Chapitre 5: Amplificateurs à Transistors Bipolaires

1. Présentation

1. 1. Caractéristiques d’un amplificateur

amplificateur
+VCC
Rg
ie

Ze il
ve Zs
vg vs

source -VEE vL
RL
charge

 Fonction: amplifier la puissance du “signal”

 tout amplificateur est alimentée par une source d’energie externe (ici: VCC et (ou) VEE)
ve
 L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée Z e 
ie

 La sortie agit comme une source de tension vs caractérisée par son impédance de sortie Zs

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1. Présentation

1. 2. Gain en tension/courant/puissance

 Gain en tension : +VCC

Rg
Comme Zs  0 le gain en tension dépend de la charge ie
Ze iL
Définitions ve Zs
vg vs
vL vs
Gain “en circuit ouvert” : Av   source RL vL
ve R   ve -VEE
L
charge
vL RL
Gain “sur charge” : AvL   Av
ve RL  Z s

AvL  Comme Ze   , Avc diffère de AvL

Gain “composite”: vL Ze
Avc  
(tient compte de la vg Rg  Z e
résistance de sortie
de la source)
i A Z
 Gain en courant : Ai  L  vL e
ie RL
 Gain en puissance : v i
Ap  L L  Avc  Ai
v g ie
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1. Présentation

1. 3. Amplificateur idéal

 Gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée

 Impédance d’entrée élevée  peu de perturbation sur la source

 Impédance de sortie faible  peu d’influence de la charge

La réalité...

 Domaine de linéarité : distorsion du signal pour des amplitudes trop élevées

Nonlinéarité des caractéristiques électriques des composants
la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation

 Bande passante limitée : le gain est fonction de la fréquence du signal

capacités internes des composants
condensateurs de liaison
Impédances d’entrée (sortie) dépendent de la fréquence

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2. Amplificateur à Émetteur Commun avec RE découplée

2.1. Schéma électrique +EC

RC
CL
R1
C1 et CL : condensateurs de couplage iL
C1
CE: condensateur de découplage

Rg RL VS

eg R2 RE CE

! C1 est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (eg=0) ne soit pas modifié par la
présence du générateur de signaux.

! CL évite que la charge “voit” la composante continue de EC, et qu’elle influence le point de repos
du transistor.

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2. Amplificateur à Émetteur Commun avec RE découplée

2.2. Étude statique

Les différentes capacités se présentent comme des circuits ouverts en régime continu.

RTh= R1 // R2 +EC
Ip-IB
VBM= ETh – IBRTh
RC
ETh = R2RTh
R1
VCB
IE= VEM / RE IC= (EC–VCE )/( RE+ RC )

VEM = VBM- VBE IB

VCE=EC – IC( RE+ RC ) VCE
IP
IE >>IB VBE IE

IE ≈IC R2 RE

Déterminations des différentes résistances de polarisation ainsi le point de repos.

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2. Amplificateur à Émetteur Commun avec RE découplée

2.3. Schéma équivalent en régime dynamique

 En régime dynamique, les différentes capacités se présentent comme des court-circuits.

Rg ig B ib ic C

h11e
+
Vbe h12eVce h22e Vce
h21eib
eg R0 VS
Ve RB

RB= R1 // R2

R0= RC // RL

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2. Amplificateur à Émetteur Commun avec RE découplée

2.3. Schéma équivalent en régime dynamique

 Schéma équivalent en courant alternatif pour l’amplificateur EC.

!!!! En général le coefficient de réaction interne h12e est négligeable.

Rg ic
ig B ib C

h11e
Vbe h22e Vce
h21eib
eg Ve RB R0 VS

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2. Amplificateur à Émetteur Commun avec RE découplée

2.3. Détermination des caractéristiques de l’amplificateur EC pour (RE découplée)

Rg B ic C
ig ib
h11e
Vbe h22e Vce
h21eib
eg Ve RB R0 VS

Impédance d’entrée: Re =eg / ig Re= Rg+ RB//h11e h11e = nUT/IB = nβUT/IC

Gain en courant: AI =iL / ig AI= [-RB/(RB+h11e)][h21e /(1+R0h22e)][RC /(RL+RC)]

Gain en tension: AV =VS / eg AV= [-R0h21e/(h11e (1+R0h22e)][h11e //RB]/[Rg +(RB//h11e)]

Impédance de sortie: RS =VS / iL RS= R0//h-122e = R0//ρ ≈ R0 ≈ RC

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3. Amplificateur à Émetteur Commun avec RE non découplée

3.1. Schéma électrique

Dans ce cas la résistance RE n’est pas découplée.

