Département de physique

2020-2021
Cours

𝑉𝐶𝐶

𝑅1 𝑅𝐶 𝐶2
𝐶1
𝑅𝑔

𝑣𝑠 𝑅𝑢
𝑒𝑔 𝐶𝐸
𝑅2 𝑅𝐸
Département de physique
2020-2021
Cours
 Electronique Analogique

Chapitre I : Amplificateurs à transistors en basses fréquences

Les composants actifs sont utilisés pour réaliser des fonctions particulières telles que
l’amplification ou l’adaptation d’impédance. Ses éléments sont alimentés en régime continu,
afin de fixer le point de fonctionnement statique, et en régime variable. Les variations des
grandeurs en régime variable doivent être assez faibles pour que l’on puisse assimiler les
courbes à leurs tangentes. On parle ainsi de régime variable de faibles signaux, les grandeurs
électriques varieront linéairement autour du point de repos. Ainsi on a la superposition de
deux régimes : statique et dynamique.

I - Transistors Bipolaires
Le régime des petits signaux
Ce régime se supperpose au régime statique qui permet de fixer le point de
fonctionnement du transistor par le choix des éléments de polarisation (déjà vue en semestre
S4)
Notations
 Grandeur continue (statique) : en lettres majuscules, VD.
 Grandeur variable (dynamique) : en lettres minuscules, vd.
 Grandeur totale : symboles en minuscule, indice en majuscule, vD.

Soit un transistor bipolaire polarisé en régime statique, schéma de la figure 1, et ayant

le point de fonctionnement P : IB0, VBE0, IC0 et VCE0
On superpose au régime statique un régime dynamique à l’aide d’un générateur (e g,
Rg). eg est une tension sinusoidale. On obtient un amplificateur à transistors qui alimente une
charge Ru.
L’étude théorique du régime statique se fait par annulation du régime dynamique. De
même on effectue l’étude théorique du régime dynamique en annulant le régime statique.

NB : Dans la pratique les deux régimes sont superposés, on ne peut pas étudier le régime
dynamique sans le régime statique.
A la tension VBE0 de polarisation statique de la base, s’ajoute une tension alternative
vbe autour de VBE0. On a donc vBE = VBE0+ vbe.
Si vbe est d’amplitude suffisamment faible, alors les paramètres électriques varieront
linéairement (faibles signaux : on confond la tangente avec la courbe).
VCC

R1 RC

Rg

Ru
eg
R2 RE

Figure 1

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 Electronique Analogique

Figure 2

Le schéma de la figure 2 montre la superposition du régime dynamique au régime

statique de polarisation du transistor. A la tension vBE correspond un courant iB = IB0 + ib,
un courant iC = IC0 + ic et une tension vCE = VCE0 + vce
La tangente à la droite dynamique autour de VBE0 est de la forme ib = kvbe
Puisque ic = ib  ic = kvbe=gmvbe , gm est la transconductance (ou pente)

Droite de charge statique et dynamique

1
La pente de la droite de charge statique est
(R C  R E )
Lorsqu’un signal est appliqué à l’entrée de l’amplificateur, le point de fonctionnement
Q s’écarte du point de repos en respectant la relation entre ic et vce :
 v ce 1
ic   est la pente de la droite de charge dynamique en
R C // R u R C // R u
charge.
 v ce 1
ic   est la pente de la droite de charge dynamique à vide
RC RC

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 Electronique Analogique

En d’autres termes, Q se déplace sur une droite de charge dite « dynamique » qui, en
règle générale, n’est pas confondue avec la droite de charge statique.
L’amplitude maximale que l’on peut avoir en sortie avant d’observer une déformation
notable du signal est aussi un paramètre important à considérer. Cette amplitude dépend
grandement de la position du point de repos (donc du circuit de polarisation).
L’effet d’un « mauvais » choix du point de repos sur le signal de sortie est illustré par
les figures suivantes (l’effet de saturation (figure 3) et l’effet de blocage (figure 4)).

