R = 2kΩ; RF = 10kΩ; RB = 43kΩ; VBE = VEB = 0,7V
T1 et T2 fonctionnent en saturation, telle que : VCEsat1 = VCEsat2 = 0V ; R = XkΩ
1) Donner l’expression de VS1 en fonction de A0, A1, A2.
2) Donner l’expression de VS en fonction de B0, B1, B2.
3) Compléter sur la figure 4 l’orientation de IB1, IB2, IB3.
4) Calculer la valeur de RC
Troisième Partie : Circuit Numérique.
Exercice3 :
Soit le dispositif ci-dessous. Réalisé en technologie CMOS
+VDD
T1
A
T2
B
S
T4 T3
-VSS
1- Identifier les transistors

2- Analyser le fonctionnement du montage
3- Regrouper les résultats de la question 2 dans une table de vérité
4- Donner l’équation logique de la sortie en fonction de A et B
5- Quel est le nom de la fonction réaliser.
Exercice4 :
1- En considérant comme entrée (Cin, A et B) et comme sortie (S et Cout), Donner la table de
vérité de l’additionneur complet ;
2- Compléter les chronogrammes ci-dessous :
A1
0
B1
0
Cin
76

Ce Qu’il Faut Savoir (C.Q.F.S) pour aborder cette résolution
Les transistors à effet de champ sont classés en deux familles à savoir : les transistor à effet
de champ à jonction ; noté TECJ ou appellation anglaise JFET (junction Field effet transistor)
et les transistors à effet de champ à grille isolée ou appellation anglaise MOSFET (métal
oxyde semi conductor field effet transistor).
La connaissance du théorème de THEVENIN et de la formule du diviseur de tension, nous
permet de déterminer le modèle équivalent du circuit.
Une diode ne conduit pas lorsqu’elle est polarisée en inverse.
Connaissant le schéma équivalent d’un amplificateur opérationnel, nous avons besoin que
des lois d’ohm des nœuds et des mailles pour solutionner ces questions.
Dans chacune, des familles des transistors à effet de champ, on distingue deux types à
savoir : celui à canal N et à canal P. Sachant qu’on l’appelle encore transistor unipolaire, il
est établi que sa commande est faite à l’aide de la tension Vgs.
L’additionneur complet donne à sa sortie l’état de la somme S et de la retenue Cout résultant
de l’addition de plus de deux chiffres binaires a et b et d’une retenue cin qui existe à son
entrée.
Première partie : Technologie :

1- Pour une porte logique, définir :
a) Sortance : c’est le nombre de circuits semblables que la porte peut alimenter
simultanément.
b) Entrance : c’est le nombre de circuits semblables qui peuvent être simultanément
branchés sur une entrée de la porte du circuit considéré.
2- Nom de chaque composant symbolisé ci-dessus
NJFET
Triode non spécifié ou thyristor T.E.C à jonction (JFET) T.E.C à grille isoléé
Symbole général (MOSFET)
3- on appelle taux d’ondulation : le rapport de la valeur efficace du signal redressé sur la
valeur moyenne de ce même signal. C’est le facteur caractérisant l’ondulation de signal
redressé par rapport à sa valeur moyenne.
4- Sur une fiche de commande, on lit les indications suivantes :
Diode 1N5401; VRRM = 100V; IFSM = 200A; VF = 1,2V; IF = 3A; T = 150°C
(Référence commercial)
Diode de type: 1N5401.
Tension inverse de pointe répétitive: VRR = 100V
Courant direct de pointe de surcharge accidentelle : IFSM = 200A
Tension directe continue :IFb = 3A
Température de jonction : Tj = 150°C
5- Définitions
Multivibrateurs astable : c’est un circuit d’oscillation n’ayant pas de position stable (oscillation
continue)
Multivibrateur bistable : c’est un circuit d’oscillations ayant deux positions stables.
Multivibrateur monostable : c’est un circuit d’oscillations ayant une position stable.
6- Deux spécifications importantes pour un redresseur sont :
A choisir parmi les suivantes :
- les éléments redresseurs doivent être parfaits.
- le type (contrôlé ou non-contrôlé)
- puissance maximale
- taux d’ondulation
- tension inverse de pointe répétitive.
Deuxième Partie : Circuit Analogique
Exercice 1
Soit le circuit ci-dessous
1KΩ R
100Ω id 400Ω
100V
1- tension de THEVENIN du circuit extérieur à la diode

Pour le faire, nous avons le circuit suivant :
1KΩ R
A
100Ω B 400Ω
100V
UTH = UAB = VA – VB
Ainsi, d’après la formule du diviseur de tension, nous avons

400 25
VA = × 100 = 80V et VB = × 100 = 2, 439V ≈ 2, 44V
100 + 400 1000 + 25
UTH = VA - VB = 80 -2,44 = 77,56V
2- Résistance de THEVENIN du circuit extérieur à la diode

Pour le faire, nous court-circuitons la source et le circuit devient comme ci-dessous
1KΩ R
A
100Ω B 400Ω
400 × 100 25 × 1000

RTH = + = 104,39Ω
400 + 100 1025
3- Courant ID dans la diode

Ayant la tension et la résistance de THEVENIN, nous pouvons établir le modèle équivalent,
aux bornes du quel nous plaçons la diode D.
A
ID
Rth
VD
Eth
B
78
E th − V o
La loi des mailles, nous permet d’écrire : -Eth + Rth.ID + V0 = 0 ⇒ I =
R th
E th
En négligeant V0 (V0 ≈ 0), I =
R th
77,56
A.N. ID = = 0,743 A
104,39
4- La valeur de R pour laquelle la diode ne conduit pas.

La diode ne conduit pas si : VA – VB ≤ 0 ; car diode parfaite.
R
Alors, VA ≤ VB ⇔ 80 ≤ × 100
100 + R
R
⇔ 0,8 ≤ ⇒ 800 + 0,8R ≤ R
100 + R
⇒ 800 ≤ R(1 - 0,8)
800
⇒ ≤R.
0, 2
Ainsi, R ≥ 4000Ω
Exercice 2 :
Soit le circuit ci-dessous :
LED1 +12V
5R RF
A2
RC
10R
A1 +
20R T1
A0
- R2
VS1 + VS3 RB
Fig1
R1 R3
VS2 -
5R RF T2
B2
Fig3
10R LED2
B1 +
20R
- RC
B0 -12V
Fig2
Fig4
β1 = β2 = 100 ; VLED2 = VLED1 = 1,5V

R1 = R2 = R3 = 1MΩ; R = 2kΩ ; RF = 10kΩ ; RB = 43kΩ et VBE = -VEB = 0,7V
T1 et T2 fonctionnent en saturation, telle que : VCESAT1 = VCESAT2 = 0V ; RC = XkΩ
1- expression de VS1 en fonction de A0 ; A1 et A2

Le schéma équivalent de la figure1 est le suivant :
5R I2 IF RF IS
A2
10R I1
A1 +
20R I0 VS1
A0
-
Fig1
R1
D’après la 2ème règle de fonctionnement linéaire, l’entrée – est virtuellement reliée à la

masse ; car, + est la masse. Ainsi, de la loi d’ohm, nous avons :
A2
A2 = 5R.i2 → i2 =
5R
A
A1 = 10R.i1 → i1 = 1
10R
A0
A0 = 20R.i0 → i0 =
20R
V
VS1 = RF.iS → iS = s i
RF
L’équation de nœud au point, nous donne : iF = I0 + i1 + i2 = -iS
VS1 A0
A1 A R ⎛A A A ⎞
Ainsi, -iS = - = +
+ 2 ⇒ VS1 = − F ⎜ 0 + 1 + 2 ⎟
RF 20R 10R 5R R ⎝ 20 10 5 ⎠
R ⎛A A ⎞ −10 × 10 ⎛ A0 A1
3
⎞ ⎛A A1 ⎞
VS1 = - F + ⎜ 0 + 1 + A2 ⎟ = 3 ⎜
+ + A2 ⎟ = − ⎜ o + + A2 ⎟
5R ⎝ 4 2 ⎠ 5 × 2 × 10 ⎝ 4 2 ⎠ ⎝ 4 2 ⎠
2- Expression de VS2 en fonction de B0, B1 et B2
Le schéma équivalent de la figure2 est le suivant :
5R I2 IF RF IS
B2
10R I1
B1 +
20R I0 VS2
B0
-
Fig2
R1
Un résonnement analogue au précédent nous donne :l

