Chapitre III : OSCILLATEURS QUASI-SINUSOÏDAUX ET A RELAXATION

INTRODUCTION
♦ Un oscillateur est un générateur autonome de signal, dont l’énergie est fournie par l’alimentation
extérieure.
♦ Les oscillateurs sont des dispositifs essentiels dans les équipements électroniques : (le signal d’horloge,
la porteuse d’un émetteur, l’oscillateur local dans un récepteur, chaîne de mesure,…..).
♦ Il existe deux types d’oscillateurs : Oscillateurs sinusoïdaux (quasi-sinusoïdaux) délivrant des signaux
sinusoïdaux et des oscillateurs à relaxation qui délivrent des signaux non sinusoïdaux (carrés,
triangulaires,..)
♦ Les oscillateurs sont basés sur deux techniques différentes:
1. Compensation des pertes d’un oscillateur libre par des éléments à résistances négatives.
𝐝𝟐 𝐯 𝐝𝐯
+ 𝟐𝛂 𝐝𝐭 + 𝛚𝟐𝟎 𝐯 = 𝟎. Par compensation des pertes ( = 0) on obtient : 𝑣(𝑡) = 𝑉𝑀 sin(𝜔𝑡 + 𝜑).
𝐝𝐭𝟐
2. Mise en oscillation d’un système à réaction par compensation des pertes dans la chaîne de réaction
par un amplificateur.
♦ Selon le domaine de fréquences utilisées, on distingue des oscillateurs basses fréquences (ARC) et
des oscillateurs Hautes fréquences (RLC).
♦ Un oscillateur est caractérisé par sa puissance (amplitude) et sa fréquence d’oscillation.

1. OSCILLATEURS SINUSOIDAUX
On s’intéresse tout particulièrement au cas d’oscillateurs à réaction où l’oscillateur est constitué
essentiellement d’un amplificateur A (chaîne directe) et d’un réseau de réaction B (chaîne de retour).
1.1 Principe et condition limite d’entretien des oscillations +  s
e A
Nous avons 𝑠 = 𝐴(1 + 𝐵𝑠) ⇔ 𝑠 (1 − 𝐵𝐴) = 𝐴𝑒
𝑠 𝐴 + r
Soit une fonction de transfert en boucle fermée 𝐻 = 𝑒 = 1−𝐵𝐴 et une
fonction de transfert en boucle ouverte T = A. B
On peut distinguer trois cas possibles :
♦ IBAI >1  IrI > II  l’amplitude de s augmente rapidement jusqu’à saturation. Dans ce cas on a un
oscillateur à relaxation.
♦ IBAI < 1  IrI < II  l’amplitude de s diminue et tend vers zéro. Donc pas de signal en sortie.
♦ BA = 1  r =   on peut avoir s ≠ 0 même pour e = 0.
Donc le système correspond à un oscillateur sinusoïdal lorsque la condition BA = 1 est vérifiée. C’est la
condition d’entretien des oscillations sinusoïdales (condition de BARKHAUSEN).
s A

e = f(s) e = f(s)
s Ssaturation
A
s0
s1
s1 s0
s2
e e
e2 e1 e0 e0 e 1
IBAI < 1 ═> l’amplitude de s tend
vers zéro (pas d’oscillations).
IBAI > 1 ═> l’amplitude de s tend vers la
saturation Ssat (écrêtage).
A noter que cette condition BA = 1 est difficile à réaliser en pratique.
On prendra donc IBAI ≥ 1 au démarrage de l’oscillateur et puis IBAI = 1 pour le maintien (entretien) de
l’oscillation.

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 Démarrage IBAI > 1 Maintien IBAI = 1
Remarques :
■Le démarrage de l’oscillateur est assuré par un bruit dû à l’agitation thermique. Ce signal est ensuite
amplifié par l’amplificateur et puis filtré par le réseau de réaction (sélectif) centré sur la fréquence
centrale f0. Ainsi il est préférable de prélever le signal à la sortie de réseau de réaction qui présente
moins de distorsion que la sortie de l’amplificateur qui peut introduire des non linéarités (d’autres
harmoniques).

 s  s
A A
bruit
r bruit r
 signal amplifié (non linéarité de
amplifié
B B l’amplificateur)
signal filtré (sinusoïdal signal filtré (sinusoïdal
fondamentale f0) fondamentale f0)

En effet, tout signal périodique de fréquence f 0 peut être décomposé en série de Fourier (dont le
spectre contient la fréquence fondamentale f 0 et les harmoniques k*f0). Le réseau de réaction B
étant sélectif centré sur f0, sa sortie ne contient donc que la fréquence fondamental f 0 (tension
sinusoïdale de fréquence f0).
■ Pour que le gain de l’amplificateur ne dépende pas de la charge provoquée par le réseau de réaction
B, on utilise des amplificateurs à faible impédance de sortie.
■ Lorsque l’on ouvre la boucle en un point pour calculer T = BA, il faudrait tenir compte de l’impédance
vue par ce point avant ouverture.
e1
A A s2
ZeB
s1
B B
e2
ZeA
T = BA = s1/e1 T = BA = s2/e2

Etant donné qu’en général l’impédance d’entrée ZeA de l’amplificateur est assez élevée, on a donc intérêt
à considérer la première configuration (ouverture à l’entrée de l’amplificateur).
■L’amplificateur fonctionne à l’intérieur de sa bande passante, avec un gain A0 indépendant de la
fréquence, alors que B() est une fonction de la fréquence. La condition de maintien s’écrit alors B(j )A0
= 1 où 0 est la pulsation d’oscillation sinusoïdale.
Cette condition en complexe peut se traduire en deux conditions réelles :

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LSTIEEA Fonctions électroniques 2 A. El Idrissi
 𝐚𝐫𝐠[𝐁(𝛚𝟎 )𝐀𝟎 ] = 𝟎 ⇒ (𝐥𝐚 𝐩𝐮𝐥𝐬𝐚𝐭𝐢𝐨𝐧 𝐝′ 𝐨𝐬𝐜𝐢𝐥𝐥𝐚𝐭𝐢𝐨𝐧 𝛚𝟎 )
{ 𝟏
|𝐁(𝛚𝟎 )𝐀𝟎 | = 𝟏 ⇒ 𝐀𝟎 = (𝐜𝐨𝐧𝐝𝐢𝐭𝐢𝐨𝐧 𝐬𝐮𝐫 𝐥𝐞 𝐠𝐚𝐢𝐧)
|𝐁(𝛚 𝟎 )|

𝑰𝒎𝒂𝒈𝒆[𝑩(𝝎𝟎 )𝑨𝟎 ] = 𝟎 ⇒ (𝐥𝐚 𝐩𝐮𝐥𝐬𝐚𝐭𝐢𝐨𝐧 𝐝′ 𝐨𝐬𝐜𝐢𝐥𝐥𝐚𝐭𝐢𝐨𝐧 𝛚𝟎 )

Ou bien {
𝑹é𝒆𝒍𝒍𝒆[𝑩(𝝎𝟎 )𝑨𝟎 ] = 𝟏 ⇒ (𝐜𝐨𝐧𝐝𝐢𝐭𝐢𝐨𝐧 𝐬𝐮𝐫 𝐥𝐞 𝐠𝐚𝐢𝐧)

1.2 Oscillateurs sinusoïdaux en basses fréquences (ARC)

Pour ces oscillateurs le réseau de réaction est quadripôle passif constitué des résistances et
condensateurs.

