Annales E A DS2

Université Mohamed Premier
Ecole Nationale des Sciences Appliquées

Oujda – Maroc
Devoir surveillé 2: Electronique Analogique
Mercredi 6 Juin 2018 15h00-16h30 1h30 sans documents
Filière : 2ème année STPI Année : 2017-2018
Exercice I : Diode 1 (4points ≈20mn).
En utilisant le modèle à seuil (VD = 0,7 v) pour les diodes, dessinez le signal VOUT pour
chacun des circuits. Dessinez aussi le signal en entrée de 5sin(ωt) et identifiez les valeurs
importantes dans le graphique.
(1) (2) (3) (4)
Exercice II : Diode2 (3 points ≈15mn).

Pour le circuit ci-contre, trouvez les
tensions et les courants différents pour
ensuite déterminer quelles diodes
conduisent et quelles ne conduisent pas.
En utilisant le modèle à seuil (VD = 0,7 v)
pour les diodes.
Exercice III : Transistor bipolaire (4 points ≈20mn).
Considérons le circuit ci-contre.

Trouvez VB, VC, VE, IB, IC et IE si
β=100 et VCESAT = 0.2v. et VBE=0.7v
A. EL MOUSSATI DS2 Electronique Analogique 2017/2018 Page 1

Exercice IV : Montage amplificateur (9 points ≈35mn).
Le schéma d'un étage amplificateur à transistor est donné ci-dessous.
1. Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplificateur ? Justifiez votre
réponse. Quelles sont ses caractéristiques ?
2. Dessiner le schéma équivalent1 du montage pour les petites variations aux fréquences
moyennes
3. Calculer le gain en tension de l'étage Av = Vs/Ve. En déduire le gain en tension à vide
Av0.
4. Calculer la résistance d'entrée du montage Ze.
5. Calculer l'impédance de sortie de l'amplificateur Zs.
On prend : VBE = 0,6V, β= 150, VCC = 12V, R1 = R2 = 10kΩ, Re =1kΩ
et Rc = 1kΩ, Rg = 5kΩ RL = 1kΩ, h11=1kΩ, h22 = h12 = 0.
1. Pour cette question, on suppose que les capacités ont une impédance négligeable à la fréquence de travail

Oujda – Maroc
Devoir surveillé 2: Electronique Analogique
Mercredi 07 Juin 2017 15h-16h30 1h30 sans documents
Exercice I : Transistor en régime statique/ dynamique (13 points)
On pose
RC=10 kΩ, RE=3,9 kΩ, R1=18 kΩ,
R2=5,6 kΩ, RS=10 kΩ, E=20 V C
Transistor:
B
RG
β=100, VBE=0.6 V, VCEsat=0.2 V
1. Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplificateur et quelles sont ses
propriétés principales ?
2. Quel le rôle de la capacité C1, la capacité CE, la résistance RE
Etude statique
3. Déterminer la tension VB en considérant le courant IB0 négligeable.
4. Déterminer le courant de repos, IC0 du transistor. En déduire la valeur de h11
5. En déduire VC0 , tension de repos du collecteur.
6. La négligence de IB0 à la question 2, était-elle justifiée ? pourquoi ?
Etude dynamique
7. Dessiner le schéma équivalent du montage pour les petites variations aux fréquences
moyennes, prenons h22 = h12 = 0.
8. Calculer le gain en tension de l'étage Av = Us/Ue. En déduire le gain en tension à vide
Av0. Comment procéder pour diminuer le gain sans changer le point de polarisation ?
9. Calculer la résistance d'entrée Ze et l’impédance de sortie du montage Zs.
10. Déterminer l'amplitude de sortie que l'on peut espérer obtenir avant saturation.
11. Déterminer de même l'amplitude de sortie qu'on peut espérer obtenir avant blocage

Exercice II : Diode (7 points)

Oujda – Maroc
Devoir surveillé : Electronique Analogique

Mardi 7 Juin 2016 15h15-16h45 1h30 sans documents
Questions de cours (3 points).
1. Quelle est l'application typique d'une diode Zener ?
2. Quel est le rôle du circuit de polarisation d'un transistor ? Quel principal critère faut-il
retenir lors du choix d'un tel circuit.
Exercice 1 (5 points).
On considère le circuit de la figure ci-dessous. On prendra pour la diode le modèle à seuil
avec V0 = 0.7 V.
1. Quelle est la condition sur Ve pour que la diode soit bloquée ?
2. Tracer la caractéristique Vs en fonction de Ve.
3. Donner l'allure de la tension de sortie si Ve est un signal triangulaire variant entre ±16V.
A. EL MOUSSATI DS Electronique Analogique 2015/2016 Page 1

Exercice 2 (12 points).
Le schéma d'un étage amplificateur à transistor, alimenté sous une tension Vcc = 15V, est
donné par le montage de la figure ci-dessous. Il utilise, à T = 25 ºC, un transistor caractérisé
par : β = 100, VBE = 0.6V. Données : RC = 1.2 kΩ, RE = 1 kΩ, R = 50 Ω et RL = 6 kΩ.
1. Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplificateur et quelles sont ses
propriétés principales ?
2. Quelle valeur doit-on donner aux résistances R1 et R2 pour polariser le transistor avec un
courant de repos de collecteur IC = 4mA, et que le courant Ip circulant dans R2 soit 10 fois
supérieur à IB. En déduire la valeur de h11
3. Dessiner le schéma équivalent du montage pour les petites variations aux fréquences
moyennes, prenons h22 = h12 = 0.
4. Calculer le gain en tension de l'étage Av = vS/ve. En déduire le gain en tension à vide Av0.
5. Calculer la résistance d'entrée du montage Ze.
6. Calculer l'impédance de sortie de l'amplificateur Zs.

Oujda – Maroc
Devoir surveillé : Electronique Analogique
Mardi 9 Juin 2015 16h15-17h45 1h30 sans documents
Exercice1 : Circuit à diode
1- En utilisant les trois modèles de la diode

a) Diode idéale : rD=0 et VD0=0
b) Diode avec seuil : rD=0 Ω et V D0=0.7 V
c) Diode avec seuil et résistance : rD=100 Ω et V D0=0.7 V
Calculer le courant I débité par le générateur.
E=12 V ; R1=6 K Ω ; R2= 3 KΩ; Rc=1 KΩ ;
Exercice 2 : Polarisation par la base
Une élévation de la température (de T1=25° à

T2=75°) du transistor de la figure ci-contre change
ses caractéristiques de la façon suivante: le gain β
passe de 100 à 150 et la tension de jonction VBE
change de 0.7 V à 0.6 V.
1- Déterminez les variations relatives subies par le
courant IC et la tension VCE. Conclure.

Exercice 3 : Polarisation par l’émetteur
1- Donner l’expression de IB, IC et VCE.
2- Donner l’expression approximée de IC lorsque
RB<< βRE et VEE>>VBE
3-Donner l’avantage et l’inconvénient de ce
montage.
Exercice 4 : Polarisation par diviseur de tension
1- Donner l’expression de IB, IC et VCE.
2- Une élévation de la température (de T1=25° à

T2=75°) du transistor de la figure ci-contre change ses
caractéristiques de la façon suivante: le gain β passe
de 100 à 150 et la tension de jonction VBE change de
0.7 V à 0.6 V.
Calculer les variations relatives subies par le courant
IC et la tension VCE.
VCC= 20 V ; R1=110 KΩ ; R2=10 KΩ; RC=10 KΩ;
RE=1 KΩ
3- Donner l’expression approximée de IC lorsque
RE>>RTH/β et VTH>>VBE
4- Donner l’avantage de ce montage.