−RF ⎛ B0 B1 ⎞ ⎛B B ⎞
VS2 = ⎜ + + B2 ⎟ = − ⎜ 0 + 1 + B2 ⎟
5R ⎝ 4 2 ⎠ ⎝ 4 2 ⎠
3) Sur la figure4, complétons l’orientation de iB1, iB2 et iC2
LED1 +12V
RC
T1
T2
LED2
RC
-12V
5) calcul de RC
La maille du circuit de sortie définie par T1, donne l’équation :
+12 – VLED – RCIC1 – VCE = 0. Or T1 fonctionne en saturation (VCESAT1)
12 − VLED
Ainsi, +12 – VLED – RCIC1 = 0 ⇒ RC = avec ICI = β.IB1
iCI
80
La maille du circuit d’entrée définie par T1, donne l’équation :

VS 3 − VBE
VS3 – RB.IB1 – VBE = 0 ⇒ IB1 =
RB
5 − 0,7
A.N. IB1 = = 0,1mA
100 × 0,1 × 103
12 − 1,5
A.N. RC = = 1,05 × 103 soit 1050Ω
100 × 0,1 × 103
Troisième Partie : CIRCUIT NUMERIQUE
Exercice 3 :
Soit le dispositif ci-dessous, réaliser en technologie CMOS
+VDD
T1
A
T2
B
S
T4 T3
-VSS
1- Identification des transistors
T1 et T2 sont des transistors MOS à canal P (PMOS)
T3 et T4 sont des transistors MOS à canal N (NMOS)
2- Analyse du fonctionnement du montage
a) A = 0 et B = 0
VGS1 < 0 et VGS2 < 0 ; ainsi, T1 et T2 sont passants
VGS3 < 0 et VGS4 < 0 ; ainsi T3 et T4 sont bloqués.
Alors, la sortie S est au niveau 1.
b) A = 0 et B = 1
VGS1 < 0 et VGS3 < 0 ; ainsi, T1 et T2 sont passants
VGS2 < 0 et VGS4 < 0 ; ainsi, T3 et T4 sont bloqués.
c) A = 1 et B = 0
VGS1 > 0 et VGS2 > 0 ; ainsi, T1 et T3 sont bloqués.
VGS3 > 0 et VGS4 > 0 ; ainsi, T2 et T4 sont passants.
Alors la sortie S est au niveau 0.
d) A = 1 et B = 1
VGS1 > 0 et VGS2 > 0 ; ainsi T1 et T2 sont bloqués.
VGS3 > 0 et VGS4 > 0 ; ainsi T3 et T4 sont passants.
3- dans une table de vérité regroupons les résultats de la question 2.
A B S
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0
4- Equation logique de la sortie S en fonction de A et B
S = A *B = A + B
5- la fonction réalisée est : la fonction NOR (NON OU)
Exercice 4 :
1- Table de vérité de cet additionneur complet en considérant comme entrée (Cin., A et B) et
comme sortie (S et Cout)
A B Cin S Cout
0 0 0 0 0
0 0 1 1 0
0 1 0 1 0
0 1 1 0 1
1 0 0 1 0
1 0 1 0 1
1 1 0 0 1
1 1 1 1 1
2- Chronogrammes
A1
0
B1
0
Cin
0
S
0
Cout
82

1. Faire une étude comparative du transistor bipolaire et du transistor MOS
(fonctionnement, avantages, inconvénients).
2. Citer 5 paramètres permettant de choisir une diode à jonction.
3. donner la différence fondamentale entre un circuit logique combinatoire et circuit
séquentiel.
4. Donner la signification des abréviations suivantes : TTL ; CMOS ; MOS ; HCMOS.
5. Tracer la forme d’onde de sortie du circuit logique ‘’ET’’ de la figure ci-dessous :
A
B A
B X
C C
Figure 1
On suppose que l’entrée A est court-circuitée à la masse par inadvertance (A = 0).
Tracer la forme d’onde de sortie résultante.
Deuxième Partie : Circuit analogique
Exercice 1 :
On considère le montage de la figure2 ci-dessous, dans lequel D est une diode
idéale.
i
D U
R
10V
Figure2
1. Pour R = 4Ω, calculer la tension U et préciser le courant débité par l’électromoteur

dans les deux cas suivants :
a) i = 3A
b) i = 1A
2. On donne i = 2A. déterminer la résistance R pour :
a) U = 10V
b) U = 14V
Exercice 2 : Courant variable

Une tension u = 3,75 2 .Sin(1000t) est appliquée au dipôle AB de la figure ci-dessous
L1
i1 R1
D
A B
C2
i2 R2
E Figure3
Les 4 éléments du montage ont pour valeurs : R1 = R2 = 300Ω ; L1 =0,225H ; C2 = 2,5μF

Calculer les valeurs numériques complexes des grandeurs suivantes :
1. Impédance de la branche {R1, L1}
2. impédance de la branche {C2, R2}
3. Intensité du courant i1
4. Intensité du courant i2
5. Les tensions partielles vAD ; vDB ; vAE ;vEB
6. La tension vDE
Exercice 3 : Transistor bipolaire en régime statique et en régime de commutation.

On considère le montage de la figure4 ci-dessous
3V
+VCC
D1
RC
0 R
e1
1 S
B T
D2
0
e2
R s1 VS
1
R
Figure4
M
Le transistor T est au silicium (VBE = 0,7) et présente des caractéristiques rectilignes.

Les éléments du montage ont des valeurs suivantes :
RE = 150Ω ; RA = 3kΩ ; RC = 1,5kΩ ; VCC = 12V ; IC = 4,95mA ; β = 99
I – Etude en régime statique
1. Calculer les courants IB et IE.

2. Donner la valeur de la tension VBM.
3. Déterminer la valeur de RB.
4. calculer la tension VCE.
II – Etude en commutation
Les diodes D1 et D2 sont supposées idéales et les tensions VCE et VBM sont telles que :
VCE = 3,825 V et VBM = 1,5V.
La masse du système est au potentiel 0. Les autres données de la partie I, restent
inchangées.
1. Analyser le fonctionnement de l’ensemble en complétant les tableaux suivants :

- Sans action sur S1
e1 (V) e2 (V) VBM(V) VS (V)

0 0
0 3
3 0
3 3
- Avec action sur S1
84
e1 (V) e2 (V) VBM(V) VS (V)

0 0
0 3
3 0
3 3
2. Comment peut-on savoir qu’une diode du montage est détruite ?

3. Le transistor T est simplement retiré du montage.
Indiquer les valeurs que prendra la tension de sortie VS dans les cas suivants :
- S est actionné ;
- S n’est pas actionné.
Les entrées e1 et e2 ont-elles une influence sur la valeur de VS ?
4. Donner une application de ce montage.
Exercice 4 : Amplificateur opérationnel

L’amplificateur opérationnel de la figure 5 est idéal.
30kΩ
R2
10kΩ
-
R1
Ve +
VS
R3
8,2kΩ
Figure5
1. Identifier le montage de la figure 5.

Vs
2. Calculer la valeur du gain G =
Ve
⎛ π⎞
3. Ve est une tension sinusoïdale d’expression Ve = 0,7Sin ⎜100π t + ⎟
⎝ 2⎠
Donner l’expression de VS sous la forme : VS = V sin (100π t + Ψ ) où V et ψ sont à déterminer.
4. Tracer dans un même repère les chronogrammes de Ve et VS ;
Troisième partie : Circuit numérique
Exercice 5 :
On considère le schéma de principe du multiplexeur à 2 entrées de la figure 6
C
Contrôle
A IN (A)
OUT S
B IN (B)
Figure6
Le circuit fonctionne de façon suivante :
- si l’entrée de contrôle C est au niveau logique 0, le niveau logique de la sortie S est

identique à celui de l’entrée A, et ce peu importe le niveau logique de l’entrée B ;
- si l’entrée de contrôle est au niveau logique 1, le niveau de la sortie est identique à celui de
l’entrée B, et ce peu importe le niveau logique de l’entrée A.
Donner la table de vérité du multiplexeur
Ecrire l’équation de la sortie S
Simplifier si possible, l’équation obtenue
Tracer le logigramme représentant le circuit interne du multiplexeur
Exercice 6 : Addition de nombres binaires

On veut réaliser un système effectuant l’addition de 2 nombre binaires A et B de un bit
chacun et générant en sa sortie le résultat S0 et la retenue C0.
1. Compléter ci-dessous la table de vérité du système.
A B S0 C0
0 0
0 1
1 0
1 1
2. Ecrire les équations logiques des sorties S0 et C0.

