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H
RA
LES MONTAGES AMPLIFICATEURS FONDAMENTAUX
A TRANSISTORS BIPOLAIRES
NB
BE
R.
AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR NPN MONTE EN EMETTEUR COMMUN
On considère le montage donné en figure 1 qui représente un transistor NPN alimenté sous
une tension d’alimentation V CC de 20V. Ce transistor a été polarisé « en tension » par les résistances
R1 et R2, de telle manière que son courant de repos de collecteur soit fixé à 6.5 mA. Sur le schéma
est indiqué la valeur du potentiel par rapport à la masse de la base, de l’émetteur et du collecteur.
IM
+ VCC = +20 V
IC repos
6.5 mA
R1 22 kΩ RC 2 kΩ
H
C 7V
B 68 µA
1.25 V
IB repos
E 0.65 V
RA
R1 1.8 kΩ RE 100 Ω
On désire obtenir un montage amplificateur dit « en émetteur commun ». Pour cela il est
nécessaire d’exciter le montage entre base et masse par un générateur sinusoïdal indépendant de
résistance interne Rg tel que : eg = Egm sin (ωt). La tension de sortie vs du montage doit alimenter
une résistance d’utilisation Ru (figure 2).
+ VCC = +20 V
BE
vs
7V
ve
R1 22 kΩ RC 2 kΩ
1.25V
ve CL2 vs
0V CL1 C 0V
R.
B
0.65 V
Rg E
vs vs RU
ve ve
+ RE
eg R1 1.8 kΩ 2 kΩ
100 Ω CD
-
1
On doit dans un premier temps résoudre un problème. En effet, le générateur eg délivre une
tension sinusoïdale ve qui évolue autour de zéro volt. Cette tension ne peut pas être appliquée
directement entre la base et la masse qui doit rester au potentiel de 1.25 V pour que le transistor
reste correctement polarisé.
De même, et pour la même raison, on ne peut pas connecter directement la résistance Ru
entre le collecteur et la masse. On doit donc pour résoudre ce problème, utiliser des condensateurs
de « liaisons » CL1 et CL2 qui se comportent :
IM
devant les résistances du circuit à condition de choisir une valeur convenable pour CL1 et
CL2.
On peut aussi mettre en parallèle avec la résistance RE une capacité CD dite de « découplage »
qui se comporte encore comme un court-circuit pour le régime sinusoïdal imposé par eg.
H
2° PARTIE : ANALYSE GRAPHIQUE DE L’AMPLIFICATION :
DROITE DE CHARGE DYNAMIQUE
RA
On va s’intéresser aux tensions sinusoïdales qui sont représentées en figure 2 et qui évoluent
autour des tensions continues indiquées sur cette même figure. Sachant que la tension continue VCC
est fixe par principe, ses variations sont nulles. La tension VCC se comporte donc pour les variations
comme un court-circuit.
Dessinons dans ces conditions le schéma du montage aux variations (figure 3) en tenant
compte du fait que les condensateurs se comportent eux aussi comme des court-circuits.
NB
ic
ib
Rg vce
vbe vs R C //R u
ve
+
BE
eg R 1//R 2
-
Figure 3
R.
2
Caractéristique de transfert IC en mA Caractéristiques de sortie
20
VCE = 6.35 V IBen µA
18 0
= 94 16 0
15
14 0
Saturation
Droite de charge dynamique
12 0
10
10 0
IM
80
Variations de i c 6.5 mA P repos
60
5
40
20
IBen µA Blocage
VCC
H
0
200 150 100 50 5 10 15 20
68 µA 0,45 6.35 V VCE en V
0,5
RA Variations de V ce
0,55
P repos 0,6
0.618 V
0,65 Variations de V be
NB
0,7
200 150 100 50
IB en µA Caractéristique d’entrée VBE en V
Cependant l’amplitude de la tension d’entrée ve doit être faible sous peine de voir apparaître
une distorsion de la tension de sortie vs. En effet, si on augmente l’amplitude de vbe, la non-linéarité
de la caractéristique d’entrée va produire une tension de sortie non sinusoïdale.
