A.

U : 2022-2023
Ecole Nationale des Sciences
Appliquées de Safi
Uniiversité Cadi Ayyad

TD 6 : Electronique Analogique

Exercice 1
Le transistor dans le montage ci-contre travaille en régime de commutation.
1. Déterminer le courant de saturation ICsat .
2. Quelle est la valeur de IB(min) nécessaire pour produire la saturation.
3. Quelle est la valeur minimale de Ve nécessaire pour produire la saturation.
β =150 , Vcc =5V , RB=1MΩ , RC=10kΩ et VBE=0.7V .

Exercice 2
Calculer les résistances nécessaires à la polarisation d’un transistor NPN dans chacun des
deux montages suivants.
On donne VBE=0.7V, β=100, Vcc = 10V et on désire que le point de fonctionnement soit fixé
à VCEQ=5V, ICQ= 1mA.

Exercice 3

1) Faire la transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son

équivalent de Thévenin et calculer Eth et Rth
2) Etablir l’expression de IE.

1
3) Calculer IE pour β = 100 et β’=110.
4) Calculer IC, VE, VC, VCE et VB
On donne VBE = 0,7V, VCC = 15V, R1 = 10k et R2 = 100k. RC  10k  RE  1k 
  100

Exercice 4
Calculer lB, IC, IE et VCE et donner l’état du transistor.
Prendre VCE(sat)=0, β=100 et VBE=0.7V