Electronique analogique II

Chapitre I
Les amplificateurs à base des
transistors bipolaires

Mohamed TLIG ENISo-2016 1

I Amplificateurs à transistors bipolaires

Caractéristiques d’un amplificateur

amplificateur
+VCC
Rg
ie

Ze il
ve Zs
vg vs

source -VEE vL
RL
charge

l Fonction: amplifier la puissance du “signal”

å tout amplificateur est alimentée par une source d’energie externe (ici: VCC et (ou) VEE)
v
l L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée Z e = e
ie

l La sortie agit comme une source de tension vs caractérisée par son impédance de sortie Zs

* Zs = résistance de Thévenin équivalent au circuit vu par RL

2
l Gain en tension : +VCC
Rg
Comme Zs ¹ 0 le gain en tension dépend de la charge ie
Ze iL
Définitions ve Zs
vg vs
vL v
Gain “en circuit ouvert” : Av = = s source vL
ve R =¥ ve -VEE RL
L
charge

v RL
Gain “sur charge” : AvL = L = Av
ve RL + Z s

v Ze
Gain “composite”: Avc = L = AvL Ù Comme Ze ¹ ¥ , Avc diffère de AvL
(tient compte de la v g Ri + Z e
résistance de sortie
de la source)

i A Z
l Gain en courant : Ai = L = vL e
ie RL

v i
l Gain en puissance : Ap = L L = Avc × Ai
v g ie

3
* L’amplificateur “idéal” :

l Gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée

l Impédance d’entrée élevée Ù peu de perturbation sur la source

l Impédance de sortie faible Ù peu d’influence de la charge

* La réalité...

n Domaine de linéarité : distorsion du signal pour des amplitudes trop élevées

Ö Nonlinéarité des caractéristiques électriques des composants
Ö la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation

n Bande passante limitée : le gain est fonction de la fréquence du signal

Ö capacités internes des composants
Ö condensateurs de liaison
Ö Impédances d’entrée (sortie) dépendent de la fréquence

4
2 Amplificateur à émetteur commun (EC)

n Particularités des amplificateurs EC :

l Le transistor en mode actif

l Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

l La sortie est “prise” sur le collecteur

l La borne de l’émetteur est commune à l’entrée et à la sortie ê ”Emetteur commun”

n Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont :

l Le circuit de polarisation

l Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

l La présence éventuelle de condensateurs de “découplage” (cf plus loin).

5
Exemple :
VCC

R1 RC
ê Polarisation par diviseur de tension

CB ê Couplage “capacitif” avec la source, vg, et la charge RL.

CC
RL vs
vg
hypothèses :
R2
RE
u Point de repos du transistor: mode actif
(« choix des résistances)

u A la fréquence du signal les impédances condensateurs “de liaison” sont négligeables :

1 1
« << R1 // R2 ; << RL
CBw CCw

* CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifié par
la présence du générateur de signaux.

* Cc évite que la charge “voit” la composante continue de VC, et qu’elle influence le point de
repos du transistor.
6
n Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
å circuit de polarisation à pont diviseur

n Analyse dynamique : rB = R1 // R2
rc = RL // RC

RC ie ib
R1
vg rB
C ve
h11 h21ib rc
vL
vg RL vL
RE i RE
R2
iRE = (h12 + 1) × ib
RE

l Gain en tension (sur charge): A = vL = - rc × h21 * Gain en circuit ouvert :

vL
ve h11 + RE × h21 Remplacer rc par Rc

7
 ie
l Impédance d’entrée :
* Ze dépend de l’endroit d’où vous “regardez” rB h11
l’entrée de l’amplificateur. ve h21ib

ê Impédance d’entrée vue de la source :

Ze Ze ' RE (h21 + 1)
v
Z e = e = rB //[h11 + (h21 + 1)RE ] @ rB //[h21 RE ]
ie å schéma équivalent “vu de la source” :

VRE = RE (h21 + 1)× ib

ê Impédance d’entrée vue après les résistances de polarisation :

Ze ' = h11 + (h21 + 1)RE @ h21RE (hie ~qq. 100 à qq. 1k Ohms)

l Gain en courant : ie iL

vg rB h11 h21ib rc
i h21 ve
Ai = L = -
ie h + (h21 + 1)RE
1 + 11 RE
rB

8
l Impédance de sortie :

