Chapitre 2 :

Les oscillateurs électroniques

Plan du chapitre

INTRODUCTION

STRUCTURE GENERALE D’UN OSCILLATEUR QUASI-SINUSOÏDAL

OSCILLATEURS BASSE FREQUENCE : RESEAU DE REACTION RC

OSCILLATEUR A PONT DE WIEN

OSCILLATEUR A DEPHASAGE

OSCILLATEURS HAUTE FREQUENCE : RESEAU DE REACTION LC

OSCILLATEUR HARTLEY

OSCILLATEUR COLPITTS

OSCILLATEUR DE CLAPP

OSCILLATEUR A QUARTZ

OSCILLATEURS A RELAXATION (REGIME NON LINEAIRE)

Introduction
Les oscillateurs sont des composants essentiels dans les systèmes électroniques.
Ils interviennent dans de nombreux domaines d’application :
les télécommunications
les systèmes radar
l’instrumentation
les systèmes de navigation
l’informatique
la métrologie

Dans toutes ces applications, les oscillateurs servent à générer un signal de référence
qui servira de base de temps. Ce signal permettra le traitement de l’information.

Dans les systèmes de télécommunications, le signal généré par l’oscillateur peut servir à
la modulation et à la démodulation de l’information à transmettre.

En instrumentation, on comparera le signal à traiter au signal de référence délivré par un

oscillateur.

En informatique les oscillateurs servent à cadencer le transport de l’information.

L’objectif de ce chapitre est de présenter différentes structures d’oscillateurs, et

leurs caractéristiques (stabilité en fréquence, domaine de fonctionnement en
fréquence), afin de pouvoir choisir un oscillateur pour une application donnée.
Définition et classification d’un oscillateur
Un oscillateur est un montage autonome (pas de signal de commande) capable de générer
spontanément un signal périodique.
2 Types d’oscillateurs

L’oscillateur quasi sinusoïdal Oscillateur à relaxation

L'oscillateur harmonique produit un L’oscillateur à relaxation produit des

signal quasi sinusoïdal avec une
fréquence qui ne dépend que des
paramètres du réseau et pas de la
tension d'alimentation.
signaux qui peuvent prendre deux états au
cours du temps (la durée de transition
entre ces deux états étant très courte).
la fréquence du signal dépend des
tensions d’alimentation.
Caractérisation d'un oscillateur

Un oscillateur se caractérise par :

sa fréquence d’oscillation f0
sa puissance délivrée P0 et son rendement η
sa stabilité
son coefficient de surtension Q
sa pureté spectrale

La fréquence d’oscillation peut être ajustable.

La puissance délivrée est liée à la source d’alimentation continue et aux caractéristiques

intrinsèques de l’oscillateur.

Le rendement s’exprime comme le rapport entre la puissance alternative et la puissance

continue délivrée par la source d’alimentation.

La stabilité est la capacité de la sortie du système à rester invariante lors de perturbations

en entrée.

Le coefficient de surtension est le rapport de l’énergie emmagasinée sur l’énergie dissipée

à une constante multiplicative près.
Structure générale d'un oscillateur sinusoïdal bouclé
Condition critique d’oscillation x0 A( jω )
AF = =
xs 1 − β ( jω ) A( jω )

Si A(jω) β(jω)=1

AF(jω) →+∞

On peut obtenir une sortie non nulle pour une entrée nulle.
Le système devient un oscillateur linéaire. Le signal d’entrée disparaissant, il sera plus
commode d’entreprendre l’étude des oscillateurs sur le schéma suivant :

Conditions de
│A(jω) β(jω)│=1
Barkhausen
A(jω) β(jω)=1 Arg (A(jω) β(jω))=0
ou
Re[A(jω) β(jω)]=0
Im[(A(jω) β(jω)]=0

