Chapitre III

LES OSCILLATEURS

• 1. LES OSCILLATEURS SINUSOÏDAUX

• 2. LES OSCILLATEURS A RELAXATION

Fonctions Electroniques
1
A. El Idrissi
 INTRODUCTION
♦ Un oscillateur est un générateur autonome de signal, dont l’énergie est fournie par
l’alimentation extérieure.

♦ Les oscillateurs sont des dispositifs essentiels dans les équipements électroniques : (le
signal d’horloge, la porteuse d’un émetteur, l’oscillateur local dans un récepteur, chaîne
de mesure,…..).

♦ Il existe deux types d’oscillateurs : Oscillateurs sinusoïdaux (quasi-sinusoïdaux)

délivrant des signaux sinusoïdaux et des oscillateurs à relaxation qui délivrent des
signaux non sinusoïdaux (carrés, triangulaires,..).

♦ Les oscillateurs sont basés sur deux techniques différentes:

1. Compensation des pertes d’un oscillateur libre par des éléments à résistances
négatives. d2V dV
 2a
 0 V  0
2

dt 2 dt
d2V
Par compensation des pertes (a = 0) on obtient : dt 2  0 V  0  V(t )  VMSin(0t  )
2

2. Mise en oscillation d’un système à réaction par compensation des pertes dans la
chaîne de réaction par un amplificateur.

♦ Selon le domaine de fréquences utilisées, on distingue des oscillateurs basses

fréquences (ARC) et des oscillateurs Hautes fréquences (RLC).

♦ Un oscillateur est caractérisé par sa puissance (amplitude) et sa fréquence d’oscillation.

Fonctions Electroniques
2
A. El Idrissi
 1. OSCILLATEURS SINUSOIDAUX
Oscillateur à réaction qui est constitué de:
- Un amplificateur A (chaîne directe),
- Réseau de réaction B (chaîne de retour).
+ e s
e A
+ r

′
𝑠 𝐴 𝐴
d où ∶ 𝐻 = = =
𝑒 1 − 𝐵𝐴 1 − 𝑇
Avec T = BA (fonction de transfert en boucle ouverte).
Fonctions Electroniques
3
A. El Idrissi
 1. OSCILLATEURS SINUSOIDAUX
Trois cas possibles :
♦ IBAI >1  l’amplitude de s augmente et tend rapidement vers la saturation, ce qui correspond à un
oscillateur à relaxation.
♦ IBAI < 1  l’amplitude de s diminue et tend vers zéro. Donc pas d’oscillations.
♦ IBAI = 1, dans ce cas on peut avoir s ≠ 0 même pour e = 0 (oscillateur sinusoïdal).

Donc on a un oscillateur sinusoïdal lorsque la condition BA = 1 est vérifiée. C’est la condition d’entretien des
oscillations sinusoïdales (condition de BARKHAUSEN). 1/B
s
A noter que cette condition est difficile à réaliser en pratique. A
s A
s0
1/B
Ssaturation
s1
s1
s2
s0 e
e2 e1 e0
e
e0 e1
IBAI < 1 ═> l’amplitude de s tend vers zéro (pas d’oscillations).
IBAI > 1 ═> l’amplitude de s tend vers la saturation Ssat (écrêtage).

On prendra donc IBAI ≥ 1 au démarrage de l’oscillateur, puis IBAI = 1 pour le maintien (entretien)
de l’oscillation.

Fonctions Electroniques
4
A. El Idrissi
■ Le démarrage de l’oscillateur est assuré par un bruit dû à l’agitation thermique.
Ce signal est ensuite amplifié par l’amplificateur A et puis filtré par le réseau de
réaction B (filtre sélectif) de fréquence centrale f0.
Ainsi, il est préférable de prélever le signal à la sortie de réseau de réaction qui
présente moins de distorsion que la sortie de l’amplificateur. Car l’amplificateur
peut introduire des non linéarités (d’autres harmoniques).
s
A
A s

bruit
signal amplifié (non linéarité de l’amplificateur)
bruit amplifié
B

signal filtré (sinusoïdal fondamentale f0)

B

signal filtré (sinusoïdal fondamentale f0)