* Zs dépend de l’endroit d’où vous “regardez” la sortie. h21ib Rc RL

ê Impédance de sortie vue de la charge (RL): Z s = Rc

Zs ’ Zs

* Zs de l’ordre de quelques kW « loin d’une source de tension idéale

« AvL diminue lorsque RL < ~Rc

* Parfois RC constitue aussi la charge de l’amplificateur (tout en permettant la polarisation du

transistor)

ê Impédance de sortie vue de Rc : Z s' = " ¥"

* ne tient pas compte de l’effet Early (hoe)

*approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif

9
 ie iL
Avec l’effet Early :
vg rB Rc
h11 h21ib h-1
ve 22 vsortie

RE

Zs ’

Méthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :

Zs’ = RThAB = résistance entre A et B, avec vg court-circuité

= vs / is !

A is
(1) : vs = h22 [is - h21ib ] + RE (is + ib )
l -1
ib
rB h11 h21ib h22-1
vs (2) : 0 = h11ib + RE (is + ib )
RE
l
B
vs -1 é h21RE ù RE h11
Z s = = h22 ê1 + ú+
ë 11 E û h11 + RE
+
is h R 10
l Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE), passe par Qrepos

Ic
vce
vce = vL - RE ic = -(rc + RE )ic
vce ic
® ic = - IBQ
rC + RE droite de charge statique
Q(repos) V - VCE
I C = CC
RC + RE

VCE

vce
t

* le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

11
 La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloquée ou saturée, du domaine linéaire.

rc
vs = -rcic = vce Û vs µ vce
rc + RE

VCEQ
Ic Ic
Q
Q(repos) droite de charge
ICQ
IBQ IBQ

Q(repos)
VCE VCE

VCEQ
(rc + RE )ICQ
vce

ê Point de repos optimale pour une dynamique maximale : VCEQ @ (rc + RE )ICQ
12
n Amplificateur EC avec émetteur à la masse :

* RE est nécessaire pour la stabilité du point de fonctionnement statique.

* RE diminue considérablement le gain...

“Remède” : découpler (“shunter”) RE par un condensateur en parallèle

ê seul le schéma dynamique est modifié.

VCC

R1 RC pour CE ou f suffisamment* élevé :

ie ib
CB CC
vg rB
RL vs ve
h11 h21ib rc
vg

R2
RE
CE

h11
*: RE // C E <<
h21 13
l Gain en tension (sur charge):
r ×h r * le gain dépend fortement de rf
AvL = - c 21 = - c >> gain avec RE (résistance interne de la fonction BE)
h11 rf (la contre-réaction n’agit plus en dynamique…)

kT rI
or rf @ ® AvL @ - c C
IC kT

* Le gain dépend de IC ® distorsion du signal aux amplitudes élevées

ve
l Impédance d’entrée de la base : Ze = = h11 significativement réduit...
ib

-1
l Impédance de sortie : Z s = h22 // Rc (vue de la charge RL)

14
l Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

vce = -ic rc “droite de charge dynamique”

Ic
vce
ic
ICQ
Q

droite de charge statique

VCEQ VCE

rc I CQ

(
ê Il y a déformation du signal dès que : vs > min VCEQ , rc ICQ )
ê Le point de repos optimal correspond à VCEQ = rc I CQ

15
n L’amplicateur EC en résumé :

lEmetteur à la masse :
RC R
Gain en circuit ouvert : Av = - h21 = - C >> 1 en valeur absolue
h11 rf

Impédance de sortie : Z s @ RC (de q.q. kW )

Impédance d’entrée de la
base du transistor: Z e @ h11 (de q.q. kW )

lAvec résistance d’émetteur (amplificateur « stabilisé »):

RC R
Gain en circuit ouvert : Av @ - » C
r f + RE RE

Impédance de sortie : Z s @ RC

Impédance d’entrée de la base: Ze = h11 + (h21 + 1)RE (élevée, hfe ~100-200)

* L’inconvénient du faible gain peut être contourné en mettant plusieurs étages

amplificateur EC en cascade (cf. plus loin). 16
3 Amplificateur à collecteur commun (CC) ou encore montage « émetteur suiveur »

n Particularités des amplificateurs CC :

l Le transistor en mode actif

l Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

l La sortie est “prise” sur l’émetteur

l La borne du collecteur est commune à l’entrée et à la sortie ê ”Collecteur commun”

n Les différences d’un amplificateur CC à l’autre sont :

l Le circuit de polarisation

l Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

l La présence éventuelle de condensateurs de “découplage”.

