Université Ibn Tofail Année Universitaire 2015/2016

Ecole Nationale des Sciences

Appliquées, Kénitra

Contrôle terminal
Module électronique analogique & numérique
Filières : RST & GE, Cycle Ingénieur (S1)
2 Heures
Questions de cours :
Donner la structure et le principe de fonctionnement d’un transistor MOSFET à enrichissement.
Problème :
Soit le montage de la figure 1 :
VCC

RD

T2
C3
C1
T1

RE

Ve Vs
RG RS C2

Figure -1-
I- Analyser le montage de la figure 1 :
II- Etude statique :
On désire les valeurs de repos suivantes, avec : VCC = 20V, VGS = -1V pour T1 et IE = 5mA, VCE = 10V
pour T2.
En se basant sur les caractéristiques des transistors on a : ID = 3mA pour T1 et VBE = 0,2V, IB = 60μA.
Calculer les résistances de polarisation RD, RS et RE.
III- Etude dynamique :
Les paramètres des transistors, mesurés au point de repos, valent :
 Pour T1 : gm = 2.10-3S et rD = 6.106Ω.
 Pour T2 : h11e = 1,5KΩ, h12e = 0, h21e = 150, h22e = 125.10-6S.
1. Etablir le schéma équivalent du montage pour l’alternatif.
2. Calculer sur ce schéma :
 La résistance d’entrée du deuxième étage.
 L’amplification en tension du deuxième étage.
 Les amplifications en tension du premier étage et du montage complet.
 La résistance de sortie du montage.
3. Choisir la valeur de RG pour que la résistance d’entrée du montage soit 2MΩ.

Correction du contrôle terminal 2015/2016

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Questions de cours :
Pour ce type de transistor il n’y a pas de canal créé lors de la fabrication. Pour les tensions de grille VGB
négatives, la jonction drain-substrat est bloquée et le courant drain ID est nul. Les seuls porteurs libres dans
la zone P sont des électrons d’origine thermique. Si VGB est assez positif, les charges négatives du matériau
P se regroupent au voisinage de la grille et forment une couche conductrice entre le drain et la source. Cette
couche se comporte comme une zone N qui est induite dans la zone P par inversion de la population des
porteurs.

Problème :
I- Le montage est constitué de deux étages :
 T1 : Transistor à effet de champ à jonction de type canal N, monté en source commune.
 T2 : Transistor bipolaire de type NPN, monté en collecteur commun.
II- Etude statique :
Le condensateur en régime statique (continu) est considéré un interrupteur ouvert, et donc le montage
équivalent du circuit en régime statique est :

RD VBC IC

IB
T2 VCE
ID
IG VBE (2) VCC
T1 IE
IS RE
VGS

(1)
RG RS

- D’après la loi d’Ohm appliquée sur la résistance RD :

VCB  RD  I D  I B 
 VCE  VEB  RD  I D  I B 
 VCE  VBE  RD  I D  I B 
VCE  VBE
 RD 
ID  IB
 A.N : RD  3, 20.103   3, 20k 
- D’après la loi des mailles appliquée sur la maille (1) :

2
 RG I G  VGS  RS I S  0

0

 VGS  RS I S  0
VGS
 RS   IS  ID 
IS
 A.N : RS  333,33
Pratiquement IG = 0, et donc ID = IS.
- D’après la loi des mailles appliquée sur la maille (2) :
VCC  VCE  RE I E
VCC  VCE
 RE 
IE
 A.N : RE  2k 

III- Etude dynamique :

1. Le schéma équivalent :

T1 T2

IG=0 ID h11e IB IC
1/h22e

RG rD RD h21eIB
gmVGS
Ve
IE

RE Vs

Étage 1 Étage 2
III

G D B E
IG=0 ID h11e IB IE
IC

RG rD RD
gmVGS V h21eIB 1/h22e RE
Ve=VGS Vs=VEC

IC
S≡C

Étage 1 Étage 2

3
2.
- Résistance d’entrée du deuxième étage :
C’est la résistance vue à l’entrée du deuxième étage.
B E
h11e IB IE
IC

h21eIB 1/h22e RE
V Vs=VEC

IC

Étage 2

V
Ze2 
IB
V  h11e I B  VEC ()
VEC  RE I E  RE  I B  I C 
 VEC  RE  I B  h21e I B  VCE h22e 
 VEC   RE  RE h21e  I B  REVCE h22e
 VEC 1  RE h22 e    RE  RE h21e  I B

 VEC 
 RE  RE h21e  I ()
1  RE h22e  B
  R  RE h21e   I
D’après (  ) et (  ), on aura : V   h11e  E 
1  RE h22e   B

Ze 2

Donc : Z e 2  h11e 
 RE  RE h21e   243k 
1  RE h22e 
On remarque que la résistance d’entrée du 2ème étage est très élevée ; c’est la caractéristique du montage
collecteur commun.
- L’amplification en tension du deuxième étage :
V
Av 2  EC
V
  RE  RE h21e  I
VEC 
 1  RE h22 e 
B

   X RE 1  h21e 
 X  Av 2   1
   R  RE h21e   I
h11e  X h11 1  RE h22 e   RE 1  h21e 
V   h11e  E 
  1  RE h22e   B

- Les amplifications en tension du premier étage et du montage complet :
La résistance d’entrée du 2ème étage joue le rôle d’une charge pour le 1er étage, et donc on aura le schéma
suivant :

4
 G D B
IG=0 ID

RG rD RD
gmVGS Ze2 V
Ve=VGS

Étage 1
- Amplification du 1ère étage :
V
Av1 
VGS
Réq   Z e 2 / / RD / / rD 

G D B
IG=0 ID

RG rD RD
gmVGS Ze2 V
Ve=VGS

G
IG=0

RG Réq
gmVGS V
Ve=VGS

D’après la loi d’Ohm appliquée sur la résistance Réq :

V   RéqVGS g m
 Av1   Réq g m    Z e 2 / / RD / / rD  g m
- Amplification du montage :
V V V V
Av  s  EC  EC   Av1  Av 2  Av1
Ve VGS V VGS 
1

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La résistance de sortie du montage :
C’est la résistance vue à la sortie du montage lorsque la sortie est branchée par un générateur de tension
continue qui débite un courant Is, et le générateur de l’entrée est éteint.
G D B E Is
IG=0 ID h11e IB IE
IC

RG rD RD
gmVGS V h21eIB 1/h22e RE E
Vs=VEC

IC
S≡C

On a : eg  0  VGS  0 , et donc on aura le schéma suivant :

D B E Is
ID h11e IB IE
IC

rD RD
V h21eIB 1/h22e RE E
Vs=VEC

IC
S≡C

On a : Réq   RD / / rD   h11e .

E Is
IB IE
IC

Réq
h21eIB 1/h22e RE E
Vs=VEC

IC
S≡C

VEC
Zs 
Is
VEC
Is   I E ()
RE
VEC   Réq I B

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I E  IC  I B
 I E   h22 eVEC  h21e I B  I B
VEC
 I E   h22 eVEC  1  h21e 
Réq

 I E    h22 e 
1  h21e  V ()
  EC
 Réq 
D’après (  ) et (  ), on aura :
 1 1  h21e 
Is    h22 e   VEC
R Réq
 E 
1
Zs 
1 1  h21e
 h22 e 
RE Réq
3. La valeur de RG pour que la résistance d’entrée du montage soit 2MΩ :
V
Z e  RG  GS  RG  2 M  .
IE

Bon courage