Fonctions Electroniques
5
A. El Idrissi
■ Pour que le gain de l’amplificateur ne dépende pas de la charge provoquée par le réseau
de réaction B, on utilise des amplificateurs à faible impédance de sortie.
■ Pour calculer T = BA on ouvre la boucle en un point, il faudrait tenir compte de l’impédance
vue par ce point avant ouverture.
e1 A

𝐬𝟏 𝐙𝐞𝐀 𝐬𝟏𝐯 𝐙𝐞𝐀

𝐓𝟏 = = = 𝐓
s1 𝐞𝟏 𝐙𝐞𝐀 + 𝐙𝐬𝐁 𝐞𝟏𝐯 𝐙𝐞𝐀 + 𝐙𝐬𝐁 𝟏𝐯
B

ZeA A
s2
ZeB 𝐬𝟐 𝐙𝐞𝐁 𝐬𝟐𝐯 𝐙𝐞𝐁
𝐓𝟐 = = = 𝐓
𝐞𝟐 𝐙𝐞𝐁 +𝐙𝐬𝐀 𝐞𝟐𝐯 𝐙𝐞𝐁 +𝐙𝐬𝐀 𝟐𝐯
B
e2
Etant donné qu’en général l’impédance d’entrée ZeA de l’amplificateur est assez élevée, on a donc
intérêt à considérer la première configuration (ouverture à l’entrée de l’amplificateur).

■ En général, l’amplificateur fonctionne à l’intérieur de sa bande passante, donc le gain A0 est

indépendant de la fréquence, alors que B(j) est une fonction de la fréquence. La condition de
maintien s’écrit alors B(j0)A0 = 1 où 0 est la pulsation d’oscillation.

Fonctions Electroniques 6
A. El Idrissi
■ La condition en complexe peut se traduire en
deux conditions réelles :

𝐚𝐫𝐠 𝐁(𝐣𝛚𝟎 )𝐀𝟎 = 𝟎 ⥤ 𝒍𝒂 𝒑𝒖𝒍𝒔𝒂𝒕𝒊𝒐𝒏 𝛚𝟎

ቊ
𝐁(𝐣𝛚𝟎 )𝐀𝟎 = 𝟏 ⥤ 𝒍𝒆 𝒈𝒂𝒊𝒏 𝑨𝟎

Ou bien

𝐈𝐦𝐚𝐠𝐞 𝐁(𝐣𝛚𝟎 )𝐀𝟎 = 𝟎 ⥤ 𝒍𝒂 𝒑𝒖𝒍𝒔𝒂𝒕𝒊𝒐𝒏 𝛚

ቊ
𝐑𝐞𝒆𝒍𝒍𝒆 𝐁(𝐣𝛚𝟎 )𝐀𝟎 = 𝟏 ⥤ 𝒍𝒆 𝒈𝒂𝒊𝒏 𝑨𝟎
Fonctions Electroniques
7
A. El Idrissi
 1.2 Oscillateurs sinusoïdaux en basses fréquences (ARC)

■ 1.2.1 Oscillateur à circuit de Wien mR

On suppose que ZeA de l’amplificateur est assez élevée. C/n

Vr A
Vs

C R

Fonctions Electroniques
8
A. El Idrissi
La condition d’oscillation sinusoïdale s’écrtit :

A0 > 0, donc on prend un amplificateur non inverseur

R1 R2

- Vs
+

Vr

mR C/n

C R

Dans ce cas A0 = 1 + R2/R1

Pour le démarrage de l’oscillateur, il faut avoir R2 ≥ 2R1
Fonctions Electroniques
9
A. El Idrissi
 1.2.2 Oscillateur à réseaux déphaseurs RC
Cas de 3 cellules Z1 Z1 Z1