17
Exemple: VCC

R1 ê Polarisation par diviseur de tension

C ê Couplage “capacitif” avec la source, vg, et la charge RL.

C
B

vg isortie
hypothèse: Mode actif
E
R2
RE vs
RL

Ze

Analyse simplifiée (« 1ière approximation ») :

Mode actif « VBE @ 0.7V ® VE = VB - 0.7V ® vs = vE @ vB = vg

v
® Av = s » 1 L’émetteur “suit” la base.
vg

18
n Analyse dynamique : transistor
ientrée ib
B C

h11 h21ib
R1//R2 iL
vg E

RE vs RL

Ze
æ kT ö
l Gain en tension en circuit ouvert : Av =
RE
@
RE
@1 çç RE >> r f = ÷÷
h11 RE + rf è I Eø
RE +
h21 + 1
rE
l Gain en tension sur charge : Av = @ 1 avec rE = RE // RL
L rE + r f

l Impédance d’entrée :
Ze = rB //[h11 + (h21 + 1)rE ] >> 1
vs
iL RL Z Ze
l Gain en courant : Ai = = = AvL e » >> 1
ientrée vg RL RL
Ze 19
l Impédance de sortie
h11
ib
is
v
h21ib
vs Zs = s
rB
RE is v = 0
vs g

vs = RE × [is - (h21 + 1)ib ]ü é vs ù

ý® s
v = R × i
E ê s + (h21 + 1) ú
vs = -h11 × ib þ ë h11 û

h11
RE
RE h11 h21 + 1 h11 h11 !
Zs = = = RE // » = rf
h11 + RE (h21 + 1) h11
+ RE h21+1 h21
h21 + 1

20
l Dynamique de sortie

VCC
droite de charge dynamique : pente 1/rE
Ic
R1
droite de charge statique
C
C
B Q(repos) V -V
I C = CC CE
vg isortie RE
E VE = VCC - VCE
R2
RE vs rE I CQ VCE
RL

VEmax » VCC -0.2V VEmin » 0 V

ê Point de repos optimal : VCEQ » rE ICQ

* Le point optimal dépend de la charge.

21
L’amplicateur CC en résumé :
Av @ 1

Ze = R1 // R2 //(h11 + h21rE ) @ h21RE peut être de l’ordre de quelques 100kW

Rg + h11 Rg + h11 inférieure à quelques dizaines d ’Ohms

Z s = RE // »
h21 + 1 h21

RL i Z
AvL = Av » Av Ai = L = AvL e >> 1 » hfe si RE constitue la charge
RL + Z s ie RL (i = i et i » i )
L c e b

Intérêts du montage :
Faible impédance de sortie Impédance d ’entrée élevée

Applications :

« Etage - tampon » ó Isolement d ’une source à haute impédance de sortie d ’une charge à basse
impédance.
exemple : 1

Amplificateur de puissance (cf plus loin) 22

4 Amplificateur à base commune (BC)

n Particularités des amplificateurs BC :

l Le transistor en mode actif

l Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à l’émetteur du transisor

l La sortie est “prise” sur le collecteur

l La borne de la base est commune à l’entrée et à la sortie ê ”Base commune”

VCC

RC h21ib
E C
R1
RL rc
RE h11
ib B

R2 RE
vg

23
 h21ib
n Propriétés :
E C

ve RE rc
h11
l Gain en tension : h21rc ib B
AvL =
h11

Ze Zs
h21
l Gain en courant : Ai = »1
h11
+ h21 + 1
RE

h11 h kT
l Impédance d’entrée : Z e = RE // » 11 » rf = quelques W.
h21 + 1 h21 + 1 I CQ

-1
l Impédance de sortie : Z s = "¥" (hoe = 0) sinon Z s = h22 comportement en source
de courant

24
Exemple d’application : convertisseur courant - tension

quadripôle équivalent à l’étage BC

R
is
ie
vg
Ze Ai ie RL
Zs

vg vg
ie = » Þ vs = RL × is » RL × Ai × ie
R + Ze R tant que RL <<Zs.