Ecole Nationale des Sciences
Appliquées
Oujda – Maroc
2ème Année du cycle préparatoire :

Filière Sciences et Techniques pour l’Ingénieurs
Edition 2016
Université Mohammed Premier Filière : STPI (S4)
ENSAO Année 2015/2016
Examen d'électronique Analogique - Session de rattrapage

Durée : 1H 30 min
Il sera tenu compte de la clarté de la rédaction.

Les notations employées dans l'énoncé doivent être respectées et toute
notation supplémentaire introduite par le candidat devra être dénie.
Exercice On désire réaliser un amplicateur ayant un gain en tension

|AV | = 150. Sa résistance d'entrée doit être supérieure à 2kΩ. La résistance
de charge RL de l'amplicateur est de 15kΩ. L'amplicateur doit être ali-
menté sur une batterie de VCC = 12V . On dispose d'un transistor bipolaire
de type N P N caractérisé par β = 160. On néglige sa résistance de sortie
h22 = 0 et on prend VBE = 0, 7V . Rappelons que la transconductance est
donnée par : gm = hβ11 = IVC0T
. Le potentiel thermique VT = 25mV à 300K .
Le schéma du circuit est donné à la gure 1.
On va tout d'abord commencer par déterminer les expressions des grandeurs
dynamiques de l'amplicateur pour en déduire les coordonnées du point de
repos et les valeurs des résistances de polarisation.
1. Quel est le type de montage utilisé ? justier le choix d'un tel montage
pour réaliser le circuit demandé.
2. Nous supposons dans un premier temps que les condensateurs ont
une capacité susamment grande pour que l'on puisse négliger leur
impédance. Donner le schéma équivalent dynamique du montage.
3. Déterminer l'expression du gain en tension AV .
4. Trouver l'expression de la résistance d'entrée Ze .
5. Déterminer l'expression de la résistance de sortie Zs .
6. En utilisant le fait que RC //RL < RL , déterminer la valeur minimale
du courant de repos IC pour que |AV | = 150.
7. Quelle est la valeur maximale du courant de repos IC pour que Ze > 2kΩ.
Utiliser aussi le fait que h11 //RB < h11 .
8. Pour respecter les caractéristiques du circuit à réaliser, choisissons
une valeur de IC0 de repos comprise entre ICmin et ICmax . Prenons
par exemple IC0 = 1mA. Calculer la valeur de la transconductance
gm .
9. Pour des raisons de stabilité du point de repos nous choisissons RE =
RC /5, calculer les valeurs des résistances RC et RE .
10. En appliquant la loi des mailles au circuit de polarisation, calculer la
tension de repos VCE0 entre le collecteur et l'émetteur.
11. Le courant dans la résistance R1 est Ip = 10IB , calculer les valeurs
des résistances R1 et R2 .
12. Donner l'expression de la droite de charge statique.
1
Université Mohammed Premier Filière : STPI (S4)
Figure 1 circuit amplicateur

13. Déterminer l'expression de la droite de charge dynamique
14. Tracer sur le même graphique les droites de charge statique et dyna-
mique. L'excursion de la tension de sortie est-elle symétrique ?
15. Déterminer graphiquement l'amplitude maximale de la tension de
sortie.
2
Université Mohammed Premier Filière : STPI (S 4)
Examen d'électronique Analogique - Session normale

Durée : 1H 30 min

Exercice 1. On considère le montage de la gure 1. La diode est représen-

tée par son modèle linéarisé (V0 , rD ).
1. Quelle est la condition sur Ve pour que la diode soit bloquée ? Expri-
mer dans ce cas la tension de sortie en fonction de la tension d'entrée.
2. Quelle est la condition sur Ve pour que la diode soit passante ? Expri-
mer dans ce cas la tension de sortie en fonction de la tension d'entrée.
3. Tracer la caractéristique de transfert sortie-entrée : Vs = f (Ve ).
4. Tracer l'allure du signal de sortie Vs (t) Dans le cas où Ve (t) est une
tension triangulaire symétrique d'amplitude VM > E et de période
T.
Exercice 2. La gure 2 donne le schéma d'un amplicateur à transistor.

Le transistor utilisé est caractérisé par : β = 200, VBE = 0, 6V et h11 = 2kΩ.
1. Déterminer l'expression du courant de repos IC0 en fonction de β ,
VCC , VBE0 , R1 , R2 et RC .
2. Déterminer l'expression de la tension de repos entre le collecteur et
l'émetteur VCE0 .
3. Indiquer comment faire pour stabiliser le point de fonctionnement,
justiez votre réponse. Calculer IC0 et VCE0 .
4. Dessiner le schéma équivalent du montage pour les petites variations
aux fréquences moyennes, on suppose que la résistance de sortie du
transistor est inni (h22 = 0) et que h12 = 0.
5. Déterminer l'expression du gain en tension Av = vs /ve . Calculer sa
valeur.
6. Calculer la résistance d'entrée du montage Ze .
7. Calculer l'impédance de sortie Zs .
Données : VCC = 12V , RC = 500Ω, RL = 2kΩ, R1 = 10kΩ, R2 = 1kΩ et

Rg = 50Ω.
1
Figure 1 Ecrêteur à diode
Figure 2 Amplicateur à transistor
2

Durée : 1H 30 min

Questions de cours
1. Quelle est la diérence entre un conducteur, un isolant et un semi-

conducteur ?
2. Quelle est la diérence entre la résistance dynamique rd et la résis-
tance rD du modèle linéarisé ?
Exercice 1. Le √circuit de la gure 1 est alimenté par un générateur de

tension ve (t) = 10 2 sin ωt. La diode est représentée par son modèle linéarisé
(V0 = 0, 6V et rD = 10Ω). Prenons RL = 220Ω.
1. Tracer sur un même graphe les deux tensions ve et vs en fonction du
temps.
2. Déterminer l'expression de la valeur moyenne de la tension de sortie.
Calculer sa valeur.
3. Calculer la valeur ecace de la tension de sortie.
4. Calculer le taux d'ondulation du signal redressé. Pourquoi faut-il cal-
culer ce facteur ?
5. Calculer la puissance fournie par le générateur Pe .
Exercice 2. On considère le circuit de la gure 2. On prenda pour la diode

le modèle à seuil avec V0 = 0, 7V .
1. Quelle est la condition sur Ve pour que la diode soit bloquée ?
2. Tracer la caractéristique Vs en fonction de Ve .
3. Donner l'allure de la tension de sortie si Ve est un signal triangulaire
variant entre ±16V .
1
Figure 1 redressement mono-alternanace
Figure 2 écrêteur à diode
2

Durée : 1H 30 min

Les notations employées dans l'énoncé doivent être respectées.
Exercice 1. Soit le circuit de la gure 1. La tension d'entrée Ve est sinusoï-

dale alternative. Sa valeur ecace est de 10V . La diode est supposée idéale.
Prenons RL = 220Ω.
1. Quel est l'état de la diode quand Ve > 0 ? En déduire la relation entre
Ve et VS .
2. Quel est l'état de la diode quand Ve < 0 ? En déduire la valeur de la
tension VS .
3. Tracer sur un même graphe les courbes représentant Ve et VS en
fonction du temps.
4. Calculer la valeur moyenne de la tension VS .
5. Calculer le taux d'ondulation du signal redressé. Quel est l'intérêt de
ce facteur ?
6. Dénir le rendement du redresseur. Calculer sa valeur.
7. Conclure sur l'ecacité du montage étudié.
Exercice 2. Soit le montage de la gure 2. La diode Zéner a pour carac-

téristiques VZ = 5.16V et RZ = 4.2Ω. Prenons Rp = R = 500Ω.
1. Exprimer la tension de sortie us en fonction de la tension d'entrée
lorsque la diode est bloquée ?
2. Exprimer us en fonction de u lorsque la diode est passante ?
3. Tracer la caractéristique de transfert us = f (u).
4. On suppose que la diode assure la stabilisation quand 10mA < Iz < 30mA,
et pour simplier, on suppose également, pour cette question, que
RZ = 0Ω. Déterminer la plage de la tension u dans laquelle il y a
stabilisation, c'est-à-dire les valeurs de umin et umax .
1
Figure 1 redressement mono-alternanace
Figure 2 stabilisateur de tension par diode Zéner
2
Examen d'électronique Analogique