Z2 Z2
Z1 et Z2 sont des résistances et Vs Z2 Vr

des condensateurs.
𝑉𝑟 1 1
𝐵= = =
2 2
𝑉𝑠 1 + 6𝑍1 𝑌2 + 5𝑍1 𝑌2 + (𝑍1 𝑌2 ) 3 𝑍1 𝑍1 2 𝑍1 3
1 + 6 + 5( ) +( )
𝑍2 𝑍2 𝑍2
A0 étant réel, la condition d’oscillation impose que B soit réelle : Image(B) = 0.
𝑍1 𝑍1 1 −𝑗
= jRCω = 𝑗𝑋 𝑜𝑢 = = avec X = RCω
𝑍2 𝑍2 jRCω 𝑋
𝟑 𝟐 𝟐
𝒁𝟏 𝒁𝟏 𝒁𝟏 𝒁𝟏
Donc 𝐈𝐦𝐚𝐠𝐞 𝑩(𝒋𝝎𝟎 ) = 𝟎֞𝟔 + = 𝟎֞ +𝟔 = 𝟎֞ = −𝟔
𝒁𝟐 𝒁𝟐 𝒁𝟐 𝒁𝟐
1 1
D’où 𝑹é𝒆𝒍𝒍𝒆 𝐵 𝒋𝝎𝟎 = =−
1+5 −6 29

D’après 𝑨𝟎 𝐵 𝒋𝝎𝟎 ≥ 1 𝑜𝑛 𝑎 ∶ 𝑨𝟎 ≤ −29 soit un amplificateur inverseur

D’où la condition sur le gain de l’amplificateur :
Fonctions Electroniques 10
A. El Idrissi
 Exemple :
.

1 Z1 1
Z1  et Z 2  R soit 
jC  Z 2 jRC 
R2
R1

R = R’//ReA ≈ R’//R1 Vs
C -
C C +
Vs R R Vr
R’

2 2
𝑍1 1 1
+ 6 = 0֞ − + 6 = 0 ֞ 𝜔0 =
𝑍2 𝑅𝐶𝜔0 𝑅𝐶 6

Si on permute R et C, on obtient :

Fonctions Electroniques
11
A. El Idrissi
 1.3 Oscillateurs sinusoïdaux en hautes fréquences (LC)
.
Constitué d’un élément actif (JBT ou TEC) et d’un réseau de réaction sélectif (RLC)
accordé sur la fréquence d’oscillation f0.
La condition d’entretien peut s’exprimer en hautes fréquences d’une autre manière
en considérant les matrices [Y], [Z], [H], [S],..
1.3.1 Oscillateurs à réseau de réaction LC en p (pi)
Amplificateur (A0, Ze, Zs)
Réseau en pi (Z1, Z2 et Z3)

Rs Z2

Vr Z1 Z3
A0Vr Vs
Ze

Rs Z2
En boucle ouverte (tout en tenant compte de
l’impédance vue par le point d’ouverture): A0Vr
Z1 Z3
Vs
Ze

Fonctions Electroniques
12
A. El Idrissi
 Avec A0 < 0 et Z’3 = Z3//Ze Rs Z2
.

A0Vr Z1 Vs
V1 Z’3

En exprimant la condition d’oscillation sinusoïdale (T = 1), on obtient :

𝐴0 𝑍1 𝑍3 = 𝑅𝑆 𝑍1 + 𝑍2 + 𝑍3 + 𝑍1 𝑍2 + 𝑍3 ……..(Eq1)
Or les impédances Zk sont des réactances pures Zk = jXk avec Xk = L ou Xk = -1/ C
En remplaçant dans (Eq1) :
−𝐴0 𝑋1 𝑋3 = 𝑗𝑅𝑆 𝑋1 + 𝑋2 + 𝑋3 - 𝑋1 𝑋2 + 𝑋3 ……..(Eq2)
𝑅 𝑋 + 𝑋2 + 𝑋3 = 0 𝑋 + 𝑋3 = −𝑋1 … … … … … … … . 𝐸𝑞3
Ce qui donne : ቊ 𝑆 1 ֞ቊ 2
𝐴0 𝑋3 = 𝑋2 + 𝑋3 𝐴0 𝑋3 = −𝑋1 … … … … … … … . . . 𝐸𝑞4
D’après Eq4, Puisque A0 < 0  X1 et X3 ont le même signe par conséquent Z1 et Z3 sont de même type.