3. Tracer le logigramme représentant le circuit interne de cet additionneur.
86

1- Etude comparative du transistor bipolaire et du transistor MOS.
Transistor bipolaire Transistor MOS

Fonctionnement Contrôlable par le courant IB Contrôlable par la tension VGS
Peut-être utilisé en - dimension réduite
amplification et en - grandes résistances d’entrée
Avantages commutation - dissipe une grande puissance
- commute un courant important.
- immunité au bruit
- très sensible au bruit Plus utilisé seulement en
Inconvénients - niveau de tension bas commutation et seulement comme
- dimension plus grande adaptateur d’entrée en amplification.
2°) 5 paramètres permettant de choisir une diode à jonction

- Tension inverse de pointe répétitive VRRM
- Courant direct de pointe de surcharge accidentelle IFSM
- Tension direct continue : VF
- Courant direct continue : IF
- Température de jonction : TJ
3°) La différence fondamentale entre un circuit logique combinatoire et un circuit logique
séquentiel est que le circuit logique combinatoire a un fonctionnement indépendant du temps
alors que le circuit logique séquentiel a un fonctionnement dépendant du temps.
4°) Signification des abréviations :

TTL : transistor – transistor logique
CMOS: Complementary metal oxide semiconductor
HCMOS: High power complementary metal oxide – semiconductor
5°) Forme d’onde de sortie du circuit logique ‘’ET’’

A
B A
B X
C C
X Figure1
A est court-circuité à la masse (A = 0) ; forme d’onde de sortie résultante

X
0
Deuxième Partie : circuit analogique
Exercice 1 :
i
D U
R
10V
Figure2
1- R = 4Ω
a) i = 3A
- calcul de U
Le circuit peut encore être équivalent à :
R
12V
10V
Ainsi, il n’y a pas d’échange d’énergie entre la source de courant et l’électromoteur ;

car, la diode D est bloquée. Alors, la tension U est celle développée par la source de courant
à savoir : U = R.i
A.N : U = 4 x 3 = 12 V
- courant débité par l’électromoteur

L’électromoteur ne peut pas débité ; car, la diode est bloquée. Ainsi, I = 0
b) i = 1A
- Calcul de U
Le circuit peut encore être équivalent à:
R
4V
10V
Ainsi, il y a échange d’énergie entre la source de courant et l’électromoteur. Car, la diode D

est passante. Alors, la tension U est celle développée par l’électromoteur. Ainsi, U = 10V
- courant débité par l’électromoteur
Uel
Uel = R ( I + i ) ⇒ I = −i
R
10
A.N : I = − 1 = 1,5 A
4
2- i = 2A
a) U = 10V
- calcul de R
U
La diode D est bloquée ; ainsi il n’ y a que la source de courant qui alimente R. D’où, R =
i
88
10
A.N : R = = 5Ω
2
b) U = 14 V
U
La diode D est bloquée ; ainsi, il n’y a que la source de courant qui alimente R. D’où, R =
i
14
A.N : R = = 7Ω
2
Exercice 2 : Courant Variable

U = 3,75 2 Sin1000t L1
i1 R1
D
A B R1 = R2 = 300Ω ;
C2
I2
R2 L1 = 0,225H ; C2 = 2,5μF
E Figure3
1°) impédance de la branche {R1, L1} : Z1 = R1 + jL1ω
AN : Z1 = 300 + j0,225 x 1000 = 375 36,86°
1
2°) Impédance de la branche {C2, R2} : Z2 = R2 - j
cω
1
A.N : Z2 = 300 - j = 500 −53,13
2,5 × 10−6 × 103
3°) intensité du courant i1

u
D’après la loi d’OHM, u = Z1.i1 ⇒ i1 =
Z1
3, 75 0
A.N : i1 = = 0, 01 −36,86
375 36,86
4°) Intensité du courant i2

u
D’après la loi d’OHM, U = Z2.i2 ⇒ i2 =
Z2
3, 75 0
A.N : i2 = = 75 × 10−4 53,13°
500 −53,13
5°) les tensions partielles

- Tension entre A et D (VAD) : VAD = R1.i1
A.N : VAD = 300 x 0,01 −36,86 = 3 −36,86° V
- Tension entre D et B (VDB) : VDB = JL1ω.i1

A.N: VDB = j0,225 x 1000 x 0,01 −36,86° = j 2, 25 53,13° V
1
- Tension entre A et E (VAE) : VAE = -j .i2
cω
−j
A.N : VAE = × 7,5 × 10−4 53,13° = − j 3 −36,86° V
2,5 × 10−6 × 103
- Tension entre E et B (VEB) : VEB = R2.i2
A.N : VEB = 300 x 75 x 10-4 53,13° = 2, 25 53,13° V
6°) La tension VDE

VDE = VD – VE
= VD – VA + VA – VE
= VAE – VAD
A.N: VDE = 3 −36,86 − 3 −36,86 = 0 V
Exercice 3 : Transistor bipolaire en régime statique et en régime de commutation

3V
+VCC
D1
RC
0 R
e1
S T : VBE = 0,7V ;
1
D2
B T RE = 150Ω ; RA = 3kΩ ; RC = 1,5kΩ
0 VCC = 12V ; IC = 4,95mA ; β = 99
e2
R s1 VS
1
R
Figure4
M
I – Etude en régime statique

1°) Calcul des courants :
- Courant de base IB :
IC
Nous savons que : IC = βIB ⇒ IB =
β
−3
4,95 × 10
A.N : IB = = 0, 05mA
99
- Courant d’émetteur IE : IE = IC + IB
A.N : IE = 0,05 + 4,95 = 5mA
2°) Valeur de la tension VBM

La maille nous donne : VBM - VBE - RE.IE = 0 ⇒ VBM = VBE + RE.IE
A.N : VBM = 0,7 + 150 x 5 x 10-3 = 1,45 V
3°) Valeur de RB.

V cc − V B M
La maille nous donne : VCC – RB(IB + IRA) – VBM = 0. Alors, RB =
V
I B + BM
RA
12 − 1, 45
A.N : RB = = 19, 78k Ω
−3 1, 45
0, 05 × 10 +
3 × 103
90
4°) Tension VCE

La maille nous donne : VCC – RC.IC – VCE – RE.IE = 0 ⇒ VCE = VCC – RC.IC – RE.IE
A.N : VCE = 12 – 1,5 x 4,95 – 0,75 = 3,825 v
II – Etude en commutation
D1 et D2 idéales ; VCE = 3,825 V et VBM = 1,5 V
1°) Analyse du fonctionnement de l’ensemble.
- Sans action sur S1
e1 e2 VBM (V) VS (V)

0 0 0 0
0 3 0 0
3 0 0 0
3 3 1,5 0,75
- Avec action sur S1
e1 (V) e2 (v) VBM (V) VS (V)

0 0 0 12
0 3 0 12
3 0 0 12
3 3 1,5 4,575
3°) On peut savoir q’une diode du montage est détruite en constatant que la combinaison
e1 + e2 doit saturer le transistor. Ce qui donnera VBM = 1,5 V
4°) Le transistor est retiré du montage.
- S est actionné
VS = + 12V
- S n’est pas actionné
VS = 0 V
Les entrées e1 et e2 n’ont pas d’influence sur la valeur de VS.
5°) Une application de ce montage : test des diodes

30kΩ
R2
10kΩ
-
R1
Ve +
VS
R3
8,2kΩ Figure5
1°) Analyse du montage

R2 R1 R V R1
E1- = Ve et E2 − = VS . Ainsi, E- = E-1 + E-2 = 2 e + VS or E + = 0
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2
R V R1
ΔE ≈ 0 ⇔ E+ - E- = 0 ⇒ E- = E+. Ainsi, 2 e + VS = 0 ⇒ R2 Ve = − R1 VS .
R1 + R2 R1 + R2
VS R
Alors, =− 2
Ve R1
Le montage est un amplificateur inverseur
Vs
2°) Valeur du gain G =
Ve
−30 × 103
A.N : G = = −3
10 × 103
π
3°) Ve = 0,7 Sin (100 π t + )
2
VS = -3 Ve
⎛ 3π ⎞ 3π
VS = 2,1sin ⎜ 100π t + ⎟ ; Ainsi, V = 2,1 et ψ =
⎝ 2 ⎠ 2
4°) Dans un même repère ces chronogrammes de VC et VS
VS
Ve
θ
0
Troisième Partie : Circuit numérique
Exercice 5 :
Schéma de principe du multiplexeur à 2 entrées
C
Contrôle
A IN (A)
OUT S
B IN (B)
Figure6
1°) Table de vérité du multiplexeur

C B A S C S
0 0 0 0 0 A
0 0 1 0 1 B
0 1 0 0
0 1 1 1 2°) Equation de sortie
1 0 0 0 S = CA + CB
1 0 1 0 3°) Simplification
1 1 0 1 S = CA + CB
1 1 1 1
2°) Equation de sortie
S = CBA + CBA + CBA + CBA
3°) Simplification
S = CA (B + B) + CB (A + A) = CA + CB
92
4°) logigramme représentatif du circuit interne