La condition de phase (ou partie imaginaire) impose la pulsation d’oscillation ω=ωosc

et la condition de module (ou partie réelle) détermine l’amplitude des oscillations.
Structure générale d'un oscillateur sinusoïdal
Condition de démarrage d’oscillation
On distingue 2 phases dans le fonctionnement d’un
oscillateur, qui sont, la naissance des oscillations puis,
l’entretien de celles-ci.
Au repos, l’oscillateur ne présente que des signaux aléatoires
et de très faibles amplitudes, ce que l’on nomme du bruit.
C’est ce bruit qui permet de donner naissance aux
oscillations. Le bruit est également un facteur déterminant en
ce qui concerne les performances d’un oscillateur.
x0 A( jω )
AF = =
xs 1 − β ( jω ) A( jω )

|A.β| > 1, oscillations divergentes

|A.β| = 1, oscillations entretenues

|A.β| < 1, oscillations amorties

Structure générale d'un oscillateur sinusoïdal
Condition de démarrage d’oscillation
En pratique, on n'a pas besoin de signal à l'entrée.
A la mise sous tension de l’oscillateur, le bruit électrique présent dans les composants et les
fils provoque le démarrage de l’oscillation à condition qu’il existe une fréquence f0 à laquelle le
déphasage total est nul (Arg (Aβ) =0) et l’amplification de la chaîne supérieure à 1( |Aβ| >1).

A.β >1

β
Structure générale d'un oscillateur sinusoïdal
Condition de démarrage d’oscillation
Lorsque l’amplitude augmente, l’amplificateur sort de son domaine linéaire et le signal est
forcément écrêté par l’étage d’amplification, ce qui conduit à une diminution de l’amplification
qui sera proche 1.

Aβ ≈ 1
β
 Structure générale d'un oscillateur sinusoïdal
Condition de démarrage d’oscillation

xo
A (jω)

xr = β xo
β (jω)

Il faut Aβ > 1 pour démarrer l’oscillation et ensuite Aβ = 1 pour entretenir l’oscillation.

Dans la pratique on peut :
compter sur la saturation de l’amplificateur pour écrêter le signal aux fortes amplitudes.
prévoir un circuit de contrôle de gain qui diminue l’amplification aux fortes amplitudes.
La pureté spectrale du signal obtenu est meilleure dans le deuxième cas.
 Partie 1 :

OSCILLATEURS BASSE FREQUENCE :

RESEAU DE REACTION RC
Oscillateur à pont de Wien
Identification de la chaîne directe et celle de retour :

Fonction de transfert de la chaîne directe :

U R2
A = s
=1+
U e R1
Oscillateur à pont de Wien
Fonction de transfert de la chaîne de retour :

Ur Z2 1
β= = β=
Us Z1 + Z2 3 + j (RCω – 1/RCω )

Expression de la fréquence des oscillations Relation entre R2 et R1 nécessaire au bon

Arg (β.A) = Arg (β) + Arg (A) =0 fonctionnement du montage.

Or Arg (A) = 0 d'où Arg (β) = 0 β.A =1 avec β = 1/3 donc A = 3

RCω – 1/RCω = 0 ω0 = 1/RC A = 1+ R2/R1 = 3 R2 = 2R1
1
D'où f0 =
2πRC

Pour que notre système oscille, on doit respecter la condition R2= 2R1. La fréquence des
oscillations sera alors de f0 = 1/2πRC
Oscillateur à pont de Wien
Stabilisation de l'amplitude d'oscillation

Dans la réalité, il est impossible d'obtenir R2= 2R1 à cause des incertitudes sur les
résistances R1 et R2. Si R2<2R1 alors le circuit n'oscille pas.

Si R2 >2 R1, alors le circuit présente des oscillations dont l'amplitude augmente jusqu'à
saturation de l'AOP et donc à l'écrêtage de la sinusoïde.

Plus R2 sera supérieure à 2R1, plus le signal de sortie Us se rapprochera d'un signal
carré.

Il est possible d'obtenir R2 = 2R1 en utilisant un potentiomètre pour R1 ou R2. Cependant,

la moindre variation de cette résistance avec la température pourra éteindre les
oscillations.

