Université Sidi Mohammed Ben Abdallah Année universitaire 2016-17

Faculté des Sciences et Techniques Fès

Département de Génie Electrique

Travaux dirigés d’électronique MIP

Série n° : 6

Les exercices marqués (***) devront être cherchés avant la séance de T.D.
durant laquelle ils feront l'objet d'une correction rapide.

Exercice 1:

Le transistor T est caractérisé par un gain statique en courant =150 et une tension
VBE=0,7V.
On désire obtenir pour le point de polarisation IC=2,5mA, VCE=6V et VEM=2V.
1. Polarisation avec résistance d’émetteur :
a. Calculer les valeurs des résistances RB, RC et RE.
b. On remplace le transistor T par un autre transistor T’ de la même famille mais
dont le gain statique en courant = 200.
Calculer le nouveau point de polarisation du transistor en conservant la valeur des
résistances calculées précédemment. Conclure.

Figure 1.
2. Polarisation par pont diviseur de tension :
Pour fixer le potentiel de base (IB faible devant Ip), on choisira R 1 et R2 telles que
I p  10  I B .
a. Calculer les valeurs des résistances R 1, R2, RC et RE.
b. Reprendre la question 1.b et faire une comparaison entre les deux types de
polarisation.

Figure 2.

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Exercice 2:

Calculer les courants IB et IC, tension de sortie Vs et puissance dissipée dans le transistor
dans les deux cas suivants : Ve=0V et Ve=12V.
On donne les paramètres de circuits et de transistor : R B=240 Ω, RC=5 Ω, VCC=12V, VBE=0.7V,
VCEsat=0.1V, β=75.

Figure 3.

Exercice 3:(facultatif)

Le générateur de tension continue Ve vaut 15V. R1 = 10 kΩ et R2 = 220 Ω. La diode Zener est

considérée idéale (VZ0=8,2V, E0=0,6V). Le transistor bipolaire est au Silicium VBE = 0,6 V et
=100.

Figure 4.
1. De quel transistor bipolaire s'agit-il en question ? Indiquer le sens réel des courants IC,
IB et IE.
2. Représenter la courbe caractéristique (I-V) de la diode Dz, préciser les schémas
équivalents électriques de la diode dans les différents états.
3. Déterminer numériquement les courants I1, I2, IB, IC, IZ et VS ainsi que la tension VCE.
4. Dans quel régime le transistor fonctionne-t-il ?
5. Dans quel état est la diode Zener ? On notera le sens de IZ ?
6. Calculer la puissance dissipée par le transistor ?

Ve reste constante à 15V, mais R2 varie de 220 Ω à 470Ω.

7. Montrer que la diode Zener est encore passante en inverse.

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Correction de la série n°: 6

Exercice 1:

1. Polarisation par résistance de base

a. Les valeurs de RB, RC et RE
- En appliquant la loi des mailles pour la maille de sortie, on a :
Vcc  RC I C  VCE  VEM

d'où R  VCC  VCE  VEM et R  VEM  VEM  EM car >>1

V
C E
IC IE IC  I B IC
A.N:
4 2
RC   1,6k et RE   800
2,5.10 3 2,5.10 3

- Pour la maille d'entrée :

VBB  RB I B  VBE  VEM

d'où R  VBB  VBE  VEM  
VBB  VBE  VEM
B
IB IC

A.N:
RB  558k

b. Le nouveau point de fonctionnement

VCC  VBE  VEM
IC    3,33mA
RB

VCE  VCC  RC I C  RE I E  VCC  ( RC  RE ) I C  4V

IC
IB   16,7 A


VBE  0,7V

En résumé :
Pour le transistor T : VCE  6V ; I C  2,5mA;VBE  0,7V ; I B  16,671
1 1 1 1

Pour le transistor T' : VCE  4V ; I C  3,33mA;VBE  0,7V ; I B  16,671

2 2 2 2

On remarque que dans ce type de polarisation le point de fonctionnement dépend des paramètres
statiques du transistor.