En résumé, pour être en régime linéaire, on doit se contenter d’appliquer des petites
variations sinusoïdales à l’entrée du montage.
Dans tous les cas, la tension de sortie vs ne peut pas dépasser les deux limites qui
correspondent au blocage et à la saturation du transistor.
3
3° PARTIE : SCHEMA EQUIVALENT AU TRANSISTOR NPN (OU PNP) AUX
FREQUENCES MOYENNES ET AUX PETITES VARIATIONS
Si l’amplitude de la tension d’entée ve est suffisamment petite (petites variations), le transistor NPN
(ou PNP) peut être simulé par le schéma équivalent linéaire suivant :
vbe rce
B
rbe
ib E C ic
IM
gm vbe
ou β i b
H
• Entre collecteur et émetteur, l’effet transistor est représenté par un générateur de courant
dépendant de vbe ou de ib à savoir : [gm.vbe] ou [ .ib].
•
RA
La résistance rce représente la résistance interne du générateur de courant dépendant.
Il est plus commode de calculer les paramètres rbe, gm (transconductance) et rce du transistor à partir
de la connaissance :
• Son courant de repos IC repos (6.5 mA)
BE
UT IC r e p o s VA VC E repos
rbe 361 gm 260mS rce 39k
IC repos UT IC repos
R.
4
4° PARTIE : DETERMINATION DES PERFORMANCES DU MONTAGE
AMPLIFICATEUR EMETTEUR COMMUN
ig ib B C ic
g m vbe
Rg
vce
ve vbe rbe rce R C //R u
IM
+ vs
eg
- R1 //R 2
H
Schéma équivalent au transistor
Les résultats du calcul des performances du montage sont résumés dans le tableau suivant :
RA
vs
Gain en tension en charge: AV AV gm .(R ce // RC // Ru ) 253
ve
vs
Gain en tension à vide: AV0 AV gm .(R ce // RC ) 494
ve
ve
NB
Compte-tenu des résultats du tableau, l’étage amplificateur prend la forme de synthèse suivante :
B C
R.
1.9k Ω
Rs
Rg
+
ve Re vs Ru
+ Av0 v e
eg -
296 Ω -494 v e
- E
5
5° PARTIE : PERFORMANCES DU MONTAGE AMPLIFICATEUR EN EMETTEUR
COMMUN SANS CAPACITE DE DECOUPLAGE DE LA RESISTANCE D’EMETTEUR
IM
Schéma équivalent au transistor
β ib
H
ig B ib E C
rbe
Rg
+
ve
RA R1 //R 2 RE vs R C //R u
eg
- (β+1) ib
NB
Figure 7
L’analyse du schéma permet de déterminer les expressions des performances du montage :
Ce montage amplificateur en émetteur commun “avec RE” présente des avantages par rapport au
montage où la résistance RE est découplée par Cd :
RC // Ru
transistor. En effet, pour rbe << (β+1) RE), on obtient alors : Av = -10.
RE
6
6° PARTIE : REPONSE EN FREQUENCE DU MONTAGE EMETTEUR COMMUN
• Le domaine des basses fréquences où le gain est plus faible. Les condensateurs de
IM
liaisons et de découplage sont responsables de cette chute du gain.
H
On défini alors les deux fréquences de coupure du montage fb et fh qui correspondent aux
fréquences pour lesquelles le module du gain aux fréquences moyennes est divisé par 2 .La bande
passante du montage amplificateur ∆f est donné par leur différence.
RA
module de | Av | aux fréquences moyennes Réponse en fréquence Frequency (Hz)
+10
NB
+8
AV
Bande passante ∆F
+6 2
+4
BE
+2
+0e+000
MAG(V(VS)) *REAL(B.P.)*
R.
fb = 6 Hz fh = 1.6MHz
7
Dans tout le domaine de fréquences, par la présence de condensateurs, le gain du montage
est un nombre complexe. Aussi le déphasage de la sortie par rapport à l’entrée est fonction de la
fréquence comme indiqué en figure 9.