A B C
Exercice 6 : Addition de nombres binaires

1°) Complétons la table de vérité du système
A B S0 C0
0 0 0 0
0 1 1 0
1 0 1 0
1 1 0 1
2°) Equations logiques des sorties
S0 = AB + AB = A B et C0 = AB
3°) Traçons le logigramme de S0 et C0

A B
S0
C0

1. Définir les expressions suivantes : grafcet, registre, transfert asynchrone

2. Donner 3 règles d’évolution d’un grafcet
3. Donner le modèle équivalent à diodes et à transistors d’un thyristor.
4. Donner la différence entre un transistor unipolaire et un transistor bipolaire.
5. Déterminer le nombre de bascules nécessaires pour construire un compteur binaire qui
compte de 0 à 1023.
6. Calculer la fréquence du signal de sortie de la dernière bascule de ce compteur si la
fréquence du signal d’entrée est de 2 MHZ.
7. Si le compteur est à 0 au début, quel nombre contient-il après 2060 impulsions ?
Deuxième Partie : Circuit analogique
Exercice 1 : Circuit à courant variable

On considère le circuit électrique résonnant suivant :
L C
I R
A B
VAB Figure1
Avec R = 8Ω ; C = 530,7856nF ; VAB = 64 V ; f = 50Hz
1. Donner l’expression complexe de l’impédance ZAB du circuit, vue des bornes AB, en
fonction de L.
2. Calculer la valeur de L permettant d’obtenir la résonance, puis déduire la valeur
correspondante de ZAB.
3. Calculer le courant à la résonance et le coefficient de surtension Q.
N.B. : prendre π = 3,14. Pour tout calcul, arrondir par excès au millième près.
Exercice 2 : Circuit à courant continu

Soit le montage de la figure 2 ci-dessous :
A
E1 = 10V I1 I2
I3
E2 = 14 V
R1 R2
R1 = 1Ω R3
R2 = 1Ω
R3 = 5,5Ω E1 E2 Figure2
B
1. Déterminer les éléments du modèle équivalent de THEVENIN vu des bornes AB du
montage.
2. Représenter le modèle de THEVENIN obtenu.
3. Calculer le courant I3 dans R3 et la tension U3 aux bornes de R3.
4. Calculer les courants i1 et I2.
5. En supposant que R3 est variable, déterminer la valeur de R3 qui permet d’obtenir un
transfert de puissance maximale dans cette résistance.
Exercice 3 : Transistor bipolaire en régime statique et en régime dynamique.

On considère le montage Emetteur Commun de la figure 3 ci-dessous :
94
RC C
C 2 VBE = 0,8V ;
C
RB β = h21 = 100
1 B r = h11 = 200Ω
VCC
R R γ = h12 = 0
E L
ϕ = h22-1 = 20kΩ
VBB VBB = 5V
eg ~ Figure3 VCC = 12V
M
Les condensateurs C1 et C2, à la fréquence de fonctionnement font des courts-circuits

parfaits.
A – Régime statique (polarisation)
1. Donner le schéma de ce montage en régime de polarisation.

VCC
2. le point de fonctionnement du transistor correspond à : VCE0 = et IC0 = 6 mA
2
a) calculer la valeur de la résistance RC.
b) déterminer la valeur du courant de base IB0.
c) calculer la valeur de RB.
B – Régime dynamique (amplification)
3. Donner le schéma équivalent du transistor en régime de petits signaux en utilisant les

paramètres hydrides.
4. Définir les rôles des condensateurs C1 et C2.
5. A l’aide du schéma du transistor en régime de petits signaux, donner le schéma équivalent
du circuit de la figure 3.
6. Déterminer les expressions des résistances d’entrées RE et de sortie RS du circuit, et les
calculer.

L’amplificateur opérationnel de la figure 4 est idéal.
2R1
I1 R0
- I2 R1 I0
R1 I3
Ue US
R0
Figure4
1. Calculer Ue en fonction de I3, et R0

2. Donner la relation qui existe entre I1, I2 et I3.
3. Donner la relation qui existe entre I2, I0 et I3.
−2U e
4. Montrer que I0 =
Ro
Troisième Partie : Circuit numérique
Exercice 5 :
La combinaison de trois boutons-poussoirs d’entrées a, b et c permet l’ouverture des
coffres dont les sorties sont : J, K et L. la table de vérité du système est la suivante :
a b c J K L
0 0 0 1 1 0
0 0 1 1 1 1
0 1 0 1 0 0
0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 0
1 0 1 0 1 1
1 1 0 0 0 0
1 1 1 0 0 0
1. En observant les variations des entrées : a, b et c, déterminer la logique utilisée.

2. Nommer le code choisi pour remplir les colonnes a, b et c de la table de vérité.
3. Donner les équations simplifiées des sorties J, K et L, à l’aide du tableau de Karnaugh.
4. Réaliser le logigramme du système en utilisant les portes NAND à deux entrées.
5. Faire le câblage en utilisant le circuit CMOS HEF4011 dont la configuration du brochage
est donnée à la figure 5 ci- dessous :
+VCC S4 S3
S1 = J
S2 = L
S3 = K 14 13 12 11 10 9 8
VCC = 12V
1 2 3 4 5 6 7
Figure5
S1 S2 0V
Exercice 6 :
Réaliser un compteur synchrone modulo 4 à l’aide des bascules JK.
96

Première partie : Technologie
1- Définissons les Expressions suivantes :

Grafcet : Graphe fonctionnel de Commande Etapes Transitions.
Registre : les registres sont les groupes de bascules ou mémoire utilisés pour stocker
temporairement les informations.
Transfert asynchrone : on parle de transfert asynchrone ou transfert en série dans le cas des
registres à décalage ; là, les bascules sont câblées de manière à ce que les nombres
mémorisés dans les bascules soient déportés d’une bascule à la suivante à chaque
impulsion d’horloge.
2- Donnons 3 règles d’évolution d’un grafcet :
*Une étape du grafcet est active si : le ou les étape(s) immédiatement précédentes sont au
départ active et si la transition associée à cet étape (ou les étapes) est franche.
*Une transition d’un grafcet est franchie si elle est validée et si sa réceptivité est vraie. La
validation signifie que les étapes précédentes à la transition sont actives.
* le grafcet d’un système doit être toujours bouclé.
* l’activation d’une étape entraîne la désactivation de l’étape immédiatement précédente, et
la transition suivante est validée.
3- Donnons le modèle équivalent à diode et transistor d’un thyristor.
A
A K
G
A Diodes
G
A Transistors
K
4- Donnons la différence entre un transistor unipolaire et un transistor bipolaire : Un transistor
unipolaire dans son fonctionnement met en jeu un seul type de porteur de charge et sa
commande est une commande en tension alors qu’un transistor bipolaire dans son
fonctionnement met en jeu deux types de porteurs de charge et sa commande est une
commande en courant.
5- Déterminons le nombre de bascules nécessaires pour construire un compteur binaire qui
compte de 0 à 1023. On sait que le nombre décimal maximal N que peut compter un
compteur binaire de n bascules est définit par : N = 2n – 1 ; or, 210 – 1 = 1023
Par conséquent, il faut 10 bascules pour compter de 0 à 1023.
6- Calculons la fréquence du signal de sortie de la dernière bascule de ce compteur si la
fréquence du signal d’entrée est 2MHz. On sait que les compteurs sont des diviseurs de
fréquence.
f fH
fn = ne . Ainsi, f10 = 10
2 2
2000000
A.N. f10 = = 1953,125Hz
1024
Deuxième approche : soient TH et Tn, les périodes respectives du signal d’horloge et de la

1
bascule n. Nous savons que : Tn = N.TH = 2n.TH avec n ∈ N*. Or, T =
f
1 1 f
Ainsi, f n = = = Hn
Tn N .TH 2
7- si le compteur est à 0 au début, déterminons le nombre qu’il contient après 2060
impulsions. Il contient 2060 – 1 = 2059.
Deuxième Partie : Circuit analogique.
Exercice 1 :
Données : R = 8 Ω ; C = 530,7856nF ; VAB = 64V et f = 50Hz
L C
I R
A B
VAB Figure1
1. Donnons l’expression complexe de l’impédance ZAB du circuit vue des bornes AB en

fonction de L.
j
ZAB = R + jL2πf -
C 2π f
j
A.N. ZAB = 8 + jL x 2 x 3,14 x 50 - −9
≈ 8 + j (314 L − 6000) ( Ω )
530, 7856.10 × 2 × 3,14 × 50
2) Calculons la valeur de L permettant d’obtenir la résonance ; puis, déduisons la valeur

correspondante de ZAB. A la résonance, Z = R ⇒ XC = XL
6000
314L = 6000 ⇒ L = = 19,108 H
314
Valeur correspondante de ZAB : ZAB = R = 8Ω
3) Calculons le courant à la résonance et le coefficient de surtension ;

U
- Intensité efficace de résonance : I =
R
64
A.N : I = = 8A
8
U L.2π fI L.2π f U 1
- Le coefficient de surtension : Q = L = = or Q = C =
U RI R U RC 2π f
600
A.N : Q = = 75V
8
Il est plutôt appelé facteur de qualité ; car nous sommes à la résonance.
Exercice 2 : Circuit à courant continu.