Session de rattrapage
Durée : 1H 30min
Questions de cours.
1. En se basant sur un schéma simplié, décrire le principe de fonc-

tionnement d'un transistor npn. Les jonctions sont-elles polarisées en
direct ou en inverse ?
2. Quels sont les diérents modes de fonctionnement d'un transistor ?
Donner les caractéristiques de chaque mode.
3. quel critère doit-on regarder pour bien choisir le point de polarisation.
Exercice 1. On considère le circuit de la gure 1. On prenda pour la diode

le modèle à seuil (V0 = 0, 6V ). On donne : R1 = R2 = 1kΩ.
1. Pourquoi remplace-t-on la diode par des modèles linéaires ?
2. Simplier le circuit de la gure 1 en utilisant le théorème de Thevenin.
3. Quelle est la condition sur la tension d'entrée pour que les deux diodes
soient blouqées ?
4. Tracer la caractéristique de transfert Vs = f (Ve ).
5. Tracer la tension de sortie si Ve = 16 sin (100πt). Prendre pour l'échelle :
1cm pour 2V et 1cm pour 1ms.
Exercice 2. Le schéma d'un étage amplicateur à transistor est donné à

la gure 2.
- Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplicateur ? Justiez
votre réponse. Quelles sont ses caractéristiques ?
1. On veut polariser le transistor à IB0 = 20µA et VCE0 = 6V , trouver
les valeurs des résistances Re1 et R2 assurant ce point de repos.
On prend :VBE = 0, 6V , β = 150, VCC = 12V , R1 = 90kΩ, Re2 =
500Ω et Rc = 1kΩ.
2. Donner le schéma équivalent 1 au montage aux petites variations im-
posées par le générateur (eg , Rg ). On prend : h12 = 0.
3. Calculer le gain en tension de l'étage Av = vS /ve . En déduire le gain
en tension à vide Av0 .
5. Calculer la résistance de sortie de l'étage Zs .
Prenons : h11 = 1kΩ, ρ = h122 = 4kΩ, Rg = 5kΩ et RL = 1kΩ.
1. Pour cette question, on suppose que les capacités ont une impédance négligeable à
la fréquence de travail
1
2
Examen d'électronique Analogique

Durée : 1H 30 min
Questions de cours.
1. En se basant sur un schéma simplié, décrire le principe de fonc-

tionnement d'un transistor npn (donner uniquement les processus les
plus importants). Les jonctions sont-elles polarisées en direct ou en
inverse ?
2. Quels sont les diérents modes de fonctionnement d'un transistor ?
Donner les caractéristiques de chaque mode.
3. Y-a-il une relation entre le circuit de polarisation et le point de repos
d'un transistor ? Justier votre réponse. Quels sont les paramètres
physiques qui pourraient inuencer la stabilité du point de polarisa-
tion ?
Exercice 1. On considère le circuit de la gure 1. On prenda pour les deux

diodes le modèle idéal.
1. Dénir les valeurs de la tension d'entrée ve pour lesquelles les deux
diodes sont bloquées.
2. Donner, dans ce cas (les deux diodes sont bloquées), le schéma équi-
valent du circuit et l'expression de ie en fonction de ve .
3. Tracer la caractéristique ie en fonction de ve lorsque La tension d'en-
trée varie entre 0 et 10V .
Exercice 2. Le schéma d'un étage amplicateur à transistor, alimenté sous

une tension Vcc = 15V , est donné par le montage de la gure 2. Il uti-
lise, à T = 25◦ C , un transistor caractérisé par : β = 100, VBE = 0, 6V ,
ρ = 26, 5kΩ = 1/h22 et h11 = 625Ω.
1. Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplicateur et
quelles sont ses propriétés principales ?
2. Quelle valeur doit-on donner aux résistances R1 et R2 pour polariser
le transistor avec un courant de repos de collecteur IC = 4mA, et que
le courant Ip circulant dans R2 soit 10 fois supérieur à IB ?
3. Dessiner le schéma équivalent du montage pour les petites variations
aux fréquences moyennes, prenons h12 = 0.
4. Montrer que iC = αiB . Donner l'expression et la valeur de α.
5. Calculer le gain en tension de l'étage Av = vS /ve . En déduire le gain
en tension à vide Av0 .
1
7. Calculer l'impédance de sortie de l'amplicateur Zs .
Données : RC = 1, 2kΩ, RE = 1kΩ, R = 50Ω et RL = 6kΩ.
2
Figure 1 générateur à diode
Figure 2 Apmlicateur à transistor
3

Durée : 1H 30
Exercice 1. Soit le circuit de la gure 1. On prenda pour les deux diodes

le modèle idéal. La tension d'entrée est comprise entre 0 et 40V , E2 = 20V
et E1 = 10V .
1. Dénir les valeurs de Ve pour lesquelles les deux diodes sont bloquées,
en déduire celles pour lesquelles la diode D1 est passante.
2. Donner, dans ce premier cas (les deux diodes sont bloquées), le schéma
équivalent du circuit et l'expression de Vs en fonction de Ve .
3. Dans le cas où D1 est passante, quelle est la condition sur Ve pour
que D2 soit bloquée.
4. Donner, dans ce deuxième cas, le schéma équivalent du circuit et
l'expression de Vs en fonction de Ve .
5. En déduire les valeurs de Ve pour lequelles les deux diodes sont pas-
santes.
6. Donner, dans ce troisième cas, le schéma équivalent du circuit et l'ex-
pression de Vs en fonction de Ve .
7. Dans ce dernier cas, quelle est le rapport des résistances R2 /R pour
avoir une pente de 1/4 sur la caractéristique de la gure 2.
8. Compléter la caractéristique de transfert donnée à la gure 2. Quelle
est la tension de sortie maximale ?
Exercice 2. On se propose d'étudier le montage élémentaire de la gure 3

utilisant deux alimentations symétriques +V cc et −V cc.
1. Etude statique
(a) Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplicateur
et quelles sont ses propriétés principales ?
(b) Quel sont les rôles des condensateurs C1 et C2 ?
(c) On désire que le point de repos soit IC0 = 1, 5mA et VCE0 = 5V ,
calculer la valeur de Rb . β = 180 et VBE = 0, 65V .
2. Etude en petits signaux 1
(a) Dessiner le schéma équivalent du montage, prenons h12 = h22 = 0.

