EEA 316 : Technologie des Composants

Exercice 1 : Exprimez la tension VS en fonction de VE, R1, R2, R3.

Exercice 2 : Exprimez le courant I2 en fonction de I, R1, R2, R1.

Exercice 3 : Evaluez le courant I. (application le Théorème de millman)

Exercice 4 : Donnez le générateur de Thévenin équivalent au dipôle.

Exercice 5: Un voltmètre branché entre deux points d’un montage indique 12V. Il est utilisé sur le
calibre 25V. Sa résistance spécifique est de 50kΩ/V. -Calculer sa résistance, –l’incertitude de lecture
due seulement à sa classe ? Sa classe est de 0,5.
Exercice 6 : L’étude d’un condensateur, mentionne la présence d’une résistance de perte et une
résistance de fuite. Faire le ou les schémas illustrant ces résistances et parler nous de leur
comportement dans le fonctionnement du condensateur.

Exercice 7

-Quels sont les potentiels des points G , H, I , J ?

-Quelle doit etre la valeur de la resistance X pour que UK =0V ?. Meme question pour UK=-5V
-Si UFE=-18V quel est le potentiel de E ?
-Quelles sont les valeurs des courants I1 et I2 en fonction de la resistance X et du courant I0 ?
A +12V

10K 22K
22K

+8V C E G I

55K 10K
I0

0V
M

J
K
33K

I1 I2
-4V D -9V F H 56K

32K 100K X

B -12V

Exercice 8 :. La combinaison parallèle résistance R et condensateur C donne

-Quel est le bruit aux bornes de ce dipôle. Et si le condensateur est remplacé par
l’inductance, que devient ce bruit.
-Calculer le bruit aux bornes d'un dipôle constitué de deux résistances en série et de deux résistances
en parallel.

-Quels sont les différents types de bruits que l’on retrouve dans un transistor bipolaire en
fonctionnement ?

Exercice 9 :
Dans un quadripôle, on ramène les sources de bruit sur l’entrée afin de simplifier les calculs
des fonctions de transfert de bruit. La figure 1 présente l’équivalence du modèle que l’on propose
d’établir.
-Déduire les expressions des densités spectrales de toutes les contributions en bruit en sortie
du quadripôle, en convertissant les bruits en sources de courant équivalentes puis les multiplier par la
fonction de transfert du quadripôle.
-Calculer en sortie du quadripôle, les différentes de bruit.
On donne les sources de bruit en entrée :

2
v  2
1 Kf 2
i  kT
WLC OX 2 f 2
in in
C oxWL f gm

Et la fonction de transfert du quadripôle Q

 Rf
H p 
1  pR f C f

N.B. La résistance en entrée du quadripôle est notée Rf , et P=jω

Figure 1
Exercice 10 :
Comment distinguer le Collecteur de l’Emetteur dans un transistor bipolaire ? Faire un montage
illustrant la distinction. Que dire de la tension de claquage des deux électrodes ? Peut-on remplacer
un transistor bipolaire par deux diodes ordinaires et pourquoi ? Que dire de l’inverse (un transistor
devenir une diode) et pourquoi ?

Exercice 11 :
Enumérer et schématiser les différents bruits dans les composants suivants : Resistance,
condensateurs, inductance, diode, transistor bipolaire.

Pourquoi le bruit additionnel dans certains composants ?

Pourquoi le bruit génération-recombinaison dans certains composants ?

Exercice 12 : L’étude d’un condensateur, mentionne la présence d’une résistance de perte et une
résistance de fuite. Faire le ou les schémas illustrant ces résistances et parler nous de leur
comportement dans le fonctionnement du condensateur.

Exercice 13 :

Donner l’allure du signal à la sortie du circuit ci-dessous lorsqu’un signal carré est injecté en entrée.

Exercice 14 :
Comment distinguer le Collecteur de l’Emetteur dans un transistor bipolaire? Faire un montage
illustrant la distinction. Que dire de la tension de claquage des deux électrodes ? Peut-on remplacer
un transistor bipolaire par deux diodes ordinaires et pourquoi ? Que dire de l’inverse (un transistor
devenir une diode) et pourquoi ?

Exercice 15 :
Enumérer et schématiser les différents bruits dans les composants suivants : Résistance,
condensateurs, inductance, diode, transistor bipolaire.

Pourquoi le bruit additionnel dans certains composants ?

Pourquoi le bruit génération-recombinaison dans certains composants ?

Exercice 16 :

Certains modèles d’inductances sont marqués en clair, d’autres suivant un code des couleurs.
Identifier chaque anneau, pourquoi cette bande large ? Cas des inductances inférieures à 10µH

Exercice 17 :

Identifier les différents types de diodes et donner leur principe de fonctionnement.

Exercice 18 :

Donner l’allure du signal en sortie de ce circuit pour C petit et C grand. Que devient ce signal lorsque
la résistance est enlevée ? Que devient ce signal lorsque le condensateur est enlevé ?

Exercice 19 :
Quel est le rôle de la diode placée sur le schéma. Comment appelle-t-on ce type de diode. Quel est le
danger à l’absence de cette diode ?