A
I1 I2 E1 = 10V
I3
E2 = 14V
R1 R2
R3
R1 = 1Ω
R2 = 1Ω
E1 E2 Figure2 R3 = 5,5Ω
B
1) Déterminons les éléments du modèle équivalent de THEVENIN vu des bornes de AB du
montage.
- ETh1 = ?
98
A
I
R1 R2
E1 E2
B
UAB = ETh = E2 – R2I; or I =?
D’après la maille, nous avons l’équation: E2 – R2I – R1I – E1 = 0
E − E1 14 − 10
I= 2 = = 2A
R1 + R2 2
A.N: ETh = 14 – 1x 2 = 12 V
La résistance de THEVENIN se détermine en court-circuitant toutes les sources de tension
R × R2
RTh = 1
R1 + R2
1× 1
A.N : RTh = = 0,5Ω
1+1
Représentons le modèle de THEVENIN obtenu.
A
RTh
ETh
B
Calculons le courant I3 dans R3 et la tension U3 aux bornes de R3

A
A
I3
RTh
R3
ETh
BB
- Le courant I3
ETh
D’après maille, nous avons : ETh = (RTh + R3).I3 ⇒ I3 =
RTh + R3
12
A.N : I3 = = 2A
0,5 + 5,5
- La tension aux bornes de R3 : U3

D’après la loi d’Ohm, U3 = R3I3
A.N : U3 = 5,5 x 2 = 11V
4) Calculons les courants I1 et I2

A
I1 I2
I3
R1 R2
2 R3
E1 E2
B
E2 − U 3
D’après la maille (2), nous avons l’équation : E2 – R2I2 – U3 = 0. Ainsi, I2 =
R3
14 − 12
A.N : I2 = = 3A
1
D’après le nœud A, nous avons l’équation : I3 = I1 + I2 ⇒ I1 = I3 – I2
A.N.: I1 = 2 – 3 = -1A; Il faut changer le sens de I1 dans la figure pour avoir I1 = 1A.
5) En supposant R3 variable, déterminons la valeur de R3 qui permet d’obtenir un transfert de

puissance maximale.
La puissance transférée est maximale lorsque : R3 = RTh = 0,5Ω
Exercice 3 : Transistor bipolaire en régime statique et en régime dynamique.
RC C
C 2 VBE = 0,8V;
C β = h21 = 100
RB
1 B r = h11 = 200Ω
VCC
R R γ = h12 = 0
E L
ϕ = h22-1 = 20kΩ
VBB VBB = 5V
eg ~ Figure3
VCC = 12V
M
A – Régime statique (polarisation)
RC
C
RB
B
VCC
E
VBB
En régime de polarisation, les condensations sont des circuits ouverts.

V
2) le point de fonctionnement du transistor correspond à VCE0 = CC et IC0 = 6mA
2
a) calculons la valeur de RC
V − VCBO
D’après maille de sortie, nous avons l’équation : VCC – RCIC0 – VCE0 = 0 ⇒ RC0 = CC
I CO
12
12 −
A.N. : RC0 = 2 = 1000Ω
−3
6.10
b) Déterminons la valeur du courant de base.
I
Nous savons que : IC0 = β .I B 0 ⇒ I B 0 = C 0
β
−3
6.10
A.N : IB0 = = 0, 06.10−3 A soit 0,06mA
100
100
c) Calculons la valeur de RB
VBB − VBE
D’après la maille d’entrée, nous avons l’équation : VBB – RBIB0 – VBE = 0 ⇒ RB =
I B0
5 − 0,8
A.N : RB = = 70000Ω soit 70 K Ω
0, 06.10−3
B- Régime Dynamique (amplification)
3) Donnons le schéma équivalent du transistor en régime de petits signaux en utilisant les

paramètres hybrides.
b ib h11 c b ib h11 c
Vbe 1 Vce Vbe

Ξ 1 Vce
h12.Vce h21.ib h22 h21.ib h22
e e
4) Définissons les rôles des condensateurs C1 et C2

- C1 et C2 : couplent respectivement la source alternative et la charge RL en régime
d’amplification et empêche la superposition des deux composantes (alternative et continue).
5) A l’aide du schéma du transistor en régime de petits signaux, donnons le schéma

équivalent du circuit de la figure3. En petit signaux, les sources continues sont inactives. On
obtient : b h11 c
R 1
g RC RL
h21.ib h22
eg ~
e
Remarque : En petits signaux, la source continue VBB court-circuite la source alternative. Il

ne peut y avoir amplification du signal. Pour qu’il y ait amplification il faudrait modifier la
position de RB.
RC C
2 b c
C
C
1 B R 1
VCC Ξ Rb h11 RC RL
R RB R h21.ib h22
E L
eg ~ e
VBB
eg ~
M
6) Déterminons les expressions des résistances d’entrée RE et de sortie RS

1er Cas (a) : on utilise la figure qui a été donnée
• en déconnectant Rg et eg, nous avons : RE = 0 Ω
1 R .ϕ 1000 × 20000
• en déconnectant RL, nous avons : RS = RC// = C = = 952,3809Ω
h22 RC + ϕ 1000 + 20000
2ème Cas (b) : on utilise la figure3 modifier
R ×h
RE = RB// h11 = B 11
RB + h11
7000 × 200
A.N : RE = = 194, 444Ω
7000 + 200
1 1000 × 20000
RS = RC// = = 952,3809Ω
h22 1000 + 20000
Exercice 4 : Amplificateur Opérationnel.

2R1
I1 R0
2
- I2 R1 I0
+ R1
1 I3
Ue
US
R0
Figure4
1) Calculons Ue en fonction de I3, I1 et R0

Pour un Amplificateur Opérationnel idéal en régime linéaire, nous avons : i- = i+ ≈ 0 et e- = e+
La maille (1) nous donne l’équation: Ue – R0I1 – R0I3 = 0 ⇒ Ue = R0 (I1 + I3)
2°) donnons la relation qui existe entre I1, I2 et I3

La maille (2) nous donne l’équation: -2R1I1 – R1I2 – R1I3 = 0 ⇒ 2I1 + I2 + I3 = 0
3°) Donnons la relation qui existe entre I2, I0 et I3

Le nœud de sortie S nous donne: I2 = I0 + I3
−2U e
4°) Montrons que : I0 =
R0
De ce qui précède, nous établissons le système suivant :
⎧U e = R0 ( I1 + I 3 ) U e = R0 ( I1 + I 2 ) (1)
⎪ ⎧U e = R0 ( I1 + I 3 )
⎨2 I1 + I 2 + I 3 = 0 ⇒ ⎨ ⇒ −I
⎪I = I + I ⎩2 I1 + I 0 + I 3 + I 3 = 0 I1 + I 3 = 0 (2)
⎩ 2 0 3 2
⎛ −I ⎞ −2U e
(2) dans (1), on obtient : Ue = R0. ⎜ 0 ⎟ ⇒ I 0 =
⎝ 2 ⎠ R0
Troisième Partie: Circuit Numérique
Exercice 1:
La table de vérité d’un système est la suivante :
a b c J K L a, b, c, sont les entrées

0 0 0 1 1 0 J, K, L sont les sorties.
0 0 1 0 1 1
0 1 0 1 0 0
0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 0
1 0 1 0 1 1
1 1 0 0 0 0
1 1 1 0 0 0
102
1°) En observant les variations des entrées, la logique utilisée : est celle combinatoire
2°) Le code choisi pour remplir les colonnes a, b et c de la table de vérité est : le code binaire
pur
3°) les équations simplifiées des sorties J, K et L à l’aide du tableau de Karnaugh.
ab 00 01 11 10 ab 00 01 11 10 ab 00 01 11 10
c c c
0 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0
1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 1
J=a K=b L = bc
4°) réalisation du logigramme du système en utilisant les portes NAND à deux entrées.
a b c
J=a
K=b
L = bc
Câblage du système en utilisant le circuit CMOS. HEF401 et en adoptant :

S1 = J a b c
S2 = L
+VCC S4 S3
S3 = K
14 13 12 11 10 9 8
1 2 3 4 5 6 7
S1 S2 0V
Exercice 6 : réalisons un compteur synchrone module 4

Calculons d’abord le nombre de bascules. Le modulo est un multiple de 2. Par conséquent
4 = 22 donc il faut 2 bascules. Nous supposons un déclenchement sur front montant (c’est-à-
dire l’entrée d’horloge non complémenté). En utilisant les bascules J.K., nous avons :
Q0 Q1
J Q J Q
H
K Q K Q
VCC
I- Technologie
1-1 Déterminer la valeur de la résistance dont le code de couleur dans l’ordre est le suivant :
Jaune – Rouge – Rouge – Rouge
1-2 Un condensateur porte des indications suivantes : 100V, 47μF, 80°C

Donner la signification de chacune de ces indications.
1-3 Dans le tableau ci-après, indiquer en mettant une croix dans la case correspondante, la
nature de chacun des composants électriques :
Résistance Diode Transistor Inductance Condensateur

Composant passif
Composant actif
1-4 Le symbole suivant est celui d’un composant électronique ressortant ses bornes
principales suivant le brochage de son boîtier :
1-4-1 Donner le nom de ce composant.