Le fonctionnement en courant continu est le même que celui de l’étude du montage EC avec RE
découplée.
+EC

RC
CL
R1
iL
C1

Rg RL VS

eg R2 RE

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3. Amplificateur à Émetteur Commun avec RE non découplée

3.2. Schéma équivalent en régime dynamique

Rg ig B ic C
ib

h11e
+
Vbe h12eVce h22e Vce
h21eib
eg Ve R0 VS
RB
E

RE

RB= R1 // R2

R0= RC // RL

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3. Amplificateur à Émetteur Commun avec RE non découplée

3.3. Détermination des caractéristiques de l’amplificateur EC pour (RE non découplée)

Impédance d’entrée: Re =eg / ig Re= Rg+ RB//[h11e + RE(1+K) ]

Avec K= iC/ib = (h21e - REh22e)/[1+ (R0+RE)h22e]

Gain en courant AI =iL / ig AI= -K[RC/(RC+RL)][RB /(RB + h11e+RE (1+K))]

Gain en tension AV =VS / eg AV= AIRL/{Rg+RB//[h11e+RE(1+K)]}

Impédance de sortie RS =VS / iL RS= R0//[ρ(1+ (REh21e)/(r+RE ) + r//RE ]

RS ≈ RC//ρ(REh21e)/(r+RE ) ≈ RC

r = Rg//RB + h11e

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3. Amplificateur à Émetteur Commun avec RE non découplée

3.4. Comparaison EC avec RE découplée ou couplée

 Re augmente dans le cas où RE n’est pas découplée.

 AV diminue dans le cas où RE n’est pas découplée.

 RS pour les deux études garde presque la même valeur.

 Dans la pratique, pour avoir un fort gain et une impédance d’entrée de valeur moyenne, on utilise
une résistance partiellement découplée :
RE = RE1 + RE2

CE

RE intervient en statique
E

RE2 RE1 RE1 intervient en dynamique

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4. Amplificateur à Collecteur Commun

4.1. Schéma électrique

Amplificateur à collecteur commun ou émetteur suiveur.

+EC

R1

C1

CL
Rg
iL
eg R2 RE
RL VS

Le fonctionnement en courant continu est le même que celui de l’étude précédente.

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4. Amplificateur à Collecteur Commun

4.2. Schéma équivalent en régime dynamique

Rg ig B ib ie E

h11e
Vbc
Vec
eg h21eib h22e R0 VS
Ve RB

RB= R1 // R2

R0= RE // RL

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4. Amplificateur à Collecteur Commun

4.3. Détermination des caractéristiques de l’amplificateur CC

Impédance d’entrée Re =eg / ig Re= Rg+ RB//[h11e + R0(1+K) ] Gain en courant AI =iL / ig

Avec K= iC/ib = (h21e – R0h22e)/(1+ R0h22e) AI= (1+K)RB/[RB + h11e+R0 (1+K)]

Gain en tension AV =VS / eg AV ≈ 1 Gain en puissance Ap = AV.AI ≈ AI

Impédance de sortie RS =VS / iL RS= R0//ρ//[(h11e+RB//Rg )/(1 + h21e )]

RS ≈ (h11e+Rg )/ (1 + h21e ) ≈ h11e / (1 + h21e )

Conclusion

 Grande impédance d’entrée, peut jouer le rôle d’un adaptateur.

 AV ≈ 1, la tension de sortie suit de près la tension d’entrée, à la fois en phase et amplitude, d’où le
terme émetteur suiveur.
 RS est très faible ; c’est la raison pour laquelle l’émetteur suiveur est utile pour des charges de faibles
résistances ( haut parleur ).
 AI est sensiblement égal au gain en courant du transistor h21e. h21e représente le gain en courant max
pouvant être atteint pour les amplificateurs EC et CC.
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5. Amplificateur à Base Commune

5.1. Schéma électrique

+EC

RC
CL
R1
iL
CB

C1
RL VS

R2 RE Rg

eg

Le fonctionnement en courant continu est le même que celui de l’étude précédente.

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5. Amplificateur à Base Commune

5.2. Schéma équivalent en régime dynamique

Rg E h21eib Vec ic C
ig ie

ib
Ve Veb h22e
eg h11e R0 VS
RE

R0= RC // RL

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5. Amplificateur à Base Commune

5.3. Détermination des caractéristiques de l’amplificateur BC

Impédance d’entrée Re =eg / ig Re= Rg + 1/{1/RE+ 1/h11e +[(h21e/ h11e ) + h22e]/[ 1+ R0h22e ]}
Re≈ Rg + h11e/(1+h21e)

Gain en courant AI =iL / ig AI= [RC/(RL +R C)][1/(1+K(1+ h11e /RE ))] ≈ 1

Avec K= ib/ic = (1+ R0h22e)/(h21e + h11eh22e)

Gain en tension AV =VS / eg AV = AIRL/Re Gain en puissance Ap = AV.AI ≈ AV

Impédance de sortie RS =VS / iL RS= R0//[r0+ρ(1+ r0h21/h11e )] r0 = Rg// RE//h11e

RS ≈ R0//(ρ r0h21/h11e ) ≈ R0 ≈ RC

Conclusion

 La résistance d’entrée est faible et la résistance de sortie est élevée.