1.2.1 Oscillateur à circuit de Wien

On suppose que l’impédance d’entrée ZeA de l’amplificateur est assez élevée.
𝑉 𝑍𝑝 mR
La fonction de transfert de réseau de réaction : B(p) = 𝑉𝑟 = 𝑍 +𝑍
𝑠 𝑝 𝑠
𝑅 𝑛+𝑚𝑅𝐶𝑝 C/n
avec 𝑍𝑝 = 1+𝑅𝐶𝑝 et 𝑍𝑠 = , on obtient : Vr
𝐶𝑝 A Vs
𝑉𝑟 𝑍𝑝 1
B (p) = = =
𝑉𝑠 𝑍𝑝 + 𝑍𝑠 1 + 𝑚 + 𝑛 + (𝑚𝑅𝐶 + 𝑛
)𝑝 C R
𝑅𝐶𝑝2
Soit en régime harmonique : p = j
𝑉𝑟 1
B(jω) = = 𝑛
𝑉𝑠 1 + 𝑚 + 𝑛 + 𝑗ω (𝑚𝑅𝐶 − )
𝑅𝐶ω2
Or A0 est un nombre réel, la condition d’entretien s’exprime sous la forme :
𝟏 𝒏
𝑰𝒎𝒂𝒈𝒆[𝑩(𝝎𝟎 )𝑨𝟎 ] = 𝟎 ⇒ 𝑰𝒎𝒂𝒈𝒆[𝑩(𝝎𝟎 )] = 𝟎 ⇒ 𝒎𝑅2 𝐶 2 𝝎𝟎 2 = 𝒏 ⇒ 𝝎𝟎 = √
𝑹𝒄 𝒎
𝑨𝟎
{ 𝑹é𝒆𝒍𝒍𝒆[𝑩(𝝎𝟎 )𝑨𝟎 ] = 𝟏 ⇒ =𝟏 ⇒ 𝑨𝟎 = 𝟏 + 𝒎 + 𝒏 (la condition sur la gain).
1+𝑚+𝑛

Au démarrage on doit avoir : 𝑨𝟎 ≥ 𝟏 + 𝒎 + 𝒏 R1 R2

Le gain A0 étant positif, on utilisera donc un amplificateur non inverseur.
- Vs
Exemple : +
𝟏
𝝎 𝟎 = Vr
Pour 𝐦 = 𝐧 = 𝟏 on a ∶ { 𝑹𝒄
𝑨𝟎 ≥ 𝟑 mR C/n
𝑹
Dans ce cas 𝑨𝟎 = 𝟏 + 𝑹𝟐 C R
𝟏
Donc pour assurer le démarrage de l’oscillateur, il faut avoir R2 ≥ 2R1.

1.2.2 Oscillateur à réseaux déphaseurs RC (cas de trois cellules RC)

Z1 et Z2 sont des résistances et des condensateurs.
On montre que la fonction de transfert B est : Z1 Z1 Z1
Vs Z2 Z2 Z2 Vr
𝑉𝑟 1
B= = 2 2
𝑉𝑠 1 + 5𝑍1 𝑌2 + 6𝑍1 𝑌2 + (𝑍1 𝑌2 )3
1
=
𝑍 𝑍 2 𝑍 3
1 + 6 𝑍1 + 5 (𝑍1 ) + (𝑍1 )
2 2 2
Pour A0 réel, la condition d’oscillation impose que B soit réel donc Image(B) = 0.
𝑍 𝑍 1 𝑗
Or 𝑍1 = 𝑗𝑅𝐶𝜔 = 𝑗𝑋 𝑜𝑢 𝑍1 = 𝑗𝑅𝐶𝜔 = − 𝑋 avec X = RC.
2 2

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 𝑍 𝑍 3 𝑍 𝟏 𝟏
Donc Image[ B ] = 0 ⇒ 6 𝑍1 + (𝑍1 ) = 0 ⇔ 𝑍1 + 6 = 0 ⇒ 𝐁(𝝎𝟎 ) = 𝟏+𝟓(−𝟔) = − 𝟐𝟗
2 2 2
Et la condition sur le gain est donnée par:
A0
B(0)A0 ≥ 𝟏 ⇔ − ≥ 𝟏 ⇔ 𝐀𝟎 ≤ −𝟐𝟗 donc il s’agit d’un amplificateur inverseur avec |𝐀𝟎 | ≥ 𝟐𝟗.
29

1 𝑍1 1
Exemple : Z1 = et Z2 = R, soit =
𝑗𝐶𝜔 𝑍2 𝑗𝑅𝐶𝜔 R1 R2
Dans ce cas : -
2 C C C Vs
𝑍1 1
+ 6 = 0 ⇔ − (𝑅𝐶𝜔 ) + 6 = 0 ⇔ 𝝎𝟎 =
𝟏
Vs R R Vr +
𝑍2 𝑹𝑪√𝟔
R’
0

Attention ! La fonction de transfert B a été calculée à

vide. Lorsque l’on boucle le système, le réseau de réaction n’est plus à vide, mais chargé par l’impédance
d’entrée de l’amplificateur ReA. Pour que les calculs restent valables, il faut prendre une résistance R’ à
R∗ReA
la place résistance R de la dernière cellule, telle que R = R’//ReA ≈ R’//R1 soit 𝐑′ = R −R .
eA
√𝟔
Si on permute R et C, on obtient : 𝝎𝟎 = .
𝑹𝑪

1.3 Oscillateurs sinusoïdaux en hautes fréquences

Constitué de même d’un élément actif (JBT ou TEC) et d’un réseau de réaction sélectif (RLC) accordé
sur la fréquence d’oscillation f0.
La condition d’entretien peut s’exprimer en hautes fréquences d’une autre manière en considérant les
matrices [Y], [Z], [H], [S],..

