Université Ibn Tofail Année Universitaire 2015/2016

Ecole Nationale des Sciences

Appliquées, Kénitra

Contrôle terminal

om
Module électronique analogique & numérique
Filières : RST & GE, Cycle Ingénieur (S1)
2 Heures
Questions de cours :
Donner la structure et le principe de fonctionnement d’un transistor MOSFET à enrichissement.
Problème :

c
Soit le montage de la figure 1 :

ro.
VCC

RD

C1
ri-p
T1
T2
C3

RE

Ve Vs
ka
RG RS C2

Figure -1-
b

I- Analyser le montage de la figure 1 :

II- Etude statique :
3a

On désire les valeurs de repos suivantes, avec : VCC = 20V, VGS = -1V pour T1 et IE = 5mA, VCE = 10V
pour T2.
En se basant sur les caractéristiques des transistors on a : ID = 3mA pour T1 et VBE = 0,2V, IB = 60μA.
Calculer les résistances de polarisation RD, RS et RE.
al

III- Etude dynamique :

Les paramètres des transistors, mesurés au point de repos, valent :
 Pour T1 : gm = 2.10-3S et rD = 6.106Ω.
 Pour T2 : h11e = 1,5KΩ, h12e = 0, h21e = 150, h22e = 125.10-6S.
w.

1. Etablir le schéma équivalent du montage pour l’alternatif.

2. Calculer sur ce schéma :
 La résistance d’entrée du deuxième étage.
 L’amplification en tension du deuxième étage.
ww

 Les amplifications en tension du premier étage et du montage complet.

 La résistance de sortie du montage.
3. Choisir la valeur de RG pour que la résistance d’entrée du montage soit 2MΩ.

Correction du contrôle terminal 2015/2016

1
Questions de cours :
Pour ce type de transistor il n’y a pas de canal créé lors de la fabrication. Pour les tensions de grille VGB
négatives, la jonction drain-substrat est bloquée et le courant drain ID est nul. Les seuls porteurs libres dans
la zone P sont des électrons d’origine thermique. Si VGB est assez positif, les charges négatives du matériau
P se regroupent au voisinage de la grille et forment une couche conductrice entre le drain et la source. Cette

om
couche se comporte comme une zone N qui est induite dans la zone P par inversion de la population des
porteurs.

c
ro.
Problème :
I- Le montage est constitué de deux étages :
 T1 : Transistor à effet de champ à jonction de type canal N, monté en source commune.

II- Etude statique :

ri-p
 T2 : Transistor bipolaire de type NPN, monté en collecteur commun.

Le condensateur en régime statique (continu) est considéré un interrupteur ouvert, et donc le montage
équivalent du circuit en régime statique est :
ka
RD VBC IC

IB
T2 VCE
b

ID
IG VBE (2) VCC
3a

T1 IE
IS RE
VGS

(1)
RG RS
al
w.

- D’après la loi d’Ohm appliquée sur la résistance RD :

VCB  RD  I D  I B 
 VCE  VEB  RD  I D  I B 
ww

 VCE  VBE  RD  I D  I B 
VCE  VBE
 RD 
ID  IB
 A.N : RD  3, 20.103   3, 20k 
- D’après la loi des mailles appliquée sur la maille (1) :

2
 RG I G  VGS  RS I S  0

0

 VGS  RS I S  0
VGS
 RS   IS  ID 
IS

om
 A.N : RS  333,33
Pratiquement IG = 0, et donc ID = IS.
- D’après la loi des mailles appliquée sur la maille (2) :
VCC  VCE  RE I E
VCC  VCE
 RE 

c
IE
 A.N : RE  2k 

ro.
III- Etude dynamique :
1. Le schéma équivalent :

IG=0
T1
ri-p ID h11e IB
T2

IC
1/h22e

RG rD RD h21eIB
gmVGS
ka
Ve
IE

RE Vs
b
3a

Étage 1 Étage 2
III
al

G D B E
IG=0 ID h11e IB IE
IC
w.