Figure 3 Figure 4

Lorsqu’une tension, supposée sinusoïdale, est appliquée à l’entrée, le point de

fonctionnement oscille autour de son point de repos en restant sur la droite de charge
dynamique. Tant que l’amplitude de l’oscillation est telle que le point de fonctionnement reste
confinée dans le domaine linéaire (mode actif) du transistor le signal de sortie reste sinusoïdal.
Par contre, une distorsion apparaît lorsque le point de fonctionnement touche les limites
(bloquée ou saturée) du domaine linéaire.

Schéma équivalent ‘petits signaux’ du transistor

Dans un circuit électronique le transistor doit être remplacé par un modèle
mathématique afin d’établir les équations d’un tel circuit. Le transiostor est assimilé à un
quadripole et il est représenté par sa matrice hybride H. Nous utlisons un transistor NPN
monté en emetteur commun (figure 5).
ic C
ib
B
vce
vbe
Figure 5
E E

On note 𝒗𝒃𝒆 , 𝒊𝒃 , 𝒊𝒄 et 𝒗𝒄𝒆 les variations des grandeurs électriques autour de leur point
de polarisation 𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐵0 , 𝐼𝐶0 et 𝑉𝐶𝐸0 . Le principe de superposition permet d’analyser le
transistor sans faire apparaître ces tensions et ces courants de polarisation.

En régime linéaire (petits signaux), on a :

𝒗𝒃𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 + 𝒉𝟏𝟐 𝒗𝒄𝒆 𝒗𝒃𝒆 𝒊𝒃

, 𝒊𝒄 = 𝑯 ×
𝒊𝒄 = 𝒉𝟐𝟏 𝒊𝒃 + 𝒉𝟐𝟐 𝒗𝒄𝒆 𝒗𝒄𝒆

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v  v  v  v 
h11  be   BE  , h12  be   BE 
i b  v 0 i B  V  V v ce i  0 v CE  I  I
ce BE BE 0 b B B0

i  i  i  i C 
h 21  c   C  , h 22  c   
i b  v  0 i B  V  V v ce i  0 v CE  I  I
ce BE BE 0 b B B0

La pente gm est définie par :

i  h
g m  c   g m  21 et i c  h 21.i b  g m v be
v be  v  0 h11
ce

H est la matrice hybride et hij les paramètres hybrides. Ces paramètres peuvent etre
déterminés graphiquement (figure 6). Ils correspondent aux pentes des tangentes aux
caractéristiques autour du point de fonctionnement.

 h11 correspond à la résistance dynamique de la jonction B-E. Il correrspond à la pente

d’angle  Sa valeur est de l’ordre des kΩ.
 h12 est sans dimension. Il correpond à l’angle  qui est pratiquement nul car les
caractéristiques (VCE, VBE) sont prèsque des droites horizontales. h12 est donc de très faible
valeur, il est généralement négligé dans les calculs : h12 0.
 h21 =  est le gain en courant E.C. à sortie court-circuitée: 𝑖𝑐 = . 𝑖𝑏 . Il correspond à l’angle

 h22 a pour unité *Ω-1+ est la conductance de sortie à entrée ouverte. Il correspond à l’angle
qui est généralement faible. h22 a typiquement une valeur de 10-4 - 10-6 Ω-1 et il est souvent
négligé.
Remarque : Ces paramètres dépendent du point de repos

Filière SMP/S5 6 Figure 6

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Le schéma équivalent du transistor est représenté par la figure 7. Les sources sont des
sources dépendantes et commandées
. ic
h11
ib

vbe h21ib 1/h22 vce

h12vce

Figure 7

Schéma simplifié
En négligeant les paramètres h12 et h22 on obtient de la figure 8:
ib ic

vbe h11 h21ib vce

Figure 8

On peut utiliser le schéma équivalent avec les paramètres universels (figure 9)

rbe ic
ib
gmvbe
ou vce
vbe vce rce
ib

Les paramètres universels sont plus signifiants et sontFigure 9 par :

définis
 rbe= h11 : résistance d’entrée base/emetteur à sortie court-circuitée
  = h12 : coefficient de réaction interne
  = h21 : gain en courant E.C. à sortie court-circuitée
 gm : pente ou transconductance à sortie court-circuitée
 = rce= 1/h22 : résistance de sortie à entrée ouverte