1.3.1 Oscillateurs à réseau de réaction LC en Pi ()

Le schéma de principe est donné ci-contre avec A0 < 0. Rs Z2
Pour déterminer la fonction de transfert en boucle ouverte T on Vr Ze Z1 Z3 Vs
A0Vr
ouvre la boucle à l’entrée de l’amplificateur (tout en tenant
compte de l’impédance vue par le point d’ouverture) et obtient
le schéma suivant :

Rs Rs Z2
Z2
Z1 Z3 Vs Ze A0Vr Z1 Z’3 Vs
A0Vr Soit encore avec Z’3 = Z3//Ze V1

𝑍1 (𝑍2 +𝑍′3 )
𝑍3′ 𝑍1 +𝑍2+𝑍′3 𝑍1 (𝑍2 +𝑍3′ )
𝑉𝑠 = 𝑍 ′ 𝑉1 avec 𝑉1 = 𝑍 (𝑍 +𝑍′ )
𝐴0 𝑉𝑟 = 𝑅 ′ ′ 𝐴0 𝑉𝑟
2+𝑍3 𝑅𝑠 + 1 2 3′ 𝑠 (𝑍1+𝑍2 +𝑍3)+𝑍1 (𝑍2+𝑍3 )
𝑍1 +𝑍2+𝑍3
𝐴0 𝑍1 𝑍3′ 𝐴0 𝑍1 𝑍3
Doù : 𝑇 = 𝑅 ′ ′ =𝑅 lorsque |𝑍𝑒 | ≫ |𝑍3 |
𝑠 (𝑍1 +𝑍2 +𝑍3 )+𝑍1(𝑍2 +𝑍3 ) 𝑠 (𝑍1 +𝑍2+𝑍3 )+𝑍1(𝑍2 +𝑍3)
En exprimant la condition d’oscillation sinusoïdale (T = 1), on obtient :
𝐴0 𝑍1 𝑍3 = 𝑅𝑠 (𝑍1 + 𝑍2 + 𝑍3 ) + 𝑍1 (𝑍2 + 𝑍3 ) … … . . (1)
Or les impédances Zk sont réactances pures Zk = jXk avec Xk = L ou Xk = -1/ L

En remplaçant dans (1), on obtient : −𝐴0 𝑋1 𝑋3 = 𝑗𝑅𝑠 (𝑋1 + 𝑋2 + 𝑋3 ) − 𝑋1 (𝑋2 + 𝑋3 ) ce qui donne
les deux équations réelles suivantes :
𝑅𝑠 (𝑋1 + 𝑋2 + 𝑋3 ) = 0 … … … . (2)
𝐴0 𝑋3 = 𝑋2 + 𝑋3 … … … . … … . . . (3)
D’après (2), on a : 𝑋2 + 𝑋3 = −𝑋1 reportée dans(3), on a : 𝐴0 𝑋3 = −𝑋1 puisque A0 < 0, donc X1 et
X3 ont le même signe par conséquent Z1 et Z3 sont de même type.
D’après (2) on a : X2 = -(X1 + X3) et par conséquent Z2 est de nature différente à celle de Z1 et Z3.

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On peut donc avoir les deux réseaux de réaction suivants :

L C
C1 C2 L1 L2

Réseau de Colpitts Réseau de Hartely

VDD

1.3.2 Exemple : Oscillateur de Colpitts R

Le schéma d’un tel oscillateur est représenté par la
figure ci-contre, où le transistor à effet de champ est S
Cl
caractérisé par les paramètres suivants : E Cl L
gm,  = rds, Cgs et Cgd. C1 C2 Vs
Ve RG Rs Cs

La figure suivante donne le schéma équivalent en régime dynamique de cet oscillateur.

Cgd

L
Ve RG Cgs gmvgs  R C1 Vs
C2

Par transformation de Miller on obtient le schéma ci-contre.

Avec :
Ve L
Ce = Cgs + (1 − A0 )Cgd où A0 = −g m R 0 et R0 = //R Ce R0 Vs
1 RG gmvgs C’1 C2
C1′ = C1 + (1 − ) Cgd ≈ C1 + Cdg
A0
avec C2′ = C2 + Ce , le schéma en boucle ouverte est le suivant :
L
La résistance RG a pour rôle d’assurer la polarisation du TEC gmVe R0 RG C’2 Vs
C’1
conséquent elle doit avoir une valeur assez élevée pour ne pas
intervenir en régime dynamique, en particulier à la fréquence
1
d’oscillation 0 (R G ≫ C′ ω )
2 0
En transformant le générateur de courant en générateur de tension, on R0 L
obtient : gmR0Ve C’2 Vs
Par identification avec le schéma de principe, on en déduit : C’1
1 1
A0 = −g m R 0 ; Rs = R 0 ; Z1 = ′ ; Z2 = jLω et Z3 = ′
jC1 ω jC2 ω
La condition d’oscillation sinusoïdale se traduit alors par :
𝟏 𝟏 𝐂′ + 𝐂′
𝐗𝟏 + 𝐗𝟐 + 𝐗𝟑 = 𝟎 ⇔ 𝐋𝛚𝟎 − ′ − ′ =𝟎 ⇒ 𝛚𝟎 = √ 𝟏 ′ ′𝟐
𝐂𝟏 𝛚𝟎 𝐂𝟐 𝛚𝟎 𝐋𝐂𝟏 𝐂𝟐
𝐠𝐦𝐑𝟎 𝟏 ′ 𝟐
𝐂𝟐′
= 𝐋𝛚𝟎 − ′ ⇒ 𝐠 𝐦 𝐑 𝟎 = 𝐋𝐂𝟐 𝛚𝟎 − 𝟏 = ′
{ 𝐂𝟐′ 𝛚𝟎 𝐂𝟐 𝛚𝟎 𝐂𝟏
𝟏 𝐋
Pour un oscillateur de Hartely, on obtient : 𝛚𝟎 = √(𝐋 et 𝐠 𝐦 𝐑 𝟎 = 𝐋𝟏
𝟏+𝐋𝟐 )𝐂 𝟐

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 Remarque :
Notons que pour les deux configurations (Colpitts et L L
Ceq
Hartely) 𝛚𝟎 représente la pulsation de résonnance du C1 C2
𝟏 C1 C2
circuit LC équivalent, donnée par 𝛚𝟎 = √𝐋 .
𝐞𝐪 𝐂𝐞𝐪
𝐂′ 𝐂′
Pour le réseau de Colpitts : 𝐋𝐞𝐪 = 𝐋 et 𝐂𝐞𝐪 = 𝐂′𝟏+𝐂𝟐′ C C
𝟏 𝟐 Leq
L1 L2
L1 L2
Pour le réseau de Hartely: 𝐋𝐞𝐪 = 𝐋𝟏 + 𝐋𝟐 et 𝐂𝐞𝐪 = 𝐂
𝐙
Pour les deux cas, nous avons aussi 𝐠 𝐦 𝐑 𝟎 = 𝐙𝟏
𝟑