Il existe plusieurs voies pour stabiliser l'amplitude des oscillations.

Oscillateur à pont de Wien
A) Stabilisation par thermistance de l'amplitude d'oscillation
Rappels sur les thermistance
 Il existe deux types de thermistances, à savoir celles dites à coefficient de température positif
(CTP) car leur résistance augmente lorsque la température croît et celles dites à coefficient de
température négatif (CTN) car leur résistance diminue lorsque la température augmente.
 En première approximation, en régime permanent et à température ambiante constante, la
résistance R des thermistances varie de façon exponentielle avec la puissance P qui s’y dissipe
selon la relation: R = R0 exp (βP).
Où R0 est la résistance de la thermistance à température ambiante, sans puissance dissipée, et β
un coefficient constant, positif dans le cas (CTP) et négatif dans le cas (CTN).
Oscillateur de Wien avec (CTN)
Pour l’oscillateur à pont de Wien, le gain de l’amplificateur A doit
être égal à 3 (A=3) pour maintenir les oscillations et de valeur
supérieure lors du démarrage (A>3).
R(CTN)
On a: A (Us) = 1 +
R1
et à Us=0 , on obtient au démarrage des oscillations :

A (0) = 1 + R0 >3
R1

Avec la croissance de Us, la résistance R(CTN) s’échauffe et baisse de valeur pour se

stabiliser à la valeur de 2 R1 lorsque l’amplitude a atteint sa valeur d’équilibre.
Oscillateur à pont de Wien
B) Stabilisation par JFET de l'amplitude d'oscillation
Un autre moyen d'obtenir un contrôle automatique de gain
(CAG) et de placer un transistor JFET en série avec la
résistance R1.
Supposons, l’amplitude de U S stabilisée.
Si cette amplitude augmente, le détecteur de crête (diode
+ résistance + capacité) augmente (en valeur absolue) la
tension de grille du JFET ce qui augmente sa résistance
et donc diminue A. En effe t :
La diode associée à R' et C' produit une tension grille négative
qui augmente avec l’amplitude du signal de sortie : V GS = KUs.
La résistance Drain-Source (R DS) du JFET dépend,
dans la zone ohmique, de la tension grille V GS et de la
tension de pincement Vp du JFET selon la relation :
RON R2
RDS = A=1+
1 - VGS R1 + RDS
Vp R2
=1+
R ON
R1 +
KUs
1-
Vp

On constate que l’amplification du montage diminue bien si le niveau de la tension de

sortie Us augmente.
Oscillateur à réseau déphaseur
Identification de la chaîne directe et celle de retour :

Fonction de transfert de la chaîne directe :

Us R2
A= =-
Ue R1
Oscillateur à réseau déphaseur
Fonction de transfert de la chaîne de retour :

On pose X = 1/Cω

R – jX -R Us
-R 2R – jX 0
Us = (R- jX) I1 - R I2
0 -R 0
0 = - R I1 + (2R – jX ) I2 – R I3 I3 =
0= - R I2 + ( 2R – jX ) I3 R – jX -R 0
-R 2R – jX -R
0 -R 2R – jX
UsR3
U r = RI 3 =
( R − jX )[( 2 R − jX ) 2 − R 2 ] − R 2 ( 2R − jX )

Ur R3
β= = 3
Us R − 5RX 2 + j( X 3 − 6 R 2 X )
Oscillateur à réseau déphaseur

Expression de la fréquence des oscillations

Ur R3
β= = 3 Avec X = 1/Cω
Us R − 5RX 2 + j( X 3 − 6 R 2 X )
Arg (β.A) = Arg (β) + Arg (A) =0 Or Arg (A) = 0 d'où Arg (β) = 0
1
X ( X 2 − 6R2 ) = 0 ω0 =
6 RC

Relation entre R2 et R1 nécessaire au bon fonctionnement du montage.