Autre relations
v BE
dV  VT
rbe  BE  or i C  i B  i E  i Se VT
 rbe 
dI B  au repos I B0
v BE
di  I C0
g m  c  or i C  i E  i Se VT
 gm 
dv be  au repos VT
IC0 
Donc rbeg m    gm 
I B0 rbe

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VT est le potentiel thermique équivalent à l'énergie thermique kT des porteurs de

charge q. VT ≈ 26mV à T = 300°K

Condensateur de liaison et condensateur de découplage

1
L’impédance d’un condensateur ZC  se comporte comme un circuit ouvert en
jC
statique (𝑍𝐶 ≈ ∞). Elle est supposée court-circuitée en dynamique pour les fréquences
d’utilisation (𝑍𝐶 ≈ 0).
Le schéma de la figure 10 représente un amplificateur émetteur commun

VCC

RC C2
R1
C1
Rg

Ru
eg CE
R2 RE

Figure 10

 Les condensateurs C1 et C2 sont des condensateurs de liaison, elles permettent d’isoler le

circuit de polarisation en statique et ainsi le point de fonctionnement reste inchangé càd le
régime dynamique n’a pas d’influence sur le point de fonctionnement. Les valeurs des
condensateurs C1 et C2 sont choisies de façon à ce que ceux-ci aient des impédances
suffisamment faibles en dynamique dans toute la gamme des fréquences utilisées :
o par rapport à la résistance d'entrée de l'étage pour le condensateur C1
o par rapport à la résistance de charge RC pour le condensateur C2

 La résistance RE est un stabilisateur de température en statique mais elle est indésirable en

dynamique. Le condensateur de découplage CE permet de court-circuiter cette résistance en
dynamique. La valeur de CE est choisie de façon à ce que son impédance soit faible comparée
à celle de RE dans la gamme de fréquence désirée.

Schéma équivalent d’un montage à transistor en régime variable

Pour obtenir le schéma en régime variable de faibles signaux il faut :
 Relier toutes les sources de tension continue à la masse (potentiel nul).
 Court-circuiter, sauf indication contraire, tous les condensateurs de liaison et de découplage.
Leurs impédances sont supposées négligeables vis-à-vis des résistances du montage.
 Remplacer les transistors par leurs schémas équivalents (paramètres hybrides)

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 Electronique Analogique

Exemple
Le schéma équivalent en alternatif du montage de la figure 10 est donné par la figure
11 suivante :
Rg h11 ic
ib

R1//R2 vbe h12vce h21ib 1/h22 vce RC Ru

eg

Figure 11

Les amplificateurs à transistors

Un amplificateur permet de délivrer, à partir d’un signal d’entrée de faible amplitude
ou de faible puissance (signal d’un capteur ou d’une antenne par exemple), un signal de même
forme et d’amplitude ou de puissance plus grande.
Hypothèses :
- Le signal alternatif à amplifié est de faible amplitude.
- Le fonctionnement du circuit est linéaire => Th. de superposition
- Les condensateurs utilisés se comportent comme des court-circuits en alternatif (se
sont des circuits ouverts en continu)
L’étude d’un amplificateur est basée sur :
 Etude en statique : fixer le point de fonctionnement
 Etude en régime dynamique : annuler toutes les sources continues et trouver le schéma
équivalent de l’amplificateur en remplaçant les transistors par leurs paramètres
hybrides.
Les caractéristiques fonctionnelles d’un amplificateur sont celles d’un quadripole à
savoir : gain en tension, gain en courant, impédance d’entrée et impédance de sortie.