On montre qu’afin d’augmenter la stabilité de la fréquence d’oscillation, on augmente le coefficient de

qualité Q0 de circuit oscillant. Un exemple est donné par l’ajout un condensateur de capacité C en série
avec la bobine L dans la branche horizontale du L
réseau de Colpitts. Dans ce cas l’oscillateur L C Ceq
obtenu est appelé Clapp avec : C1 C2
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 C1 C2 C
= + +
𝐂𝐞𝐪 𝐂𝟏 𝐂𝟐 𝐂

1.4 Stabilisation de l’amplitude d’un oscillateur sinusoïdal

Au lieu de laisser à des non linéarités mal connues (celles de l’amplificateur) le soin de limiter l’amplitude
des oscillations, on cherche à contrôler ce phénomène en introduisant dans la boucle un élément dont la
caractéristique est bien maîtrisée introduisant ainsi une non linéarité volontaire.
Le principe est de rendre le gain A de l’amplificateur dépendant de l’amplitude VM des oscillations :
𝐝𝐀
< 0.
𝐝𝐕𝐌
En effet, lorsque l’amplitude diminue le gain doit augmenter pour compenser cette diminution,
inversement, lorsque l’amplitude augmente le gain doit diminuer. Ce qui permet de stabiliser l’amplitude
à une certaine valeur VM0.
B
VM
s’0 A
s’1 P0
VM0

s1

s0

e
e0 e1 eM e’1 e’0

IBAI > 1 ═> l’amplitude de s augmente IBAI < 1 ═> l’amplitude de s diminue pour
pour se stabiliser à SM. se stabiliser à SM.

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1.4.1 Stabilisation de l’amplitude par diodes DZ1 DZ2
Par exemple pour l’amplificateur non inverseur de l’oscillateur à pont de
Wien (figure ci-contre), on place deux diodes Zéner montées en têtes
bêches en parallèle sur la résistance R2.
R1 R2
Ces deux diodes ont les caractéristiques suivantes : (Vd et Rd) dans le sens
-
direct et (Vz et Rz) dans les sens inverse. Vs
+
Lorsque |𝐕𝐬| ≤ 𝐕𝐳 + 𝐕𝐝 , les deux diodes sont bloquées et le gain de
𝐑 Vr
l’amplificateur est donné par : 𝐀𝟎 = 𝟏 + 𝐑𝟐 .
𝟏
R C
Lorsque |𝐕𝐬| ≥ 𝐕𝐳 + 𝐕𝐝 , les deux diodes sont passantes et le gain
𝐑 C R
devient : 𝐀𝟏 = 𝟏 + 𝐑𝟐𝐞𝐪 avec R 2eq = R 2 //(R d + R z ).
𝟏
Puisque 𝐑 𝐞𝐪𝟐 < 𝐑 𝟐 amors 𝐀𝟏 < 𝐀𝟎 . Donc le gain diminue
lorsque l’amplitude augmente. A
Quand les diodes sont passantes, l’amplitude de la tension A0
de sortie Vs se stabilise à 𝐕𝐌𝟎 ≈ |𝐕𝐳 + 𝐕𝐝 |.
La courbe ci-contre représente la variation du gain A en A1
fonction de l’amplitude de la tension Vs. VM
Diodes bloquées Diodes passantes
1.4.2 Stabilisation de l’amplitude par Thermistances
On peut remplacer la résistance R2 par une thermistance Rth à coefficient de température négatif
𝐑
(CTN) ce qui donne un gain en tension : 𝐴 = 𝟏 + 𝐑𝐭𝐡 .
𝟏
Notons que Rth peut s’exprimer en fonction de la température  par la relation : 𝐑 𝐭𝐡 = 𝐑 𝟎 𝐞𝛂𝛉 avec :
 < 0 pour une CTN et α > 0 pour une CTP (coefficient de température positif).
Rappelons que pour assurer le démarrage de l’oscillateur de Wien on doit avoir 𝐀 > 3 donc à la
température ambiante il faut avoir 𝐑 𝐭𝐡 > 2𝐑 𝟏.
Principe de la stabilisation:
Lorsque l’amplitude de Vs augmente, le courant dans Rth augmente ce qui conduit à l’échauffement de
la thermistance et à l‘augmentation de sa température, par conséquent la valeur de Rth diminue donc le
gain A diminue.
Inversement lorsque l’amplitude de Vs diminue, le courant dans Rth diminue ce qui conduit à la diminution
de la température par conséquent la valeur de Rth augmente donc le gain A augmente.
Il y a donc un effet de la contre réaction qui stabilise le gain pour 𝐑 𝐭𝐡 = 𝟐𝐑 𝟏 et par conséquent
stabilisation de l’amplitude de l’oscillateur.
On peut aussi utiliser une thermistance à coefficient de température positif (CTP) mais à la place de R1.

1.4.3 Stabilisation de l’amplitude par régulation automatique du gain

D’après le réseau des caractéristiques de sorties I DS = f(VDS) à VGS ID
constante d’un transistor à effet de champ, on constate que le transistor
est équivalent dans la zone linéaire à une résistance dont la valeur
dépend de la tension de polarisation VGS. VGS = cte
En effet dans cette zone telle que |𝑽𝑫𝑺 | ≪ |𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝒑 | on a :
𝑽𝒑
𝑰𝑫 = − 𝑽 𝑽𝑫𝑺 où Vp est la tension de pincement de
𝟐𝑰𝟎 (𝟏− 𝑮𝑺 )
𝑽𝒑 VDS
transistor ce qui permet de donner l’expression de cette résistance : Zone linéaire
𝐑 𝐕
𝐑 𝐃𝐒 = 𝐕𝟎𝐆𝐒 avec 𝐑 𝟎 = − 𝟐𝑰𝐩 (pour un TEC canal N, Vp< 0 et I0 < 0)
𝟏− 𝟎
𝐕𝐩

Le transistor à effet de champ peut donc être utilisé dans sa partie Ohmique (VDS faible) comme résistance
commandée par la tension VGS. Cette résistance sera utilisée pour commander le gain d’un amplificateur
afin de le rendre dépendant de l’amplitude (ici VGS) pour en faire un contrôle automatique du gain. Il suffit
pour cela de rendre la tension de polarisation VGS une fonction de l’amplitude de la tension à stabiliser.