1-4-2 Identifier les bornes 2, 3, 4, 6 et 7.
1-5 Faire une étude comparative entre les circuits logiques de la famille TTL et ceux de la
famille CMOS au point de vue :
- Consommation en courant.
- Temps de réponse.
- Niveaux de tension d’alimentation.
II- Circuits Analogiques
2-1 On considère le montage de la figure1 ci-dessous ; on donne les expressions complexes

du montage : e1 = 220V, e2 = j110V, ZL = j103Ω, ZC = -j500Ω, Z = 103Ω
Figure1
2-1-1 Dessiner le schéma équivalent de NORTON vu des bornes A et B du circuit de la figure

1 en précisant les expressions complexes de ses éléments.
104
2-1-2 Dessiner le schéma équivalent de THEVENIN vu des bornes A et B du circuit de la

figure1 en précisant les expressions complexes de ses éléments.
2-1-3 En utilisant le schéma équivalent de NORTON, établir l’expression complexe du
courant i circulant dans la charge Z, et en déduire sa valeur efficace.
2-1-4 En utilisant le schéma équivalent de THEVENIN, établir l’expression complexe du
courant i circulant dans la charge Z, et en déduire sa valeur efficace.
2-2 Le circuit de la figure2 suivant représente un transistor fonctionnant en commutation.
Figure2
On donne :
R1 = 15kΩ, R2 = 100kΩ, RC = 2,2kΩ, E1 =12V, E2 = 12V, VBESAT = 0,7V et VCESAT = 0,3V
2-2-1 Dans le cas où Ue = 0V, calculer VBE en supposant que le courant de base est
négligeable et en déduire l’état de fonctionnement (bloqué ou saturé) du transistor.
2-2-2 Calculer la valeur de US ainsi que la puissance dissipée dans RC, dans
le cas où Ue= 0V
2.2.3- Dans le cas où Ue = 12V et en supposant le transistor saturé, calculer les courants
circulant dans R1, R2, RC ainsi que celui circulant dans la base du transistor. En déduire le
coefficient d’amplification minimal de saturation βSAT du transistor.
III- CIRCUITS NUMERIQUES
3.1 – Le schéma de la figure3 ci-dessous représente un circuit logique d’un système

numérique à 4 entrées A, B, C, D et une sortie X.
A B C D
Figure3
3.1.1- Déterminer l’état logique de la sortie X pour une entrée ABCD = 1011.
3.1.2- Déterminer l’expression logique de X en fonction des entrées ABCD.
3.1.3- Démontrer que la table de vérité ci- après est celle de l’expression logique de X.
A B C D X
0 0 0 0 1
0 0 0 1 0
0 0 1 0 1
0 0 1 1 1
0 1 0 0 0
0 1 0 1 0
0 1 1 0 1
0 1 1 1 1
1 0 0 0 1
1 0 0 1 0
1 0 1 0 1
1 0 1 1 1
1 1 0 0 0
1 1 0 1 0
1 1 1 0 0
1 1 1 1 0
3.1.4- Simplifier l’expression de X en utilisant le tableau de Karnaugh.
3.1.5- Représenter le schéma logique de l’expression simplifiée de X en utilisant

exclusivement les portes NAND à deux entrées.
3.1.6- Sachant que les CI 7400 comportent chacun 4 portes NAND intégrées, en déduire le
nombre minimal de CI 7400 nécessaires à la réalisation du câblage du circuit logique de X.
3.2- Le chronogramme ci-dessous est prélevé au niveau des 03 sorties d’un compteur piloté
par un signal d’horloge de fréquence 1,5kHz.
A partir d’une analyse judicieuse de ces formes d’ondes :
3.2.1- Préciser la nature du front déclencheur du signal d’horloge.
3.2.2- Déterminer la fréquence fA du signal A.
3.2.3- Sachant que la sortie A est le poids faible et la sortie C est le poids fort, reproduire sur
votre feuille de composition et compléter le tableau suivant :
106
C B A Nombre décimal compté

0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
0 0 0
0 0 1
3.2.4- En déduire le modulo de ce compteur ainsi que le nombre minimal de bascules JK

nécessaires à sa réalisation.
3.2.5- Représenter le schéma de ce compteur à l’aide des bascules JK.
I- TECHNOLOGIE
1.1- Valeur de la résistance dont le code de couleur dans l’ordre est :
jaune – rouge – rouge – rouge :
Jaune = 4 ; rouge = 2 ; rouge = 102 ; rouge = ± 2% d’où R = 4200Ω ± 2%
1.2- La signification de chacune des indications suivantes du condensateur :
- 100V : tension de service ;
- 47μF : capacité du condensateur ;
- 80°C : température maximale d’utilisation.
1.3- Complétons le tableau :
résistance diode transistor inductance condensateur

Composant passif X X X
Composant actif X X
1.4– Composant électronique
1.4.1- Ce symbole est celui d’un amplificateur opérationnel

1.4.2- Identification des bornes :
- 2 : Entrée inverseuse ; - 7 : Borne positive d’alimentation ;
- 3 : Entrée non inverseuse - 4 : Borne négative d’alimentation
- 6 : Sortie ;
1.5- Etude comparative entre les circuits logiques de la famille TTL et ceux de la famille
CMOS.
¾ Consommation : Les circuits TTL consomment plus de courant que les circuits
CMOS.
¾ Temps de réponse : Les circuits TTL sont plus rapides que les circuits CMOS.
¾ Tension d’alimentation : La tension d’alimentation des circuits CMOS est plus
élevée que celle des circuits TTL
II- CIRCUITS ANALOGIQUES :
2-1 On considère le montage de la figure1 ci-dessous ; on donne les expressions complexes

du montage : e1 = 220V, e2 = j110V, ZL = j103Ω, ZC = -j500Ω, Z = 103Ω
Figure1
108
2.1.1- Schéma équivalent de NORTON vu des bornes A et B.
E1 E 2
Le courant de NORTON a pour expression: IN = +
ZL Zc
220 j110
AN: IN = + = -0,22 - j0,22 (A)
j10 3
− j 500
Z L xZ c
L’impédance de NORTON a pour expression: ZN =
ZL + Zc
500x103
AN: ZN = = − j103 Ω
j (103 − 500)
2.1.2- Schéma équivalent de THEVENIN :

A
ZTh
ETh
B
Z L xZ C 500 x10 3
ZTh =ZN = ZL//ZC = = = − j10 3 Ω
Z L + ZC j (10 − 500)
3
E2 × ZL + E1 × ZC j110 × j103 + 220 × (− j500)

ETh = = = −220 + j 220 (V)
ZL + ZC j103 − j500
2.1.3- Expression complexe du courant I dans la charge Z en utilisant le schéma

équivalent de NORTON :
A
I
IN ZN Z
B
ZN
La formule du diviseur de courant nous donne : I = IN x
Z + ZN
− j103 ( −1 + j )
A.N. I = −0,22(1 + j )x = 0,22 x
− j10 + 10
3 3
(1 − j )
I = -0,22A ⇒ Ieff = 0,22A
2.1.4- Expression complexe du courant I dans la charge Z en utilisant le schéma

équivalent de THEVENIN : A A
I
ZTh
Z
ETh
BB
ETh
De la loi de Pouillet nous obtenons : I =
ZTh + Z
−220 + j 220 ( −1 + j )( j + 1)
A.N.: I = = 0, 22 x
− j10 + 10
3 3
(1 − j )(1 + j )
I = -0,22A ⇒ Ieff = 0,22A
2.2- Transistor en commutation:
4 3
2
1
Figure2
2.2.1- Si Ue = 0, calculons VBE en supposant IB négligeable :