β.A =1 avec β = -1/29 donc A = -29

A = - R2/R1 = -29 R2 = 29R 1

Pour que notre système oscille, on doit respecter la condition R2= 29R1. La fréquence
des oscillations sera alors de f0 = 1/2 RC
 Partie 2 :

OSCILLATEURS HAUTE FREQUENCE :

RESEAU DE REACTION LC
Oscillateurs hautes fréquences: Forme générale
Forme générale d'un oscillateur HF
On suppose que: Z e >> Z1
Z
Vs = A0Ve
Z + Zs
Z = Z2 //(Z3 + (Z1 // Ze )) ≈ Z2 //(Z3 + Z1)
(Z1 // Ze ) Z1
Vr = Vs ≈ Vs
Z1 + Z3 Z1 + Z3

Z
A = A0
Z + Zs
V Z1
β= r =
Vs Z1 + Z 3
Z1Z2 Z i = jX
T = βA = A0
i
A0 X1 X 2
ZS (Z1 + Z2 + Z3 ) + Z2 (Z1 + Z3 ) T=
X 2 ( X1 + X 3 ) − jZS ( X1 + X 2 + X 3 )

 Condition de phase:

T = βA = 1 X1 + X 2 + X 3 = 0
 Condition de démarrage:
X
A0 1
>1
X 2
Oscillateurs hautes fréquences-Forme générale

Types d’oscillateurs HF

Oscillateur
Oscillateur Oscillateur Clapp
Colpitts Hartely
Oscillateurs Colpitts à JFET
A) Schéma de l’oscillateur:

cte
VDD ir e
e d
h ain
C

Ch
ai ne
de
ret
o ur
Oscillateurs Colpitts à JFET
B) Détermination des paramètres à vide de la chaine directe:
Schéma équivalent du JFET
G D
D
G Ce
Vgs gmVgs rds

S
S
En hautes fréquences la capacité parasite d’entrée
n’est pas négligeable.
R1>>1/jCeω et rds >>RD

V 1 1
Ze = ( e )is=0 = R1 //( )≈
ie jCeω jCeω
Schéma équivalent de l’amplificateur
ie G D is
V
A0 = ( s )is=0 = −gm (RD // rds ) ≈ −gmRD
Ve
Ve R1 Ce gmVgs rds Vs
RD
S Vs
Z s = ( )Ve=0 = RD // rds ≈ RD
En hautes fréquences les capacités de couplage et is
de découplage se comportent comme des fils.
Oscillateurs Colpitts à JFET
C) Détermination de la fréquence et la condition de démarrage de l’oscillateur:

1 1
X1 = − ; X2 = − ; X 3 = Lω
(C2 + Ce )ω C1ω

Fréquence d’oscillation f0
1
X1 + X 2 + X 3 = 0 f0 =
C (C + C e )
2π L 1 2
C1 + C 2 + C e

Condition d’accrochage ou de démarrage

X2
≥1
C2 + Ce
A0 gm RD ≥
X1 C1
Oscillateurs Hartly à JFET
A) Schéma de l’oscillateur:

cte
ir e
e d
h ain
C

Ch
ai ne
de
ret
o ur
Oscillateurs Colpitts à JFET
B) Détermination de la fréquence et la condition de démarrage de l’oscillateur:

On suppose que:

1
>> L1ω
Ceω

1
X 1 = L1ω; X 2 = L2ω; X 3 = −
Cω

Fréquence d’oscillation f0
1
X1 + X 2 + X 3 = 0 f0 =
2π ( L1 + L 2 ) C

Condition d’accrochage ou de démarrage

X L2
A0 1 ≥ 1 g m RD ≥
X2 L1
Oscillateurs Clapp à JFET
A) Schéma de l’oscillateur:

cte
ir e
e d
h ain
C

Ch
ai ne
de
ret
o ur
Oscillateurs Clapp à JFET
B) Détermination de la fréquence et la condition de démarrage de l’oscillateur:

On pose:

C '1 = C1 + Ce

1 1 1
X1 = − ; X2 = − ; X 3 = Lω −
C1 ' ω C2ω Cω

Fréquence d’oscillation f0
1
X1 + X 2 + X 3 = 0 f 0 =
LC
2π
C C
1 + +
C 1 ' C 2

1
Dans l’hypothèse où C<<C’1 et C<<C2 f0 =
2π LC
Oscillateurs à quartz
A) Principe de fonctionnement du Quartz : Effet piézoélectrique
 Un quartz est un cristal piézoélectrique sur lequel sont collées deux électrodes métalliques.