Schémas d’un amplificateur en fonction des carctéristiques fonctionnelles

Vs V s0
- Gain en tension : A v  , gain à vide : A v 0  , vs0 est la tension de sortie à
Ve Ve
vide (charge infinie)
Is
- Gain en courant : A i 
Ie
Ve
- Impédance d’entrée : Z e 
Ie
Vs 
- Impédance de sortie : Zs  
Is  e
g 0
Le schéma de la figure 12 représente le schéma équivalent d’un amplificateur en utilisant les
caractéristiques fonctionnelles :

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Amplificateur
C1 C2
Rg

Zs
ve Ze Av0ve vs Ru
eg

Figure 12

Classification des amplificateurs

 Classification par méthode de couplage (capacitif, inductif, direct)
 Classification par l’électrode reliée à la masse : C.C., E.C., B.C., D.C., ….
 Classification par gamme de fréquences en fonction de la bande passante. Exemple :
o Ampli audiofréquence  signaux sonores audibles de 20Hz à 20 kHz
o Ampli radiofréquence  signaux > 20kHz
o Ampli à bande étroite  450 à 460 kHz
o Ampli large bande  grande gamme de fréquence
 Classification par grandeur d’entrée E (t) et grandeur de sortie S(t)
- Ampli de courant : E (t) et s(t) sont des courants. Leurs rapport Ai est sans dimension
- Ampli à transconductance : E (t) est une tension, S (t) est un courant. Le rapport
sortie/entrée s’exprime en siemens (-1)
- Ampli à transrésistance : E (t) est un courant et S (t) est une tension. Le rapport
sortie/entrée s’exprime en .
- Ampli de tension : E (t) et S (t) sont des tensions. C’est le plus utisé en électronique.
Montages fondamentaux à transistors bipolaires
Les trois montages sont : Emetteur Commun, Collecteur Commun et Base Commune
Amplificateur Emetteur Commun (E. C.)
L’entrée entre la base et la masse, la sortie entre le copllecteur et la masse

VCC

RC C2
R1
C1
Rg

vs Ru
eg CE
R2 RE

Figure 13

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1
On néglige l’effet Early  rce    
h 22

Schémas équivalents en petits signaux et en basses fréquences

Nous allons étudier l’effet de la capacité CE. Nous allons donc garder cette capacité et
RE
discuter les différents cas. Soit l’impédance Z E  C E // R E  . On pose aussi
1  jC E R E 
Rp = R1//R2
Le schéma dynamique correspondant au montage de la figure 13 est donné par la figure
14.
Rg ie ib ic is

h11 RC Ru
eg Rp ib
E vs
ve

ZE

Figure 14

Vs
 Gain en tension : A v 
Ve

On a
V e  h11 I b  ZE (  1)I b et Vs  (R C // R u )I b  R eq I b
Vs  R eq 
Av   , c’est un complexe : module et phase
V e h11  Z E (  1)
Le signe – indique que ve(t) et vs(t) sont en opposition de phase

 Gain à vide (charge infini)

V so  R C
Req=RC  A vo  
V e h11  Z E (  1)
 Gain sans découplage (RE non découplée)
V  R eq   R eq
Av ZE = RE  Av  s   , c’est un réel
dB
Ve h11  R E (  1) RE
 Gain avec découplage parfait
Vs  R eq
ZE = 0  A v    A v max
Ve h11
Or ZE = 0 
v be  h11i b et on a g m v be  i b  A v  g m R eq

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Is
 Gain en courant : A i 
Ie
Ve h  ZE (  1)
Ie  I b  et V e  h11 I b  ZE (  1)I b  I e  I b (1  11 )
Rp Rp