D’après Eq3, X2 = -(X1 + X3) et par conséquent Z2 est de nature différente à celle de Z1 et Z3.
Fonctions Electroniques
13
A. El Idrissi
 Deux types de réseau de réaction:
Réseau de Colpitts
Réseau de Hartely

L C

C1 C2 L1 L2

Fonctions Electroniques
14
A. El Idrissi
 1.3.2 Exemple : Oscillateur de Colpitts
Le TEC est caractérisé par : gm; r = rds; Cgs et Cgd.

Le schéma équivalent en régime dynamique :

Après transformation de Miller avec: R0 = r//R

Soit en boucle ouverte avec:

Fonctions Electroniques
15
A. El Idrissi
 RG assez élevée (rôle en statique)

1
𝑅𝐺 ≫ ′
𝐶2 𝜔0

Transformation G. Norton en G. Thevenin:

L’identification avec le schéma de principe :

La condition d’oscillation sinusoïdale se traduit alors par :

1 1 𝐶1′ + 𝐶2′
𝑋1 + 𝑋2 + 𝑋3 = 0 ֞ 𝐿𝜔0 − ′ − ′ = 0 ֜ 𝜔0 =
𝐶1 𝜔0 𝐶2 𝜔0 𝐿𝐶1′ 𝐶2′
𝑔𝑚 𝑅0 1 𝐶2′
= ֜ 𝑔𝑚 𝑅0 = ′
𝐶2′ 𝜔0 𝐶1′ 𝜔0 𝐶1
Pour un oscillateur de Hartely : et
Fonctions Electroniques 16
A. El Idrissi
 Remarque :
Notons que pour les deux configurations (Colpitts et Hartely) la pulsation de résonnance
du circuit LC équivalent est donnée par :
L
L
Ceq
C1 C2

C1 C2
𝐶1 𝐶2
Le réseau de Colpitts: Leq = L et Ceq =
𝐶1 + 𝐶2
C C
Le réseau de Hartely : Leq
L1 L2
L1 L2
𝑋 𝑋1
Pour les deux nous avons aussi : 𝐴0 = − 1 soit 𝑔𝑚 𝑅0 =
𝑋3 𝑋3
𝐶2
𝑔𝑚 𝑅0 = pour le réseau de Colpitts.
𝐶1
𝐿2
𝑔𝑚 𝑅0 = pour le réseau de Colpitts.
𝐿2
L
L C
Augmenter la stabilité de la fréquence d’oscillation, par C1
Ceq
C2
augmentation du coefficient de qualité Q0 (Clapp). C1 C2 C

Fonctions Electroniques
17
A. El Idrissi
1.4 Stabilisation de l’amplitude d’un oscillateur sinusoïdal
Au lieu de laisser à des non linéarités mal connues le soin de limiter l’amplitude des
oscillations, on cherche à contrôler ce phénomène en introduisant dans la boucle un élément
dont la caractéristique est bien maîtrisée introduisant ainsi une non linéarité volontaire.

Le principe est de rendre le gain de l’amplificateur dépendant de l’amplitude VM des oscillations :

Lorsque l’amplitude diminue, le gain doit augmenter pour compenser cette diminution,
inversement, lorsque l’amplitude augmente, le gain doit diminuer. Ce qui permet de stabiliser
1/B
l’amplitude à une certaine valeur VM0.
VM
s’0 A
s’1 P0
VM0

s1

s0

e
e0 e1 eM0 e’1 e’0

IBAI > 1 ═> l’amplitude de s augmente pour se IBAI < 1 ═> l’amplitude de s diminue pour se stabiliser à
Fonctions Electroniques stabiliser à VM0. VM0.
18
A. El Idrissi
 1.4.1 Stabilisation de l’amplitude d’un oscillateur par des diodes DZ1 DZ2
.
(Vd et Rd ) en direct et (Vz et Rz) en inverse.
R1 R2
R2
Vs  VZ  Vd  les deux diodes sont bloquées  A 0  1  -
Vs
R1 +

R 2eq Vr
Vs  VZ  Vd  les deux diodes sont passantes  A 1  1  avec R 2eq  R 2 //( R Z  R d )
R1
R C

R 2eq  R 2  A 1  A 0  le gain dim inue lorsque l' amplitude augmente . C R

Quand les diodes sont passantes, l’amplitude de Vs se stabilise à:

A

A0

A1

VM

Diodes bloquées Diodes passantes

Fonctions Electroniques 19
A. El Idrissi
 1.4.2 Stabilisation de l’amplitude d’un oscillateur par des thermistances Rth

R th R1
R 2 est une thermis tan ce (CTN )  A  1 
R1
-
Vs
Rth  R0 exp(a ) ( é tan t la température) +

Vr
a < 0 pour une CTN et a > 0 pour une CPN R C
C R
Lorsque l’amplitude de Vs augmente, le courant dans Rth augmente,
 échauffement de la thermistance et augmentation de sa température, par conséquent la
valeur de Rth diminue donc le gain A diminue. (et inversement).
 effet de la contre réaction qui stabilise le gain pour Rth = 2R1  stabilisation de l’amplitude.

On peut aussi utiliser une thermistance à coefficient de température positif (CPN), mais à la
place de R1.

Fonctions Electroniques
20
A. El Idrissi
 1.4.3 Stabilisation de l’amplitude par régulation automatique du gain

Vp ID
VDS  VGS  Vp  I D   VDS
 V 
2I 0  1  GS 
 Vp 

VGS = cte
R0 Vp
R DS   où R 0  
V 2I 0
1  GS
Vp

VDS
TEC canal N: Vp< 0 et I0 < 0
Zone linéaire

Le TEC dans sa partie Ohmique (VDS faible) ≈ une résistance RDS commandée par la tension VGS.
 RDS commande le gain d’un amplificateur pour le rendre dépendant de l’amplitude (ici VGS) .
 contrôle automatique du gain. Il suffit pour cela de rendre la tension de polarisation VGS une
fonction linéaire de l’amplitude de la tension à stabiliser.

Fonctions Electroniques
21
A. El Idrissi
 Exemple Cd Rd D

R1 R2
Vs (t )  VM Sin( 0 t ) - A1
CL +
Tr

Vs(t)
Détecteur de crête (D, Rd et Cd )  VGS = Vd + VM ≈ VM Ve(t) C R
R C

R2 R0 Vp
A  1 R DS   où R 0  
R 1  R DS V
1  GS
2I 0
Vp

RDS

 Lorsque IVMI augmente, la valeur de la résistance RDS augmente,

 le gain A diminue et Inversement .
 contre réaction qui fait stabiliser l’amplitude VM de l’oscillation à
une valeur VM0.
R0
IVGSI
Fonctions Electroniques
A. El Idrissi IVpI 22
1.5 Stabilisation de la fréquence d’oscillation d’un oscillateur sinusoïdal

Dans la pratique, les déphasages A (introduit par l’amplificateur A) et B (introduit par le réseau de
réaction B) peuvent varier légèrement sous l’influence de différents facteurs (capacités parasites,
variation de température, vieillissement des composants,..).
Toute variation de déphasage parasite D sera alors compensée par une variation de la fréquence
d’oscillation fo pour que la condition de BARKHAUSEN sur la phase reste vérifiée.

1.5.1 Principe
On montre que la variation de fréquence sera d’autant plus faible que la rotation de phase est
rapide au voisinage de fo. B
B1

Coefficient la stabilité en fréquence B2

DB
 Pour la même variation DB pour les deux f0
réseaux de réaction autour de f0, la variation de la
fréquence autour de f0 est plus faible pour le réseau Df01 f

B1 que le réseau B2.

Df01< Df 02, donc le réseau de réaction B1 offre une Df02

meilleure stabilité en fréquence que le réseau B2.

Fonctions Electroniques
23
A. El Idrissi
1.5.2 Stabilisation en fréquence par utilisation de quartz.

L C ZQ
r
Ve

Pour r = 0,
C0

Ve

Fonctions Electroniques
24
A. El Idrissi
- s : pulsation de résonance série (LC), dans l'approximation r = 0 c'est la pulsation de
résonance électromécanique, pour cette pulsation ZQ = 0.
- p : pulsation de résonance parallèle (L, C-C0) pour cette pulsation ZQ → ∞.

• f < fs ou f > fp  le quartz a un comportement capacitif.