~indépendant de Ze tension de sortie µ courant d’entrée

* Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est “vue par la charge” comme une résistance très grande (hoe-1)
(cf. charge active)

25
5 Influence de la fréquence du signal

* On se limitera au montage EC pour illustrer l’influence de la fréquence du signal sur les

performances d’un amplificateur à transistor bipolaire.

Limitation à basse fréquence « condensateurs de liaison et de découplage

Limitation à haute fréquence « capacités internes au transistor

Basse fréquence C et Ce ¹ court circuit

+VCC filtres passe-haut

RC Rg C ib C
R1

h11 h21ib
RG dynamique R1 // R2 RC RL
RL
vg

RE CE
R2 RE

Z E = RE // CE ¹ 0
1 ZE diminue le gain
f ci = , avec r = R1 // R2 // Z e + Rg
2p rC (voir ampli stabilisé)
Ze = impédance
d ’entrée de l ’étage 1
Fréquence de coupure inférieure du f co =
{
montage = max fci , fco } 2p (RL + RC )C 26
Hautes fréquences

Rg ib
Cbc
h11 h21ib Rc // RL
R1 // R2 Cbe

qualitativement: aux fréquences élevées, Cbe court-circuite la jonction base-émetteur ® ib diminue

Cbc crée une contre-réaction.

On montre que : Comportement en filtre passe-bas, avec

1
f ch @
é æ h öù
[
2p êCbe + Cbc çç1 + 21 RL ÷÷ú h11 // Rg // R1/ 2 ]
ë è h11 øû

27
 Electronique analogique II

Chapitre 2
Le couplage entre étages des
amplificateurs

Mohamed TLIG ENISo-2016 28

1 Couplage entre étages

n Objectif

Coupler plusieurs “étages” pour améliorer les propriétés du circuit...

Exemple : Amplificateur avec

- gain en tension élevé
- faible distorsion
- bonne stabilité (thermique, dispersion)
- impédance d’entrée élevée
- impédance de sortie faible

Solution possible : l stabilité et faible distorsion « EC stabilisé (RE)

l gain élevé « plusieurs étages en cascades

l Ze élevée « étage C.C en entrée

l Zs faible « étage C.C en sortie

Difficultés du couplage : u Polarisation de chaque étage

u Gain sur charge : chaque étage “charge” l’étage précédent
u Réponse en fréquence de l’ensemble (cf. couplage capacitif)
29
n Couplage capacitif
* Utilisation de condensateurs de liaison, CL
Exemple: amplificateur à trois étages CC - EC - CC
+VCC

R1 RC R1
R1

CL CL

CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE

C.C. E.C. C.C.

ê Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans l’hypothèse où la résistance interne de Vcc négligeable…)

ê Les paramètres dynamiques (gains, impédances) ne sont pas indépendants

å ex: l’impédance d’entrée du 3ième étage (= charge de l’étage E.C.) détermine le
gain sur charge du 2ième étage, etc.
30
 +VCC

R1 RC R1
R1

CL CL
T1 T2 T3
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE ’ CE

C.C. C.C.
E.C.
ier ier ier
AvL montage = AvL 1 ét . ´ AvL 2 ét . ´ AvL ét.
3

comme Ze E.C >> Z sCC et ZeC.C >> Z s EC ® AvL ¹ étages @ Av

T
Rc h21 2
» 1 ® AvL » Av =-
CC montage E .C
Av T
hie 2

31 loin)
Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage (cf. plus
nCouplage direct

ê Pas de fréquence de coupure basse

ê Les circuits de polarisation des différents étages ne sont pas indépendants.

30V
Un exemple :
24k
hfe ~100
5k 27k
T4
T3
vs
T1 ,T2=PNP!! T2 2.4k
T1 680
vg
Av » -10

AvL ~1 2 suiveurs E.C. E.C.