Aux fréquences moyennes ce déphasage est égal à 180°. Il tend vers zéro en basses et hautes
fréquences.
+200
IM
+100
+0e+000
H
-100
RA
-200
PH_DEG(V(VS))
8
Amplificateur E.C à transistor NPN
IM
+VCC = + 20V
6.5 mA rce
0V
ve 1,25 V
vbe
H
68 µA C L2 0V B E
rbe
vs ib
C L1 gm vbe C
Rg Rg
0,65 V ou β ib
RU ve RE vs RC//Ru
R1//R2
RA
+ R2 +
eg RE eg
- -
+VCC = + 20V
18.75 V
R2
NB
19.35 V
RE
13 V
Av = −
( RC // Ru )
rbe + RE ( +1)
ve
0V
Re = R1 // R2 // [rbe + RE ( +1)]
BE
C L1 68 µA
0V
Rg 6.5 mA C L2 vs Rs = RC
RU
+ R1
eg RC
-
R.
TRANSISTOR NPN : AMPLIFICATEUR COLLECTEUR COMMUN
+ VCC = + 15 V
C
9,6 V RB IC repos
0V C1 IB repos
9V
0V + VCC
B C2
15 V
Rg
1k Ω
0,6 V
IM
E
ve
+ vs
50 Ω
RE RU
eg
-
Figure 1
H
Le schéma d'un étage amplificateur à transistor monté en collecteur commun, alimenté sous une
tension d'alimentation VCC de 15 V, est donné en figure 1.Il utilise, à T = 25 °C, un transistor NPN
au silicium tel que : ß = 300, VBE = 0,6 V, Tension de Early : VA = - 200 V
RA
1) On choisit le point de repos du transistor tel que : IC repos = 3 mA et VCE repos = 6 V.
• Calculer la valeur de la résistance d'émetteur RE et de polarisation RB
• Sous quelle tension continue sont chargées les capacités C1 et C2 ?
2) Dessiner le schéma équivalent du montage complet pour les petites variations imposées par le
géné-
NB
rateur d'attaque sinusoïdal (eg, Rg ). Les capacités de liaisons C1 et C2 ont une impédance
négligeable à la fréquence de travail. Choisir le schéma en “ß ib ” pour simuler le transistor.
3) Calculer la valeur des paramètres du transistor autour de son point de repos : r be , gm et rce.
4) Déterminer la résistance d'entrée Re du montage vue par le générateur d'attaque (eg , Rg).
On rappelle que Re = v e / ig où ig représente le courant variable imposé par eg .
BE
SOLUTION
1) On se place en régime continu avec le générateur eg annulé. Les capacités chargées sous une
tension continue se comportent alors comme des circuits ouverts.
VEM = - VCE repos +V CC = 9V
VEM = RE ICrepos ( avec un ß de 300, le courant de base est négligeable ). RE = 3 KΩ
VBM = V BE repos + VEM = 9,6 V IB repos = IC repos /ß = 3 µA R B = 540 kΩ
Les tensions continues aux bornes des capacités sont indiquées sur la figure 1.
2)
ig B rbe E (β+1) ib
Rg ib
ve RB vs
+
eg rce RE Ru
β ib
- C
Réqui
IM
UT I C repos V CE repos + V A
3) rbe = = 2,5 K gm = = 0,12 mS r ce = = 68,7 K
I C repos UT I C repos
H
ig = e + ib = 1 + 1 = Re R e = R B //
RB ve RB ve ib
ib
On recherche ensuite une relation liant v e et ib : v e = rbe i b + ( + 1) i b R équi
RA
On obtient alors : R e = R B // rbe + ( + 1) R équi Re = 16,7 KΩ
Av= = 0,855
rbe + ( + 1) R équi
Re AP
6) A P = 10 log A v 2 = 23,9 dB A i= = 285,6
Ru Av
BE
7)
B rbe E i’
ib i
+
Rg RB u u
rce RE -
R.