A Lame B
i quartz

 En appliquant une différence de potentiel entre les électrodes, des déformations apparaissent
dans le cristal (par effet piézoélectrique direct) .

 Inversement, l'application d'une contrainte au cristal induit un champ électrique interne, et donc
une différence de potentiel entre les électrodes.

 L'application d'un champ électrique alternatif induira la vibration du quartz.

Oscillateurs à quartz
B) Quartz : Schéma électrique équivalent

A Lame B
i quartz

o Co : Capacité entre électrodes (en général, Co>>C).

o R: Résistance équivalente au frottement interne.

o L: Inductance équivalente à la masse de la lame.

o C: Capacité équivalente à l’élasticité de la lame

Oscillateurs à quartz
C) Quartz : Caractéristique Z(f)

A Lame B A B
quartz Z
i

u
1 − LC ω 2
En général, R est très faible Z =
j ω ( C + C 0 − LCC 0ω 2 )

Fréquence de résonance série
1
fs =
2π LC

Fréquence d'anti-résonance parallèle
1
fp =
CC 0
2π L
C + C0

Ces deux fréquences sont toujours très proches l'une de l'autre.

Oscillateurs à quartz
D) Quartz : Oscillateurs à quartz stable en fréquence
Dans un oscillateur à quartz, on insère le cristal comme structure résonante passive, par
exemple dans un montage classique de type Colpitts : dans ce cas, les oscillations ne
seront possibles que si le quartz se comporte comme une inductance, c'est-à-dire pour
des valeurs de fréquences comprises entre résonance série et anti-résonance parallèle.

Les oscillateurs à quartz sont très stables dans la mesure où l'élément résonant à base de
quartz est d'excellente stabilité. La gamme de fréquence d'utilisation va de quelques 100 kHz
à quelques 100 MHz.
Oscillateurs à résistance négative
Exemple : Circuit RLC série
La tension au borne de la capacité vérifie:
d 2 v s R dv s vs
2
+ + =0 Vs
dt L dt LC
On définit :
1
 La pulsation ω0 =
LC
R R2C
 L’amortissement m= =
2ω0 LC 4L
r 2 + 2mω0 r + ω0 = 0 ∆' = ω0 (m2 −1)
2 2
L’équation caractéristique associée:
 Si m2>1, solutions réelles, le système n’oscille pas.

 Si m2≤1, r± = −mω0 ± jω0 1 − m2 sont complexes, il y’a possibilité d’oscillation

v s (t ) = v0 e − mω 0 t cos ω t avec ω = ω0 1 − m 2
3 cas d’oscillation : (m2≤1)

 m=0 → Stabilité
 m>0 → Amortissement
 m<0 → Divergence
Oscillateurs à résistance négative
Principe et structure d’un oscillateur à résistance négative

Dipôle générateur
à résistance négative
- Les oscillations stable sont obtenues pour le circuit (R+R')- L-C pour :
R + R'
m= =0 R + R'= 0 ou R = − R'
2ω 0 LC
1 1
- La fréquence d’oscillation est donnée par: f0 =
2π LC
Structure générale du dipôle à transistor à résistance négative
Oscillateurs à résistance négative
Exemple 2: 1 1
ZC1 = ; ZC 2 =
jC1ω jC2ω

Ve = ZC1I e + ZC 2 ( I e + g mVgs )