(b) Donner les expressions littérales puis numériques du gain en ten-
sion Av = vS /ve et de l'impédance d'entrée Ze .
(c) Donner l'expression de l'impédance de sortie de l'amplicateur Zs .
Données : h11 = 3kΩ, Re = RL = 10kΩ, Rg = 1kΩ et VCC = 10V .
1. Pour cette étude on supposera que les condensateurs présentent une impédance nulle
à la fréquence de travail.
1
Figure 2 caractéristique sortie-entrée
2

Durée : 1H 30
Exercice 1. Le circuit de la Figure 1a est alimenté par la tension d'entrée

représentée à la gure 1b.
1. Prenons pour la diode le modèle à seuil V0 = 0, 7V . Donner la forme
graphique, les schémas équivalents et la forme analytique de ce mo-
dèle.
2. Tracer la caractéristique de transfert vs = f (ve ).
3. Donner la forme de la tension de sortie vs (t) en fonction du temps en
utilisant les résultats de la question précédente.
4. Déterminer la valeur de la résistance R pour que le courant traversant
la diode ne dépasse pas 30mA.
5. Calculer le courant moyen (sur une période).
Exercice 2. Le schéma d'un étage amplicateur à transistor est donné à

la gure 2.
- Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplicateur(EC, BC
ou CC) ? Justiez votre réponse.
1. Déterminer les coordonnées du point de fonctionnement IC0 et VCE0 .
Données : R1 = 22kΩ, R2 = R = 10kΩ, RE = 1kΩ et RC = 2, 2kΩ.
VBE = 0, 7V , β = 180 et VCC = 10V .
2. Donner le schéma équivalent 1 au montage aux petites variations im-
posées par le générateur (Eg , Rg ). On prend : h12 = 0.
3. Prenons R//h11 ≈ h11 , simplier le schéma équivalent précédent.
4. Déterminer l'expression du gain en tension du montage Av = vS /ve .
5. Déterminer la résistance d'entrée du montage Ze .
6. Donner l'expression de la résistance de sortie du montage Zs .
1. Pour cette question, on suppose que les capacités ont une impédance négligeable à
la fréquence de travail
1
2
Ecole Nationale des Sciences
Appliquées
Oujda – Maroc
2ème Année du cycle préparatoire :

Filière Sciences et Techniques pour l’Ingénieurs
Edition 2016
Université Mohammed Premier Filière : STPI (S 4)
ENSAO Année 2015/2016
Examen d’électronique analogique

Session de Rattrapage
Durée : 1H 30min
Correction
Exercice1.
1. montage Emetteur Commun (EC) ; montage amplificateur (courant,
tension)
2. Voir la figure 1
3. Les tensions de sortie et d’entrée sont données par :
vs = −βiB (RC //RL ) et ve = h11 iB
Le gain en tension est :
vs β
Av = =− (RC //RL ) = −gm (RC //RL )
ve h11
4. La résistance d’entrée est :

ve
Ze = = RB //h11
ie
5. Commençons par le schéma équivalent pour calculer la résistance de

sortie (voir figure 2).
Du schéma équivalent, on en déduit que iB = 0 ; donc vs = RC .is
vs
Zs = = RC
is
6. |Av | = 150 = gm (RC //RL )
On a : (RC //RL ) < RL , alors gm .(RC //RL ) < gm .RL , c’est-à-dire

que |Av | < gm .RL ; donc :
|Av |
gm >
RL
Alors :
IC0 |Av |
>
VT RL
Finalement
VT |Av |
IC0 >
RL
A.N.
IC0 > 0, 25mA
1
7. D’après l’énoncé, Ze > 2kΩ, c’est-à-dire que RB //h11 > 2kΩ.

Or h11 > RB //h11 , donc h11 > 2kΩ, et comme hβ11 = IVC0 T
, alors :
βVT
> 2kΩ
IC0
Donc :
βVT
IC0 <
2kΩ
A.N.
IC0 < 2mA
8. Pour IC0 = 1mA, on trouve gm = 0, 04A/V

9. On a : |Av | = gm (RC //RL ), donc :
150
RC //RL = = 3750Ω
0, 04
Ce qui donne : RC = 5kΩ, et RE = 1kΩ
10. VCC = RC IC0 + VCE0 + RE IC0 .
VCE0 = VCC − IC0 (RC + RE ) = 6V
11. D’après la loi des mailles, on a : R1 IP = VBE0 +RE IC0 , on en déduit :
VBE0 + RE IC0
R1 = = 27, 2kΩ
10IB0
D’autre part, VCC = R2 I2 + R1 IP , alors VCC = 11IB R2 + 10IB R1 ,
on trouve :
VCC − 10IB0 R1
R2 = = 149, 8kΩ
11IB0
12. La droite de la charge statique :

VCE VCC
IC = − +
RC + RE RC + RE
IC [mA] = −0, 16VCE + 0, 16VCC
13. D’après le schéma équivalent de la question 2, on peut écrire :
vCE (t)
iC (t) = −
RC //RL
Or, on sait que : IC (t) = IC0 + iC (t) et VCE (t) = VCE0 + vCE (t).
Alors :
1
IC (t) = IC0 − .vCE (t)
RC //RL
2
Figure 1 –
Ce qui donne aussi :

1
IC (t) = IC0 − .(VCE (t) − VCE0 )
RC //RL
On trouve finalement :
−VCE (t) VCE0
IC (t) = + + IC0
RC //RL RC //RL
L’équation de la droite de charge dynamique est donc :
IC (t)[mA] = −0, 26VCE (t) + 2, 6
14. Voir figure 3.

Non, l’excursion de la tension de sortie n’est pas symétrique.
15. D’après le graphe de la figure 3, on peut en déduire facilement que
VSmax = 10 − 6 = 4V .
3
Figure 2 –
Figure 3 –
4
Examen d’électronique Analogique

Session Normale
Durée : 1H 30min
Correction
Exercice1.
1. La diode est bloquée si VD < V0
D’après la loi des mailles, on peut écrire : Ve = RI + VD + E, ce qui
donne Ve = VD + E, car I = 0 (Diode bloquée, voir figure 1)
Donc : VD = Ve − E
Alors, la diode est bloquée si Ve − E < V0 ⇒ Ve < V0 + E.
D’après le schéma équivalent de la figure 1, on en déduit aisément
que VS = Ve :
2. Puisque le diode ne peut avoir que deux états, on peut conclure di-
rectement que la diode est passante si Ve > V0 + E
Le schéma équivalent du circuit, lorsque la diode est passante, est
donné à la figure 2. La loi des mailles donne :
Ve = RI + VD + E, avec VD = V0 + rD I et VS = VD + E.
En combinant les deux premières relations, on obtient :
VD − V0
Ve = R. + VD + E
rD
Alors
R R R R
Ve = VD .( + 1) − Ve = (VS − E).( + 1) −
rD rD .V0 + E rD rD .V0 + E
Ce qui donne finalement :
rD R
VS = .Ve + .(V0 + E)
R + rD R + rD
Pour répondre à cette question, on peut également appliquer le théo-

rème de Millman :
Ve V0 +E
R + rD
VS = 1 1
R + rD
Ce qui aboutit au même résultat.

3. Voir la figure 3
4. Voir la figure 4
1
Exercice2.
VBE0
1. On a : VCE0 = R1 .I1 + VBE0 , or I1 = IB0 + R2 .
et
VCC = RC (IC0 + I1 ) + VCE0 (1)

Donc :
VBE0

VCC − RC .IC0 − RC .I1 = R1 IB0 + + VBE0
R2
Ce qui donne :
R1 + RC IC0

VCC − VBE0 − VBE0 = (R1 + RC ) + RC .IC0
R2 β
Finalement :
 
R1 +RC
VCC − VBE0 1 + R2
IC0 = β   (2)
(RC + R1 ) + β.RC
2. La tension VCE0 est donnée par la relation 1.