RC RC
Diviseur de courant  Is  Ic  I b
Ru  RC Ru  RC
Is R p R C
Ai  
Is (R C  R u )(R p  h11  ZE (  1))
i R p R C
Couplage parfait  Ai  s 
i e (R C  R u )(R p  h11 )
i R p
Gain en court-circuit  Ai  s   
i e (R p  h11 )

 Impédance d’entrée : Ve
Ze 
Ie
Donc Ze  R p //( h11  ZE (  1))
Vs 
 Impédance de sortie : Zs  
Is e  0
g

En utilisant le théorème de thevenin, on peut remplacer le circuit coté entrée par le

circuit de la figure 15 :

Rth ib ic is

eth
h11 ib RC Ru
E vs

ZE

Figure 15
Rp
e th  eg et R th  R p // R g
Rp  Rg
Donc eg  0  e th  0  ib  0  Zs  R C

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Influence de la capacité de découplage sur le gain en tension

En remplaçant ZE par son expression on obtient


1 j
Vs 1 R eq 
Av   K avec K  ,
Ve  h11  R E (  1)
1 j
2
1 h  R E (  1) (  1)
1  et 2  11 
R ECE h11R E C E h11C E

C’est un filtre passe haut de fréquence de coupure c proche de 2 ( 2 > 1)

La courbe du gain en dB est représentée par la figure 16
 R eq
Pour les fréquences supérieures à c (dans la bande passante) A v   A v max
h11
A v dB

A v max dB

pente +20dB/décade

Bande passante (BP)

K dB


1 2
Figure 16
Exemple de calcul de CE
Soit un transistor tel que : h11 = 1k, =200

 1
Si on désire une fréquence de coupure de 50Hz alors : C E   636F
2h11f 2

Conclusions
Le montage émetteur commun est un montage ayant :

 une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines).

 une impédance d'entrée relativement faible (égale à h11, soit de l'ordre de plusieurs k ),
variable en fonction de la polarisation (plus ICo est faible, plus l'impédance d'entrée est
élevée).
 une impédance de sortie assez élevée Rc qui va aussi dépendre du courant de polarisation
ICo.

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Ce montage est l'amplificateur de base à transistor et sera donc utilisé comme sous-
fonction dans des circuits plus complexes (discrets, ou intégrés comme dans l'amplificateur
opérationnel). C’est un amplificateur de puissance.

Par contre, il sera souvent inexploitable seul, et il faudra lui adjoindre des étages
adaptateurs d'impédance.

Amplificateur Collecteur Commun (C. C.)

L’entrée est entre la base et la masse, la sortie est entre l’émetteur et la masse comme
montré par le schéma de la figure 17
VCC

R1 RC CC
C1
Rg
C2

ve
eg
R2 RE vs Ru

Figure 17

1
On suppose que rce    
h 22

Le schéma équivalent du montage, en supposant que le couplage est parfait aux fréquences
d’utilisation, est donné la figure 18

Rg ie B ib h11 E is

Rp RE Ru
eg ib vs
ve

Figure 18

vs
 Gain en tension : A v 
ve
On a
v e  h11i b  R eq (  1)i b et vs  (R E // R u )(  1)i b  R eq (  1)i b

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v R eq (  1)
Av  s  1
v e h11  R eq (  1)
ve(t) et vs(t) sont en phase
 Gain à vide (charge infini)
v R E (  1)
Req=RE  A vo  so  1
v e h11  R E (  1)

 Impédance d’entrée : v
Re  e
ie
ve ve i 1 1
ie   i b et i b   Ge  e  
Rp h11  R eq (  1) v e R p h11  R eq (  1)
Donc R e  R p //( h11  Req (  1))
is
 Gain en courant : A i 
ie
ve h11  R eq (  1)  R p
ie   i b et v e  h11i b  R eq (  1)i b  ie  ib
Rp Rp
RE (   1)
Diviseur de courant  i s   ib
Ru  RE
is is ib R (   1) Rp
Ai   .  E .
ie ib ie Ru  RE h11  Req (   1)  R p