Vgs = Z C1 I e

gm C1 + C 2
Ve = ( Z C1 + Z C 2 + g m Z C1Z C 2 ) I e Ze = − − j
C 1C 2 ω 2
C 1C 2 ω

gm
R=− Ceq = ZC1 // ZC2
C1C2ω2

gm 1
= RS avec ω0 =
C1C 2ω 0
Condition d'oscillation : 2 LC eq
Oscillateurs à résistance négative
Exemple 2:

Ve = Vs + R0 I e
 Condition d'oscillation :
R2
R=
R1 R2 R0 R1
Ve = Vs Re = −
R1 + R2 R0 R1  Fréquence d’oscillation:

Ve 1
R e = f0 =
Ie 2π LC
Oscillateurs à fréquence variable (VCO)
A) Diode varicap ou vacator
Il s'agit d'une diode dont la capacité de jonction varie en fonction de la tension inverse de
polarisation appliquée. C'est en fait l'épaisseur de la zone de déplétion (ou zone de charge
d'espace) de la jonction qui varie en fonction de la tension inverse.

Il existe deux type de varactors : à jonction abrupte (ɣ = 0.5 ) et hyper-abrupte (ɣ = 2), selon leur
profil de dopage caractérisé par la constante ɣ.
L'équation donnant la capacité de la diode C(V) en
fonction de la tension V de polarisation appliquée
est la suivante :

Où C(0) est la capacité non polarisée, et ɸ le

potentiel de contact spécifique de la jonction.
Oscillateurs à fréquence variable (VCO)
B) VCO à diode varicap

La fréquence d'oscillation est alors donnée par :

Les performances du VCO dépendent ensuite du

choix de la diode varicap, en particulier le linéarité de
la relation fréquence d'oscillation / tension de
commande ("tuning voltage") qui dépend fortement du
type de profil (abrupt ou hyper-abrupt).

Exemple : fréquence d'oscillation:

Caractérisation d'un oscillateur sinusoïdal
a) la pureté spectrale
La pureté spectrale d'un oscillateur se traduit par la prépondérance de la raie fondamentale sur
les raies harmoniques.
Elle s'observe sur le spectre de la puissance de sortie en fonction de la fréquence :
- raie fondamentale d'oscillation pure à f0
- raies harmoniques k.f0, k entier

La pureté d'un oscillateur est qualifiée de bonne si l'amplitude du second harmonique

est au moins inférieure de 30 dB à celle de la raie fondamentale.
Caractérisation d'un oscillateur sinusoïdal
Caractérisation d'un oscillateur
b) Taux de Distorsion Harmonique (TDH)
La qualité d’un oscillateur sinusoïdal est essentiellement évaluée par la mesure du taux de
distorsion.
Le signal de sortie peut être décomposé en série de Fourier

VS(t) = V1 sin ω0t + V2 sin 2ω0t + …+ Vn sin nω0t + …

On définit le taux de distorsion harmonique qui caractérise la pureté spectrale du signal:

V

V1

V2

V3
Vn

f0 2 3 n f

Ce taux de distorsion peut toujours être amélioré en faisant suivre l’oscillateur d’un filtre passe-
bas ou passe-bande qui va atténuer les harmoniques indésirables.

un bon oscillateur a un taux de distorsion faible, une valeur supérieure à1% étant
considérée comme médiocre .
Caractérisation d'un oscillateur sinusoïdal
Caractérisation d'un oscillateur
c) le temps de commutation
Le temps de commutation caractérise la dynamique de l'oscillateur, selon 3 paramètres :
- le slew rate (en MHz/μs)
C’est la vitesse de passage de F1 à F2 sous l'action d'une commande spécifique= ΔF/Δt.
- le temps d'établissement (en μs)
= temps minimum nécessaire pour obtenir la nouvelle valeur de fréquence, dans une plage
d'erreur donnée = te
- la dérive à long terme (en MHz/s)
variation de la fréquence après un temps considéré comme long devant le temps d'établissement
= ∆Flointain / ∆tlointain

Ce paramètre est particulièrement important dans les applications en synthèse de fréquence où

il est souvent nécessaire de faire passer la fréquence d'une valeur à une autre en un temps le
plus court possible.