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Electronique Analogique

Mars 2021 A.ELAMRI

 PLAN
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Transistor bipolaire
 Transistor à effet de champ
 Transistor bipolaire
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I- Introduction
I-1 Constitution
Le transistor bipolaire est réalisé dans un
monocristal comportant trois zones de
dopages différentes

On reconnait les deux jonctions PN que

l’on peut considérer comme deux diodes
lorsque le transistor n’est pas polarisé

Pour polariser correctement un transistor, il faut:

• La jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct
• La jonction entre C et B soit polarisée dans le sens inverse
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I-2 Symboles, tension et courant

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I-3 Le transistor NPN polarisé

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 Transistor bipolaire
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Lorsque le transistor est polarisé correctement, on peut définir plusieurs

rapport de courants statiques (courants continus), notamment :

• Alpha statique

• Bêta statique
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I-4 Le transistor considéré comme un quadripôle

Le transistor ayant trois électrode, l’une

d’elles sera commune à l’entrée et à la sortie.
Il en résulte trois montages principaux

Les montages correspondant à

une permutation entrée-
sortie sont sans intérêt car ils
ne permettent pas de gain
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I-5 Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)

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Remarques
• NPN → grandeurs positives; PNP → grandeurs négatives
• VBE ne dépend pratiquement pas de VCE, le réseau ne comporte qu’une
seule courbe.
• IC dépend faiblement de VCE, le réseau de transfert ne comporte
souvent qu’une seule courbe.
• la puissance dissipée par un transistor est limitée à Pmax
• Le réseau de caractéristiques est donné pour une température définie
• Il existe une dispersion des caractéristiques pour des transistors de
mêmes références.
• Ordres de grandeurs: VBE:0.2 à 0.7V; VCE=1 à qq 100V; IC: mA à A; IB:1µA
• Le point de fonctionnement peut être porté sur le réseau.
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II- Le Transistor en commutation

II- 1 Région de blocage

Pour VB=0, VBE=0 et IB=0 IC= IB=0

La jonction CB est polarisée en inverse.

Il existe donc un faible courant de fuite ICEo

En pratique ce courant est négligé et on

considère le transistor comme un circuit
ouvert

On dit que le transistor est bloqué

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II- 3 Région de saturation

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III- Polarisation du transistor (zone linéaire)

Polariser un transistor consiste à définir son état de fonctionnement par
l’adjonction de sources de tension continue et de résistances.
Cet état de conduction est caractérisé par un pont dans chacun des quadrants du
réseau caractéristiques, ce point est appelé point de fonctionnement ou point de
repos
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III-1 Polarisation à deux sources de tension

C’et un montage peu utilisé car il nécessite 2 sources

II-2 Polarisation à une source de tension

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III-3 Polarisation par pont et résistance d’émetteur

III-3-1 Détermination approchée du point de fonctionnement
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III-3-2 Détermination rigoureuse du point de fonctionnement

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III-3-3 Détermination graphique du point de fonctionnement

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IV Le transistor en régime dynamique

L’étude en régime dynamique consiste à analyser le fonctionnement d’un
transistor polarisé. Lorsqu’on applique de petites variations à l’une des grandeurs
électriques
IV-1 Analyse d’un montage EC
Montage EC entrée : base, sortie: collecteur
V-1-1Polarisation
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IV-2 Petits signaux

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Remarques
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Ainsi en appliquant le théorème de superposition

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IV-2 Modèles en régime dynamique

En régime dynamique, le transistor peut être considéré comme le quadripôle
suivant:

En utilisant les paramètres hybrides

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Remarques
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IV-3 Montages fondamentaux

On considère que l’impédance des condensateurs utilisés est très faible à la
fréquence de travail. Ces condensateurs seront donc remplacés par des court-
circuits en régime dynamique
IV-3-1 Montage émetteur commun
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 L’amplificateur “idéal” :

⚫ Gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée

⚫ Impédance d’entrée élevée  peu de perturbation sur la source

⚫ Impédance de sortie faible  peu d’influence de la charge

 La réalité...
◼ Domaine de linéarité : distorsion du signal pour des amplitudes trop élevées
 Nonlinéarité des caractéristiques électriques des composants
 la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation
◼ Bande passante limitée : le gain est fonction de la fréquence du signal
 capacités internes des composants
 condensateurs de liaison
 Impédances d’entrée (sortie) dépendent de la fréquence
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Amplificateur à émetteur commun (EC)

◼ Particularités des amplificateurs EC :
⚫ Le transistor en mode actif

⚫ Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

⚫ La sortie est “prise” sur le collecteur

⚫ La borne de l’émetteur est commune à l’entrée et à la sortie ”Emetteur commun”

◼ Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont :

⚫ Le circuit de polarisation
⚫ Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
⚫ La présence éventuelle de condensateurs de “découplage” (cf plus loin).
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Exemple :

hypothèses :
◆ Point de repos du transistor: mode actif
( choix des résistances)

◆ A la fréquence du signal les impédances condensateurs “de liaison” sont négligeables :

1 1
  R1 // R2 ;  RL
C B CC

 CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne

soit pas modifié par la présence du générateur de signaux.