E2
De la maille 1, nous avons l’équation : E2 - R1.iE2 - R2.iE2 = 0 ; car, Ue = 0. Ainsi, iE2 =
R1 + R2
De la maille 2, nous avons l’équation : E2 + VBE – R2.ie2 = 0; alors, VBE = -E2 + R2.ie2
E2 R E − R1 E 2 − R2 E 2 RE
De ce qui précède, nous avons : VBE = R2( ) − E2 = 2 2 =− 1 2
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2
− 15 x12 − 180
A.N.: VBE = = = -1,56V
15 + 100 115
Déduisons-en l‘état de fonctionnement du transistor :

- La jonction BE étant polarisée en inverse, le transistor est bloqué.
2.2.2- Calcul de la valeur de US :

- Si Ue = 0, le transistor est bloqué. Alors, IC = 0 et la puissance dissipée dans la résistance
RC est nulle ; c’est-à-dire : P = RC.IC2 = 0W. Ainsi, US = 12V
2.2.3- En supposant le transistor saturé dans le cas où Ue = 12V, calculons les courants dans
les résistances : R1, R2 et RC :
E1 − VCESAT
De la maille 3, nous avons l’équation : E1 – RC.ICSAT – VCESAT = 0 ; alors, ICSAT =
RC
12 − 0,3
A.N. : ICSAT = = 5,31mA
2200
110
Ue − VBESAT
De la maille 4, nous avons l’équation : Ue – R1.I1 – VBESAT = 0; alors, I1 =
R1
12 − 0, 7
A.N. : I1 = = 0, 75 mA
15000
VBESAT + E2
De la maille 2, nous avons l’équation : E2 + VBESAT – R2.i2 = 0; alors, I2 =
R2
0,7 + 12
A.N. : I2 = = 0,127mA
100x103
Du nœud au niveau de la base, nous avons l’équation : IB = I1 – I2
A.N. : IB = 0,75 – 0,127 = 0,623mA
Déduisons-en le coefficient d’amplification minimal de saturation :

ICSAT
Nous savons que : βSAT =
IBSAT
5,31
A.N. : βSAT = = 8,52
0, 623
III- CIRCUITS NUMERIQUES
3.1 – Le schéma de la figure3 ci-dessous représente un circuit logique d’un système

numérique à 4 entrées A, B, C, D et une sortie X.
A B C D
Figure3
3.1.1- Etat logique de la sortie X, lorsque ABCD = 1011 est : X = 1

3.1.2- Détermination de l’expression logique de X en fonction des entrées ABCD :
X = AC + ABC + B + C + D
3.1.3- Démontrons que la table de vérité est celle de l’expression logique X

Cette démonstration consistera à donner à partir de cette table de vérité, l’expression de X
X = ABCD + ABCD + ABCD + ABCD + ABCD + ABCD + ABCD + ABCD
= BCD(A + A) + ABC(D + D) + ABC(D + D) + ABC(D + D)
= BCD + ABC + ABC + ABC
= BCD + AC + ABC
= B + C + D + AC + ABC
3.1.4- Simplification par tableau de Karnaugh

CB 00 01 11 10
AD
00 1 0 1 1
01 0 0 1 1
11 0 0 0 1
10 1 0 0 1
X = AC + BC + BD
3.1.5- Représentation du schéma logique de X en utilisant exclusivement les portes NAND à

deux entrées ; cette équation peut encore s’écrire de la manière suivante :
X = AC + BC + BD
= AC . BC . BD
A B C D
3.1.6- Le nombre minimal de CI 7400 nécessaires est : n = 3
3.2- Le chronogramme ci-dessous est prélevé au niveau des 03 sorties d’un compteur piloté
par un signal d’horloge de fréquence 1,5kHz.
A partir d’une analyse judicieuse de ces formes d’ondes :
3.2.1- le signal de l’horloge agit sur front descendant.

3.2.2- Détermination de la fréquence fA du signal A :
Soient TH et TA, les périodes respectives du signal d’horloge et du signal A ; N et N’, le
nombre de périodes respectives dans cet espace. Ainsi, Nous pouvons écrire :
112
1 N' N N'
N’.TA = N.TH. Or, T = . Ainsi, = ⇒ fA = . fH
f fA fH N
5 × 1500
A.N. : fA = = 625Hz
12
3.2.3- Sachant que la sortie A est le poids faible et la sortie C est le poids fort,
complétons le tableau suivant :
C B A Nombre décimal compté

0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 2
0 1 1 3
1 0 0 4
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 2
0 1 1 3
1 0 0 4
0 0 0 0
0 0 1 1
3.2.4- Déduisons-en le modulo de ce compteur et le nombre minimal de bascules JK :

- Ce compteur compte de 0 à 4. Ainsi, son modulo est : 5.
- Le nombre de bascules JK nécessaires :
Pour réaliser ce compteur permettant de compter de 0 à 4, il faut : 2N-1 < 5 < 2N. Ainsi,
nous avons N = 3.
3.2.5- Représentation du schéma de ce compteur :
Q0 Q1 Q2
RAZ RAZ RAZ

J Q J Q J Q
H
K Q K Q K Q
1

I – TECHNOLOGIE
1.1 – Citer 03 modes de polarisation d'un transistor bipolaire.
1.2 – Dans un circuit amplificateur à transistor, préciser le rôle du condensateur de couplage.
1.3 – On identifie les bornes d'un transistor bipolaire par les chiffres 1 ; 2 et 3. Les tests
réalisés dans ce transistor à l'aide d'un multimètre ont permis de relever que les jonctions
1 3 et 2 3 sont passantes dans le sens des flèches et bloquées dans le sens
contraire.
a) Donner le type de ce transistor et le représenter par son modèle équivalent à
diodes.
b) Identifier la borne représentant la base de ce transistor.
1.4 – Le thyristor est un composant fréquemment utilisé en électronique :
a) Dessiner son symbole ;
b) Décrire brièvement son principe de fonctionnement ;
c) Donner son domaine d'application.
1.5 – En terme de principe de fonctionnement, quelle différence fondamentale y a- t- il entre :
a) La diode à jonction et le Diac ?
b) Le thyristor et le Triac ?
1.6 – Définir le sigle "GRAFCET", et décrire les règles d'évolution de celui – ci.
1.7 – Déterminer le nombre de bascules nécessaires pour compter les 60 secondes de
l'aiguille d'une montre.
1.8 – Exprimer le nombre 18 en numération binaire, et en déduire le nombre de bascules
d'un registre à décalage capable de le mémoriser.
II – CIRCUITS ANALOGIQUES
2.1 Courant continu
On considère le schéma de la figure1 ci – dessous, où les valeurs des résistances indiquées
sont en ohms :
2.1.1 – Dessiner le schéma du modèle équivalent de Norton vue des bornes A et B, et

calculer les éléments du générateur de Norton.
2.1.2 – Calculer le courant IAB et la tension UAB au niveau de la charge.
2.2 – Transistor bipolaire en régime statique

On considère la figure 2 ci – dessous représentant un amplificateur à transistor.
114
2.2.1 – Schématiser le modèle de polarisation de Thévenin vue des bornes B et la masse M,

et calculer les éléments EB et RB de ce générateur.
2.2.2 – Calculer IB et en déduire IC et RE ; β = 150.
2.2.3 – Ecrire l'équation de la droite de charge statique.
2.3 – Amplificateur opérationnel

On considère le montage de la figure 3 ci – dessous :
2.3.1 – Déterminer l'expression de Vs et la valeur du gain Av = Vs/Ve dans chacun des cas
suivants :
a) K1, K2 et K3 ouverts.
b) K1, K2 et K3 fermés.
c) K1 et K3 fermés, K2 ouvert.
2.3.2 – Préciser les positions (ouvert ou fermé) de chacun des 03 interrupteurs K1, K2 et K3
permettant d'avoir un gain de 10 en valeur absolue. Justifier votre réponse.
III – CIRCUITS NUMERIQUES

3.1 – Logique combinatoire
On considère le logigramme donné par la figure 4 ci – dessous :
3.1.1 – Déterminer l'expression simplifiée de la fonction logique X = f(A,B), et en déduire la

nature de la fonction logique ainsi réalisée.
3.1.2 – Donner le symbole (norme américaine et française) de la fonction logique représentée
par la figure 4 ci – dessus.
3.1.3 – Compléter le tableau suivant :
A B X
0 0
0 1
1 0
1 1
3.2 – Logique séquentielle

Soit le compteur synchrone représenté par le schéma de la figure 5 ci – dessous :
Figure 5
3.2.1 – Rappeler la table de vérité de la bascule JK.