“Darlington” AvL » -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x h21>> 27k)

ê Amplificateur de tension stabilisé : Av = AvEC #1 ´ AvEC #2 » AvEC #1 ´ AvEC #2

L L

ê Ze élevée : [ ]
Z e » h21T1 Z e 2 » h21T1 h21T2 × 5000 = 50MW
T
ê Zs » 24 kW 32
l Analyse statique : VCC= 30V
24k
* VCC polarise en directe les deux
jonctions EB de T1 et T2 5k 27k
(transistors PNP) 3V T4
* En statique, vg = 0
0.7V T3
T1 vs
® VCE = -0.7V T
0.7V T2 I E3 2.4k
® T1 en mode actif 680
T1

T
® VCE2 = -1.4V

® T2 en mode actif

T T T T
® VE3 » 0.7V Þ I C3 » I E3 » 1mA ® VCE
3 » 2.3V ® T en mode actif
3

T T T T4
® VE 4 » 2.3V Þ IC4 » I E4 » 1mA ® VCE » 3.6V ® T4 en mode actif

I E2
T
Þ VC 4 » 6V I E 2 @ 5.7mA et I E1 = T2 33
h
21
* Mais attention…. VCC= 30V
refaisons le calcul avec VBE=0.6V : 24k

5k 27k
T2
® VCE = -1.2V 3V T4

® VET3 » 0.6V 0.6V T3

vs
T
0.6V T2 I E3 2.4k
Þ ICT3 » I ET3 » 0,88mA » 0,9mA
T1 680
T3 vg
® VCE » 5.7V au lieu de 3V…

® VET4 » 5.1V Þ ICT4 » I ET4 » 2,1mA » 2mA

T4
® VCE » -18V ® T4 en mode saturé !!

Amplification des dérives des composantes statiques

34
n Couplage par transformateur : condensateur d ’accord:
le circuit résonnant, LC, limite la
étage EC transmission aux fréquences
proches de la fréquence de
résonnace
æ ö
ç Av = - Z c ÷
ç r f ÷ø
è

condensateur de découplage
(masse en alternatif) (EC)

polarisation par
diviseur de
tension

transmission du signal d’un étage à l ’autre par le transformateur

Application majeure: essentiellement en radiofréquences (>500kHz)

exemple: syntonisation d ’une station radiophonique ou d ’un canal de télévision

35
Association entre étages des amplofocateurs
n Impédance de sortie et amplicateur de puissance

Puissance moyenne fournie par l’amplificateur :

Zs
2
æ RL ö
iL çç vs ÷÷
vL 2 è RL + Z s ø RL × vs 2
vs RL P = vL (t ) × iL (t ) = = =
2(RL + Z s )2
vL 2 RL 2 RL
charge

1
cos2 wt = , vL = amplitudedu signal
2
étage de sortie dP 2
v
d’un amplificateur Puissance maximale: Û = 0 L ® RL = Z s ® Pmax = s
dRL 8 × Zs
(“adaptation” d’impédance)

* Pour vs constant, Pmax augmente quand Zs diminue

A.N. vs=1V : Zs=10kW ® Pmax=0.012mW | Zs=10W ® Pmax=12mW

Rg Etage CC
gain en puissance en conditions
Zs d’adaptation d’impédance avec et
vg Ze vg charge sans étage amplificateur = Zs /Rg
36
n Amplificateur de Darlington
ê Amplificateur comprenant deux étages émetteur-suiveur montés en cascade

Vcc l Gain en tension :

“Darlington” * L’impédance d’entrée de T1 est très élevée et ne
“charge” pas beaucoup T2
R1
® Av @ 1
T2
R2 T1 l Impédance d’entrée du Darlington :
vg (après les résistances du pont diviseur)
vs
* L’impédance d’entrée élevée de T1 constitue la
RE résistance d’émetteur (RE) de T2

Ze ® Z e » h212 × Z eT1 » h212 × h211 × RE >> 1

T1: h211 T2:h212
* Ib (T2) très faible ó choix de R1 et R2

l Gain en courant :

iET1 iET1 ibT1 iET1 iET2

Ai = T2 = T1 T2 = T1 T2 = h211 × h212
ib ib ib ib ib 37
l Impédance de sortie du Darlington :
T
h11 2
+ hie 1
T