• fs < f < fp  le quartz a un comportement inductif.
• Exemple numérique (Quartz à f0 = 27 MHz ):
r = 30 W ; L = 3.486 mH; C = 10 fF (1 f = 10-15) et C0 = 3 pF.
 coefficient de qualité Q = 2 104 (104 < Q < 106).
• Pour r = 0, on obtient :
• fs = 26 956 061.61 Hz, fp = 27 000 951.00 Hz soit Df = fp - fs = 44889.39 Hz
 Df/f0 ≈ 1.7 10-3 (variation relative de la fréquence très faible autour de f0).

• Le quartz a un comportement inductif dans un domaine de fréquence très étroit (fs < f < fp)
 Le quartz peut être utilisé dans la branche horizontale d’un oscillateur de Colpitts
(Clapp) avec une très bonne stabilisation de la fréquence de l’oscillateur.

Fonctions Electroniques
25
A. El Idrissi
 1.5.3 Exemple d’un oscillateur stabilisé en fréquence
VDD

R
i S R Q
r bi Q
S + A0V1
RB R C C C C V2 Re
Q V1 V2
E
RE
C C V2
V1 CB RE

Amplificateur Réseau de réaction

Re = r + (b + 1) RE et

R Q
+
A0V1 C C V2


 A0 = 1

Fonctions Electroniques
26
A. El Idrissi
2. Oscillateur de relaxation
♦ Dispositif électronique qui possède deux positions d’équilibre (instables) entre lesquelles il oscille
périodiquement sous l’effet d’un apport d’énergie extérieur (alimentation).
♦ Les signaux fournis par ce type d’oscillateurs ont des formes rectangulaires, triangulaires,….
♦ Principalement constitué d’un dispositif à commutation (transistor en commutation ou
comparateur à amplificateur opérationnel) et d’un circuit RC (intégrateur).

intégrateur

2.1 OSCILLATEURS A RELAXATION A BASE D’AMPLIFICATEURS OPRETARIONNELS

2.1.1 Multivibrateur astable (TRIGGER DE SCHMIDT)
Vs

- +Vsat
+
R
VH
𝐑𝟏
Vc 𝐤=
Vs C Vc VB 𝐑𝟏 + 𝐑𝟐
R2
R1

Fonctions Electroniques
27
A. El Idrissi
Supposons Vs (0) = +Vsat et Vc(0) = 0 et déterminons l’évolution de la tension Vc(t).
Pour Vs = +Vsat le condensateur C se charge à travers la résistance R avec une constante de
temps tc = RC.
L’équation de la charge est celle d’un système du premier ordre donnée par :

avec et

♦ A partir de t = 0 (point A), la tension Vc(t) augmente jusqu'à l’instant t1 (point B) pour lequel la
sortie Vs(t) bascule vers -Vsat et Vc(t1) = VH.
♦ A partir de l’instant t1 le condensateur se décharge dans R car (Vs = - Vsat). Cette décharge se fait
avec la même constante du temps que celle de la charge et selon l’équation:
Vs
C A D
avec ici et +Vsat

VH
……………………….Eq2 Vc
VB

-Vsat
B

Fonctions Electroniques
28
A. El Idrissi
 ♦ Vc(t) diminue donc à partir de t1 (point B) jusqu’à l’instant t2 pour lequel Vs(t) bascule à nouveau
vers +Vsat telle que Vc(t2) = VB . (point C)

♦ A partir de l’instant t2 le condensateur se charge à nouveau et Vc(t) augmente jusqu'à l’instant

t3 (point D) pour lequel Vs bascule vers –Vsat. Cette charge se fait selon l’équation suivante:
………Eq3 Vs

Vs(t) C
A
+Vsat D
t1 t2 t3
t

VH
Vc(t)
Vc
VH
t VB

-Vsat
B
La période des signaux : T = t3 - t1 = 2(t2 - t1).