3. D’après la relation 2, le point de fonctionnement est stabilisé si l’on
prend :
β.RC >> R1 + RC
En tenant compte de cette condition, le courant IC0 devient :
 
R1 +RC
VCC − VBE0 1 + R2
IC0 =   = 10, 2mA
RC
Et la tension VCE0 est :
VCE0 = VCC − RC .IC0 = 6, 9V
4. Voir le schéma de la figure 5

5. Exprimons d’abord la tension de sortie vs en fonction de iB . En ap-
pliquant la loi des mailles et la loi des noeuds, on trouve :
ve = h11 .iB = R1 .i1 + vs ; vs = −i (RL //RC ) et i + i1 = β.iB . Alors :
ve − vs

vs = (i1 − β.iB ) RLC = RLC − β.iB .RLC
R1
avec, RLC = RL //RC .
Ce qui donne : vs (R1 + RLC ) = RLC (h11 − β.R1 ) iB .
D’où l’expression :
(h11 − β.R1 ) RLC
vs = .iB
R1 + RLC
2
Le gain en tension est donc :

vs (h11 − β.R1 ) RLC
Av = = = −41, 625
ve (R1 + RLC ) h11
ve
6. La résistance d’entrée est par définition : Ze = ie , avec :
h11 .iB
ie = iB + i1 + i2 = iB + (β.iB − i) +
R2
Donc :
vs h11 .iB
ie = iB (β + 1) + +
RLC R2
h11 (h11 − β.R1 ) RLC 1

= iB β + 1 + + .iB .
R2 R1 + RLC RLC
c-à-d,
h11 h11 − β.R1

ie = β + 1 + + .iB
R2 R1 + RLC
Finalement,
ve h11 (R1 + RLC )
Ze = = = 183, 74Ω
ie RLC β + 1 + hR112 − h11 + R1 + h11 .R1
R2
7. La loi des noeuds appliquée au circuit de la figure 6 donne :

vs
is + i1 = + β.iB (3)
RC
vs = −i1 (R1 + R) = RC .i (4)
i1 + iB + ig = 0 (5)
avec, ig est le courant qui circule dans la branche R2g = R2 //Rg . En
tenant compte des relation 5 et 4, on peut écrire :
!
h11
i1 = −iB 1+
R2g
et !
h11 1
i = iB 1+ . . (R1 + R)
R2g RC
En tenant compte de la relation 3, on écrit :
( ! !)
h11 1 h11
is = iB β+ 1+ + (R1 + R) 1 +
R2g RC R2g
( ! )
h11 R + R1
= iB β+ 1+ 1+
R2g RC
3
Sachant que : !
h11
vs = (R + R1 ) 1 + iB
R2g
Alors,

h11
vs (R + R1 ) 1 + R 2g
Zs = = = 390, 2Ω
is β + 1 + R2g 1 + R+R
h11 1
RC
4
Figure 1 –
Figure 2 –
Figure 3 –
5
Figure 4 –
Figure 5 –
6
Figure 6 –
7
Examen d’électronique analogique

Durée : 1H 30min
Correction
Questions de cours Voir votre cours
Exercice1.
1. Voir votre cours
2. Regardez votre cours :
RL Em V0
Vmoy = .{ − }
RL + rD π 2
A.N.
Vmoy = 4, 018V
3.
2 ( 2
1 RL E T 1

2
VSef f = − 2t1 − (−2. sin 2ωt1 )
T RL + rD 2 2 2ω
)
T 2V0 E

+ V02 − 2t1 + (−2. cos ωt1 )
2 ω
2 ( 2 )
1 RL E T 1 V 2T 2V0 E

2
VSef f = + .2ωt1 + 0 − 2.
T RL + rD 2 2 ω 2 ω
2 ( 2 )
1 RL E T V 2T 4V0 E

2
VSef f = + 2t1 + 0 −
T RL + rD 2 2 2 ω
2 ( 2 )
1 RL E V 2 4V0 E

2
VSef f = + 0 −
T RL + rD 4 2 2π
Finalement :
s
RL E 2 V02 4V0 E
VSef f = + −
RL + rD 4 2 2π
A.N. :
VSef f = 6, 4V
1
4. Voir votre cours :

q
2 2
VSef f − Vm
τ= = 1, 23
Vm
τ nous renseigne sur la qualité du signal redressé. Ce facteur est
d’autant plus faible que la tension redressée se rapproche de la tension
continue (valeur moyenne)
5.
Z T
1
Pe = ve (t).i(t) dt
T 0
Dans le cas où la diode est remplacée par son modèle linéarisé, la
relation précédente devient :
Z T
1 ve − V 0

Pe = ve (t). dt
T 0 RL + rD
ve2
Z T Z T
1 1 ve .V0
Pe = dt − dt
T 0 RL + rD T 0 RL + rD
E2
Z T Z T
1 1 − cos 2ωt V0 E
Pe = dt − sin ωt dt
T RL + rD 0 2 T (RL + rD ) 0
T
Le premier intégrale égale à 2 et le deuxième est égale à zéro.
L’équation précédente donne :
1 E2 T 1 E2

Pe = = .
T RL + rD 2 2 RL + rD
Pe = 0, 43W
Exercice2.
1. La diode est bloquée si :
VD < 0, 7V (1)
En utilisant le schéma équivalent (voir figure 1), le courant i = 0 et

ve = E0 − V0 . L’équation (1) s’écrit alors :
E0 − ve < 0, 7
Ce qui donne finalement :
ve > 3, 3V
Dans ce cas, la tension de sortie est (voir figure 1) :
vs = ve
2
Figure 1 –
Figure 2 –
2. D’après la question précédente, on peut en déduire que la diode est

passante si ve < 3, 3V , et la tension de sortie dans ce cas est (voir
figure 2) :
vs = 3, 3V
La caractéristique de sortie est donnée à la figure 3.
3. L’allure de la tension de sortie est donnée à la figure 4.
3
Figure 3 –
Figure 4 –
4

Session Normale
Durée : 1H 30min
Correction
Exercice1.
√
1. Si Ve > 0, la diode sera passante et Vs = Ve = 10 2. sin ωt.
2. Si Ve < 00, la diode bloquée et Vs = 0.
3. Regardez votre cours dans le cas où la diode est remplacée par son
modèle idéale.
4. Regardez votre cours :
√
1
Z T /2 √ 10 2
VSmoy = . 10 2. sin ωt dt =
T 0 π
5. Le taux d’ondulation :
q
2 2
VSef f VSef f − VSmoy
τ= =
VSmoy VSmoy
Calculons VSef f ,
Z T /2 √ !2
2 1 10 2
VSef f = . VS2 dt =
T 0 2
Le taux d’ondulation est finalement :

r 2 √ 2
10 10 2
√
2
− π
τ= √ = 1, 21
10 2
π
Le paramètre τ nous renseigne sur la qualité du signal redressé. Ce

facteur est d’autant plus faible que la tension redressée se rapproche
de la tension continue (valeur moyenne)
6. Le rendement
Pu
η=
Pe
avec, Pu est la puissance utile et Pe est la puissance à l’entrée du
redresseur. √ !2
2
VSmoy 1 10 2
Pu = = .
R R π
La puissance Pe est donnée par :
Z T Z T
1 1 Vs (t)
Pe = . Ve (t) .i(t) dt = . Ve (t) dt
T 0 T 0 R
1
Ce qui donne :
Z T /2
1 Vs (t)
Pe = . Ve (t) .i(t) dt
T 0 R
Car Vs = 0 entre [T /2, T ]
Finalement :
Z T /2 √ !2
1 1 10 2 1
Pe = . Ve2 dt = . √ = .100
T 0 2R 2 2R
Le rendement est donc :

