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SMP S5 – 2020/2021
TD n◦ 1 d’électronique analogique
Exercice I :
On considère l’amplificateur à transistor de la figure 1.1. Le transistor est polarisé par
un pont de résistances :
RB1 = 135 kΩ, RB2 = 15 kΩ, RE = 1 kΩ, RC = 10 kΩ.
On donne : β = 100, VBE = 0, 5 V, Vcc = 15 V.
Vcc Vcc
RB1 RC RC
Rth
u e
s iq
RB2 RE
Vth
h y RE
p
Figure 1.1
d e
Figure 1:
Figure 1.2
ép
d
1. Montrer que les 2 schémas ( Figure 1.1 et Figure 1.2) sont équivalents, pour cela on
exprimera Vth et Rth en fonction de RB1 , RB2 et Vcc .
SM
2. Donner l’expression de la droite d’attaque et la droite de charge.
FS
3. Déterminer le point de fonctionnement IC et VCE en fonction de Rth et Vth , VBE , RE , Vcc
et β.
Exercice II :
On considère le montage à transistor de la figure 2. On donne les valeurs numériques :
RB = 170 kΩ, RC = 400 Ω, RE = 600 Ω, β = 150 et Vcc = 15 V.
Étude statique :
1. Déterminer le point de fonctionnement du transistor : IB0 , IC0 et VCE0 .
On suppose que le courant de la base est négligeable devant le courant du collecteur (β ≫ 1)
et on prend VBE = 0, 6 V.
Vcc
RB RC CL
CL
vs
u e
CB RE ve
s iq
h y
Figure 2:
p
h11 = 500 Ω, h12 = 0, β = 150 et h22 = 0.
d e
On donne les paramètres hybrides en émetteur commun du transistor :
ép
3. Les liaisons par CL et le découplage par CB sont supposés parfaits aux fréquences
d’utilisation.
d
Déduire le schéma dynamique faibles signaux du montage.
SM
4. Déterminer, en fonction des éléments du montage ainsi que les applications numériques
des paramètres suivants :
S
4.1.
F
4.2.
Le gain en tension à vide Av =
La résistance d’entrée Re .
vs
ve
.
5. On suppose que h22 n’est pas nul et on prend h22 = 0, 5.10−4 S (avec S≡ Ω−1 ).
5.1. Exprimer le courant ic en fonction de β, ib , ve , vs , et h22 .
5.2. Déterminer de nouveau l’expression du gain en tension à vide Av .
5.3. Calculer sa valeur numérique et conclure.
Vcc = 12 V
RC
RB
CL
C
T1
u eVs
Ve
T2
s iq
h y
Figure 3:
p
d e
1. Exprimer et calculer les valeurs numériques des courants continus dans les différentes
branches.
ép
2. Calculer RC et RB .
d
SM
3. Les transistors T1 et T2 forment un transistor équivalent T . Sachant que pour chaque
transistor on a : IC = βIB + (β + 1) ICB0 déterminer l’expression du courant ICB0 de T en
S
fonction de ICB01 de T1 et ICB02 de T2 . Exprimer aussi l’expression de β en fonction de β1
et β2 .
F
4. Considérons les composantes alternatives des courants, exprimer et calculer les nouveaux
paramètres hybrides du transistor T.
Exercice IV :
On étudie le montage amplificateur à transistor à effet de champ donné par le schéma de
la figure 4 . On considère que les capacités C1 , C2 et CG présentent une impédance négligeable
aux fréquences de travail. On tiendra compte dans le schéma équivalent du transistor à effet
de champ de la résistance rds .
VDD
RD C2
rg C1
Vs
u e Ru
eg Ve Rs CG RG
s iq
h y
p
Figure 4:
d
3. Donner l’expression de vs en fonction de vgs .
SM
4. Quel est la relation entre ve et vgs ?
S
5. Déterminer le gain en tension en charge Av =
F
vs
ve
is
7. En déduire le gain en courant Ai = ie
vs
8. Quel est le gain en tension du montage Avm = eg
?
FSSM/SMP – S5 4 Fin