RG rD RD
gmVGS V h21eIB 1/h22e RE
Ve=VGS Vs=VEC
ww

IC
S≡C

Étage 1 Étage 2

3
2.
- Résistance d’entrée du deuxième étage :
C’est la résistance vue à l’entrée du deuxième étage.
B E
h11e IB IE

om
IC

h21eIB 1/h22e RE
V Vs=VEC

c
IC

ro.
Étage 2

V
Ze2 
IB
V  h11e I B  VEC ()
VEC  RE I E  RE  I B  I C 
ri-p
 VEC  RE  I B  h21e I B  VCE h22e 
 VEC   RE  RE h21e  I B  REVCE h22e
 VEC 1  RE h22 e    RE  RE h21e  I B
ka

 VEC 
 RE  RE h21e  I ()
1  RE h22e  B
  R  RE h21e   I
b

D’après (  ) et (  ), on aura : V   h11e  E 

1  RE h22e   B

Ze 2
3a

Donc : Z e 2  h11e 
 RE  RE h21e   243k 
1  RE h22e 
On remarque que la résistance d’entrée du 2ème étage est très élevée ; c’est la caractéristique du montage
collecteur commun.
al

- L’amplification en tension du deuxième étage :

V
Av 2  EC
V
w.

  RE  RE h21e  I
VEC 
 1  RE h22 e 
B

   X RE 1  h21e 
 X  Av 2   1
   R  RE h21e   I
h  X h 1  R h   R 1  h 
ww

11e 11 E 22 e E 21e
V   h11e  E 
  1  RE h22e   B

- Les amplifications en tension du premier étage et du montage complet :
La résistance d’entrée du 2ème étage joue le rôle d’une charge pour le 1er étage, et donc on aura le schéma
suivant :

4
 G D B
IG=0 ID

RG rD RD

om
gmVGS Ze2 V
Ve=VGS

c
Étage 1

ro.
- Amplification du 1ère étage :
V
Av1 
VGS
Réq   Z e 2 / / RD / / rD 

IG=0
G
ri-p D
ID
B

RG rD RD
ka
gmVGS Ze2 V
Ve=VGS
b

G
3a

IG=0

RG Réq
al

gmVGS V
Ve=VGS
w.

D’après la loi d’Ohm appliquée sur la résistance Réq :

ww

V   RéqVGS g m
 Av1   Réq g m    Z e 2 / / RD / / rD  g m
- Amplification du montage :
V V V V
Av  s  EC  EC   Av1  Av 2  Av1
Ve VGS V VGS 
1

5
La résistance de sortie du montage :
C’est la résistance vue à la sortie du montage lorsque la sortie est branchée par un générateur de tension
continue qui débite un courant Is, et le générateur de l’entrée est éteint.
G D B E Is
IG=0 ID h11e IB IE

om
IC

RG rD RD
gmVGS V h21eIB 1/h22e RE E
Vs=VEC

c
IC

ro.
S≡C

On a : eg  0  VGS  0 , et donc on aura le schéma suivant :

D B E Is
ID h11e IB ri-p IC
IE

rD RD
V h21eIB 1/h22e RE E
Vs=VEC
ka

IC
S≡C
b

On a : Réq   RD / / rD   h11e .
3a

E Is
IB IE
IC
al

Réq
h21eIB 1/h22e RE E
Vs=VEC
w.

IC
S≡C
ww

VEC
Zs 
Is
VEC
Is   I E ()
RE
VEC   Réq I B

6
I E  IC  I B
 I E   h22 eVEC  h21e I B  I B
VEC
 I E   h22 eVEC  1  h21e 
Réq
1  h21e  V ()

om

 I E    h22 e   EC
 Réq 

D’après (  ) et (  ), on aura :
 1 1  h21e 
Is    h22 e   VEC
R Réq
 E 

c
1
Zs 
1 1  h21e

ro.
 h22 e 
RE Réq
3. La valeur de RG pour que la résistance d’entrée du montage soit 2MΩ :
V
Z e  RG  GS  RG  2 M  .
IE
ri-p Bon courage
b ka
al 3a
w.
ww