Cours Fonctions électroniques

Filière : 1ère année GMP

Enseignante: Sonia ELOUED
AU:2020/2021
Chapitre 4: Amplificateur à transistor bipolaire
en basse et moyenne fréquence
Plan

 Schéma dynamique équivalent d’un transistor bipolaire à jonction

 Principe de l’amplification

 Etude d’un étage amplificateur à un transistor (émetteur commun):

quadripôle équivalent en régime dynamique, grandeurs

caractéristiques, rendement, limitations

 Stabilisation du gain: émetteur commun à résistance d’émetteur

découplée ou non découplée

 Le régime des petits signaux

On applique une tension

alternative de petite
amplitude autour de la
tension de polarisation
statique .

[MAJUSCULE=tension
continue,

minuscule=tension
alternative petite
amplitude]
 Le régime des petits signaux

On a donc

Si vBE est d’amplitude suffisamment faible, alors les paramètres électriques

varieront linéairement, ainsi droite dans cette région.

En conséquence,

Puisque

Il existe une amplification.

En exemple, les pointillés de la figure montrent le point de fonctionnement (PF) pour

3 valeurs de IC :

a) IC est maximum, le PF se situe sur la caractéristique IB=5 mA,

b)IC =IC0, le PF se situe sur la caractéristique IB=3 mA,

enfin c) IC est minimum, le PF se situe sur la caractéristique IB=1 mA.

 Le régime des petits signaux
Paramètres hybrides (de transfert) du transistor NPN
 Le régime des petits signaux
Paramètres hybrides (de transfert) du transistor NPN
 Le régime des petits signaux
Paramètres hybrides (de transfert) du transistor NPN

schéma équivalent en régime sinusoïdal: dvBE

h11 
diB Mo
B iB h21*iB C diC
h21 
diB Mo
vBE h11 vCE
1/h22 1 dv
 CE
h22 diC Mo
E
 Le transistor considéré comme un
quadripôle
i1 i2
Le transistor ayant trois électrodes, l'une

entrée

sortie
d'elles sera commune à l'entrée et à la v1 T v2
sortie. Il en résulte trois montages
principaux.

Montage entrée sortie Les montages correspondant

émetteurcommun base collecteur à une permutation entrée
collecteurcommun base émetteur sortie sont sans intérêt car ils
base commune émetteur collecteur
ne permettent pas de gain.

EC CC BC
IC IE IE IC
IB IB

VBE VCE VBC VEC VEB VCB

 Principe de l’amplification

• Fonction: amplifier la puissance du “signal”

➥ tout amplificateur est alimentée par une source d’énergie externe (ici: VCC et (ou)
VEE)
•L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée Ze=(ve/ie)
•La sortie agit comme une source de tension vs caractérisée par son impédance de
sortie Zs
☛ Zs = résistance de Thévenin équivalent au circuit vu par RL
 Principe de l’amplification

Gain en tension : +VCC

Rg
Comme Zs  0 le gain en tension dépend de la charge ie
Ze iL
ve Zs
Définitions vg vs
vL vs
A
Gain “en circuit ouvert” : v   source vL
ve R  ve -VEE RL
L
charge

vL RL
Gain “sur charge” A: vL   Av
ve RL  Z s

Gain “composite”: vL Ze
(tient compte de Avc   AvL  Comme Ze   , Avc diffère de AvL
v g Ri  Z e
la résistance de
sortie de la
source)

i A Z v L iL
 Gain en courant : Ai  L  vL e  Gain en puissance : A p   Avc  Ai
ie RL v g ie
 Principe de l’amplification
L’amplificateur “idéal” :

 Gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée

 Impédance d’entrée élevée  peu de perturbation sur la source

 Impédance de sortie faible  peu d’influence de la charge

La réalité...

 Domaine de linéarité : distorsion du signal pour des amplitudes trop élevées

Nonlinéarité des caractéristiques électriques des composants
la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation

 Bande passante limitée : le gain est fonction de la fréquence du signal

capacités internes des composants, condensateurs de liaison
Impédances d’entrée (sortie) dépendent de la fréquence
 Etude d’un étage amplificateur à un
transistor (émetteur commun):
Le schéma correspondant est représenté sur la figure ci-dessous:
 Etude d’un étage amplificateur à un
transistor (émetteur commun):

Les condensateurs C1 et C2 sont appelés des condensateurs de liaison.

Ils servent à séparer l’étage de la source d’entrée et de la charge en

continu. S’ils n’existaient pas, il y aurait changement de la polarisation
initiale du transistor.

Par contre, les condensateurs C1 et C2 doivent laisser passer les

signaux. Pour cela, on choisit les capacités C1 et C2 assez grande pour
que les signaux d’une fréquence donnée fmin passent à travers les
condensateurs C1 et C2 sans être trop affaiblis.
 Etude d’un étage amplificateur à un
transistor (émetteur commun):

Le condensateur CE est un condensateur de découplage. Il sert à lier

l’émetteur à la masse par rapport aux signaux, sans changer la
polarisation du transistor.