√ 2
1 10 2
R. π
η= 100 = 0, 4
2R
7. Le rendement est faible, ce qui veut dire qu’on a une perte de puis-
sance, donc de l’énergie ! c’est dans le but de minimiser cette perte
d’énergie que l’on conçoit des redresseurs double alternance où le
rendement peut atteindre 0, 8.
Exercice2.
1. Si la diode est bloquée, on obtient le schéma équivalent de la figure
1. Il s’agit d’un pont diviseur de tension, la sortie us est donnée par :
R
us = .u
R + Rp
Alors
u
us =
2
2. Lorsque le diode est passante, le circuit peut être remplacer par le
schéma équivalent de la figure 2. En appliquant le théorème de Mill-
man, on obtient :
u uZ
Rp + RZ
us =
1 1 1
Rp + RZ + R
On obtient alors :
Rp
1 RZ
us = .u + .UZ
1 1
1 + Rp RZ + R 1+ Rp R1Z + 1
R
On obtient alors l’équation d’une droite :
us = 0, 0082.u + 5, 07
2
Figure 1 –
Figure 2 –
3. Voir la figure 3
4. En appliquant la loi des mailles, on peut écrire :
us = VZ + RZ .IZ = u − RP (I + IZ )
Etant donné que pour cette question RZ ' 0, on obtient :

VZ

u = VZ + RP IZ +
R
Alors
VZ

umin = VZ + RP IZmin + = 15, 32V
R
et
VZ

umax = VZ + RP IZmax + = 25, 32V
R
3
Figure 3 –
4

Durée : 1H 30min
Correction
Exercice1.
1. Pour simplifier l’analyse du circuit.
2. Voir la figure 1, avec
R2 .ve
ET h =
R1 + R2
et
R1 .R2
RT h =
R1 + R2
3. La loi des mailles donne :ET h = RT h .i + VD1 + E0 ,
aussi :ET h = RT h .i − VD2 − E0 .
Les deux diodes sont bloquées ⇒ i = 0, ce qui implique que :
ET h = VD1 + E0 = −VD2 − E0
D1 est bloquée si VD1 < 0, 6V , donc si :

R1 + R2
ve < (E0 + 0, 6)
R2
De même, D2 est bloquée si VD2 < 0, 6V , donc si :
R1 + R2
ve > − (E0 + 0, 6)
R2
Alors, les deux diodes sont bloquées si :
R1 + R2 R1 + R2
− (E0 + 0, 6) < ve < (E0 + 0, 6)
R2 R2
Voir la figure 2.
4. Si D1 et D2 sont bloquées, le circuit peut être remplacé par le schéma
équivalent de la figure 3. Dans ce cas :
R2 .ve
vs = ET h =
R1 + R2
Donc :
ve
vs =
2
1
Si D2 est passante et D1 bloquée, le schéma équivalent du circuit est

donné à la figure 4. On en déduit que :
vs = − (V0 + E0 ) = −4, 6V
Idem, si D1 est passante et D2 bloquée, la tension de sortie dans ce

cas est :
vs = V0 + E0 = 4, 6V
D’où la caractéristique de transfert donné à la figure 5.
5. L’allure de la tension de sortie est donnée à la figure 6.
Exercice2.
1. Il s’agit d’un montage en collecteur commun. Le schéma équivalent
de Thevenin du circuit de polarisation est donné à la figure 7, avec :
R2 VCC
ET h =
R1 + R2
et
R1 R2
RT h =
R1 + R2
D’autre part, VCC = VCE0 + (Re1 + Re2 ) IC0 + RC IC0 , donc
VCC − (VCE0 + Re2 IC0 + RC IC0 )

Re1 =
βIB0
A.N.
Re1 = 500Ω
La loi des mailles appliquée à la maille d’entrée nous donne :
ET h = RT h IB0 + VBE0 + (Re1 + Re2 ) IC0
Donc,
R1 R2 VCC R1 R2
. = IB0 + VBE0 + RE .β.IB0
R1 R1 + R2 R1 + R2
avec, RE = Re1 + Re2
RB
.VCC = RB .IB0 + VBE0 + RE .β.IB0
R1
Finalement, la résistance :
VBE0 + RE .β.IB0

RB = R1 .
VCC − R1 .IB0
2
A.N.
RB = 31, 7kΩ
Or,
1 1 1
= +
RB R1 R2
Ce qui implique que :
1 1 1
= −
R2 RB R1
A.N.
R2 = 49, 09kΩ
2. Le schéma équivalent dynamique est donné à la figure 8.
3. D’après le schéma équivalent, on peut écrire que : vs = (ρ//RE //RL ) (1 + β) iB
et que ve = h11 .iB + vs . Le gain en tension est donc :
vs (ρ//RE //RL ) (1 + β)
Av = = = 0, 985
ve h11 + (ρ//RE //RL ) (1 + β)
et le gain en tension à vide est :
vs (ρ//RE ) (1 + β)
Av0 = = = 0, 991
ve h11 + (ρ//RE ) (1 + β)
4.
ve h11 + (ρ//RE //RL ) (β + 1)
Ze = = = 27, 09kΩ
ie RB + h11 + (ρ//RE //RL ) (1 + β)
5. Modifions le schéma équivalent pour pouvoir calculer la résistance de
sortie (voir la figure 9).
vs
Zs = |R →0,eg −→0
is L
vs
avec, vs = − [h11 + (Rg //RB )] iB et is = − (β + 1) iB + ρ//RE
Donc :
h11 + (Rg //RB )
Zs = h +(R //R )
11 g B
ρ//RE + (β + 1)
Que l’on peut également sous forme :
h11 + (Rg //RB ) . ρ//RE

(β+1)
Zs = h11 +(Rg //RB )
(β+1) + ρ//RE
Donc,
h11 + (Rg //RB )

Zs = //(ρ//RE ) = 34, 83Ω
(β + 1)
3
Figure 1 –
Figure 2 –
Figure 3 –
4
Figure 4 –
Figure 5 –
5
Figure 6 –
Figure 7 –
6
Figure 8 –
Figure 9 –
7

Session Normale
Durée : 1H 30min
Correction
Exercice1.
1. D1 est bloquée si vD1 < 0, donc si : ve − v1 − R2 .i2 < 0, c-à-d si
ve − v1 < 0, car i2 = 0.
Alors, la diode est bloquée si :
ve < 5V
Idem, D2 est bloquée si ve < v2 , donc si :
ve < 8V
2. D’après le schéma équivalent (Figure 1), on peut écrire que : ve =

R1 .ie . Donc :
1 ve
ie = .ve = [mA] (1)
R1 5
3. On a bien montré que si ve < 5V , les deux diodes sont bloquées et
que ie en fonction de ve est donné par l’équation 1.
Si la tension d’entrée est comprise entre 5V < ve < 8V , alors D1 est
passante et D2 bloquée. Dans ce cas, on peut écrire que :
1 1 v1

ie = ve + − = (ve − 4) [mA] (2)
R1 R2 R2
Si ve > 8V , les deux diodes sont passantes et :
1 1 1 v1 v2

ie = ve + + − −
R1 R2 R3 R2 R3
d’où :
ie = (2ve − 12) [mA] (3)
La caractéristique ie en fonction de ve est donnée à la figure 2.
Exercice2.
1. Il s’agit d’un montage en Base commune, il est caractérisé par une
faible résistance d’entrée, un gain en tension élevé et un gain en cou-
rant maximal égal à 1.
1
2. Voir le circuit de polarisation de la figure 3.
VBM = R2 .IP = VBE + RE .IE
Donc, 10.R2 .IB = VBE + RE .IE . Ce qui donne :

β VBE

R2 = + RE
10 IC
A.N.
R2 = 11, 5kΩ
D’autre part, VCC = R1 .I1 + R2 .IP , donc :
β.VCC 10.R2
R1 = −
11.IC 11
A.N.
R1 = 23, 63kΩ
3. Le schéma équivalent dynamique est donné à la figure 4.