Exercice 20 :

On applique à l’entrée de ces circuits un signal sinusoïdal. Donner l’allure du signal en sortie ?
Justifier ?

Exercice 21 :
Identifier les différents anneaux des codes à quatre et cinq couleur.

Donner les valeurs que représenter les différents symboles de résistance.

Exercice 22

Expliquer le rôle joué par la diode dans le circuit ? Si un condensateur est placé en parallèle avec la
résistance RB, quelle modification note-t-on ?
Exercice 23

Donner l’incertitude absolue puis relative des formules suivantes :

Exercice 24 :

Donner le rôle des condensateurs dans chaque montage. Que peut-on dire à l’absence de ces
condensateurs ? (c'est-à-dire C est enlevé et C1 court-circuité)
Exercice 25 :

On considère à l’entrée + de l’amplificateur opérationnel la présence d’une tension d’offset, quel est
son rôle dans le fonctionnement du circuit. Justifier le positionnement des diodes D1 et D2 dans le
circuit ? Donner l’allure des signaux aux bornes de la capacité C et à la sortie en fonction du rapport
cyclique Ʈ (rapport du temps d’ouverture sur la période) que l’on déterminera ?

Exercice 26 :

Apprécier le rôle de chaque diode en estimant les valeurs qu’elles réalisent aux entrée et
sortie de l’amplificateur opérationnel.

Exercice 27: Soit le circuit RC avec condition initiale nulle.

Un échelon unité de tension d’amplitude VE est appliqué au circuit. Le but du problème est
d’écrire la relation exprimant la corrélation entre temps de montée et fréquence de coupure
du circuit.
1. Ecrivez la fonction de transfert en tension VC(p)/VE(p) et tracez les courbes de réponse
dans le plan de Bode (module et argument).
2. Par transformées de Laplace, donnez l’expression de la tension vC(t) .
3. Ecrivez l’expression du temps de montée tr défini par la différence des temps pour
atteindre respectivement 90% et 10% de la valeur finale en fonction de la constante de
temps du circuit.
4. Ecrivez la relation entre la fréquence de coupure fh du circuit passe-bas et le temps de
montée.

Exercice 28: Soit le schéma de principe d’une sonde passive atténuatrice.

L’amplificateur vertical de l’oscilloscope est représenté par le schéma équivalent parallèle

R0-Cp aux bornes duquel existe la tension v0(t).
1. Ecrivez la fonction de transfert V0(p)/VE(p).
2. Donnez la condition pour que la fonction de transfert soit indépendante de la fréquence.
Evaluez la résistance RS pour avoir une atténuation de rapport 1/10 et déduisez la valeur de
la capacité CS0 découlant de la condition.
3. Déterminez l’impédance d’entrée de la sonde branchée sur l’oscilloscope, sous forme d’un
schéma R-C parallèle à la condition précédente.
4. Calculez et tracez les réponses temporelles de v0(t) à un échelon de tension unité pour
une capacité de sonde réglée aux valeurs CS ± ∆CS0 (on supposera que CS >> ∆CS /10 et que
les bandes passantes de la sonde et de l’oscilloscope sont très larges).
Le temps de montée lu sur l’écran d’un oscilloscope est donné .
Pour effectuer cette mesure, on dispose d’un oscilloscope associé à une sonde dont les
bandes passantes sont respectivement de 100 MHz et de 500 MHz.
5. Calculez l’erreur commise sur la mesure de signaux carrés dont le temps de montée serait
de 5ns et 50 ns.
Formulaire :

Exercice 29: Le but de ce problème est de caractériser un quadripôle, c’est-à-dire d’évaluer

ses résistance d’entrée et de sortie et son transfert, en présence d’une source contrôlée.

1. Déterminez la résistance d’entrée Re du quadripôle chargé par Rch .

2. Déterminez les éléments RTh et vTh de Thévenin formant le dipôle de sortie du quadripôle
non chargé par Rch .
3. Dessinez le nouveau schéma équivalent du quadripôle, puis dessinez ce schéma sous la
forme modélisée d’un amplificateur de tension.

Exercice 30 : ( Etage collecteur commun chargé par un miroir de courant ) L’étude porte
sur la caractérisation du circuit de la figure ci-dessous (résistance d’entrée, résistance de
sortie, transfert en tension, fréquence de coupure basse). Les transistors sont tous
identiques tels que β=100 (β >> 1), VBE = 0.6 V, rce = 100 kΩ. Le composant C est un
condensateur de liaison.
Etude du régime continu
1. Evaluez la résistance R pour que la source de courant produise IE1=1mA ainsi que la
résistance RB pour avoir VCE = 0.6V.
Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes
2. Dessinez le schéma et évaluez le paramètre rbe du modèle du transistor Q1 .
3. Calculez le transfert en tension AV = vs/ve. la résistance d’entrée Ze et la résistance de
sortie Zs .
Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences basses
4. Evaluez la capacité de liaison afin d’obtenir une fréquence de coupure de l’ordre du hertz.