β ib
C
+ VCC = + 15 V
RC
R1 1,2 KΩ
C
C2
B
E
E
C1 vs
50 Ω
Rg RU
IM
ve 6 KΩ
Cd R2 RE
+
1 KΩ
eg
-
M
Le schéma d'un étage amplificateur à transistor NPN monté en base commune est donné ci-dessus.
H
Il utilise un transistor NPN au silicium tel que, à T = 25°C :
= 100, VBE 0,6 V tension de Early : VA = - 100 V
1) Quelle valeur doit-on donner aux résistances R1 et R2 pour polariser correctement le transistor
RA
avec un courant de repos de collecteur IC = 4 mA ?
2) Dessiner le schéma équivalent au montage complet aux petites variations et aux fréquences
moyennes sachant que toutes les capacités ont alors une impédance négligeable.
On utilisera le schéma équivalent en " gm vbe " pour simuler le transistor.
3) Déterminer les paramètres rbe , gm et rce du transistor autour de son point de fonctionnement.
NB
c) La résistance de sortie Rs vue par la résistance d'utilisation Ru (montrer que R s peut se mettre
BE
sous la forme : RC //k rce où k est une constante dont on donnera l’expression).
R.
SOLUTION
Question 1 :
+ VCC = + 15 V
4mA
23.6 kΩ RC
R1 R1n : 22 kΩ 10,2V 1,2 KΩ
4,6V
IB = 40 µA C
B
E 4V
10 IB = 400 µA
IM
E
11.5 kΩ
R2 RE
R2n : 10 kΩ 1 KΩ
H
Question 2 : schéma équivalent au montage complet aux petites variations et aux fréquences moyennes
sachant que toutes les capacités ont alors une impédance négligeable.
rce
RA E
C
RG gm vbe
ve RE vbe rbe vs RC // Ru
+
eg
-
NB
UT V A + V CE repos
rbe = = 625 g m = 40 IC repos = 160 mS r ce = = 26.5 k
IC repos IC repos
BE
Question 4a :
ve − vs vs
Equation au noeud C : − g m v be − =0 sachant que v be = -ve, on obtient :
rce R c // R u
1
A v = ( gm +
) (Rc // R // rce ) soit Av = +154
R.
rce u
IM
ve rce + (Rc // R u ) rce + (Rc // R u )
= soit : R e = R E // rbe //
i 1 + g m rce 1 + g m rce
H
Question 4c : Résistance de sortie vue par Ru.
R eq
R s = R c // k.rce avec : k = 1 + g m R eq +
rce
A.N. Rs =1 kΩ // 220 kΩ = 995 Ω.
R.
MONTAGES FONDAMENTAUX TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN
IM
+ VCC + VCC + VCC
R1 RC R1 R1 RC
C C
B B
H
RG RU RG E E
RG RU
+ + R2 RE
eg
R2 RE eg
R2 RE RU +
RA
eg
- -
-
1 rbe
Re = Rp // [rbe + ( +1) RE ] Re = Rp // [rbe + ( +1)(RE // RU )] Re ≈ =
Av = −
NB
(rce // RC // RU )
rbe + ( +1)RE
Av =
( + 1) (rce // RE // RU )
rbe + ( + 1) (rce // RE // RU )
(RG // Rp ) + rbe
≤1 Av = (gm +
1
gm
) (r // RC // Ru )
rce ce
La résistance RG peut être la résistance de sortie de l’étage amont et RU la résistance d’entrée de l’étage aval.
CALCUL DES CAPACITES DE LIAISONS
+ VCC
RC1 RC2
C2
T2
T1
RG C1 vs RU
IM
+
eg ve RE1 Cd RE2
-
Schéma équivalent
H
petites variations et fréquences moyennes
C1
RA C2
RG Rs
+ +
eg ve Re Av0 ve vs RU
- -
NB
1 1
fce = fcs =
2 (RG + Re ) C1 2 ( Rs + Ru ) C2
dB
dB
vs
At. (dB) eg f . moy.