 Cc évite que la charge “voit” la composante continue de VC, et qu’elle

influence le point de repos du transistor.
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◼ Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts

 circuit de polarisation à pont diviseur

◼ Analyse dynamique :

vL

vL rc  h fe
⚫ Gain en tension (sur charge): AvL = =−  Gain en circuit ouvert :
ve hie + RE  h fe
Remplacer rc par Rc
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ie
⚫ Impédance d’entrée :
rB hie h fe ib
 Ze dépend de l’endroit d’où vous “regardez” ve
l’entrée de l’amplificateur.
 Impédance d’entrée vue de la source : Ze Ze '
(
RE h fe + 1 )
v
 ( )  
Z e = e = rB // hie + h fe + 1 RE  rB // h fe RE   schéma équivalent “vu de la source” :
VRE = RE (h fe + 1) ib
ie

 Impédance d’entrée vue après les résistances de polarisation :

( )
Ze ' = hie + h fe + 1 RE  h fe RE (hie ~qq. 100 à qq. 1k Ohms)
⚫ Gain en courant : ie iL
i h fe
Ai = L = −
ie
1+
(
hie + h fe + 1 RE ) vg rB hie hfeib rc
ve
rB
RE
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⚫ Impédance de sortie :

 Zs dépend de l’endroit d’où vous “regardez” la sortie.

hfeib Rc RL
 Impédance de sortie vue de la charge (RL): Z s = Rc

Zs’ Zs
 Zs de l’ordre de quelques kW  loin d’une source de tension idéale

 AvL diminue lorsque RL < ~Rc

 Parfois RC constitue aussi la charge de l’amplificateur (tout en permettant la
polarisation du transistor)

 Impédance de sortie vue de Z s' = " "

Rc :
 ne tient pas compte de l’effet Early (hoe)

 approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif

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ie iL
Avec l’effet Early :
vg rB Rc
hie hfeib h −1
ve oe

RE vsortie
Méthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :
Zs’ = RThAB = résistance entre A et B, avec vg court-circuité Zs’
= vs / is !
A is

rB
ib
⚫
(1) :  
vs = hoe−1 is − h feib + RE (is + ib )
hie −1
hfeib hoe
vs (2) : 0 = hieib + RE (is + ib )
RE
⚫
B
vs −1  h fe RE  RE hie
Z s = = hoe 1 +  +
is  hie + RE  hie + RE 37
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 TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP
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I.4 – Réseau de caractéristiques

Lorsque VDS augmente, ID croit linéairement (O) puis atteint la zone du coude due au
début du pincement du canal (C) et atteint finalement une valeur de saturation (S). Si
VDS dépasse VDSmax le semi-conducteur est détruit par effet d'avalanche
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Réseau de sortie pour VGS = 0 , ID est maximal : IDSS

zone O : zone ohmique, le TEC se comporte comme une résistance :
zone C : apparition du pincement
zone S : zone linéaire ou de saturation, le TEC se comporte comme une source
de courant commandée en tension (VDS > VP )
zone A : zone d'avalanche

Réseau de transfert

- équation du courant de drain :

- VGSoff : tension de blocage (ID = 0, ∀ VDS), VGSoff = - VP

- Dispersion importante des réseaux de caractéristiques (pour des TEC identiques)
- Grandeurs fondamentales : IDSS , VP .
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II – Polarisation
II.1 – Polarisation par la grille
On applique une tension de grille
constante : VGG

Compte tenu de la dispersion de caractéristiques pour des transistors de mêmes

références, la polarisation par la grille est la plus mauvaise méthode pour polariser le
transistor dans la zone linéaire car le point Q est trop instable.
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II.2 – Polarisation automatique

Le courant circulant dans le TEC et dans RS génère une tension : VS= RS ID .

Le courant de grille étant nul, VG = 0 donc VGS = RS ID
Le montage crée donc sa propre polarisation en utilisant la tension aux bornes de
RS pour polariser la grille en inverse.
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II.3 – Polarisation par diviseur de tension

Le pont diviseur fournit une tension :

On en déduit la tension VS =VG - VGS et le courant

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III – Le TEC en régime dynamique

Cette étude consiste à analyser le fonctionnement d'un transistor polarisé en zone de
saturation lorsqu'on applique de petites variations à l'une des grandeurs électriques.
III.1 – Modèle en régime dynamique
Dans la zone linéaire, le TEC se comporte
comme une source de courant commandée
par la tension VGS ⇒ ID = f(VDS, VGS) .

: transconductance : admittance du drain

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On en déduit le schéma équivalent :

Les paramètres gm et gds peuvent être

déterminés sur le réseau de caractéristiques
au point de polarisation du transistor.
Le paramètre gm peut aussi être calculé à partir de l'équation :

D'où pour VGS = 0 :

et pour VGS ≠ 0 :
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 TD : Transistor bipolaire

1. Le gain du transistor =100, VBE=0,7V et VCEsat=0V tension de saturation

1. Pour RB=10kΩ, calculer les courants Is et Ic la tension VCE
2. Calculer le courant de base minimal IBmin pour saturer le transistor et
la résistance RB correspondante
3. On change le transistor par un PNP qui a les mêmes caractéristiques
1-3-1 Faire le schéma du montage
1-3-2 Quelle est la tension VBE
1-3-3 Reprendre les questions 1-1 et 1-2

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 TD : Transistor bipolaire

Soit le montage suivant :

2-1 déterminer le point de fonctionnement
2-2 Calculer r’e (résistance dynamique )
2-3 Déterminer le diagramme fonctionnel du montage et déterminer l’équation de
l’entrée et l’équation de la sortie
2-4 Calculer l’impédance d’entrée Ze, l’impédance de sortie Zs et le gain du montage Av
2-5 On met en parallèle ave RE un condensateur C3=10µF, calculer r’e, l’impédance Ze ,
l’impédance de sortie ZS et le gain Av

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