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 Le circuit de la figure ci-contre donne un exemple d’un
l’oscillateur à pont de Wien avec stabilisation en D
amplitude. Cd Rd
Il est composé d’un détecteur de crête (D, Rd-Cd).
La diode D a pour rôle de redresser la tension Vs(t) alors R1 R2
que le circuit Rd-Cd permet de la filtrer et d’en extraire ainsi
- A1
l’amplitude IVGSI = VM pour Vs(t) = VM sin0t. CL +
Le gain de l’amplificateur est alors donné par : Tr
𝐑𝟐
𝐀 = 𝟏 + 𝐑𝟏+𝐑 , donc lorsque la valeur absolue de
𝐃𝐒 Vs(t)
Ve(t) C
l’amplitude VM augmente, la valeur de la résistance RDS R C
R
augmente ce qui fait diminuer le gain A. Inversement la
diminution de VM fait augmenter la valeur du gain, d’où une
contre réaction qui fait stabiliser l’amplitude VM de l’oscillation à une valeur VM0.

Notons que le TEC doit fonctionner avec VGS comprise entre 0 et VGSOFF = Vp.
Exemple : Pour VM = 3V et puisque le TEC utilisé est à canal N, le détecteur de crête doit détecter la
crête négative car ce transistor se commande par VGS < 0. Dans ce cas le détecteur de crête délivre une
tension VGS = Vd + VM = -2.4 V (Vd = 0.6 V étant la tension seuil de la diode).

1.5 Stabilisation de la fréquence d’un oscillateur sinusoïdal

Dans la pratique, le déphasage 𝛗𝐀 introduit par l’amplificateur A et 𝛗𝐁 introduit par le réseau de réaction
 peuvent varier légèrement sous l’influence de différents facteurs (capacités parasites, variation de
température, vieillissement des composants,..). Toute variation de déphasage parasite  sera alors
compensée par une variation de la fréquence d’oscillation fo pour que la condition de BARKHAUSEN sur
la phase reste vérifiée à savoir 𝛗𝐀 (𝛚𝟎 )+ 𝛗𝐁 (𝛚𝟎 ) = 𝟎.

1.5.1 Principe
On montre que la variation de la fréquence sera d’autant plus faible que la rotation de phase est rapide
au voisinage de fo.
On caractérise la stabilité en fréquence par le coefficient 𝐒𝐅 appelé aussi taux de stabilisation en
𝐝𝛗𝐁 (𝛚)
fréquence qui est défini par : 𝐒𝐅 = 𝛚𝟎 𝐝𝛚 | . 
𝛚=𝛚𝟎 
Un illustration est donnée sur la figure ci-contre, sur laquelle on

représente la variation de la phase () pour deux réseaux
de réactions différents 1 et 2. 
f0
On constate que pour la même variation de la phase 
f f
pour les deux réseaux de réaction autour de f , la variation de
la fréquence autour de f est plus faible pour le réseau B1 f
que pour le réseau B2 (f <  f ), donc le réseau de
réaction B1 offre une meilleure stabilité en fréquence que le réseau B2.

 𝐒𝐅 est d’autant plus grand que la pente de la courbe de phase est élevée autour de fo.

On en déduit donc qu’un oscillateur qui a une bonne stabilité en fréquence sera caractérisé par
𝐝𝛗
une pente importante 𝐝𝛚𝐁 et donc un coefficient de stabilité en fréquence SF de valeur élevée.
Par exemple pour un oscillateur construit autour d’un quadripôle de réaction représentant un filtre RLC
𝐋𝐂𝛚𝟐 −𝟏 𝐋𝐂𝛚𝟐 −𝟏
passe bande pour lequel 𝛗𝛃 (𝛚) = 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠 [ ]≈ autour de 0.
𝐑𝐂𝛚 𝐑𝐂𝛚

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 𝐝𝛗𝐁 (𝛚) 𝟐 𝟐𝐐
On peut calculer 𝐒𝐅 = 𝛚𝟎 | = 𝐑𝐂𝛚 = 𝛚 où Q est le coefficient de qualité de circuit RLC.
𝐝𝛚 𝛚=𝛚𝟎 𝟎 𝟎

 La stabilité en fréquence est directement liée au coefficient de qualité du filtre déphaseur utilisé dans
le quadripôle de réaction ou quelquefois dans la chaîne directe : Pour une bonne stabilité en fréquence,
l’oscillateur doit être construit autour de filtres déphaseurs à fort coefficient de qualité.

1.5.2 Stabilisation en fréquence par utilisation de quartz.

Pour obtenir une bonne stabilité de la fréquence d’oscillation, nous avons vu qu'il fallait disposer d'une
branche horizontale du réseau de réaction en  (Pi) avec un fort coefficient de qualité Q, une forte valeur
de L et une faible valeur de capacité (oscillateur Clapp). A cet effet on utilise un quartz qui est un
résonateur piézo-électrique.
En tant qu'électroniciens nous avons besoin seulement de connaître le schéma électrique équivalent d'un
quartz. Avant de présenter ce schéma nous rappelons brièvement ce qu'est la piézo-électricité.
La piézo-électricité est un phénomène propre à certains types de cristaux (le quartz est le plus connu)
anisotropes. La piézo-électricité a été mise en évidence par les frères Pierre et Jacques Curie en 1880.
L'effet "direct" consiste en l'apparition de charges électriques à la surface des électrodes lorsque le
matériau piézo-électrique est soumis à des contraintes mécaniques.
Lorsque le matériau piézo-électrique est
soumis à une contrainte mécanique
(compression, extension, cisaillement,...),
++++++++++++
il en résulte une déformation, celle-ci Contraintes Matériau piézo-
entraîne une polarisation P à l'intérieur du mécaniques électrique
lectrodes métallique
matériau. Si les deux électrodes - - - - - - - - - - - -
métalliques sont reliées par un court-
circuit, il passe un courant Icc dans celui-ci
lors de la variation de la contrainte et deux
plans de charges apparaissent dans les électrodes métalliques aux interfaces électrode/matériau.

L'effet piézo-électrique "inverse" consiste en une modification des

++++++++++++
dimensions des cristaux en présence d'un champ électrique, la tension
Matériau piézo-
de polarisation Vpol entraîne une polarisation qui conduit à une Vpol
électrique
modification des dimensions. Cette polarisation s'ajoute à la polarisation - - - - - - - - - - - -
classique due à la permittivité diélectrique du matériau.
Finalement le schéma électrique équivalent complet d’un quartz est C
L r ZQ
donné par l’impédance ZQ ci-contre, avec
𝟏−𝐋𝐂𝛚𝟐 +𝐣𝐫𝐂𝛚
𝐙𝐐 = −𝐫𝐂 𝟐 𝟐 .
𝟎𝐂𝛚 +𝐣𝛚(𝐂+𝐂𝟎 −𝐋𝐂𝐂𝟎𝛚 )

En se mettant dans le cas où r = 0, on trouve : C0

𝟏−𝐋𝐂𝛚𝟐 𝛚𝟐 −𝛚𝟐𝐬
𝐙𝐐 = 𝐣𝛚(𝐂+𝐂 = que l’on peut mettre sous la forme :
𝟐
𝟎 −𝐋𝐂𝐂𝟎𝛚 ) 𝐣𝐂𝟎𝛚(𝛚𝟐 −𝛚𝟐𝐩 )
𝛚𝟐 −𝛚𝟐𝐬 𝟏 𝐂+𝐂 𝐂
𝐙𝐐 = 𝐣𝐗 avec 𝐗 = − 𝐂 𝟐 𝟐 , 𝛚𝐬 = et 𝛚𝐩 = √ 𝐋𝐂𝐂 𝟎 = 𝛚𝐬 √𝟏 + 𝐂
𝟎 𝛚(𝛚 −𝛚𝐩 ) √𝐋𝐂 𝟎 𝟎

- La pulsation s est appelée pulsation de résonance série (LC), dans l'approximation r = 0 c'est la
pulsation de résonance électromécanique, pour cette pulsation ZQ = 0.
- La pulsation p est appelée pulsation de résonance parallèle (L, C-C0) pour cette pulsation ZQ → ∞.