Le module de son impédance (1/ωCE) doit être assez petit aux fréquences
supérieures à une fréquence déterminée fmin.

Les résistances servent à polariser le transistor dans la zone linéaire de

ses caractéristiques, ainsi qu’à assurer les paramètres dynamiques du
montage.
 B iB h21*iB C

vBE h11 vCE

1/h
22

E
 Etude d’un étage amplificateur à un
transistor (émetteur commun):
Schéma équivalent pour les petites variations :

Le schéma équivalent dynamique de l’étage EC est tracé ci-dessous.

Les condensateurs sont considérés comme des court- circuits pour les
signaux. Il en est de même pour la source d’alimentation E ( le potentiel E
est lié à la masse par rapport aux signaux )
 Etude d’un étage amplificateur à un
transistor (émetteur commun):
On demande de calculer

 Le gain en tension

Gv=(Vs/Ve)

 L’impédance d’entrée
Ze=(Ve/ie)

 Le gain en courant Gi=(is/ie)

 Etude d’un étage amplificateur à un
transistor (émetteur commun):
 L’impédance de sortie

C’est la résistance du générateur de Thévenin équivalent. On la détermine

à partir du schéma de la figure ci-dessous sur lequel :

- La charge est déconnectée,

- La force électromotrice eg est remplacée par un court circuit.

Zs=(Vx/ix)
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

vce  ic rc “droite de charge dynamique”

Ic
vce
ic
ICQ
Q

droite de charge statique

VCE
VCEQ

rc ICQ

Il y a déformation du signal dès que : 

vs  min VCEQ , rc I CQ 
Le point de repos optimal correspond à VCEQ  rc I CQ
 Etude d’un étage amplificateur à un
transistor (émetteur commun):
 Particularités des amplificateurs EC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

 La sortie est “prise” sur le collecteur

 La borne de l’émetteur est commune à l’entrée et à la sortie  ”Emetteur commun”

 Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont :

 Le circuit de polarisation

 Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

 La présence éventuelle de condensateurs de “découplage” .

 Emetteur commun à résistance d’émetteur découplée
ou non découplée

➪ Polarisation par diviseur de tension

➪ Couplage “capacitif” avec la source, vg, et la

charge RL.

hypothèses :

 Point de repos du transistor: mode actif

(↔choix des résistances)

A la fréquence du signal les impédances condensateurs “de liaison” sont

négligeables :

☛ CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit

pas modifié par la présence du générateur de signaux.
☛ Cc évite que la charge “voit” la composante continue de VC, et qu’elle influence le
point de repos du transistor.
 Emetteur commun à résistance d’émetteur découplée
ou non découplée
Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
➥ circuit de polarisation à pont diviseur
Analyse dynamique :

Gain en tension (sur charge): v

Z =
= i

Gain en circuit ouvert : Remplacer rc par Rc

i Zs
A =
i
 Emetteur commun à résistance d’émetteur
découplée ou non découplée
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE), passe par Qrepos

Ic
vce
vce  vL  RE ic  rc  RE ic
droite de charge statique
vce ic
 ic   IBQ
rC  RE
Q(repos) V  VCE
I C  CC
RC  RE

VCE

vce
t

le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

 Emetteur commun à résistance d’émetteur découplée
ou non découplée
La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les
limites, bloquée ou saturée, du domaine linéaire.

rc
vs   rcic  vce  vs  vce
rc  RE

Point de repos optimal pour une dynamique maximale : VCEQ  rc  RE ICQ
 Emetteur commun à résistance d’émetteur découplée
ou non découplée
☛ RE est nécessaire pour la stabilité du point de fonctionnement statique.
☛ RE diminue considérablement le gain...
“Remède” : découpler (“shunter”) RE par un condensateur en parallèle
➪ seul le schéma dynamique est modifié.
 Emetteur commun à résistance d’émetteur découplée
ou non découplée: résumé
Emetteur à la masse :
RC R
Gain en circuit ouvert : Av   h 21   C  1 en valeur absolue
h11 rf
Impédance de sortie : Z s  RC (de q.q. k )

Impédance d’entrée de la base du transistor: Z  h (de q.q. k )

e 11

Avec résistance d’émetteur (amplificateur « stabilisé »):

RC R
Gain en circuit ouvert : Av    C
rf  RE RE

Impédance de sortie : Z s  R C


Impédance d’entrée de la base: Z e  h11  h 21  1 R E  (élevée, h21 ~100-200)

L’inconvénient du faible gain peut être contourné en mettant plusieurs étages amplificateur EC
en cascade.