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Le gain en courant du transistor est 0=212. En régime continu, la tension base-émetteur VBE est
approximée à 0.6V.
VCC= 15 V
IC
R1 RC
C2
C1
IB 2N2222
VCC
Rg RE1
R2 Vs RL
Ve
eg
RE2
C3
A/ Etude théorique :
Calculer: IC, IB, VCE qui définissent le point de repos ou point de fonctionnement
On rappelle :
R2
VCC -VBE0
R1+R2
IC = , avec VBE0 0.6V
R1//R 2
+RE
β0
1
RE est la résistance d’émetteur qui vaut dans ce cas RE1+RE2.
On pourra vérifier que R1//R2)/β0 est négligeable devant RE pour pouvoir le négliger.
2/ Régime sinusoïdal
2/1- Le condensateur C3 est enlevé (résistance d’émetteur non découplée)
Calculer la valeur du gain en tension théorique à vide (sans RL) Av0, donné par la formule :
V .RC
AV 0 S
Ve RL r RE
Calculer la valeur du gain en tension en charge (avec RL) donné par la formule :
V .( RC // RL )
AV S
Ve RL r RE
RE1
RE2 C3
2
V .( RC // RL )
AV S
Ve RL r RE1
RE1
C3
RE2
V .( RC // RL )
AV S
Ve RL r
Lancer le logiciel LTSPICE IV en cliquant sur l’icône situé sur le bureau ou en allant sur le menu démarrer.
Vous devez répondre aux questions posées en vous aidant avec les résultats graphiques donnés
par la simulation
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I/ Etude en régime continu ou statique :
Les fichiers concernés par le TP se trouvent dans le répertoire TP_BJT_simul_2018 situé dans
votre domaine de sauvegarde (spéXX sur M).
Régler les paramètres pour une simulation temporelle sur 2ms avec un pas de 100n
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IC= ?
Affichage.
On régle la couleur avec les 3 curseurs : complétement à gauche donne la couleur noire et
complétement à droite la couleur blanche.
Sur la même mini fenêtre, à la place de Trace V1, on peut sélectionner ‘Background’ et choisir une
couleur de fond d’écran.
1er cas : on lance la simulation, on vient pointer sur le schéma le point dont on veut connaitre le potentiel,
ou l’élément pour représenter le courant qui le traverse.
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Représenter VB ou IC
2ème cas : on lance la simulation, on clique droit dans la fenêtre des courbes qui apparait, puis on
sélectionne ‘Add trace’ dans le menu qui apparait.
Lorsque le curseur en forme de croix est disposé dans la fenêtre des courbes, la position de ce
curseur par rapport à l’origine peut-être lue en bas à gauche de l’écran. Cela est utile pour
déterminer la valeur des grandeurs.
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Faire de même pour le courant émetteur IE, après avoir supprimé la courbe de courant IC (F5).
Relever sa valeur et comparer avec le courant IC
IE= ?
Faire de même avec le courant IB : relever sa valeur sans exporter la courbe. En déduire la valeur
du gain en courant 0=IC/IB.
IB= ?
0= ?
En déduire la résistance dynamique au point de repos:
r= ?
Comparer les résultats de simulation avec ceux obtenus par le calcul.
VC= ?
Après avoir supprimé la courbe précédente, représenter la courbe donnant le potentiel VE de l’émetteur.
Relever la valeur de VE.
VE= ?
Après avoir supprimé la courbe précédente, représenter sans l’exporter la courbe donnant le potentiel
VB de la base. Relever la valeur de VB.
VB= ?
Calculer la tension Base-émetteur VBE
VBE= ?
Calculer la tension Collecteur-émetteur VCE
VCE= ?
Comparer avec les résultats supposés (VBE) ou calculés (VCE).
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Faire les réglages pour une simulation temporelle (transcient) sur 3 périodes avec un pas de calcul de
100nS.
Pour ne pas modifier le montage, on donne à RL une valeur très grande, par exemple 120MΩ,
représentant l’infini ou circuit ouvert.
Pour modifier la valeur d’un composant, on clique droit dessus et on modifie sa valeur : 120meg
Représenter la tension de sortie vs aux bornes de RL et la tension d’entrée ve. En déduire le gain en
tension du montage.
Représenter sur le même graphe vs(t) et 10*ve(t). Exporter le graph sous word, puis déduire le gain du
montage.
Relevez l’amplitude de la tension de sortie vs(t) et comparer avec les résultats du calcul.
Reprendre toutes les opérations de la question précédente, mais on représentera sur le même graphe, vs
et 100*ve.
V/ Transistor en saturation :
On modifie l’amplitude de eg (click droit sur eg) et on prend | eg|=200mV crête. Représenter vs et 20*ve.