Fréquence f 0 𝐟𝐬 𝐟𝐩
𝐟 𝟐 − 𝐟𝐬𝟐 - 0 + +
𝐟 𝟐 − 𝐟𝐩𝟐 - 0 + +
-X - 0 + ∞ -
ZQ capacitive 0 inductive ∞ capacitive
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 Le tableau ci-dessus permet de déduire le comportement du quartz selon le domaine de fréquences :
f < fs ou f > fp  le quartz a un comportement capacitif.
fs < f < f p  le quartz a un comportement inductif.
Exemple numérique :
Pour un quartz oscillant à f0 = 27MHz :
r = 30  ; L = 3.486 mH; C = 10 fF (1 f = 10-15) et C0 = 3 pF.
Soit un coefficient de qualité Q = 2 104. En pratique pour des quartz 104 < Q < 106.
Pour r = 0, on obtient :
fs = 26 956 061.61 Hz, fp = 27 000 951.00 Hz soit f = fp - fs = 44889.39 Hz
On constate que f/f0 ≈ 1.7 10-3 soit une variation relative de la fréquence très faible autour de f 0.
Finalement on peut conclure que le quartz peut être utilisé dans la branche horizontale d’un oscillateur
de Colpitts (Clapp) avec une très bonne stabilisation de la fréquence de l’oscillateur. En effet le quartz a
un comportement inductif dans un domaine de fréquence très étroit (fs < f < fp ).
1.5.3 Exemple d’un oscillateur stabilisé en fréquence VDD
Le schéma d’un oscillateur à quartz (Q) est donné sur la
figure ci-contre. Il utilise un amplificateur à transistor R
bipolaire (r, ) monté en émetteur non découplé et un
réseau de Colpitts dont la branche horizontale contient un S
RB
quartz Q. Le condensateur CB présente une réactance E Q
nulle aux fréquences considérées. C C V2
Ce qui donne le schéma ci-dessous en régime R
V1 CB E
dynamique : s

S
r i Q
R C C V2
V1
RE
s

Amplificateur Réseau de réaction

En ouvrant la boucle entre E et S, on obtient le schéma ci-contre :
𝛃𝐑
Avec : Re = r + ( + 1) RE, 𝐀𝟎 = − 𝐫+(𝛃+𝟏)𝐑 et 𝐑𝐬 = 𝐑 R Q
𝐄 +
La résistance Re étant très élevée : A0V C C V2 Re
-
𝟏
𝐑 𝐞 ≫ 𝐂𝛚 , on peut donc négliger son effet. 
𝟎
Pour la suite on peut déterminer la fonction de transfert en boucle
ouverte et puis écrire la condition d’oscillation sinusoïdale ou bien appliquer directement les résultats du
paragraphe 1.3.1 soit :
𝑅𝑠 (𝑋1 + 𝑋2 + 𝑋3 ) = 0………(2)
𝐴0 𝑋3 = 𝑋2 + 𝑋3 ……….……...(3)
1 𝛚𝟐 −𝛚𝟐𝐬
Avec dans ce cas : 𝑋1 = 𝑋3 = − 𝐶𝜔 et 𝑋2 = − 𝐂 𝟐 𝟐 .
𝟎 𝛚(𝛚 −𝛚𝐩 )

𝐂𝛚𝟐𝐬 +𝟐𝐂𝟎 𝛚𝟐𝐩

La relation (2) nous donne  𝝎𝟎 = √ 𝟐𝐂𝟎 +𝐂
En reportant ce résultat dans (3) on obtient : A0 = 1 pour l’entretien et A0 > 1 au démarrage.

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2. OSCILLATEURS A RELAXATION
Un oscillateur à relaxation (ou oscillateur astable) est un dispositif électronique qui possède deux
positions d’équilibre (instables) entre lesquelles il oscille périodiquement sous l’effet d’un apport d’énergie
extérieur (alimentation). Les signaux fournis par ce type d’oscillateurs ont des formes rectangulaires,
triangulaires,….
Ce type d’oscillateur est principalement constitué d’un dispositif à commutation (transistor en
commutation ou comparateur à amplificateur opérationnel) et d’un circuit RC (intégrateur).

Intégrateur

2.1 OSCILLATEURS A RELAXATION A BASE D’AMPLIFICATEURS OPRETARIONNELS

2.1.1 Multivibrateur astable (TRIGGER DE SCHMIDT)
Dans le circuit ci-contre on reconnaît un comparateur inverseur à
hystérésis dont la caractéristique de transfert est la suivante : -
+
+Vsat Vs
𝐕𝐇 = 𝐤𝐕𝐬𝐚𝐭
R

VH 𝐞𝐭 𝐕𝐁 = −𝐤𝐕𝐬𝐚𝐭 Vs C Vc
R2
Vc R1
VB 𝐑𝟐
𝐤=
𝐑𝟏 + 𝐑𝟐
-Vsat
Donc la tension Vs bascule entre les deux valeurs ±Vsat, selon le signe de  = e+ - e-.
Supposons qu’à l’instant t = 0, la tension Vs = +Vsat et le condensateur initialement déchargé Vc(0) = 0.
Déterminons l’évolution de la tension Vc(t).
Pour Vs = +Vsat le condensateur C va se charger à travers la résistance R avec une constante de temps
c = RC.
L’équation de la charge est celle d’un système du premier ordre donnée par :
𝑡
−
𝑉𝑐 (𝐭) = 𝑉𝑐∞ − (𝑉𝑐∞ − 𝑉𝑐0 )𝑒 𝜏𝑐 avec : 𝑉𝑐∞ = +𝑉𝑠𝑎𝑡 et 𝑉𝑐0 = 𝑉𝑐 (0) = 0
𝐭
−
Soit 𝐕𝐜 (𝐭) = 𝐕𝐬𝐚𝐭 (𝟏 − 𝐞 𝛕𝐜 ) … … … … … … 𝐄𝐪𝟏
Vs
A partir de t = 0 (point A), la tension Vc(t) augmente jusqu'à C
l’instant t1 (point B) pour lequel la sortie Vs(t) bascule vers – +Vsat A D
Vsat avec Vc(t1) = VH.
A partir de l’instant t1 le condensateur se décharge dans R car VH
Vc
(Vs = - Vsat). Cette décharge se fait avec la même constante du VB
temps que celle de la charge et selon l’équation
𝑡−𝑡1 -Vsat
− B
𝑉𝑐 (𝐭) = 𝑉𝑐∞ − (𝑉𝑐∞ − 𝑉𝑐0 )𝑒 𝜏𝑐 avec ici 𝑉𝑐∞ = −𝑉𝑠𝑎𝑡
et 𝑉𝑐0 = 𝑉𝑐 (𝑡1 ) = 𝑉𝐻 soit
𝐭−𝐭 𝟏
−
𝐕𝐜 (𝐭) = − 𝐕𝐬𝐚𝐭 + (𝐕𝐬𝐚𝐭 + 𝐕𝐇 )𝐞 𝛕𝐝
………..Eq2

