EXAMEN ELECTRONIQUE INDUSTRIELLE

Exercice 1
Le condensateur étant chargé à 5 V, on ferme ensuite K. 56 k
Au bout de combien de temps la tension UC = 2 V. K C
UC
Quelle est la valeur de IC en ce moment. 470 nF

Exercice 2
Soit le montage suivant ci-dessous (à t = 0, UC = 5 V) :
R

47 k

E C
UC
100 nF

Calculer les valeurs de Uc aux instants : t1, t2, t3, t4, t5. Compléter le chronogramme de Uc.

Exercice 3
On désire effectuer la remise à 0 d’un circuit, lors de la mise sous tension.
Vdd
Pour cela, on utilise le montage ci-dessous.
Le circuit intégré est en technologie CMOS. R
10 k
Le courant entrant dans l’entrée RESET est nul.
RESET Circuit intégré
L’entrée RESET est active au niveau logique bas. CMOS

On donne : Niveau logique "1" pour Vin > 70% Vdd C

100 nF
Niveau logique "0" pour Vin < 70 % Vdd.
A â partir de la mise sous tension, au bout de combien de temps est-on certain que l’entrée
RESET n’est plus active.

Exercice 4
Un transistor NPN est alimenté sous une tension 9 V.
On donne : RV = 50 , VCE_sat = 0,2 V, VBE = 0,7 V
200 <  < 300 et la tension de commande VOH = 5 V.
On prend un coefficient de sécurité de 2, pour
être sur que le transistor sera bien saturé.
Calculer la valeur de la résistance Rb ?
Attention : la tension VCE_sat est proche de 0 mais pas nulle
(VCE_sat  0,2 V).

Master 1 Automatique et informatique industrielle ; Semestre 2 1

Exercice 5
Soit le montage de la figure suivante :
On donne : Ve = 0 ou 10 V, Irel = 55 mA, Vrelais = VCC = 24 V
VCE_sat = 0,4 V , VBE = 0,7 V ,  = 200 , sursaturation avec k = 2
Calculer les éléments du montage (Rb, Rrelais, IB, IB_sat).

Exercice 6
5V
Les caractéristiques du transistor bipolaire utilisé sont :
RC
VBE_sat = 0,7 V ; VCE_sat = 0,2 V ; 70 <  < 300
On suppose IC  0 lorsque le transistor est bloqué. La LED présente
une tension VF de l’ordre de 1,8 V.
IC
La tension de commande « e » est une tension carrée 0V / 5V. RB
IB
En déduire la valeur que doit présenter RC pour que le courant dans

Circuit TTL
la LED soit de l’ordre de 10 mA lorsque le transistor est saturé. e
Déterminer la valeur limite de RB qui permet de saturer le transistor,
de manière certaine, avec un coefficient de sursaturation supérieur
ou égal à 2.

Exercice 7
De façon à commander en tout ou rien une charge résistive de 10  sous 300 V, 300 V
on veut mettre en œuvre le transistor MOS ci-contre.
Lorsque le transistor MOS fonctionne en zone ohmique (VDS = RDS x ID), R = 10 
il se comporte comme une résistance RDS  0,1 .
ID
Calculer dans ce cas, les valeurs de ID et de VDS. D

G VDS

VGS S
Exercice 1 : Corrigé
dU C i
Dans ce cas : 0  U C  U R et donc : 0  U C  RC
dt

t

t
UC C
La solution de cette équation est : UC  E e RC
 5 e RC
UR
t
 R
On cherche alors : 2  5 e RC

Exercice 2 : Corrigé
t

Dans le cas général, U C  A  B e RC

t

à t0 = 0 : on a la tension UC(t0) = E = 5 V et donc U C  5 e RC
( équation de la décharge)

 
3
-2.10
 47.103.100.109 
t1

de t0 à t1 = 2 ms : on a la tension U C(t1)  5 e RC
 5 e   3,267 V
 
 

de t1 à t2 = 4 ms : on a la tension (UC(0) = 3,267 V et UC() = 10)

(charge)

de t2 à t3 = 6 ms : on a la tension (UC(0) = 5,60 V et UC() = 0) (décharge)

de t3 à t4 = 8 ms : on a la tension (UC(0) = 3,659 V et UC() = 10) ( une charge)

de t4 à t5 = 10 ms : on a la tension (UC(0) = 5,856 V et UC() = 0) ( une charge)

Exercice 3 : Corrigé
Exercice 4 : Corrigé

Exercice 5 : Corrigé
1. Lorsque que Ve sera à 0 V, IB = 0 A, le transistor sera bloqué, le relais (une bobine) ne sera pas
actif.
2. Quand Ve sera à 10V il faut que le transistor conduise pour que le relais soit actif.
On part de la sortie : IC = Irelais = 55 mA
Calcul de IB : comme IC = β × IB alors IB = IC / β = 55.10-3 / 150 = 3,67.10-4 A
On applique un coefficient de sursaturation de 2 : IBsat=2 × 3,67.10-4 = 7,33.10-4 A
Équation de la maille d'entrée: VBE+VRb-Ve=0 c'est-à-dire VBE+(Rb × IBsat) - Ve = 0
Exercice 6 : Corrigé

Lorsque le transistor est saturé : e  5 V , VBE sat  0,7 V , VCE sat  0 et VF  1,8 V , donc
VRc  5  1,8  0  3,2 V avec I c  10 mA .
3,2
On en déduit que RC   320 
0,01
I
Pour que le transistor soit saturé, il faut I B  C .


Pour que la relation soit toujours vérifiée, quelque soit 70    300 , il faut considérer le cas le plus
défavorable :
I
Il faut prendre I B  C .
 min

On propose de prendre un coefficient de sursaturation de 2

I 0,01
 I B  2. C  I B  2.  I B  2,86.10  4 A  286 A
 min 70

 4,3  4,3
Loi d’Ohm :   I B    286 A  R B   R B  15 k
 RB  286.10  6

Exercice 7 : Corrigé

300 V
iD VGS = constante
R = 10 

ID
D 29,7A
RDS
G 0,1  VDS
0 vDS
VGS S

Zone Zone de pincement :

300 300 ohmique : I D  constante à
ID    29,7 A VDS  RDS .I D
R  R DS 10  0,1 VGS donné

V DS  R DS .I D  2,97 V .