4. On a : ve = −h11 .iB et :
vs = −ic (RL //RC )

= ve + ρ (iC − β.iB )
= −h11 .iB + ρiC − ρβiB
Donc :
h11 + ρβ

iC = iB = α.iB
ρ + RL //RC
A.N.
α = 96, 38
5. Le gain en tension est défini par :

vs h11 + ρβ −1

Av = = − (RL //RC ) .
ve ρ + RL //RC h11
Alors :
(RL //RC ) h11 + ρβ

Av = .
h11 ρ + RL //RC
Le gain en tension à vide est :
RC h11 + ρβ

Av0 = .
h11 ρ + RC
A.N.
Av0 = 183, 72
2
6. Le courant d’entrée est :

ve −h11 .iB −h11
ie = −(iC + iB ) = −(α.iB + iB ) = .iB −(1 + α) iB
RE RE RE
Donc, la résistance d’entrée est :
ve −h .i
Ze = = 11 B
ie −iB hR11 + α + 1
E
Finalement,
h11 .RE
Ze =
h11 + RE (α + 1)
A.N.
Ze = 6, 37Ω
7. Modifions le schéma équivalent pour pouvoir calculer la résistance de

sortie (voir figure 5). Commençons par calculer iC en fonction de iB .
−h11 .iB = R//RE (iC + iB )
Donc :
h11 + R//RE

iC = − iB = −γ.iB
R//RE
A.N.
γ = 14, 125
Par ailleurs,
vs = −h11 .iB + ρ (iC − β.iB )

= −iB (h11 + ργ + ρβ)
Et
vs
is = + iC
RC
Alors,
vs h11 + ργ + ρβ
Zs = = h11 +ργ+ρβ
is R +γ
C
A.N.
Zs = 1, 19kΩ
3
Figure 1 –
Figure 2 –
4
Figure 3 –
Figure 4 –
Figure 5 –
5

Correction
Exercice 1.
1. D1 est bloquée si VD1 < 0 (modèle idéal), donc si

Ve − RI − Ve − E1 − R1 I1 < 0.
Les deux diodes sont bloquées −→ I = I1 = I2 = 0.
L'équation précédente devient alors : Ve < E1
Pour que D2 soit bloquée, il faut que Ve < E2 , et puisque E2 > E1 ,
il sut alors que Ve < E1 pour que les deux diodes soient bloquées.
D1 est passante si Ve > E1 .
2. Vs = Ve .
e −E1
3. D2 est bloquée si Ve < E2 + RI ; avec I = I1 = VR+R 1
.
⇒ Ve < R1 · E2 − E1 ⇒ Ve < 2E2 − E1 si R1 = R.
R+R1
Ve −E1
4. Vs = R1 I1 + E1 = R1 · R+R1 + E1 ⇒ Vs = Ve
2 + 2 .
E1
5. Les deux diodes sont passantes si Ve > 2E2 − E1 .

6. Vs = Ve − RI = Ve − R(I1 + I2 ) ⇒ Vs = Ve − R( VsR−E
1
1
+ Vs −E2
R2 )
R2 R2 E1 +RE2
Vs = 2R2 +R · Ve + 2R2 +R
7. α = 1/4 −→ R2
2R2 +R = 1/4 ⇒ R2
R = 12 .
8. VSmax = 22, 5V voir la gure 1.
Exercice 2.
1. (a) Collecteur commun : gain en tension voisin de 1, gain en courant

élevé, impédance d'entrée élevée, impédance de sortie faible, le
montage est souvent utilisé comme adaptateur d'impédance.
(b) Bloquer la composante continue vis à vis du générateur d'attaque
et de la charge.
(c) D'après la loi des mailles :
2VCC = Rb IB + VBE0 + Re IC
2VCC − (VBE0 + Re IC )
Rb = = 522kΩ
IB
2. (a) Voir la gure 1
(b)
vs = iB (1 + β)(Re //RL )
ve = h11 iB + (1 + β)(Re //RL )iB
1
Alors :
vs (1 + β)(Re //RL )
Av = =
ve h11 + (1 + β)(Re //RL )
Av = 0, 99
L'impédance d'entrée :
ve [h11 + (1 + β)(Re //RL )]iB

Ze = = ve
ie Rb + iB
Ze = [h11 + (1 + β)(Re //RL )]//Rb = 331kΩ.

(c)
vs = −iB (Rg //RB + h11 )
et
vs
is = − iB (1 + β)
Re
Ce qui donne :
vs (Rg //RB + h11 )Re

Zs = =
is (Rg //RB + h11 ) + (1 + β)Re
prenons : r = (Rg //RB ) + h11
rRe
Zs =
r + (1 + β)Re
r
Re 1+β
Zs = r
Re + 1+β
en prenant R0 = 1+β ,
r
l'expression devient :
Zs = Re //R0 ;
2
Figure 1 le schéma équivalent
3

Correction
Exercice 1.
1. Voir votre cours

2. La diode est bloquée si
VD < V0 (1)
La loi des mailles donne : ve = E1 − VD − R.i. La diode est bloquée,
i = 0, donc ve = E1 − VD . La relation 1 devient donc :
E1 − ve < V0
Finalement, la diode est bloquée si :
ve > 9, 3V
En remplaçant la diode par un interrupteur ouvert dans le circuit de
la gure 1.a, on peut en déduire que :
vs = ve
La diode est passante si :
ve < 9, 3V
Et dans ce cas, vs = E1 − VD = E1 − V0 , donc :
vs = 9, 3V
La gure 1 représente la caractéristique de sortie du circuit.
3. Voir la gure 2
4. Le courant dans le circuit apparait uniquement lorsque la diode est
passante, donc uniquement pendant la demi-période t2 !. Dans ce cas,
Imax correspond à Vmax = −20V . Appliquons la loi des mailles :
ve = E1 − VD − R.I
Donc :
E1 − VD − ve E1 − V0 − (−20)
I= ⇒ Imax =
R R
29, 3
⇒ Imax =
R
29, 3V
R= = 976, 6Ω
30mA
5.
Z t1 +t2
1
Imoy = Imax · dt
t1 + t2 t1
Imax
Imoy = · t2 = 18mA
t1 + t2
1
Exercice 2. Emetteur commun

1. On applique le théorème de Thevenin :
Rth = R + (R1 //R2 ) ≈ 16, 875kΩ
R2 Vcc
Eth = ≈ 3, 125kV
R1 + R2
l'équation de la maille d'entrée est :
Eth = Rth IB0 + VBE0 + RE IC
Ce qui donne :
Eth − VBE0
IB0 = ≈ 12, 31µA
Rth + βRE
et le courant
IC0 = βIB0 = 2, 21mA
La maille de sortie nous donne :
Vcc = RC IC0 + VCE0 + RE ICE0
VCE0 = Vcc − IC0 (RC + RE ) ≈ 2, 96V
2. Voir la gure 3
3. Voir la gure 4, nous avons pris RE
0 = R //(R //R )
E 1 2
4. D'après le dernier schéma équivalent :
vs = −(RC //RL )ic
et
0
ve = h11 ib + RE (ib + ic )
avec
0
RE (ib + ic ) = −ρ(ic − βib ) + vs
cette dernière équation donne :
0
ρβ − RE
ic = 0 + ρ + (R //R ) · ib = αib
RE C L
Le gain en tension :
vs (RC //RL )α
Av = =− 0 (1 + α)
ve h11 + RE
2
5. la résistance d'entrée :
ve 0
Ze = = h11 + RE (1 − α)
ie
6. Voir le schéma équivalent de la gure 5 pour calculer la résistance de

sortie
0
vs = ρ(ic − βib ) + RE (ib + ic )
avec
0
−(h11 + Rg )ib = RE (ib + ic )
nous trouvons une autre relation entre ic et ib :
0 +h +R
RE 11 g
ic = − 0 ib = −γib
RE
La tension de sortie devient :