Z sT2 + h11 1
Vcc T T
h212 h11 2
® Zs » » »2
h211 h fe1 h211 h212
R1

T2 kT × h211 kT h11 2
T
hie = = =
T1
puisque
R2 I E T1 e × I E1 e × I E2 h212
vg 2

I E1
[h21 » hFE ]
vs
RE
I E1
I E2 = I B1 =
h211

h11
Etage CC unique : Z s =
h21

Pmax (étage CC avec Darlington) >> Pmax (simple étage CC)

38
 ê Darlington = “supertransistor” bipolaire….

ê Existe sous forme de composant discret à trois bornes, nommé transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)

ê Existe aussi avec des transistors PNP.

ê Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Ze très élevée, Zs très faible)

ê Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Zs très faible)

39
n Amplificateur Push-Pull
l Amplificateur classe A / classe B
* Dans les montages amplificateur vus précédemment, les transistors sont à chaque
instant en mode actif
è Amplificateur de “classe A”
Avantages:
ä faible distorsion (en cas d’amplificateur stabilisé)
äsimplicité
Inconvénients :
ä Amplitude de sortie limitée (typ: 0.2<VCE<Vcc ó vCEmax~Vcc/2)
ä Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls

+VCC

R1 RC
(
Palimentation @ Vcc × ICQ + I p )
Ip ICQ
ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW
R2
RE en absence de signal…

Amplificateur classe B: transistor bloqué en absence de signal d’entrée. (ex: Push-Pull)

Avantages: Inconvénients :
ä faible consommation, dynamique de sortie élevée ä Distorsion du signal 40
l Push Pull
Principe de fonctionnement
Exemple :
l Transistors bloqués au point de repos
(amplificateur « classe B »).

+Vcc R1 et R2 sont telles que (lorsque vg=0) on a

R1 ICNPN
VBE NPN < ~ 0.6 et VEB PNP < ~ 0.6V
B
NPN « Transistors bloqués (de justesse): IB~0 =>IC~0
R2
NPN PNP
P VCE + VEC = VCC NPN VCC PNP
~1.2V VCE » » VEC
vg R2
ICNPN @ ICPNP Q 2 Q
RL
vsortie
PNP ICNPN ICPNP
B’
R1 ICPNP VP

IB~0 IB~0
IC VCENPN

0 PNP VCC VCEPNP

NPN VCE
VCE Q
-VCC Q 0 41
 émetteur suiveur l En présence d’un signal d’entrée chaque transistor
est alternativement actif ou bloqué (ó « Push-Pull »)
+Vcc
R1 ê Si v g>0 ® NPN actif, PNP bloqué
B
NPN V p = VB - 0.7V
® DV p » DVB = v g
R2
P
~1.2V
vg
R2 RL Droite de charge dynamique
vsortie
IC v
B’
PNP ic = - CE droite de charge statique
RL VCEQ ~VCC/2
R1
ê Amplitude max : VCC/2

IB=0
VCC/2 VCE

ê si vg<0 ® NPN bloqué, PNP actif …

42
Formation du signal de sortie

IC IC
vg
ib NPN @ NPN PNP
h fe RL
VCE
VEC
t

ibPNP

Signal de sortie:
vsortie
NPN actif

t
PNP actif

* Plus grand domaine de fonctionnement 43

Difficultés de cet exemple
l positionnement du point de repos

VBEQ trop faible

IC
ICsat
t
t
VCE
transistors bloqués

è Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloquées
pendant une fraction du cycle.

l Risque d’emballement thermique (pas de contre-réaction)

44
Polarisation par diodes
Point de repos
+Vcc choix de R1 : ID ~0
comme VD =Vbe ®IE ~ID ~0
R1
NPN
* Idéalement D1, D2 = diodes de
D1 caractéristiques appariés aux transistors
ID 2 × VBE

vg D2 RL
PNP vsortie

R1

Remarques:
l L ’amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
ä Zs plus faible ® puissance maximale supérieure 45