 Le gain en courant maximal est égal à 1.
 Amplifie en tension comme l’amplificateur à émetteur commun. Il n’existe pas
d’inversion de phase entre l’émetteur et le collecteur.
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6. Influence de la fréquence du signal

On se limitera au montage EC pour illustrer l’influence de la fréquence du signal sur les performances
d’un amplificateur à transistor bipolaire.

Limitation à basse fréquence => condensateurs de liaison et de découplage

Aux trop basses fréquences, les condensateurs ne peuvent plus être considérées
comme des court-circuits dynamiques. Leur impédance électrique est inversement
proportionnelle à la fréquence.

Limitation à haute fréquence => capacités internes au transistor

Aux très hautes fréquences, c’est le modèle du transistor qui doit être reconsidéré.

Les condensateurs de liaison ou de découplage comme les condensateurs internes du transistor

délimite le fonctionnement de l’amplificateur à une bande passante.
Les fréquences de coupures sont définies comme étant les fréquences auxquelles le gain en tension
chute de 3dB par rapport à sa valeur dans la bande passante.

Chaque condensateur de liaison constitue avec certaines résistances du montage un filtre RC passe
haut, de fréquence de coupure caractéristique (1/2πRC).

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6. Influence de la fréquence du signal

6.1. Signal basses fréquences

C et CE ≠ court circuit filtres passe-haut

+VCC
Rg C ib C
R1 RC
C
hie hfeib RC RL
C R1 // R2
RG vg
RL
RE CE
CE
R2 RE

1
f ci  , avec r  R1 // R2 // Z e  Rg Z E  RE // CE  0
2 rC 1
ZE diminue le gain f co 
Ze = impédance d’entrée de l’étage 2 RL  RC C
Fréquence de coupure inférieure du

montage ~ max f ci , f co 

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6. Influence de la fréquence du signal

6.2. Signal hautes fréquences

Au hautes fréquences, les capacités internes au transistor introduisent des filtres RC passe-bas dans le
circuit équivalent de l’amplificateur.

Rg ib
Cbc
hie hfeib Rc // RL
Cbe
R1 // R2

Aux fréquences élevées: Cbe court-circuite la jonction base-émetteur  ib diminue

Cbc crée une contre-réaction.
1
On montre que : f ch 
 
 h fe
2 Cbe  Cbc 1  
RL  hie // Rg // R1/ 2 
  hie 
!!Noter que la fréquence de coupure haute de l’étage dépend à la fois des valeurs des
paramètres caractéristiques du transistor (capacités internes, résistances dynamiques, gain
en courant) et des résistances de polarisation et de charge du montage.
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6. Influence de la fréquence du signal

6.3. Rappel sur le Décibel

Pour des raison de normalisation, le bel (B) a été défini par la relation entre deux puissances, P1 et P2 :

bel = log10 (P2 /P1)

En pratique, il est aperçu que le bel était une unité de mesure trop grande d’où il est redéfini décibel
(dB) tel que 10 décibels = 1bel.
(10) bels = 10 log10 (P2 /P1) dB = 10 log10 (P2 /P1)

Quand on utilise 1 mW comme puissance de référence (P1), on utilise souvent le symbole dBm
comme abréviation de décibel, tel que:

dBm = 10 log10 (P2 /1mW) P1 = 1mW

dB/décade : Correspond un changement par un facteur 10 de la valeur de la fréquence.

dB/octave : Correspond un changement par un facteur 2 de la valeur de la fréquence.

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6. Influence de la fréquence du signal

6.3. Rappel sur le Décibel

Par convention, on définit le gain en puissance en décibel par l’expression:

Pe : représente la puissance d’entrée.

ApdB= 10 log10 (Ps / Pe) = 10 log10 (Ap)
Ps : représente la puissance de sortie.

Expression du gain en tension AvdB= 20 log10 (Vs / Ve) = 20 log10 (Av)

Expression du gain en courant AidB= 20 log10 (Is / Ie) = 20 log10 (Ai)

Si les charges sont adaptées, c’est à dire Re = Rs

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7. Amplificateurs à plusieurs étages

 Objectif
Coupler plusieurs “étages” pour améliorer les propriétés du circuit...