0
vs = ρ(−γib − βib ) + RE (ib − γib )
0
vs = [−ρ(γ + β) + RE (1 − γ)]
La résistance de sortie est donc :
vs vs
Zs = = vs
is RC + ic
[RE0 (1 − γ) − ρ(γ + β)]R

C
Zs = 0
RE (1 − γ) − ρ(γ + β) + γRC
3
Figure 1 caractéristique de transfert
Figure 2 la tension de sortie
Figure 3 schéma équivalent 1
4
Figure 4 schéma équivalent 2
Figure 5 schéma équivalent pour calculer la résistance de sortie

Annales E A DS2

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Annales E A DS2

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Université Mohamed Premier

Ecole Nationale des Sciences Appliquées

(1) (2) (3) (4)

Exercice II : Diode2 (3 points ≈15mn).

Exercice III : Transistor bipolaire (4 points ≈20mn).

Considérons le circuit ci-contre.

A. EL MOUSSATI DS2 Electronique Analogique 2017/2018 Page 1

On prend : VBE = 0,6V, β= 150, VCC = 12V, R1 = R2 = 10kΩ, Re =1kΩ

et Rc = 1kΩ, Rg = 5kΩ RL = 1kΩ, h11=1kΩ, h22 = h12 = 0.

A. EL MOUSSATI DS2 Electronique Analogique 2017/2018 Page 2

moyennes, prenons h22 = h12 = 0.

8. Calculer le gain en tension de l'étage Av = Us/Ue. En déduire le gain en tension à vide

9. Calculer la résistance d'entrée Ze et l’impédance de sortie du montage Zs.

A. EL MOUSSATI DS2 Electronique Analogique 2016/2017 Page 1

A. EL MOUSSATI DS2 Electronique Analogique 2016/2017 Page 2

Devoir surveillé : Electronique Analogique

Questions de cours (3 points).

1. Quelle est l'application typique d'une diode Zener ?

retenir lors du choix d'un tel circuit.

1. Quelle est la condition sur Ve pour que la diode soit bloquée ?

2. Tracer la caractéristique Vs en fonction de Ve.

A. EL MOUSSATI DS Electronique Analogique 2015/2016 Page 1

donné par le montage de la figure ci-dessous. Il utilise, à T = 25 ºC, un transistor caractérisé

par : β = 100, VBE = 0.6V. Données : RC = 1.2 kΩ, RE = 1 kΩ, R = 50 Ω et RL = 6 kΩ.

A. EL MOUSSATI DS Electronique Analogique 2015/2016 Page 2

Ecole Nationale des Sciences Appliquées

Devoir surveillé : Electronique Analogique

Mardi 9 Juin 2015 16h15-17h45 1h30 sans documents

Filière : 2ème année STPI Année : 2014-2015

Exercice1 : Circuit à diode

1- En utilisant les trois modèles de la diode

Exercice 2 : Polarisation par la base

Une élévation de la température (de T1=25° à

A. EL MOUSSATI DS Electronique Analogique 2014/2015 Page 1

1- Donner l’expression de IB, IC et VCE.

2- Donner l’expression approximée de IC lorsque

RB<< βRE et VEE>>VBE

3-Donner l’avantage et l’inconvénient de ce

Exercice 4 : Polarisation par diviseur de tension

1- Donner l’expression de IB, IC et VCE.

2- Une élévation de la température (de T1=25° à

VCC= 20 V ; R1=110 KΩ ; R2=10 KΩ; RC=10 KΩ;

3- Donner l’expression approximée de IC lorsque

4- Donner l’avantage de ce montage.

A. EL MOUSSATI DS Electronique Analogique 2014/2015 Page 2

2ème Année du cycle préparatoire :

Examen d'électronique Analogique - Session de rattrapage

 Il sera tenu compte de la clarté de la rédaction.

Exercice On désire réaliser un amplicateur ayant un gain en tension

Figure 1  circuit amplicateur

Examen d'électronique Analogique - Session normale

 Il sera tenu compte de la clarté de la rédaction.

Exercice 1. On considère le montage de la gure 1. La diode est représen-

Exercice 2. La gure 2 donne le schéma d'un amplicateur à transistor.

Données : VCC = 12V , RC = 500Ω, RL = 2kΩ, R1 = 10kΩ, R2 = 1kΩ et

Figure 1  Ecrêteur à diode

Figure 2  Amplicateur à transistor

Examen d'électronique Analogique - Session de rattrapage

 Il sera tenu compte de la clarté de la rédaction.

1. Quelle est la diérence entre un conducteur, un isolant et un semi-

Exercice 1. Le √circuit de la gure 1 est alimenté par un générateur de

Exercice 2. On considère le circuit de la gure 2. On prenda pour la diode

Figure 1  redressement mono-alternanace

Il sera tenu compte de la clarté de la rédaction.

Exercice On désire réaliser un amplicateur ayant un gain en tension

Figure 1 circuit amplicateur

Il sera tenu compte de la clarté de la rédaction.

Exercice 1. On considère le montage de la gure 1. La diode est représen-

Exercice 2. La gure 2 donne le schéma d'un amplicateur à transistor.

Figure 1 Ecrêteur à diode

Figure 2 Amplicateur à transistor

Il sera tenu compte de la clarté de la rédaction.

1. Quelle est la diérence entre un conducteur, un isolant et un semi-

Exercice 1. Le √circuit de la gure 1 est alimenté par un générateur de

Exercice 2. On considère le circuit de la gure 2. On prenda pour la diode

Figure 1 redressement mono-alternanace

Figure 2 écrêteur à diode

Il sera tenu compte de la clarté de la rédaction.

Exercice 1. Soit le circuit de la gure 1. La tension d'entrée Ve est sinusoï-

Exercice 2. Soit le montage de la gure 2. La diode Zéner a pour carac-

Figure 1 redressement mono-alternanace

Figure 2 stabilisateur de tension par diode Zéner

1. En se basant sur un schéma simplié, décrire le principe de fonc-

Exercice 1. On considère le circuit de la gure 1. On prenda pour la diode

Exercice 2. Le schéma d'un étage amplicateur à transistor est donné à

Figure 1 écrêteur à diode

Figure 2 Amplicateur à transistor

1. En se basant sur un schéma simplié, décrire le principe de fonc-

Exercice 1. On considère le circuit de la gure 1. On prenda pour les deux

Exercice 2. Le schéma d'un étage amplicateur à transistor, alimenté sous

7. Calculer l'impédance de sortie de l'amplicateur Zs .

Figure 1 générateur à diode

Figure 2 Apmlicateur à transistor

Exercice 1. Soit le circuit de la gure 1. On prenda pour les deux diodes

Exercice 2. On se propose d'étudier le montage élémentaire de la gure 3

Figure 1 écrêteur à diode

Figure 2 caractéristique sortie-entrée

Figure 3 Amplicateur à transistor

Exercice 2. Le schéma d'un étage amplicateur à transistor est donné à

Figure 1 écrêteur à diode

Figure 2 Amplicateur à transistor