Donc à partir de t1 (point B), Vc(t) diminue jusqu’à l’instant t2 pour lequel Vs(t) bascule à nouveau vers
+Vsat telle que Vc(t2) = VB.
A partir de l’instant t2 le condensateur se charge à nouveau et Vc(t) augmente jusqu'à l’instant t3 (point
D) pour lequel Vs bascule vers –Vsat. Cette charge se fait selon l’équation suivante :
𝐭−𝐭 𝟐
−
𝐕𝐜 (𝐭) = 𝐕𝐬𝐚𝐭 − (𝐕𝐬𝐚𝐭 − 𝐕𝐁 )𝐞 𝛕𝐜 …………..Eq3
Ci-dessous l’évolution temporelle des tensions Vs(t) et Vc(t).

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 Vs(t)
t1 t2 t3
t

Vc(t)
VH
t

La période des signaux : T = t3 - t1 = 2(t2 - t1).

𝐭 −𝐭
−𝟐 𝟏
En utilisant l’équation Eq2, on obtient : 𝐕𝐜 (𝐭 𝟐 ) = 𝐕𝐁 = − 𝐕𝐬𝐚𝐭 + (𝐕𝐬𝐚𝐭 + 𝐕𝐇 )𝐞 𝛕𝐝
𝐭 −𝐭
−𝟑 𝟐
De même l’équation Eq3 donne 𝐕𝐜 (𝐭 𝟑 ) = 𝐕𝐇 = 𝐕𝐬𝐚𝐭 − (𝐕𝐬𝐚𝐭 − 𝐕𝐁 )𝐞 𝛕𝐝

𝐕 +𝐕 𝐑𝟐
Finalement on obtient la période des signaux : 𝐓 = 𝛕𝐋𝐧 (𝐕𝐬𝐚𝐭 +𝐕𝐇 ) = 𝐑𝐂𝐋𝐧 (𝟏 + 𝟐 𝐑𝟏)
𝐬𝐚𝐭 𝐁

2.1.2 Générateur de signaux rectangulaire et triangulaire

Le circuit correspondant est formé d’un comparateur non
R2 C
inverseur et d’un intégrateur.
ER et ET sont des tensions continues avec |𝐄𝐓 | < 𝐕𝐬𝐚𝐭 R1
R
+
- Le premier amplificateur est monté en comparateur
- -
donc V1 = ±Vsat. Il s’ensuit que la tension V1(t) est une V1
+ V2
tension rectangulaire. ER ET
V1

+Vsat 𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐑𝟏
𝐕𝐁 = 𝐄𝐑 − 𝐕
𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐬𝐚𝐭
VH
V2 𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐑𝟏
𝐕𝐇 = 𝐄𝐑 + 𝐕
VB 𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐬𝐚𝐭

-Vsat

- Le deuxième amplificateur est monté en intégrateur, par conséquent la tension V2(t) est une tension
triangulaire (l’intégration d’une tension constante correspond à une en rampe de tension).

On suivant le même raisonnement que le paragraphe (2.1.1) on peut trouver l‘expression de la tension V2(t).
Détermination de v2(t) :
Le courant dans la résistance R étant le même que dans le condensateur C (amplificateur parfait) donc
𝐕𝟏 − 𝐄𝐓 𝐝(𝐄𝐓 − 𝐕𝟐 ) 𝐝𝐕𝟐 𝐝𝐕𝟐 𝐕𝟏 − 𝐄𝐓
𝐢= =𝐂 = −𝐂 ⇒ = −
𝐑 𝐝𝐭 𝐝𝐭 𝐝𝐭 𝐑𝐂
𝟏
⇒ 𝐕𝟐 (𝐭) = − ∫(𝐕𝟏 − 𝐄𝐓 ) 𝐝𝐭 …………………Eq4
𝐑𝐂

Supposons qu’à l’instant t = 0 (point A) la tension V1 = +Vsat et V2(0) = VH. D’après l’équation Eq4, on
obtient :
𝟏 𝐕 −𝐄 𝐕 −𝐄
𝐕𝟐 (𝐭) = − ∫(𝐕𝐬𝐚𝐭 − 𝐄𝐓 ) 𝐝𝐭 = − 𝐬𝐚𝐭 𝐓 𝐭 + 𝐕𝟐 (𝟎) = − 𝐬𝐚𝐭 𝐓 𝐭 + 𝐕𝐇 … … … … . 𝐄𝐪𝟓
𝐑𝐂 𝐑𝐂 𝐑𝐂

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 𝐕 −𝐄
Puisque |𝐄𝐓 | < 𝐕𝐬𝐚𝐭 donc 𝐬𝐚𝐭𝐑𝐂 𝐓 > 0 par conséquent la tension V2(t) diminue linéairement jusqu’à
l’instant t1 (point B) pour lequel la sortie V2(t) bascule vers –Vsat telle que V2(t1) = VB.