Gain en court-circuit
Rp
Ru  0  R eq  0  Aicc  (   1)  (   1)
h11  R p
v 
 Impédance de sortie : R s  s 
is e 0
g
En utilisant le théorème de Thevenin on obtient le schéma de la figure 19 suivante avec :
Rp
e th  e g et R th  R p // R g
Rp  Rg
eg  0  e th  0

Rth B ib h11 E is

RE
ib vs

Figure 19

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vs vs
is  - (  1)i b et 0  (h11  R th )i b  v s  ib   .
RE h11  R th
1 (  1) h11  R th
is  (  )vs  R s  R E //( )
R E h11  R th  1

Conclusions :
Un montage collecteur commun présente donc les caractéristiques suivantes :

 gain en tension quasiment égal à l'unité.

 gain en courant important
 impédance d'entrée élevée: environ  fois plus grande que celle de l'émetteur commun si
on ne considère pas le pont de base. La valeur typique est de plusieurs dizaines à plusieurs
centaines de k en fonction du montage.
 impédance de sortie faible (divisée par  environ par rapport à l'émetteur commun). Sa
valeur est de l'ordre de quelques dizaines d' .

Ce montage ne sera donc pas utilisé pour amplifier un signal, mais comme adaptateur
d'impédance, situé en amont ou en aval d'un montage émetteur commun, qui n'a pas de
bonnes caractéristiques d'entrée / sortie. On pourra donc intercaler un tel montage entre un
capteur à haute impédance de sortie et un montage émetteur commun sans que celui-ci ne
perturbe le capteur. On pourra aussi le mettre en sortie d'un montage émetteur commun que
l'on doit interfacer avec une faible charge, et ceci, sans écrouler le gain en tension de l'étage.

Amplificateur Base Commune (B. C.)

L’entrée est entre l’émetteur et la masse, la sortie est entre le collecteur et la masse
comme montré par le schéma de la figure 20
VCC

R1 RC C2

Vs

CB Ru
C1
R2 RE ve

Figure 20
1
On suppose que rce    
h 22

Le schéma équivalent du montage, en supposant que le couplage est parfait aux

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fréquences d’utilisation, est donné par la figure 20. Les résistances R1 et R2 sont donc court-
circuitées
Rg ib is
ie E C

RE RC Ru
eg vbe h11 vs
ve
ib

Figure 21

vs
 Gain en tension : A v 
ve
On a
v e  h11i b et vs  (R C // R u )i b  R eq i b
v R eq
Av  s 
ve h11
ve(t) et vs(t) sont en phase
 Gain à vide (charge infini)
v R C
Req=RC  A vo  so 
ve h11

 Impédance d’entrée : R e  e
v
ie
v v i 1  1
i e  e  (  1).i b et i b   e  Ge  e  
RE h11 v e R E h11
h11R E h
Donc R e   11
h11  (  1)R E (  1)
v 
 Impédance de sortie : R s  s 
is e 0
g

eg  0  ib  0  Rs  RC
is
 Gain en courant : A i 
ie
ve h  (  1)R E
ie   (  1)i b et v e  - h11i b  i e   11 ib
Rp RE
R C i b
Diviseur de courant  i s 
Ru  RC
i R C RE RC
Ai  s   . 
ie R u  R C h11  R E (  1) Ru  RC

Gain en court-circuit

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RC
Ru  0  Aicc  .   1
RC

Conclusions
Les caractéristiques d’un montage base commune sont donc les suivantes :

 même gain en tension que pour l'émetteur commun (plusieurs centaines).

 gain en courant inférieur à l'unité.
 impédance d'entrée très faible: quelques dizaines d'.
 impédance de sortie moyenne: quelques k, la même que pour l'émetteur commun.

En pratique, ce montage sera très peu utilisé, sauf en haute fréquence où il va présenter
une bande passante supérieure à celle du montage émetteur commun.