3.2.2 – Dresser la table des états du compteur ci – dessous et en déduire son modulo.
3.2.3 – Représenter en fonction des impulsions d'horloge les chronogrammes des sorties Q1,
Q2 et Q3.
116

I – TECHNOLOGIE
1.1 – Trois modes de polarisation d'un transistor bipolaire :
- Emetteur commun ;
- Collecteur commun ;
- Base commune.
1.2 – Rôle du condensateur de couplage :
C'est un condensateur de liaison qui bloque la composante continue d'un signal et ne
permet que le passage de la composante variable.
1.3 a) C'est un transistor de type PNP
Symbole :
b) Identification de la base : borne 3

1.4 – a) Symbole du thyristor :
b) Le thyristor est un interrupteur électrique commandé. Une impulsion de courant suffisant

sur sa gâchette le rend passant avec une tension VAK > 0. Lorsque la tension VAK devient
négative, il se bloque. Il ne sera amorcé à nouveau que par une nouvelle impulsion de
courant sur sa gâchette.
c) Domaine d'application du thyristor :
- Redressement ;
- Réglage de tension (ou de puissance).
1.5 – a) Le Diac conduit en inverse et en directe, alors que la diode à jonction conduit
seulement en directe.
b) Le Triac conduit en inverse et en directe, alors que le thyristor conduit seulement en
directe.
1.6 – Définition du sigle GRAFCET : Graphe Fonctionnel de Commande Etape Transition.
Règles d'évolution du Grafcet :
- Pour franchir une transition, il faut que toutes les étapes immédiatement précédentes
soient actives et que la réceptivité associée à la transition soit vraie ;
- Le franchissement d'une transition entraîne simultanément l'activation de toutes les
étapes immédiatement suivantes et la désactivation de toutes les étapes
immédiatement précédentes ;
1.7 – Il faut 6 bascules pour compter jusqu'à 60.
1.8 – 18 en numération binaire
(18)10 = (10010)2 soit 5 bascules.
II – CIRCUITS ANALOGIQUES
2.1 – Courant continu :

2.1.1 – Schéma du modèle équivalent de Norton vu des bornes A et B :
IN = 10 + 3 = 13A IN = 13A ; RN = (8//2//5) = 1,21 RN = 1,21Ω

2.1.2 – Calcul du courant IAB et de la tension UAB :
IAB = = 2,53 IAB = 2,53A
UAB = 5 x IAB = 5 x 2,53 = 12,66 UAB = 12,66V
2.2 – Transistor bipolaire en régime statique

2.2.1 – Modèle de polarisation de Thévenin vu des bornes B et M :
RB =RB = =
RB = 3,59KΩ
AN : RB = = 3,59KΩ
EB = Vcc x = 18 x
EB = 6,46V
EB = Vcc x
AN : EB = 18 x = 6,46V
2.2.2 – Calcul de IB :
EB - RB.IB - VBE - VEM = 0 IB =
AN : IB = = 0,63mA
Calcul de IC :
IC = β IB
AN : IC = 150 x 0,63 = 94,5mA
Calcul de RE :
RE =
AN : RE = = 36,8Ω
118
2.2.3 – Equation de la droite de charge :
VCC = RC.IC + VCE + VEM IC =
AN : IC = =
2.3 – Amplificateur opérationnel
2.3.1 – Détermination de VS et de AV :
En général, on a : ie + is = 0, d'où ie = - is
ie = et is =
AV = = = - = -
a) K1, K2 et K3 ouverts :
AV = - = - 12 AV = - 12
b) K1, K2 et K3 fermés :
AV = 0
c) K1 et K3 fermés, K2 ouvert :
AV = - = -4
2.3.2 – Positions de K1, K2 et K3 pour AV = 10 en valeur absolue

AV = - RS = AV.R = 10R, d'où K1 fermé, K2 et K3 ouverts.
III – CIRCUITS NUMERIQUES

3.1 – Logique combinatoire
3.1.1 – Expression de X = f(A,B)
X = f(A,B) = A B + A B
X = A⊕B
C'est la fonction OU exclusif
3.1.2 – Symbole :
3.1.3 – Complétons le tableau
A B X
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
3.2 – Logique séquentielle

3.2.1 – Table de vérité de la bascule JK :
J K Q Q
0 0 Qn Qn
1 0 1 0
0 1 0 1
1 1 Qn Qn
3.2.2 – Table des états du compteur :
N° Q3 Q2 Q1
0 0 0 0
1 0 0 1
2 0 1 0
3 0 1 1
4 1 0 0
C'est un compteur modulo 5
3.2.3 – Chronogrammes de Q1, Q2 et Q3 :
120

Sujets Circuits Anal+Num 1994 - 2008

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Sujets Circuits Anal+Num 1994 - 2008

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

www.africespacenet.

En appliquant les théorèmes de NORTON et de THEVENIN au circuit de la figure2 ci-dessus.

Exercice 3 : Technique logique

Notice du constructeur des circuits logiques TTL74LS00 et CMOS4011

TYPE VCC (V) VDD (V) VIHmin VILmax VOHmin VOLmax

Exercice 4 : Technologie des composants

PROBATOIRE F3 SESSION 1994 - CORRECTION

1.2 Représentons les tensions v1, v2, u1 et u2 en fonction du temps.

Ampèremètre magnétoélectrique : courant moyen (I) =

En appliquant les théorèmes de Norton et de Thévenin au circuit ci-dessus.

Ce circuit est équivalent à celui ci-dessous :

Ce circuit est encore équivalent à celui ci-dessous :

Soit R la résistance connectée entre X et Y,

Soit R la résistance connectée entre X et Y.

Exercice 3 : Technique logique.

2) Pour le courant IB égale à sa valeur minimale à la situation.

Dans ce montage, le transistor fonctionne en régime de commutation et la porte

Région OA : région ohmique

PROBATOIRE F3 SESSION 1995

Exercice 2 : Transistors Effet de Champ (TEC)

Exercice 3 : Comparateur Numérique

Compléter alors le tableau figure4 ci-dessous :

& & & &

PROBATOIRE F3 SESSION 1995 - CORRECTION

Exercice 2 : Transistor à Effet de Champ (TEC)

2.4 Tracé de la droite de charge.

Exercice 3 : Comparateur Numérique.

E = A.B + A.B ; S = A.B ; I = A.B

3.2 Table de vérité du comparateur

3.3 Valeurs logiques de sortie E, S, I

PROBATOIRE F3 - SESSION 1996

Dans ce montage, les diodes D1, D2 et D3 sont idéales.

Pour le montage ci-dessus, on donne : résistance de protection RP = 0,5Ω , tension de seuil

Dans le montage, le transistor a un gain en courant : β = 100.

PROBATOIRE F3 SESSION 1996 - CORRECTION

M = a.b + b.c + a.c.d ⇒ M = a.b + b.c + a.c.d = a.b . b.c . a.c.d

Traçons le logigramme en utilisant uniquement des portes NAND à 2 ou 3 entrées

a) Donnons l’état de chaque diode

RP = 0,5Ω , US = 0,8V, U = 10V - 50Hz.

Dans le montage, le transistor a un gain en courant : β = 100.

Déterminons R1 qui conduit a cette saturation VBE = 0,8V

PROBATOIRE F3 SESSION 1997

I- TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS.

+Umax Sinusoïdal redressé

+Umax Sinusoïdal redressé

1.2 Le transistor bipolaire.

Référence Type Boîtier PTOT VCEO(V) VEBO(V) ICMAX(mA) βMini βMaxi

Que signifie PTOT ; VCE0 ; VEB0 ; ICMAX ; β

1.3 Circuit intégré linéaire

Type VCC(V) ICC(mA) A0 Ri(MΩ) R0(Ω) SR(V/μS)

Expliquer VCC ; ICC ; A0 ; R0 ; SR

Exercice1 : Les réseaux en courant alternatif

Exercice 2 : Le circuit intégré linéaire.

b) Calculer les intensités des courants et la tension de sortie lorsque V1 = 2V et V2 = 3V

Exemple : le complément à 2 de 1101011010 est 00010100101 + 1 = 0010100110.

N.B. Le nombre Y4Y3Y2Y1 est le complément à 2 du nombre A4A3A2A1. Le complément à 2

Exercice 4 : Circuits en logique C-MOS

a) U1 = 0. Déterminer la valeur de U2 (les calculs intermédiaires sont exigés)

PROBATOIRE F3 SESSION 1997 - CORRECTION

I- TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS

+Umax Umax Umax

+Umax Sinusoïdal redressé Umax Umax

+Umax Sinusoïdal redressé 2Umax Umax