A partir de l’instant t1 la tension V1 = -Vsat et d’après l’équation Eq4 on obtient :

𝟏 𝐕𝐬𝐚𝐭 + 𝐄𝐓 𝐕 + 𝐄𝐓
𝐕𝟐 (𝐭) = − ∫(−𝐕𝐬𝐚𝐭 − 𝐄𝐓 ) 𝐝𝐭 = (𝐭−𝐭 𝟏 ) + 𝐕𝟐 (𝐭 𝟏 ) = 𝐬𝐚𝐭 (𝐭−𝐭 𝟏 ) + 𝐕𝐁 … … . 𝑬𝒒𝟔
𝐑𝐂 𝐑𝐂 𝐑𝐂
D’après cette équation la tension V2(t) augmente linéairement jusqu'à l’instant t2 pour lequel V1 bascule
vers +Vsat, telle que V2(t2) = VH. Puis le cycle reprend d’où un signal périodique de période T.
Vs

B A
+Vsat

VH
Vc
VB

-Vsat
C

V1(t)
TB t2
t1
t

V2(t) TH

VH

t
VB

Caractéristiques des signaux V1(t)et V2(t) :

𝐕 +𝐕 𝐑𝟏+𝐑𝟐
La valeur moyenne de V2(t) : 𝐕𝟐𝐦𝐨𝐲 = 𝐁 𝟐 𝐇 = 𝐑𝟐 𝐄𝐑 . En en déduit que la tension ER permet de
régler la valeur moyenne (l’offset) de la tension V2(t), avec une variation linéaire.
La durée de l’état haut TH peut être calculée à partir de l’équation Eq5 :
𝐕𝐬𝐚𝐭 − 𝐄𝐓 𝐕𝐇 − 𝐕𝐁
− 𝐓𝐇 + 𝐕𝐇 = 𝐕𝐁 ⇒ 𝐓𝐇 = 𝐑𝐂
𝐑𝐂 𝐕𝐬𝐚𝐭 − 𝐄𝐓
De même la durée de l’état bas TB peut être calculée à partir de l’équation Eq6 :
𝐕𝐬𝐚𝐭 + 𝐄𝐓 𝐕𝐇 − 𝐕𝐁
𝐓𝐁 + 𝐕𝐁 = 𝐕𝐇 ⇒ 𝐓𝐁 = 𝐑𝐂
𝐑𝐂 𝐕𝐬𝐚𝐭 + 𝐄𝐓
Soit une période 𝐓 = 𝐓𝐁 + 𝐓𝐇
𝐓𝐇 𝟏 𝐄
Ce qui permet de déterminer le rapport cyclique  de ces signaux : 𝛂 = 𝐓 +𝐓 = 𝟐 (𝟏 + 𝐕 𝐓 )
𝐇 𝐁 𝐬𝐚𝐭
On constate que la tension ET permet de régler linéairement la valeur du rapport cyclique .


ET
-Vsat Vsat

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 2.2 OSCILLATEURS A RELAXATION A BASE DE TRANSISTORS
(MULTIVIBRATEUR ASTABLE A TRANSISTORS)

RB1

On note VBE1 = VB1, VBE2 = VB2, VCE1 = VC1 et VCE2 = VC1.

On suppose qu’à l’instant initial t = 0 le transistor T1 est bloqué et T2 saturé. Vcc

Donc (VB1 < 0 et VC1 = Vcc) et (VB2 = VBEsat  0.7 V et VC2 = VCEsat  0).
Le condensateur C2 se charge à travers la résistance R B2 (Figure 1), ce qui fait croître VB1. Lorsque RB2
VB1 atteint 0,7 Volts, le transistor T1 se sature. Donc VC2 augmente ce qui bloque le transistor T2.
 Le système est donc instable.
B1
L’évolution de la tension VB1(t) se fait selon une équation de la forme suivante :
𝑡−𝑡0 C2
− U2
𝑉𝐵1 (𝑡) = 𝑉𝐵1∞ − (𝑉𝐵1∞ − 𝑉𝐵10 )𝑒 𝜏𝐵2
Ici nous avons pris t0 = 0 C2
Avec B2 = RB2C2 et VB10 = VB1(t0) et VB1 = VB1 (t→) Figure 1
Calcul de VB10:
avant t0 (t < t0), T1 était saturé et T2 bloqué donc (VB1 = VBEsat et VC1 = VCEsat) et (VB2 < 0 et VC2 = VCC).
Or U2 (t) = VB1(t) – Vc2(t) donc U2 (t0-) = VBEsat – Vcc  -Vcc (car Vcc >> VCEsat);
Juste après la commutation t = t 0+, on a : VB1(t0+) = U2(t0+) + VC2(t0+) ;
comme la tension aux bornes de C 2 ne peut pas varier brusquement donc U2(t0+) = U2(t0-) d’où :
VB1(t0+) = U2(t0-) + VC2(t0+) = -Vcc + VCEsat  -Vcc
On a donc : VB10  -Vcc
VB1  + Vcc (lorsque C2 est complètement chargé iC2 = 0 → VB1  + Vcc).

L’évolution des tensions VBE est donc donnée par les équations suivantes :
𝐭−𝐭𝟎 𝐭−𝐭𝟎
− −
𝐕𝐁𝟏 (𝐭) = 𝐕𝐜𝐜(𝟏 − 𝟐𝐞 𝛕𝐁𝟐
) et 𝐕𝐁𝟐 (𝐭) = 𝐕𝐜𝐜(𝟏 − 𝟐𝐞 𝛕𝐁𝟏
)
Vcc

Dans la figure 2, C1 se charge à travers la résistance RC1 jusqu’à Vcc – VBEsat. RC1
VC1(t0+) = U1 (t0+) + VB2(t0+) = U1 (t0-) + VB2(t0+) = VC1(t0-) - VB2(t0-) + VB2(t0+)
= VCEsat – VBEsat + VBEsat = VCEsat C1
Lorsque C1 est complètement chargé iC1 = 0 → VC1 = Vcc - VBEsat
C1
Donc VC10 = VCEsat et VC1 = Vcc - VBEsat U1
D’où l’équation décrivant l’évolution des tensions VCE1 et VCE2 : B2
𝐭−𝐭𝟎
−
𝐕𝐂𝐤  (𝐕𝐜𝐜 − 𝐕𝐁𝐄𝐬𝐚𝐭 )(𝟏 − 𝐞 𝛕𝐂𝐤
) avec k = 1 ou 2 et Ck = RCkCk Figure 2.2

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 Calcul de la période des signaux :
𝐓 𝐓
− 𝐡 − 𝐡 𝐕𝐜𝐜 −𝐕𝐁𝐄𝟎 𝟏
𝐕𝐁𝟏 (𝐓𝐡 ) = 𝐕𝐜𝐜 (𝟏 − 𝟐𝐞 𝛕𝐁 𝟏 ) = 𝐕𝐁𝐄𝟎  0,7 Volts → 𝐞 𝛕𝐁 =  𝟐 (car Vcc >> VBE0)
𝟐𝐕𝐜𝐜

D’où Th  B1 Logn(2) de même on trouve que Tb  B2 Logn(2)

Soit : T = Th + Tb  (B1 + B2 ) Logn(2) = 0.7 (RB1C1+ RB2C2).

VB1(t)

t
0 Th Th + Tb

VC1(t)

t
0 Th Th + Tb
VB2(t)

t
0 Th Th + Tb

VC2(t)

t
0 Th Th + Tb

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