L’Eq2

𝑽𝒔𝒂𝒕 +𝑽𝑯 𝑹𝟏
𝐓 = 𝛕 𝑳𝒏 =RC Ln 𝟏 + 𝟐
𝑽𝒔𝒂𝒕 +𝑽𝑩 𝑹𝟐

Fonctions Electroniques
29
A. El Idrissi
 2.1.2 Générateur de signaux rectangulaire et triangulaire

ER et ET tensions continues avec R2

C
Vs

R1
+Vsat + R
-
VH V1
Vc -
+ V2
VB

-Vsat ER ET
V1

B A
+Vsat

VH
V2
------- Eq 4 VB

-Vsat C
Au point A , V1 (0) = +Vsat et V2(0) = VH.. D’après Eq4, on obtient :

Puisque donc V2(t) diminue linéairement jusqu’à l’instant t1 (point B) pour

lequel la sortie V2(t) bascule vers –Vsat telle que V2(t1) = VB.

Fonctions Electroniques
30
A. El Idrissi
 ♦ A partir de l’instant t1 (point B) la tension V1 = -Vsat et d’après l’équation Eq4 on obtient :

Donc V2(t) augmente linéairement jusqu'à l’instant t2 (point C) Vs

pour lequel V1 bascule vers +Vsat, telle que V2(t2) = VH. et puis B A
+Vsat
le cycle reprend d’où un signal périodique d période T.
V1(t) VH
TB
t1 t2 Vc
t VB

TH
V2(t) -Vsat
C
VH
La valeur moyenne de V2(t) :
t
VB

Eq5 Le rapport cyclique V2(t) :

Eq6
a

Fonctions Electroniques
A. El Idrissi ET 31
-Vsat Vsat
 2.2 OSCILLATEURS A RELAXATION A BASE DE TRANSISTORS
(MULTIVIBRATEUR ASTABLE A TRANSISTORS)
On suppose qu’à l’instant initial t = 0 le transistor T1
est bloqué et T2 saturé.

(VB1 < 0 et VC1 = Vcc) et (VB2 = VBEsat ≈ 0.7 V et

VC2 = VCEsat ≈ 0).

C2 se charge à travers la résistance RB2 (Figure 1), ce

qui fait croître VB1. Lorsque VB1 atteint 0,7 Volts, le
transistor T1 se sature. Donc VC2 augmente ce qui
bloque le transistor T2.
 Le système est donc instable.
Vcc

RB2

tB2 = RB2C2 et VB10 = VB1(t0) et VB1 ∞ = VB1 (t→ ∞) B1

C2
U2
C2

Fonctions Electroniques Figure 1

32
A. El Idrissi
Calcul de VB10:

t < t0, T1 était saturé et T2 bloqué donc (VB1 = VBEsat et VC1 = VCEsat) et (VB2 < 0 et VC2 = VCC).
Vcc

Or U2 (t) = VB1(t) – Vc2(t) donc U2 (t0-) = VBEsat – Vcc ≈ -Vcc (car Vcc >> VCEsat);
RB2

VB1(t0+) = U2(t0+) + VC2(t0+) avec U2(t0+) = U2(t0-)

B1

C2
VB1(t0 = U2(t0 + VC2(t0 = -Vcc + VCEsat ≈ -Vcc
+) -) +)
U2

C2
On a donc : VB10 ≈ -Vcc
VB1 ∞ ≈ +Vcc (C2 complètement chargé) Figure 1

Fonctions Electroniques
33
A. El Idrissi
Calcul de VCE:
C1 se charge à travers la résistance RC1 jusqu’à Vcc – VBEsat.

VC1(t0+) = U1 (t0+) + VB2(t0+) = U1 (t0-) + VB2(t0+) = VC1(t0-) - VB2(t0-) + VB2(t0+)

= VCEsat – VBEsat + VBEsat = VCEsat Vcc

Lorsque C1 est complètement chargé iC1 = 0 → VC1∞= Vcc - VBEsat RC1

Donc VC10 = VCEsat et VC1 ∞ = Vcc - VBEsat

C1

Avec tCi = RiCi U1

C1

B2

Soit Th = tB1 Logn(2) et Tb = tB2 Logn(2)

D’où T = Th + Tb = (tB1 + tB2 ) Logn(2) = 0.7 (RB1C1+ RB2C2).

Fonctions Electroniques
34
A. El Idrissi
VB1(t)

t
0 Th Th + Tb

VC1(t)

t
0 Th Th + Tb
VB2(t)

t
0 Th Th + Tb

VC2(t)

t
0 Th Th + Tb

Fonctions Electroniques
35
A. El Idrissi