Génie Electrique

Année Universitaire
2023-2024

TD Nº2: Les Transistors bipolaires

Exercice 1

Calculer les résistances nécessaires à la polarisation

d’un transistor NPN au silicium dans chacun des deux
montages suivants. On donne   100 , Vcc  10V et on
désire que le point de repos soit fixé à VCE0  5V ,
I C0  1mA et VBE0  0.7V .

Exercice 2

On donne RB = 430 KΩ, R C = 2 KΩ, RE = 2KΩ

β = 100, VBE = 0,7 V. Vcc = 15 V
Calculer Les coordonnées du point de fonctionnement IC0,
VCE0 ,
Calculer les potentiels VC, VB et VE.
Tracer la droite de charge statique et le point de fonctionnement.

Exercice 3

On considère le montage ci-contre (dit montage Darlington)

β1  100 , β 2  50 , Vcc  12V , R B  100kΩ , VBE  0.7V .
- Etablir une relation entre I B1 et I C2 .
- Calculer la tension VB1M . Que peut-on conclure ?
- Si I C2  50mA , calculer la tension E B et la
puissance consommée par chaque transistor.

Exercice 4

Un transistor NPN au silicium est utilisé dans le montage ci-contre.

On donne β  120 , E C  12V , VBE  0.7V , R B  50kΩ , R C  1kΩ . La FEM
E B croit lentement de -5V à +15V.
-Déterminer à partir de quelles valeurs de E B le transistor cesse
d’être bloqué, puis le transistor commence à être saturé.
- Construire les graphes I C  f (E B ) et VCE  f (E B )

Pr: Meryem Khissi