R.
0 f
f1 fréquences moyennes
f 2 f 2
At(dB) = −10.log1 + −10.log1
ce
+ cs
f1 f1
CALCUL D’UNE CAPACITE DE DECOUPLAGE
+ VCC
RC1 RC2
C2
T2
T1
IM
RG C1 vs
RU
+
eg ve RE1 Cd RE2
-
H
Schéma équivalent
petites variations et fréquences moyennes
RA
Rth
+
eth v Cd
NB
eth − v 1
BE
Fdécouplage = = −10.log1
+ 2
eth dB ( .Rth .Cd )
1
= Rth 10 −0.1F − 1déc
.Cd
R.
ASSOCIATION EMETTEUR COMMUN-BASE COMMUNE
(CASCODE)
R1 R3 RC2
T2
IM
CL1
T1
CL2
Rg
vs1 vs2 Ru
ve R2 CD1 R4
+
eg
H
-
RA
Re1 = R1 // R2 // rbe1 1
Re2 =
gm2
Rs2 = RC 2
BE
R.
AMPLIFICATEUR CASCODE COMPENSE
+ VCC = +20 V
RC
R1
Base com. T2
VZ
Cp vs
6v 1.2 nF
R2
IM
10 µF Emetteur com. T1
Rg CL1
56 nF
ve
+ R3 RE CE
25 nF
eg
H
- 0 nF
RA
vs g R 1+ j
= − m C E = RCCp = RE CE 1 = E
1+ gm RE
C E
ve 1 + g m E
R (1+ j C )(1+ j 1 )
NB
+30
BE
+25
+20
+15
R.
+10
+5
+0e+000
-5
CE = 56 nF CE = 25 nF Sans CE *REAL(BP)*
+ VCC = +15 V
IC1 +IB2
0, 6 V T2 0V
IB2
Rs imposée
T1
IM
vs
IC2
RE1 RE2 ? M (0 V)
- VEE = -15 V
On désire avoir :
H
Une tension de repos en sortie nulle : VS = 0 V
Une résistance de sortie Rs fixée
Une résistance d’ entrée de l’ étage T2 k fois plus grande que la résistance de sortie de T1
RA
UT V EE
r be2 = β avec IC 2 =
1 I C2 R E2
R c1 = r + β R E2
k be2 UT
r be2 = β R
VEE E2
NB
R c1 + rbe2
R s = RE2 / /
β
R E2 UT
R s = R E2 / / 1 + ( k + 1)
k V EE
BE
négligeable devant 1
R.
R E2 = ( k + 1 ) R s
Miroir de courant à transistors PNP
+ VCC = +15 V
C1 C2 B2 B1
T1 T2
i gm1 vbe1 gm2vbe2
+
IC1 u rce1 vbe1 = vbe2
Iref
C1 -
R2
IM
R1
E2 E1 rce2//rbe2//rbe1//R2
Détermination de la résistance de sortie vue par R1
H
+ VCC = +15 V
RA
T1 T2
RB IC1
Iref
R2
NB
T3
ve vs
RE
BE
vbe rce
B E
rbe
ib i
R.
C
gm vbe
ve RB RE ou β ib vs r
ce1
+ VCC
RC
CD1
SCHEMA EN REGIME CONTINU
+ VCC
R1
L
r C accord R1 RC + r
CL1
CL2
IM
Rg vs
ve R2 RE
+ R2 RE CD2
eg
-
SCHEMA DU MONTAGE
H
RA
SCHEMA EN REGIME SINUSOIDAL PETITES VARIATIONS
L 2
QL = 0
LC 0 =1
r
Rg
ve
+ rbe Réqui vs L
vbe C accord
NB
eg gm vbe
-
R1//R2
Réqui = rce // Q 2L .r
gm Réqui
vs
ve
gm Réqui
2
R.
f0
f0 Réqui
∆f = avec: Q =
Q L 0