II - Transistor à effet de champ

Comme pour le transistor bipolaire on supperpose le régime dynamique au régime
statique de polarisation. Les grandeurs dynamiques varient autour du point de fonctionnement
du transistor. Le schéma de la figure 21 montre la superposition du régime dynamique au
régime statique autour du point de fonctionnement.

Figure 15

Figure 21

Modèle en régime dynamique

Dans la zone linéaire, le TEC se comporte comme une source de courant

commandée par la tension VGS : ID = f(VDS , VGS).

I DS I
I DS  VGS  DS VDS  i ds  g m v gs  g ds v ds
VGS VDS

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i  i 
g m  ds   Transconductance et g ds  ds   Conductance du Drain
v gs  v ds  v  0
v ds  0 gs

L’impédance d’entrée d’un TEC est infini. Son schéma équivalent en source commune
est représenté par la figure 22 suivante :

ig=0 id

vgs gmvgs vds

1/gds= rds

Figure 22
Amplificateurs à TEC
Etage Source Commune VDD
Entrée sur la Grille, sortie sur le Drain
RD C2

C1
Rg

Ru
eg CS
RG RS

Figure 23

Le schéma équivalent du transistor en source commune est représenté par la figure 24

suivante :

ie id is
ig=0

ve RG vgs gmvgs rds RD vds Ru

Figure 24
vs
 Gain en tension : A v 
ve
On a
v e  v gs et vs  vds  (rds // R D // R u ).g m vgs
v
A v  s  g m (rds // R D // R u )  g m (R D // R u )
ve

Filière SMP/S5 19
 Electronique Analogique

v
 Gain à vide (charge infini)  A vo  so  g m R D
ve

 Impédance d’entrée : v
Re  e  RG
ie
v 
 Impédance de sortie : R s  s 
is e 0
g

eg  0  v gs  0 
R s  R D // rds  R D
Conclusions : gain en tension important, grande résistance d’entrée, résistance de sortie
moyenne

Etage Drain Commun

Entrée sur la Grille, sortie sur la source

VDD

RD CD

C1
Rg

Ru
eg C2
RG RS

Figure 25

Le schéma équivalent du transistor en source commune est représenté par la figure 26

suivante :

ie id is
ig=0
vgs

ve RG gmvgs rds RS vs Ru

Figure 26
vs
 Gain en tension : A v 
ve
On a
ve  vgs  vs et vs  (rds // R S // R u ).g m vgs  ve  (1  (rds // R S // R u ).g m )vgs
v (rds // R S // R u ).g m
Av  s  1
v e 1  (rds // R S // R u ).g m

Filière SMP/S5 20
 Electronique Analogique

 Impédance d’entrée : v
Re  e  RG
ie
v 
 Impédance de sortie : R s  s 
is e 0
g

1
eg  0  ve  0  v gs   vs  is  vs (g m  )
R S // rds
1 1
 R s  R S // rds //
 R S //
gm gm
Conclusions : gain en tension unitaire, grande résistance d’entrée, faible résistance de sortie.

Etage Grille Commune

Entrée sur la Source, sortie sur le Drain

VDD

RD C2

CG Ru
RG Rg RS
eg C1

Figure 27

Le schéma équivalent du transistor en source commune est représenté par la figure 28

suivante :

gmvgs
ie id is

ve RS vgs RD vs Ru

vs Figure 28
 Gain en tension : A v 
ve
On a
ve  v gs , vs  R D // R u i d et i d  g m vgs
v
A v  s  g m R D // R u
ve

Filière SMP/S5 21
 Electronique Analogique

 Impédance d’entrée : v
Re  e
ie
v 1 1
i e  e  g m v gs et v e  - v gs  ie  ve (  gm )  R e  R S //
RS RS gm
v 
 Impédance de sortie : R s  s 
is e 0
g

eg  0  ve  vgs  0  R s  R D

Conclusions : gain en tension important, faible résistance d’entrée, grande résistance de

sortie.

Filière SMP/S5 22