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2. Polarisation par pont diviseur de tension

a. Calculons les valeurs de RC, RE,R1 et R2
Sur la figure 1, la maille de sortie étant la même que pour le circuit de la figure 2, les
équations donnant RC et RE peuvent être aussi utilisées, nous aurons donc :

A.N:
RC 
4
 1,6k et RE 
2
 800
2,5.10 3 2,5.10 3

D'autre part :
VCC  R1 I p  VBE  VEM
IC
I p  10  I B  10 

VCC  VBE  VEM
R1    55,8k
10  I C
De plus
9 R2 I B  VBE V EM
VBE  VEM
R2    18k
9IC

b. Le nouveau point de polarisation

D'après le théorème de Thévenin, on peut faire la transformation suivante :

 VCE  VCC  RC I C  RE I E  VCC  ( RC  RE ) I C

 ETh  RTh I B  VBE  RE I E

avec E R2
Th  VCC  2,93V ; RTh  R1 // R2  13,6k
R1  R2
E  VBE  I
IE  Th  2,58mA; I C  I E  2,56mA; I B  C  12,8A
RE 
RTh  1 
 1

VCE  VCC  RC I C  RE I E  VCC  ( RC  RE ) I C  5,85V ;VBE  0,7V

En conclusion:

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Le point de polarisation varie peu par rapport au montage par résistance de base. En
effet, l'erreur relative sur IC et VCE passe de 33% au premier cas à 2,5% pour le deuxième.

I C I C
 33%  2,4%
IC IC
VCE VCE
 33%  2,5%
VCE VCE

Le montage par pont de résistance est mieux adapté en pratique étant donné la dispersion des
gains en  pour une même famille de transistors, et leur variation avec la température.

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Exercice 2:
 D'après la loi des mailles appliquée au circuit d'entrée (de commande):

 Ve  V BE
IB
RB
En général pour des valeurs de Ve < VBE, le transistor est bloqué.

 Ve =0V, IB=0A , IC=0A , VCE=VCC  le transistor est bloqué.

Pas de dissipation de puissance dans le transistor.

 Ve = 12V=Vcc, supposons que le transistor est passant linéaire (mode actif) et cherchons
la valeur de la tension VCE, IB et IC.
 Ve  V BE
IB  0,047 A
RB
I C  I B  3,53 A
VCE  VCC  RC I C  5,65V  0
Notre hypothèse est fausse  le transistor est bien saturé.
La puissance dissipée dans le transistor est P=VCE.IC+VBE.IB=28W.

Exercice 3 ; (facultatif)
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1. NPN (Flèche émetteur sortante).

2.

3. Supposons que la diode Zener est passante :

Ve _ V Z 0
Ve  R1 I 1  VZ 0  I1   0,68mA .
R1

R2 I 2  R2 I E  VZ 0  VEB  VZ 0  VBE 
V  VBE
I2  IE  Z0  34,54mA
R2

I E  I C  I B  I B  I B  IB 
IE
 0,34mA
 1

I C  I B  34mA

I1  I Z  I B  I Z  I 1  I B  0,34mA

VS  R2 I 2  R2 I E  VZ 0  VBE  7,6V

VCE  Ve  VS  7,4V .

4. 0,2V < VCE < 15V

IC = 34, 20 mA

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IB = 0,34mA.
 Le transistor bipolaire fonctionne en mode actif.

5. Le courant IZ = 0,34 mA > 0. Donc, notre hypothèse est bien vérifiée,

 La diode Zener est passante.

6. La puissance dissipée dans le transistor est :

3
P  VCE I C  VBE I B  7,4  34  10  0,25W

7. Il faut chercher la relation qui lie IZ et R2 : I Z  f ( R2 )

R1 I 1  Ve  V Z 0
I1  I Z  I B
R2 I 2  V Z 0  V BE

R1 ( I 1  I B )  Ve  VZ 0
R2 (   1) I B  VZ 0  V BE

686,8  R2  7,6  10 4
IZ 
101  10 4  R2

R2=220Ω;  IZ=0,34mA > 0

R2=470Ω;  IZ=0,51 mA > 0

Donc la diode Zener est toujours passante.

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