Exemple : Amplificateur avec

- gain en tension élevé
- faible distorsion
- bonne stabilité (thermique, dispersion)
- impédance d’entrée élevée
- impédance de sortie faible

Solution possible :  Stabilité et faible distorsion  EC stabilisé (RE)

 Gain élevé  plusieurs étages en cascades
 Ze élevée  étage CC en entrée
 Zs faible  étage CC en sortie

Difficultés du couplage :  Polarisation de chaque étage

 Gain sur charge : chaque étage “charge” l’étage précédent
 Réponse en fréquence de l’ensemble (couplage capacitif)

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7. Amplificateurs à plusieurs étages

7.1. Couplage capacitif +VCC

Utilisation de condensateurs de liaison CL R1 R1 RC R1

Exemple: CL CL
Amplificateur à trois étages CC-EC-CC CL CL charge
ventrée
RE
R2 RE R2 R2 RE
CE

CC EC CC
 Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans l’hypothèse où la résistance interne de Vcc négligeable…)
 Les paramètres dynamiques (gains, impédances) sont dépendants : l’impédance d’entrée du
3ième étage (= charge de l’étage EC) détermine le gain sur charge du 2ième étage, etc.
 L’étage CC d’entrée introduit une impédance d’entrée élevée de l’amplificateur
 L’étage CC de sortie assure une impédance de sortie faible.
 Le gain en tension de l’ampli est essentiellement dû à l’étage EC.
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7. Amplificateurs à plusieurs étages

7.1. Couplage capacitif +VCC

 En dynamique, les différents étages sont couplés.
R1 R1 RC R1
!!Le gain en tension de l’ensemble n’est pas
égal au produit des gains en circuit ouvert, Av,
CL CL
de chaque étage. Chaque étage est «chargé» T1 T2 T3
par l’impédance d’entrée de l’étage suivant.
CL CL
ventrée
RE RE
ier ier ier R2 RE R2 R2 charge
AvL montage  AvL 1 ét.  AvL 2 ét.  AvL 3 ét. CE

comme CC EC CC

Ze E.C  Z sCC et ZeC.C  Z s EC

 Le gain sur charge des différents étages ne

diffèrent que peu de leur gain en circuit ouvert. Rc h21e 2
T
 1  AvL  Av 
CC montage E .C
Av
 AvL  étages  Av
T
h11e 2

Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage.

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7. Amplificateurs à plusieurs étages

7.2. Couplage par transformateur

condensateur de liaison:
le circuit résonnant, LC, limite la
étage EC transmission aux fréquences
proches de la fréquence de
résonance

condensateur de découplage
(masse en alternatif) (EC)

polarisation par
diviseur de tension

transmission du signal d’un étage à l ’autre par le transformateur

Application majeure: essentiellement en radiofréquences (>500kHz)

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7. Amplificateurs à plusieurs étages

7.3. Couplage direct

 Pas de capacité de liaison => Pas de fréquence de coupure basse
 Les étages ne sont pas découplés en statique => conception du montage est plus complexe .
 Les circuits de polarisation des différents étages ne sont pas indépendants.

 Possibilité d’amplifier des tensions continues 30V

24k

5k 27k
T4
Amplificateur de tension stabilisé : T1 ,T2=PNP!! β ~100
T3
vs
Av  AvEC #1  AvEC #2  AvEC #1  AvEC #2 T2 2.4k
L L
T1 680
Ze élevée : Z e  50M vg
Av  -10
 Zs  24 k EC
2 suiveurs EC
AvL ~1 AvL  -40 = gain
“Darlington” en circuit ouvert

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7. Amplificateurs à plusieurs étages

7.4. Amplificateur de Darlington

ic1 iC C
C
iC

B ib1
T1 ic2
ib vce
T
B
T2 vce
vbe
ib2=ie1
vbe
ie
E
ie

Vbe = Vb1e1+Vb2e2 ic = ic1+ic2

ie = ie1+ic2 Vc2e2 = Vce = Vc1e1+Vb2e2

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7. Amplificateurs à plusieurs étages

7.4. Amplificateur de Darlington L’analyse dynamique donne le schéma équivalent suivant :

ib1 ic1 ic

h11
+
h22 Vc1e1
h12 Vc1e1 h21ib1
ic2
Vbe ie1 ib2 Vbe

h’11
+
Vb2e2 h’12Vc2e2 h’22 Vc2e2
h’21 ib2

 Darlington = “supertransistor” bipolaire….

 Il se comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé(ex: 2N2785: h21=2000-
20000).
 Existe aussi avec des transistors PNP.
 Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Ze très élevée, Zs très faible)
 Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Zs très faible)

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